ETC BU2099FV

スタンダードIC
12ビットシリアルイン / パラレルアウト
ドライバ
BU2099FV
BU2099FVは12bitシリアルインパラレルアウトドライバです。
CLOCKの立上がりで読み込んだシフトデータをLCKの立上がりで、Q0∼Q11にパラレル出力します。
また出力をシフトデータに関係なく“H”にするOE端子も装備しています。
●用途
ラジカセ、電話機、ミニコンポ、カーオーディオ等
●特長
1)低消費電力である。
2)出力はNchオープンドレイン:(Qx)
。
3)高耐圧出力(+25V):(Qx)
。
4)カスケード接続可能。
5)低電圧動作可能。(2.7V∼5.5V)
●絶対最大定格(Ta=25℃)
Parameter
Symbol
Limits
Unit
VDD
−0.3∼+7.0
V
電源電圧
許容損失1
Pd1
400*1
許容損失2
Pd2
650*2
動作温度範囲
Topr
保存温度範囲
入力電圧範囲
出力電圧範囲(Qx)
VO
出力電流(Qx)
IO
mW
mW
−25∼+75
℃
Tstg
−55∼+125
℃
VIN
VSS−0.3∼VDD+0.3
V
V
VSS∼+25.0
mA
25.0
注)最大定格とは、端子に、この範囲の電圧を印加しても破壊しない限界を示す値であり、動作を保
証するものではありません。
*1 IC単体使用時、Ta=25℃以上で使用する場合は、1℃につき4.0mWを減じる。 *2 ガラスエポキシ基板70mm×70mm×1.6mm使用時。
Ta=25℃以上で使用する場合は、1℃につき6.5mWを減じる。
●推奨動作条件(VSS=0V)
Parameter
電源電圧
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Unit
VDD
2.7
―
5.5
V
1
BU2099FV
スタンダードIC
●ブロックダイアグラム
VSS
1
20
VDD
N.C.
2
19
OE
DATA
3
18
SO
17
Q11
16
Q10
15
Q9
14
Q8
13
Q7
CONTOROL
CIRCUIT
CLOCK
4
LCK
5
Q0
6
Q1
7
Q2
8
Q3
9
12
Q6
Q4
10
11
Q5
12BIT SHIFT REGESTER
12BIT STORAGE RAGESTER
OUTPUT BUFFER(Open Drain)
L. P. F
●各端子説明
Pin No.
端子名
I/O
1
VSS
―
GND
端子説明
2
N.C.
―
無接続
3
DATA
I
シリアルデータ入力
4
CLOCK
I
シフトレジスタのシフトクロック(立上がりエッジトリガ)
5
LCK
I
ストレージレジスタのラッチクロック(立上がりエッジトリガ)
6∼17
Q0∼Q11
O
パラレルデータ出力(Nch Open Drain FET)
(Qx)
L
H
出力FET
ON
OFF
18
SO
O
シリアルデータ出力
19
OE
I
アウトプットイネーブルコントロール入力
20
VDD
―
注 :OEはVSSへプルダウンされています。
2
ラッチデータ
電源
BU2099FV
スタンダードIC
●入出力回路図
IN BUFFER (DATA,CLOCK,LCK,OE)
VDD
VDD
VDD
IN
(OE端子のみ)
GND,
(VSS)
GND,
(VSS)
GND,
(VSS)
OUTPUT1(Q0∼Q11)
OUT
GND(VSS)
OUTPUT2(SO)
VDD
OUT
GND(VSS)
3
BU2099FV
スタンダードIC
●電気的特性
直流特性(特に指定のない限り VSS=0V,Ta=25℃)
Parameter
Symbol
“H”入力電圧
VIH
“L”入力電圧
VIL
“L”出力電圧1
(Qx)
VOL1
Min.
Typ.
Max.
Unit
2.1
―
―
V
3
―
3.5
―
―
V
5
―
―
―
0.9
V
3
―
―
―
1.5
V
5
―
―
―
1.0
V
3
IOL1=5mA
―
―
1.0
V
5
IOL1=10mA
―
―
1.5
V
5
IOL1=15mA
―
―
2.0
V
5
IOL1=20mA*1
―
―
0.3
V
3
IOL2=0.5mA
―
―
0.4
V
5
IOL2=1.5mA
VDD−0.3
―
―
V
3
IOH=−100μA
VDD−0.5
―
―
V
5
IOH=−400μA
VDD(V)
Conditions
Test circuit
Fig.1
Fig.1
Fig.2
Fig.2
“L”出力電圧2
(SO)
VOL2
“H”出力電圧(SO)
VOH
“H”出力ディス
エーブル電流(Qx)
IOZH
―
―
10
μA
5
VO=25.0V
Fig.2
“L”出力ディス
エーブル電流(Qx)
IOZL
―
―
−5.0
μA
5
VO=0V
Fig.2
IPULLDOWN(OE)
IPD
―
―
60
μA
3
―
―
150
μA
5
1.1
―
2.4
V
―
低電源電圧リセット
動作静止電流
VCLR
IDD
―
―
200
μA
5
OE=VDD
Fig.2
―
―
VIN=VSS or VDD
OUTPUT:OPEN
Fig.7
Fig.3
*1:・Ta=50℃以下では、全てのQxをON(“L”出力)できますが、それ以上の温度において、全てのQxをON(“L”出力)した時、パッケージ許
容損失を超える場合がありますので注意してください。(Ta=75℃時、IOL1=20mA流すと、8出力まで可能)
・下記の式で求められる本ICの総電力消費(Pd)は、パッケージ許容損失(例:Ta=75℃時325mW)以下でご使用ください。
〈パッケージ許容損失熱軽減特性(Fig.9)を参照。
〉
Pd=Σ(IOL1Q1・VOL1Q1+IOL1Q2・VOL1Q2+ ……・IOL1Q11・VOL1Q11+0.005(*2))[W]
条件 ・各Qx端子の入力電流をIOL1Qx、出力電圧をVOL1Qxとする。
・VOL1Qxについては、 IOL1Qx≦10mA時 1.0V
10mA<IOL1Qx≦15mA時 1.5V
15mA<IOL1Qx≦20mA時 2.0V としてください。
・*2:出力以外のIC内部で消費される電力。
4
BU2099FV
スタンダードIC
スイッチング特性(特に指定のない限り VSS=0V,Ta=25℃)
Parameter
Symbol
最小クロックパルス幅
(CLOCK)
tW
最小ラッチパルス幅
(LCK)
tW(LCK)
Min.
Typ.
Max.
Unit
1000
―
―
ns
3
500
―
―
ns
5
1000
―
―
ns
3
500
―
―
ns
5
400
―
―
ns
3
200
―
―
ns
5
400
―
―
ns
3
200
―
―
ns
5
400
―
―
ns
3
200
―
―
ns
5
400
―
―
ns
3
200
―
―
ns
5
tPLH
―
―
500
ns
3
tPHL
―
―
250
ns
5
―
360
―
ns
3
―
170
―
ns
5
―
260
―
ns
3
―
175
―
ns
5
―
115
―
ns
3
―
85
―
ns
5
―
175
―
ns
3
―
65
―
ns
5
―
30
―
ns
―
―
20
―
ns
―
セットアップ時間
(LCK→CLOCK)
tS
セットアップ時間
(CLOCK→LCK)
tS2
セットアップ時間
(DATA→CLOCK)
tSU
ホールド時間
(CLOCK→DATA)
tH
出力遅延時間
(SO)
VDD(V)
Conditions
Test circuit
―
Fig.4
―
Fig.4
―
Fig.4
―
Fig.4
―
Fig.4
―
Fig.4
―
Fig.4
〈参考値〉
tPLZ(LCK)
伝達遅延時間
(LCK→QX)
tPZL(LCK)
tPLZ
出力ディスエーブル
時間(QE→QX)
tPZL
ノイズパルス除去
有効時間(LCK)
tI
RL=5kΩ
CL=10pF
Fig.4
RL=5kΩ
CL=10pF
RL=5kΩ
CL=10pF
Fig.4
RL=5kΩ
CL=10pF
Fig.4
―
―
5
BU2099FV
スタンダードIC
●測定回路図
VDD
+25V
RL=10kΩ
GND
(VSS)
P.G
VIH
VIL
GND
Fig. 1 入力電圧測定回路
VDD
+25V
A
SW4
12
1
SW3
SW2
A
1
2
IOH
IOL2
3
2
GND
(VSS)
1
V
SW1
P.G
V
GND
(VSS)
GND
(VSS)
GND
(VSS)
GND
(VSS)
測定条件
IOZH :全データ“H”をシフト、Q0∼11に出力し、SW2;1、SW3;1∼12にして1pinずつ電流測定
IOZL :全データ“L”をシフト、Q0∼11に出力し、SW2;2、SW3;1∼12にして1pinずつ電流測定
VOL1:全データ“L”をシフト、Q0∼11に出力し、SW1;ON、SW2;3でIOL1流入させ、SW3;1∼12にして1pinずつ電圧測定
VOL2:SOに“L”データを出力し、SW4:2でIOL2を流入させ電圧測定
VOH :SOに“H”データを出力し、SW4:1でIOHを流入させ電圧測定
Fig. 2 出力電圧、ディスエーブル電流測定回路
6
GND
GND
(VSS) (VSS)
BU2099FV
スタンダードIC
VDD
A
VDD
VDD
SW1
SW2
VDD
SW3
VDD
SW4
GND
(VSS)
測定条件
IDD:SW1∼4で3、4、5、19pinをVDDまたはVSSに相互に切り換えて、電流測定。
Fig. 3 動作静止電流測定回路
+25V
VDD
RL=5kΩ
CL=10pF
GND
(VSS)
+25V
GND
(VSS)
RL=5kΩ
P.G
Fig. 4 スイッチング特性測定回路
CL=10pF
GND
(VSS)
7
BU2099FV
スタンダードIC
tW
90%
CLOCK
90%
10%
tSU
tW
90%
50%
10%
VDD
90%
50%
50%
10%
GND(VSS)
tH
90%
VDD
90%
DATA
GND(VSS)
tS
tW(LCK)
90%
50%
10%
50%
LCK
tS2
VDD
90%
GND(VSS)
tPLZ
VDD
50%
OE
50%
GND(VSS)
tPLZ(LCK) tPZL(LCK) tPZL
VEXT
QX
50%
10%
50%
10%
GND(VSS)
tPLH
tPHL
VDD
50%
SO
50%
GND(VSS)
Fig. 5 スイッチング特性測定波形
8
BU2099FV
スタンダードIC
●動作説明
12bitシフトレジスタの内容は、LCKの立上がりエッジで12bitのストレージレジスタにストアされ、対応するQ0∼
Q11に出力されます。SOには、クロックの立下がりに同期してシフトレジスタの最終段データを出力されます。
DATAから入力されたデータは12クロック目の立下がりよりSOから出力されます。
VDD
CLOCK
DATA
1
0
2
1
3
0
4
0
5
1
6
1
7
0
8
0
9
10
0
0
11
0
12
1
13
14
1
1
15
1
16
1
LCK
OE
SO
0
1
Q11
0
1
Q10
1
0
Q9
0
0
Q8
0
1
Q7
1
1
Q6
0
1
0
Q5
1
0
0
Q4
0
0
0
Q3
0
0
0
0
1
0
0
Q2
Q1
0
1
1
0
1
Q0
1
0
0
1
1
0
0
注1)出力にプルアップ抵抗を接続した時のものです。
注2)VDD立上がり時、
シフトレジスタ及びストレージレジスタは、all“ H”に設定されています。
Fig. 6
9
BU2099FV
スタンダードIC
●真理値表
INPUT
CLOCK
DATA
LCK
OE
L
×
×
H
×
×
×
×
×
Function
シフトレジスタの初段は“L”、他はそれぞれ前段のデータをストア。
(ストレージレジスタ及び、出力の状態はホールド)
シフトレジスタの初段は“H”、他はそれぞれ前段のデータをストア。
(ストレージレジスタ及び、出力の状態はホールド)
シフトレジスタは変化しない。
SO出力はOEにコントロールされることなくCLOCK入力の立下りエッジ
に同期してシフトレジスタの最終段データを出力します。
×
×
×
×
×
×
×
×
×
H
×
×
×
L
シフトレジスタの内容がストレージレジスタにストアされる。
ストレージレジスタは変化しない。
Q0∼Q11出力は非選択(プルアップ時all“H”出力)
Q0∼Q11出力がイネーブルとなり、ストレージレジスタに記憶されている
データを出力します。
注:本ICのQ0∼Q11出力はNchオープンドレイン出力で、シフトレジスタの転送データが“L”の時には、対応する出力FETはON(導通状態)し、転送
データが“H”の時には、出力FETはOFF(非導通)と なります。
●低電源電圧リセット
VDD
最小15ms
VCLR
GND
Fig. 7
・VDDがVCLR(最小1.1V、最大2.4V)以下になった時シフトレジスタ及び
ストレージレジスタは、all“H”に設定されます。
10
BU2099FV
スタンダードIC
●カスケード接続例
OE IN
VDD
VDD
GND
GND
DATA IN
SERIAL OUT
CLOCK
Q11
LCK
Q23
Q10
Q22
Q0
Q9
Q12
Q21
Q1
Q8
Q13
Q20
Q2
Q7
Q14
Q19
Q3
Q6
Q15
Q18
Q4
Q5
Q16
Q17
Fig. 8
●電気的特性曲線
POWER DISSIPATION:Pd[mW]
800
SSOPB20(70mm×70mm×1.6mm
ガラスエポキシ基板使用時)
700
600
500
400
SSOPB20(IC単体)
300
200
100
0
−25
0
25
50
75
100
125
AMBIENT TEMPERATURE:Ta[℃]
Fig. 9
●外形寸法図(Unit:mm)
10
4.4±0.2
1
0.15±0.1
1.15±0.1
11
0.1
6.4±0.3
6.5±0.2
20
0.65
0.22±0.1
0.3Min.
0.1
SSOP-B20
11