华晶分立器件 3DG2482S 高频放大环境额定双极型晶体管 1 概述与特点 1.5 3DG2482S 硅 NPN 型功率开关晶体管 主要用于电子节能灯 电子镇流器及手机充电器的功 率开关电路 其特点如下 击穿电压高 反向漏电流小 开关速度快 饱和压降低 电流特性好 高温性能好 封装形式 TO-92 2 电特性 5.2max 5.0max 符号 VCB0 VCE0 VEB0 IC Ptot Tj Tstg 额定值 600 400 9 0.25 0.8 150 -55 150 单位 V V V A W 12.7min 2.1 极限值 除非另有规定 Tamb= 25 参 数 名 称 集电极-基 极电压 集电极-发射极电压 发射极-基 极电压 集电极电流 耗散功率 Ta=25 结温 贮存温度 4.2max 0.45max 0.45max 1.27 1.27 E C B 2.2 电参数 除非另有规定 Tamb= 25 参 数 名 称 符 号 集电极-基极截止电流 发射极-基极截止电流 共发射极正向电流传输比 的静态值 小电流下 hFE1 与大电流下 hFE2 比值 集电极-发射极饱和电压 基 极-发射极饱和电压 下降时间 贮存时间 ICB0 IEB0 VCB=600V, IE=0 VEB=9V, IC=0 hFEa VCE=20V, IC=20mA hFE1/ hFE2 VCE sata VBE sata tf ts 特征频率 fT a: 脉冲测试 tp 300 s, 测 试 条 件 hFE1:VCE=20V, IC=1mA hFE2:VCE=20V, IC=20mA IC=100mA, IB=20mA IC=100mA, IB=20mA VCC=60V, IC=0.2A IB1=-IB2=0.1A VCE=20V, IC=20mA f=1MHz 最小 规 范 值 典型 最大 100 100 10 0.75 单位 A A 40 0.9 0.6 1.2 0.5 2.5 5 V V s s MHz 2% 无锡华晶微电子股份有限公司 地址 江苏省无锡市梁溪路 14 号 电话 0510 5807228-2268 2299 第 1 页 共 2 页 传真 0510 5800360 华晶分立器件 3DG2482S 3 特性曲线 hFE VCEsat - IC 关系曲线 hFE - IC 关系曲线 Tamb=25 VCE=20V VCEsat (V) Tamb=25 IC/IB=5 1 10 0.1 1 0.01 VBEsat (V) 0.1 1 0.1 IC (A) VBEsat - IC 关系曲线 Tamb=25 IC/IB=5 1.2 1.0 0.8 0.6 0.01 0.1 IC (A) 第 2 页 共 2 页 1 IC (A)