THYRISTOR( Through Hole/Non-isolated) SMG12C60 Thyristor SMG12C60 is designed for full wave AC control applications. It can be used as an ON/OFF function or for phase control operation. 10.10 2 Home Appliances : Electric Blankets, Starter for FL, other control applications Industrial Use : SMPS, Solenoid for Breakers, Motor Controls, Heater Controls, other control applications 0.2 4.5 ＋ − 0.1 1.27 ±0.12 φ3 .8 1 2 3 0.30 8.60＋ − 0.22 ● 0.87 15.00 ＋ − 0.57 Typical Applications ● 2.98 ±0.44 TO-220AB ＋ 0.18 − 0.44 3 Features 13.5 ±0.8 4.23 ±0.5 2.48 ±0.45 IT(AV)=12A ● High Surge Current ● Low Voltage Drop ● Lead-Free Package ● 1.27 ±0.13 2 0.85 ±0.1 2.54 1 0.15 0.45 ＋ − 0.1 2.54 2 3 Identifying Code：S12C6 ■Maximum Ratings Symbol 1K 2A 3 Gate Unit：mm （Tj=25℃ unless otherwise specified） Item Reference Ratings Unit VRRM Repetitive Peak Reverse Voltage 600 V VRSM Non-Repetitive Peak Reverse Voltage 720 V VDRM Repetitive Peak Off-State Voltage 600 V IT（AV） Average On-State Current Single phase, half wave, 180° , conduction, Tc＝94℃ 12 A R.M.S. On-State Current Single phase, half wave, 180° , conduction, Tc＝94℃ 18.8 A 180/197 162 A2S Peak Gate Power Dissipation 5 W Average Gate Power Dissipation 0.5 W IFGM Peak Gate Current 2 A VFGM Peak Gate Voltage（Forward） VRGM Peak Gate Voltage（Reverse） IT（RMS） ITSM I2t PGM PG（AV） Tj Tstg Surge On-State Current 50Hz/60Hz, 1 ／2 cycle Peak value, non-repetitive I2t A V 10 V Operating Junction Temperature −40∼＋125 ℃ Storage Temperature −40∼＋150 ℃ 2 g Mass ■Electrical Characteristics Symbol Item IDRM Repetitive Peak Off-State Current Tj＝125℃, VD＝VDRM, IRRM Repetitive Peak Reverse Current Tj＝125℃, VR＝VRRM, VTM Peak On-State Voltage IT＝35A, Inst. measurement IGT Gate Trigger Current VGT Gate Trigger Voltage VGD Non-Trigger Gate Voltage IH Rth（j-c） Reference Min. Typ. VD＝6V, RL＝10Ω Tj＝125℃, VD＝1／2VDRM, Holding Current Thermal Resistance Ratings Max. 2 mA 2 mA 1.5 V 30 mA 1.4 V 0.2 V 15 Junction to case Unit mA 1.8 ℃/W SanRex 50 Seaview Blvd. Port Washington, NY 11050 PH(516)625-1313 FX(516)625-8845 E-mail:[email protected] SMG12C60 On-State Voltage Max Gate Characteristics １０００ １０ VFGM（６V） On-State Current（A） １００ PG（AV） （０.５W） １ IFGM（２A） Gate Voltage（V） PGM（５W） Ｔ ｊ=２５℃ Ｔ ｊ=１２５℃ ２５℃ １０ VGD（０.２V） ０.１ １ １０ １００ １ ０.５ １００００ １０００ １ Average On-State Current vs Power Dissipation（Single phase half wave） Ambient Temperature（℃） Power Dissipation（W） ３ ３.５ θ＝９０゜ π ０ 2π θ ３６０゜ １２０ θ＝１２０゜ θ ：Conduction Angle １１０ θ＝６０゜ θ＝３０゜ １００ π ０ ５ 2π θ ３６０゜ θ ：Conduction Angle ０ ０ ２ ４ ６ ８ １０ １２ ９０ ８０ ０ １４ θ＝３０゜ ２ Surge On-State Current Rating（Non-Repetitive） ２００ １５０ ６０Hz １００ ５０Hz ５０ ０ １ １０ ４ θ＝６０゜ θ＝９０゜ θ＝１２０゜ ６ ８ １０ θ＝１８０゜ １２ １４ Average On-State Current（A） １００ Transient Thermal Impedance（℃／W） Average On-State Current（A） Surge On-State Current（A） ２.５ １３０ θ＝１８０゜ １０ ２ Average On-State Current vs Ambient Temperature（Single phase half wave） ２０ １５ １.５ On-State Voltage（V） Gate Current（mA） Maximum Transient Thermal Impedance Characteristics １０ １ ０.１ ０.０１ ０.１ １ １０ １００ Time（sec.） Time（Cycles） VGT −Tj（Typical） IGT −Tj［Change Rate］ （Typical） １ １０００ IGT（t℃） ×100（％） IGT（２５℃） Gate Trigger Voltage（V） ０.９ １００ １０ −５０ −２５ ０ ２５ ５０ ７５ Junction Temp.（℃） １００ １２５ ０.８ ０.７ ０.６ ０.５ ０.４ ０.３ ０.２ ０.１ ０ −５０ −２５ ０ ２５ ５０ ７５ １００ １２５ Junction Temp.（℃） SanRex 50 Seaview Blvd. Port Washington, NY 11050 PH(516)625-1313 FX(516)625-8845 E-mail:[email protected] SMG12C60 VD −Tj Change Rate（Typical） 150 140 140 130 130 V（ R t℃） ×100（％） V（ R ２ ５℃） VD（t℃） ×100（％） VD（２５℃） 150 120 110 100 90 80 70 120 110 100 90 80 70 60 60 50 −５０ VR −Tj Change Rate（Typical） −２５ ０ ２５ ５０ ７５ Junction Temp.（℃） １００ １２５ 50 −５０ −２５ ０ ２５ ５０ ７５ １００ １２５ Junction Temp.（℃） SanRex 50 Seaview Blvd. Port Washington, NY 11050 PH(516)625-1313 FX(516)625-8845 E-mail:[email protected]