ETC BT151-600

Silicon
汕头华汕电子器件有限公司
Controlled
Rectifier
对应国外型号
BT151-600
HCP12C60
█ 主要用途
单向可控硅, 用于过压保护、马达控制、限流电路、加热控制。
█ 极限值(Tj=25℃)
█ 外形图及引脚排列
Tstg ——贮存温度 ………………………………………………… -40~150℃
Tj ——结温 …………………………………………………………-40~125℃
VDRM ——重复峰值断态电压
…………………………………………600V
IT(RMS)——RMS 通态电流(均方值)……………………………… 12A
IT(AV) ——平均通态电流(半正弦波,TC=109℃)…………………… 7.6A
ITSM ——浪涌通态电流(1/2 周期,60HZ, 正弦波,不重复) …………… 132A
VRGM —反向峰值门极电压 ………………………………………………5V
IFGM ——正向峰值门极电流 …………………………………………2.0A
PGM——峰值门极功耗……………………………………………………5.0W
█ 电参数(Tc=25℃)
参数符号
IDRM
符
号
说
明
最小值
典型值
最大值
单 位
重复峰值断态电流
测
试
条
件
VAK=VDRM
10
200
uA
uA
Tc=125℃
ITM=24A,tp=380us
VTM
峰值通态电压(1)
1.6
V
IGT
门极触发电流(2)
15
mA
Tc=25℃
VAK =6V(DC), RL=10 ohm
Tc=25℃
VGT
门极触发电压(2)
VGD
门极不触发电压(1)
1.5
0.2
V
V
VAK =6V(DC), RL=10 ohm
Tc=25℃
VAK =12V, RL=100 ohm
Tc=125℃
IH
维持电流
20
mA
IT=100mA, 栅极开路
Tc=25℃
(dv/dt)c
最低电压上升率
200
V/us
线 性 倾 斜 上 升 至 VD=VDRM
67%, 栅极开路,Tj=125℃
Rth(j-c)
热阻
1.3
℃/W
结到外壳
Rth(j-a)
热阻
60
℃/W
结到环境
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Silicon
Controlled
Rectifier
对应国外型号
BT151-600
HCP12C60
█ 特性曲线
图二、最大外壳温度
栅极电压(V)
最大允许外壳温度(°c)
图一、栅极特性
栅极电流(mA)
平均通态电流(A)
图四、热
响
应
通态电流(A)
瞬态热阻(°c/W)
图三、典型正向压降
通
态
电
压(V)
图五、典型栅极触发电压----结温
结
温(℃)
时
间(sec)
图六、典型栅极触发电流----结温
结
温(℃)
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Silicon
Controlled
Rectifier
对应国外型号
BT151-600
HCP12C60
█ 特性曲线
图八、功
耗
最大平均功耗(W)
图七、典型维持电流
结
温(℃)
平均通态电流(A)
注:
1、
脉冲宽度等于 1.0ms, 占空因数小于等于 1%
2、
测量时不包括 RGK 电流