ETC SW-711

SW-711 三秒语音ROM芯片
特点
描述
l
工作电压
l
一段 3 秒长的语音
l
声音
l
单键触发输入
l
自动选择外接或内置触发方式
3V
SW-711 是单片 CMOS 大规模集成
在 6K 的采样频率下
静音时间长度为 5.3 秒
边沿/电平触发
可重放达 8 次之多
电路语音合成器
TG
维持/非维持
能合成语音 3 秒的时
间
在芯片加工期间
用户的语音数据
能通过掩膜编入 ROM 芯片中
再触发/非再触发
原理框图
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1
SW-711 三秒语音ROM芯片
电特性
参数
VDD=3V, V SS=0V, T A=25oC
符号
测试条件
最小值
典型值
最大值
单位
2.4
3
5
V
uA
工作电压
VDD
静态电流
SIDD
VDD =3V,Output
1
工作电流
DIDD
Open(With Rosc)
500
IIH
VDD =3V
15
输入电流
Input Current
IIL
输出电流
输入电流
IOUT
IO1,IO2,IO3 as
Control Input
输出电流
0.1
IO1 as Current
Output
IIH
VDD =3V, VOUT=0.7V
-1.2
-1.5
-1.8
(Mask option)
-2.4
-3
-3.6
-3.6
-4.5
-5.4
VDD =3V,
0.5
IIL
IO1,IO2,IO3 as
uA
mA
uA
0.1
IOH
VDD =3V
0.5
Status Output
IOL
VOUT=0V
8
频率稳定度
⊿F/F
FOSC (3v)- FOSC (2.4v)
-10
10
%
-10
10
%
10
mA
12
FOSC (3v)
频率变化率
⊿F/F
VDD =3V, ROSC =300K
时隙图
l
边沿/电平模式
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2
SW-711 三秒语音ROM芯片
l
维持/非维持模式
l
再触发/非再触发模式
l
输出状态
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SW-711 三秒语音ROM芯片
典型应用
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SW-711 三秒语音ROM芯片
管脚排列图
1
8
2
7
SW-711
3
6
4
5
注
出
1
管脚号
名称
1
2
IO1
VCC
3
4
IO2
GND
5
6
IO3
VCC1
7
8
OSC
TG
VCC 及 VCC1 内部连通
可视使用方便引
2 为防止电源噪声 VCC 及 VCC1 应接于正电
GND 应接于负电源端
3 为提高运行的稳定性 建议在正电源及负电
源间接一个 0.1uf 的电容器
源端
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SW-711 三秒语音ROM芯片
封装尺寸
0.51min
(.02)
3.3 +0.2
(.13 +.008)
3.00min
(.118)
0.46 +0.08
(.018 +.003)
2.54TYP
(.10)
0.25 +0.05
(.01 +.002)
7.62TYP
(0.30)
12度 max
1.52 +0.3 -0
(.06+0.12 -0)
9.25 +0.25
(.364+.01)
SW-711
引线间距
Lead Pitch
跨度
Row Spacing
单位
6.35+0.25
(.25+.01)
2.54mm(100mil)
7.62mm(300mil)
mm(inches)
Unit
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6
西南集成电路设计有限公司
电话
86 23 62803074
86 23 62836154-8588
传真
86 23 62836149
网址
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电邮
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