THYRISTOR( Surface Mount Device/Non-isolated) SMG12C60H Thyristor SMG12C60H is designed for full wave AC control applications. It can be used as an ON/OFF function or for phase control operation. TO-263 （7.0） Home Appliances : Electric Blankets, Starter for FL, other control applications Industrial Use : SMPS, Solenoid for Breakers, Motor Controls, Heater Controls, other control applications IT(AV)=12A ● High Surge Current ● Low Voltage Drop ● Lead-Free Package 1 2 3 （ RO 2× .4 5） 1 2.4 ±0.2 4.9 ±0.5 ● 1.3 ±0.2 2.36 ±0.15 Features 4.5 ±0.2 （6.91） 3 1.27 ±0.2 0.8 ±0.15 2.54 ±0.25 5.08 ±0.5 2.54 ±0.15 10.4 ±0.3 （0.4） 10 ±0.3 9.2 ±0.3 1.4 ±0.5 ● 0.5 ±0.15 2.5 ±0.2 2 Identifying Code：S12C6H ■Maximum Ratings Symbol （7.2） （0.9） Typical Applications ● （4.0） 1K 2A 3 Gate Unit：mm （Tj=25℃ unless otherwise specified） Item Reference Ratings Unit VRRM Repetitive Peak Reverse Voltage 600 V VRSM Non-Repetitive Peak Reverse Voltage 720 V VDRM Repetitive Peak Off-State Voltage 600 V IT（AV） Average On-State Current Single phase, half wave, 180° , conduction, Tc＝94℃ 12 A R.M.S. On-State Current Single phase, half wave, 180° , conduction, Tc＝94℃ 18.8 A 180/197 167 A2S IT（RMS） ITSM I2t PGM PG（AV） Surge On-State Current 50Hz/60Hz, 1 ／2 cycle Peak value, non-repetitive I2t Peak Gate Power Dissipation Average Gate Power Dissipation A 5 W 0.5 W 2 A IFGM Peak Gate Current VFGM Peak Gate Voltage（Forward） 6 V VRGM Peak Gate Voltage（Reverse） 10 V Operating Junction Temperature −40∼＋125 ℃ Storage Temperature −40∼＋150 ℃ 1.2 g Tj Tstg Mass ■Electrical Characteristics Symbol Item IDRM Repetitive Peak Off-State Current Tj＝125℃, VD＝VDRM IRRM Repetitive Peak Reverse Current Tj＝125℃, VR＝VRRM VTM Peak On-State Voltage IT＝35A, Inst. measurement IGT Gate Trigger Current VGT Gate Trigger Voltage VGD Non-Trigger Gate Voltage IH Rth（j-c） Reference Min. Typ. VD＝6V, RL＝10Ω Tj＝125℃, VD＝1／2VDRM Holding Current Thermal Resistance Ratings Max. 2 mA 2 mA 1.5 V 30 mA 1.4 V 0.2 V 15 Junction to case Unit mA 1.8 ℃/W SanRex 50 Seaview Blvd. Port Washington, NY 11050 PH(516)625-1313 FX(516)625-8845 E-mail:[email protected] SMG12C60H Gate Characteristics On-State Voltage Max １０ １０００ VFGM（６V） Ｔ ｊ=２５℃ Ｔ ｊ=１２５℃ On-State Current（A） １００ PG（AG） （０.５W） １ １FGM（２A） Gate Voltage（V） PGM（５W） ２５℃ １０ VGD（０.２V） ０.１ １ １０ １００ １ ０.５ １００００ １０００ １ Gate Current（mA） Ambient Temperature（℃） Power Dissipation（W） θ＝１８０゜ ３ ３.５ θ＝１２０゜ θ＝９０゜ π ０ 2π θ ３６０゜ １２０ θ ：Conduction Angle １１０ θ＝６０゜ θ＝３０゜ １００ π ０ ５ 2π θ ３６０゜ θ ：Conduction Angle ０ ０ ２ ４ ６ ８ １０ １２ ９０ ８０ ０ １４ θ＝３０゜ ２ ２００ １５０ ６０Hz １００ ５０Hz ５０ １０ １００ Transient Thermal Impedance（℃／W） Surge On-State Current Rating（Non-Repetitive） ０ １ ４ θ＝６０゜ θ＝９０゜ θ＝１２０゜ ６ ８ １０ θ＝１８０゜ １２ １４ Average On-State Current（A） Average On-State Current（A） Surge On-State Current（A） ２.５ １３０ ２０ １０ ２ Average On-State Current vs Ambient Temperature（Single phase half wave） Average On-State Current vs Power Dissipation（Single phase half wave） １５ １.５ On-State Voltage（V） Maximum Transient Thermal Impedance Characteristics １０ １ ０.１ ０.０１ ０.１ Time（Cycles） １ １０ １００ Time（sec.） IGT −Tj［Change Rate］ （Typical） VGT −Tj（Typical） １ １０００ IGT（t℃） ×100（％） IGT（２５℃） Gate Trigger Voltage（V） ０.９ １００ １０ −５０ −２５ ０ ２５ ５０ ７５ Junction Temp.（℃） １００ １２５ ０.８ ０.７ ０.６ ０.５ ０.４ ０.３ ０.２ ０.１ ０ −５０ −２５ ０ ２５ ５０ ７５ １００ １２５ Junction Temp.（℃） SanRex 50 Seaview Blvd. Port Washington, NY 11050 PH(516)625-1313 FX(516)625-8845 E-mail:[email protected] SMG12C60H VD −Tj Change Rate（Typical） 150 140 140 130 130 V（ R t℃） ×100（％） V（ R ２ ５℃） VD（t℃） ×100（％） VD（２５℃） 150 120 110 100 90 80 70 60 50 −５０ VR −Tj Change Rate（Typical） 120 110 100 90 80 70 60 −２５ ０ ２５ ５０ ７５ Junction Temp.（℃） １００ １２５ 50 −５０ −２５ ０ ２５ ５０ ７５ １００ １２５ Junction Temp.（℃） SanRex 50 Seaview Blvd. Port Washington, NY 11050 PH(516)625-1313 FX(516)625-8845 E-mail:[email protected]