THYRISTOR( Surface Mount Device/Non-isolated) SMG08C60A ( Sensitive Gate) Thyristor SMG05C60A is designed for full wave AC control applications. It can be used as an ON/OFF function or for phase control operation. 4.1 ±0.15 2.45 ±0.15 Home Appliances : Electric Blankets, Starter for FL, other control applications Industrial Use : SMPS, Solenoid for Breakers, Motor Controls, Heater Controls, other control applications 1 2 3 0.42 ±0.1 0.4 ±0.05 0.46 ±0.1 3 2.2 1 （1.5） 0.9 ● 2 3 ±0.1 Features 45゜ 3.7 ● TO-89 1.6 ±0.2 1 ±0.1 Typical Applications 1.5 ±0.1 4.5 ±0.1 45゜ IT(AV)=0.5A ● High Surge Current ● Lead-Free Package ● 1.0 1.0 1.0 1.5 1.8 1.5 2 1 Gate 2A 3K 1.5 3.0 Identifying Code：S05C6A ■Maximum Ratings Symbol Unit：mm （Tj=25℃ unless otherwise specified） Item Reference Ratings Unit VRRM Repetitive Peak Reverse Voltage 600 V VRSM Non-Repetitive Peak Reverse Voltage 720 V VDRM Repetitive Peak Off-State Voltage 600 V IT（AV） Average On-State Current Single phase, half wave, 180° , conduction, Tc＝46℃ 0.8 A R.M.S. On-State Current Single phase, half wave, 180° , conduction, Tc＝46℃ 1.3 A 18/20 1.65 A2S Peak Gate Power Dissipation 0.5 W Average Gate Power Dissipation 0.1 W IFGM Peak Gate Current 0.3 A VFGM Peak Gate Voltage（Forward） 6 V VRGM Peak Gate Voltage（Reverse） 6 V Operating Junction Temperature −40∼＋125 ℃ Storage Temperature −40∼＋150 ℃ 0.05 g IT（RMS） ITSM I2t PGM PG（AV） Tj Tstg Surge On-State Current 50Hz/60Hz, 1 ／2 cycle Peak value, non-repetitive I2t Mass A ■Electrical Characteristics Item IDRM Repetitive Peak Off-State Current Tj＝125℃, VD＝VDRM, RGK＝1kΩ 0.5 mA IRRM Repetitive Peak Reverse Current Tj＝125℃, VR＝VRRM, RGK＝1kΩ 0.5 mA VTM Peak On-State Voltage IT＝2.5A, Inst. measurement 1.5 V IGT Gate Trigger Current 100 μA VGT Gate Trigger Voltage 0.8 V VGD Non-Trigger Gate Voltage IH Rth（j-a） Reference Ratings Symbol Typ. VD＝6V, RL＝100Ω Tj＝125℃, VD＝1／2VDRM, RGK＝1kΩ Holding Current Thermal Resistance Min. Max. 0.2 V μA 300 Junction to ambient Unit 65 ℃/W SMG08C60A Gate Characteristics On-State Voltage（MAX） １０ １０ Ｔ ｊ=２５℃ Ｔ ｊ=１２５℃ Gate Voltage（V） PGM（0.5W） PG（AV） （0.1W） IFGM（0.3A） １ 25℃ On-State Current（A） VFGM（6V） １ VGD（0.2V） ０． １ 0.0１ 0.１ １ １ ０ 100 ０.１ ０ 1000 ０.５ １ Gate Current（mA） Power Dissipation（W） θ＝90゜ θ＝60゜ 0.8 θ＝30゜ 0.6 0.4 π ０ 2π θ ３６０゜ 0.2 θ ：Conduction Angle Ambient Temperature（℃） θ＝180゜ θ＝150゜ θ＝120゜ 1 ０.1 ０.2 ０.3 ０.4 ０.5 ０.6 ０.7 ０.8 100 80 60 40 20 ０.1 ０.2 ６０Hz ５０Hz ４０ ２０ １００ Time（Cycles） Transient Thermal Impedance（℃/W） Surge On-State Current（A） １００ Gate Trigger Voltage（V） IGT（t℃） ×100（％） IGT（２５℃） １００ −２５ ０ ２５ ５０ θ＝60゜ θ＝90゜ θ＝120゜ θ＝150゜ ０.4 ０.5 ０.6 ０.7 θ＝180゜ ０.8 ０.9 Maximum Transient Thermal Impedance Characteristics １０ １ ０.０１ ０.１ １ １０ １００ １０００ Time（Sec.） IGT −Tj Change Rate（Typical） １０ −５０ ０.3 Average On-State Current（A） １２０ １０００ 2π ３６０゜ １００ １０ π θ ：Conduction Angle 0 ０ ０.9 １４０ ０ １ ３.５ θ Surge On-State Current Rating（Non-Repetitive） ６０ ３ ０ Average On-State Current（A） ８０ ２.５ 120 θ＝30゜ ０ ０ ２ Average On-State Current vs Ambient Temperature（Single phase half wave） Average On-State Current vs Power Dissipation（Single phase half wave） 1.4 1.2 １.５ On-State Voltage（V） ７５ Junction Temp.（℃） １００ １２５ 1 VGT −Tj（Typical） 0.9 0.8 0.7 0.6 0.5 0.4 0.3 0.2 0.1 0 −５０ −２５ ０ ２５ ５０ ７５ Junction Temp.（℃） １００ １２５ SMG08C60A VD −Tj Change Rate（Typical） 120 RGK=1kΩ VD（t℃） ×100（％） VD（２５℃） 140 130 120 110 100 90 80 70 VD（RGK=rkΩ） ×100（％） VD（RGK=1kΩ） 150 VD −RGK Change Rate（Typical） Tj=125℃ 100 80 60 40 20 60 50 −５０ −２５ ０ ２５ ５０ ７５ １００ 0 1 １２５ 10 IH −RGK Change Rate（Typical） 150 Tj=25℃ VR −Tj Change Rate（Typical） 140 IH（t℃） ×100（％） IH（25℃） IH（RGK=rkΩ） ×100（％） IH（RGK=1kΩ） 1000 100 Gate Cathode Resistance（KΩ） Junction Temp.（℃） 100 130 120 110 100 90 80 70 60 10 0.1 1 10 Gate Cathode Resistance（KΩ） 100 50 −５０ −２５ ０ ２５ ５０ ７５ １００ １２５ Junction Temp.（℃） 3