THYRISTOR( Through Hole) SMG05C60 ( Sensitive Gate) Thyristor SMG05C60 is designed for full wave AC control applications. It can be used as an ON/OFF function or for phase control operation. Home Appliances : Electric Blankets, Starter for FL, other control applications Industrial Use : SMPS, Solenoid for Breakers, Motor Controls, Heater Controls, other control applications 2.3±0.2 Features IT(AV)=0.5A High Surge Current ● Low Voltage Drop ● 3 1 2.0MAX ● 13.5±0.5 ● TO-92 4.0±0.2 5.0±0.2 Typical Applications 5.0±0.2 0.45+- 0.2 0.1 0.45+- 0.2 0.1 2 ● 1 2 1 Gate 2A 3K 3 2.50+- 0.6 0.2 2.50+- 0.6 0.2 Identifying Code：S05C6 ■Maximum Ratings Symbol Unit：mm （Tj=25℃ unless otherwise specified） Item Reference Ratings Unit VRRM Repetitive Peak Reverse Voltage 600 V VRSM Non-Repetitive Peak Reverse Voltage 720 V VDRM Repetitive Peak Off-State Voltage 600 V IT（AV） Average On-State Current Single phase, half wave, 180° , conduction, Ta＝39℃ 0.5 A R.M.S. On-State Current Single phase, half wave, 180° , conduction, Ta＝39℃ 0.78 A 18/20 1.65 A2S Peak Gate Power Dissipation 0.5 W Average Gate Power Dissipation 0.1 W IFGM Peak Gate Current 0.3 A VFGM Peak Gate Voltage（Forward） 6 V VRGM Peak Gate Voltage（Reverse） 6 V Operating Junction Temperature −40∼＋125 ℃ Storage Temperature −40∼＋150 ℃ 0.2 g IT（RMS） ITSM I2t PGM PG（AV） Tj Tstg Surge On-State Current 50/60Hz, 1 ／2 cycle Peak value, non-repetitive I2t Mass A ■Electrical Characteristics Item IDRM Repetitive Peak Off-State Current Tj＝125℃, VD＝VDRM, RGK＝1kΩ 0.5 mA IRRM Repetitive Peak Reverse Current Tj＝125℃, VR＝VRRM, RGK＝1kΩ 0.5 mA VTM Peak On-State Voltage IT＝1.5A, Inst. measurement 1.2 V IGT Gate Trigger Current 100 μA VGT Gate Trigger Voltage 0.8 V VGD Non-Trigger Gate Voltage IH Rth（j-a） Reference Ratings Symbol Typ. VD＝6V, RL＝100Ω Tj＝125℃, VD＝1／2VDRM, RGK＝1kΩ Holding Current Thermal Resistance Min. Max. 0.2 V μA 300 Junction to ambient Unit 150 ℃/W SanRex 50 Seaview Blvd. Port Washington, NY 11050 PH(516)625-1313 FX(516)625-8845 E-mail:[email protected] SMG05C60 Gate Characteristics On-State Voltage（MAX） １０ １０ Ｔ ｊ=２５℃ Ｔ ｊ=１２５℃ Gate Voltage（V） PGM（0.5W） PG（AV） （0.1W） IFGM（0.3A） １ 25℃ On-State Current（A） VFGM（6V） １ VGD（0.2V） ０． １ 0.0１ 0.１ １ １ ０ 100 ０.１ ０ 1000 ０.５ １ Gate Current（mA） １.５ ２ ２.５ Average On-State Current vs Power Dissipation（Single phase half wave） ０.５ １３０ 2π θ ３６０゜ θ ：Conduction Angle １００ θ＝６０゜ θ＝３０゜ ０.２ π ０ 2π θ ３６０゜ ０.１ θ ：Conduction Angle ０.０５ ０.１ ０.１５ ０.２ ０.２５ ０.３ ０.３５ ０.４ ０.４５ ９０ ８０ ７０ ６０ ５０ ４０ ３０ ０ θ＝３０゜ ０.１ ０.２ θ＝６０゜ θ＝９０゜ θ＝１２０゜ θ＝１８０゜ ０.３ ０.４ ０.５ ０.６ １００ １０００ Average On-State Current（A） Surge On-State Current Rating（Non-Repetitive） １４０ １２０ １００ Transient Thermal Impedance（℃／W） Average On-State Current（A） Surge On-State Current（A） π ０ １１０ θ＝９０゜ ０ ０ Ambient Temperature（℃） Power Dissipation（W） １２０ θ＝１２０゜ ０.３ ３.５ Average On-State Current vs Ambient Temperature（Single phase half wave） θ＝１８０゜ ０.４ ３ On-State Voltage（V） Maximum Transient Thermal Impedance Characteristics １０００ １００ ８０ ６０Hz ６０ ５０Hz ４０ ２０ ０ １ １０ １００ １０ １ ０.００１ ０.０１ ０.１ １ １０ Time（sec.） Time（Cycles） IGT −Tj［Change Rate］ （Typical） VGT −Tj（Typical） １０００ １ IGT（t℃） ×100（％） IGT（２５℃） Gate Trigger Voltage（V） ０.９ １００ １０ −50 −25 ０ ２5 50 75 Junction Temp.（℃） 100 125 ０.８ ０.７ ０.６ ０.５ ０.４ ０.３ ０.２ ０.１ ０ −50 −25 ０ 25 50 75 100 １25 Junction Temp.（℃） SanRex 50 Seaview Blvd. Port Washington, NY 11050 PH(516)625-1313 FX(516)625-8845 E-mail:[email protected] SMG05C60 150 VD−RGK［Change Rate］ （Typical） VD −Tj Change Rate（Typical） １２０ RGK=1kΩ Tj=１２５℃ VD（RGK=rkΩ） ×100（％） VD（RGK=１kΩ） VD（t℃） ×100（％） VD（２５℃） 140 １００ 130 120 110 100 90 80 70 ８０ ６０ ４０ ２０ 60 50 −５０ −２５ ０ ２５ ５０ ７５ １００ ０ １ １２５ １０ Junction Temp.（℃） １００ Gate-Cathode Resistance（kΩ） IH−RGK［Change Rate］ （Typical） １０００ 150 140 V（ R t℃） ×100（％） V（ R 25℃） IH（RGK=rkΩ） ×100（％） IH（RGK=１kΩ） Ｔ ｊ=２５℃ １００ VR −Tj Change Rate（Typical） 130 120 110 100 90 80 70 60 １０ ０.１ １ １０ Gate-Cathode Resistance（kΩ） １００ 50 −５０ −２５ ０ ２５ ５０ ７５ １００ １２５ Junction Temp.（℃） SanRex 50 Seaview Blvd. Port Washington, NY 11050 PH(516)625-1313 FX(516)625-8845 E-mail:[email protected]