HUASHAN C080BJ-04

NPN S I L I C O N T R A N S I S T O R
汕头华汕电子器件有限公司
667A 晶体管芯片说明书
█ 芯片简介
█ 管芯示意图
芯片尺寸:4 英寸(100mm)
芯片代码:C080BJ-04
芯片厚度:240±20µm
管芯尺寸:800×800µm 2
焊位尺寸:B 极 124×124µm 2 ;E 极 221×110µm 2
电极金属:铝
背面金属:金
典型封装:2SD667A,H667A
█ 极限值(Ta=25℃)(TO-92L)
Tstg——贮存温度…………………………………-55~150℃
Tj——结温………………………………………………150℃ PC——集电极功率耗散( TA=25℃)……………………0.9W
VCBO——集电极—基极电压……………………………120V
VCEO——集电极—发射极电压…………………………100V
VEBO——发射极—基极电压………………………………5V
IC——集电极电流…………………………………………1A
█ 电参数(Ta=25℃)(TO-92L)
参数符号
符
号
说
明
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICBO
hFE
集电极— 基极击穿电压
集电极— 发射极击穿电压
发射极— 基极击穿电压
集电极— 基极截止电流
直流电流增益
VCE(sat)
VBE(on)
fT
Cob
集电极— 发射极饱和电压
基极— 发射极电压
特征频率
共基极输出电容
最小值 典型值 最大值
120
100
5
10
300
60
30
1
1.5
140
12
单位
V
V
V
µA
测
试
条
件
IC=10µA,IE=0
IC=1mA,IB=0
IE=10µA,IC=0
VCB=100V,IE=0
VCE=5V,IC=150mA
VCE=5V,IC=500mA
V
IC=500mA ,IB=50mA
V
VCE=5V,IC=150mA
MHz VCE=5V,IC=150mA
pF VCB=10V,IE=0,f=1MHz