MDQ100 单 相 整 流 桥 模 块 特点： 芯片与底板电气绝缘,2500V 交流电压 全压接结构,优良的温度特性和功率循 环能力 体积小,重量轻 典型应用： 仪器设备的直流电源 PWM 变频器的输入整流电源 逆变焊机 符号 参 IO VRRM IFSM I2t 数 100A 600~1800V 1.5 KA 11.4 103A2S 测 试 条 件 结温 Tj(°C) 直流输出电流 单相全波整流电路, TC=100°C 150 VRRM 反向重复峰值电压 VRRM tp=10ms VRSM=VRRM+200V 150 IRRM 反向重复峰值电流 at VRRM 150 IFSM 正向不重复浪涌电流 10ms 正弦半波 VR=0.6VRRM 150 IO 2 It 浪涌电流平方时间积 VFO 门槛电压 rF 斜率电阻 参 数 值 最小 典型 600 单位 最大 100 A 1800 V 10 mA 1.50 150 KA 2 11.4 A s*103 0.80 V 4.5 mΩ 1.53 V 正向峰值电压 IFM=100A Rth(j-c) 热阻抗(结至壳) 单面散热 0.24 °C /W Rth(c-h) 热阻抗(壳至散热器) 单面散热 0.07 °C /W 绝缘电压 50Hz,R.M.S,t=1min,Iiso:1mA(max) VFM Viso Fm 25 2500 V 安装扭矩(M5) 1.5 N·m 安装扭矩(M6) 3.0 N·m Tstg 贮存温度 Wt 质量 Outline http://www.tech-sem.com -40 150 430 g 410F4 Page 1 of 3 °C 2004-05 MDQ100 Peak forward Voltage Vs.Peak forward Current MDQ/S100 Max. junction To case 0.24Thermai Impedance Vs.Time 3.5 0.25 Tj=150°C 0.2 瞬态热阻抗Zt,K/W 正向峰值电压VFM,V 3 2.5 2 1.5 0.15 0.1 0.05 1 0 0.001 0.5 10 100 正向峰值电流IFM,A 1000 Fig.1 正向伏安特性曲线 0.01 0.1 时间t,S 1 10 Fig.2 瞬态热阻抗曲线 Max. case Temperature Vs.Mean forward Current MDQ100 Max. Power Dissipation Vs.Mean forward Current MDQ100 300 160 管壳温度Tc(max),°C 最大正向功耗PF(AV),W 250 200 150 100 140 120 100 50 0 0 20 40 60 80 100 80 120 0 正向平均电流IFM,A Fig.3 最大正向功耗与平均电流的关系曲线 40 60 80 正向平均电流IF(AV),A 100 120 Fig.4 管壳温度与平均电流的关系曲线 Surge Current Vs.Cycles 1.5 I2t 11.4 Vs.Time 1.6 14 电流平方时间积I2T，×103A2s 1.4 正向浪涌电流IFSM,×103A 20 1.2 1 0.8 0.6 0.4 0.2 12 10 8 6 4 2 1 10 周波数n,@50Hzz 100 时间t,ms 10 2 Fig.5 正向浪涌电流与周波数的关系曲线 http://www.tech-sem.com 1 Fig.6 I t特性曲线 Page 2 of 3 2004-05 MDQ100 外形图: 410F4 http://www.tech-sem.com Page 3 of 3 2004-05