EUPEC T4771N

Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T 4771N
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung Tvj = -40°C... Tvj max
Kenndaten
repetitive peak forward off-state and reverse voltage
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
maximum RMS on-state current
Elektrische Eigenschaften
VDRM,VRRM 2200
2800
2600 V
2900 V
ITRMSM
10110 A
4640 A
6440 A
Dauergrenzstrom
average on-state current
TC = 85 °C
TC = 60 °C
ITAVM
Stoßstrom-Grenzwert
surge current
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
Tvj = Tvj max, tP = 10 ms
ITSM
Grenzlastintegral
I²t-value
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
Tvj = Tvj max, tP = 10 ms
I²t
Kritische Stromsteilheit
critical rate of rise of on-state current
DIN IEC 60747-6
f = 50 Hz, iGM = 3 A, diG/dt = 6 A/µs
(diT/dt)cr
300 A/µs
Kritische Spannungssteilheit
critical rate of rise of off-state voltage
Tvj = Tvj max, vD = 0,67 VDRM
th
5.Kennbuchstabe / 5 letter F
(dvD/dt)cr
1000 V/µs
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung
on-state voltage
Tvj = Tvj max , iT = 4000A
vT
typ.
max.
1,15 V
1,2 V
Schleusenspannung
threshold voltage
Tvj = Tvj max
V(TO)
typ.
max.
0,738 V
0,772 V
Ersatzwiderstand
slope resistance
Tvj = Tvj max
rT
typ.
max.
0,103 mΩ
0,107 mΩ
Tvj = Tvj max
typ.
400A ≤ iF ≤ 5000A
100000 A
91000 A
50000 10³ A²s
41400 10³ A²s
Zündstrom
gate trigger current
Tvj = 25°C, vD = 12 V
IGT
0,6001
0,0000338
-0,0094
0,00776
0,6009
3,404E-05
-0,00622
0,00808
350 mA
max.
Zündspannung
gate trigger voltage
Tvj = 25°C, vD = 12 V
VGT
max.
2,5 V
Nicht zündender Steuerstrom
gate non-trigger current
Tvj = Tvj max , vD = 12 V
Tvj = Tvj max , vD = 0,5 VDRM
IGD
max.
max.
20 mA
10 mA
Nicht zündende Steuerspannung
gate non-trigger voltage
Tvj = Tvj max , vD = 0,5 VDRM
VGD
max.
0,4 V
Haltestrom
holding current
Tvj = 25°C, vD = 12 V
IH
max.
350 mA
Einraststrom
latching current
Tvj = 25°C, vD = 12 V, RGK ≥ 10 Ω
IL
iGM = 3 A, diG/dt = 6 A/µs, tg = 20 µs
max.
3 A
Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom
forward off-state and reverse current
Tvj = Tvj max
vD = VDRM, vR = VRRM
i D, i R
max.
600 mA
Zündverzug
gate controlled delay time
DIN IEC 60747-6
Tvj = 25 °C,iGM = 3 A, diG/dt = 6 A/µs
tgd
max.
Durchlaßkennlinie
on-state characteristic
v T = A + B ⋅ i T + C ⋅ Ln ( i T + 1) + D ⋅
max.
iT
prepared by: C. Schneider
approved by: J. Przybilla
BIP AM / SM PB, 2001-04-10, Przybilla J. / Keller
date of publication:
revision:
A
B
C
D
A
B
C
D
2 µs
2006-05-05
8
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T 4771N
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Charakteristische Werte / Characteristic values
Freiwerdezeit
circuit commutated turn-off time
Tvj = Tvj max, iTM = ITAVM
= 100 V, v = 0,67 V
ThermischevdvEigenschaften
/dt = 20 V/µs, -di /dt = 10 A/µs
/ 4 letter O
Mechanische4.Kennbuchstabe
Eigenschaften
T =T
RM
DM
D
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
vj
tq
typ.
250
Qr
max.
12
IRM
max.
320
µs
DRM
T
th
vj max
iTM = ITAVM, -diT/dt = 10 A/µs
VR = 0,5VRRM, VRM = 0,8VRRM
Tvj = Tvj max
iTM = ITAVM, -diT/dt = 10 A/µs
VR = 0,5VRRM, VRM = 0,8VRRM
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided, θ = 180°sin
beidseitig / two-sided, DC
Anode / anode, DC
Kathode / cathode, DC
RthJC
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided
einseitig / single-sided
RthCH
max.
max.
max.
max.
0,0048
0,0045
0,00855
0,0095
mAs
A
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
max. 0,0015 °C/W
max. 0,003
°C/W
125 °C
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Tvj max
Betriebstemperatur
operating temperature
Tc op
-40...+125 °C
Lagertemperatur
storage temperature
Tstg
-40...+150 °C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see annex
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Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Anpresskraft
clamping force
Steueranschlüsse
control terminals
F
DIN 46244
Gewicht
weight
Gate
Kathode /Cathode
63...91
A 4,8x0,8
A 6,3x0,8
G
typ.
2500 g
Kriechstrecke
creepage distance
Schwingfestigkeit
vibration resistance
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kN
33 mm
f = 50 Hz
50 m/s²
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N
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T 4771N
Maßbild
1: Anode/Anode
4 5
2: Kathode/Cathode
1
2
4: Gate
5: Hilfskathode/
Cathode (control terminal)
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N
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z thJC
Analytical elements of transient thermal impedance Z thJC
R,t – Werte
R
Pos. n
1
2
3
4
5
Rthn [°C/W]
0,00238
0,00108
0,00073
0,00031
0
τn [s]
1,03
0,16
0,03
0,0071
1
Rthn [°C/W]
0,00562
0,00083
0,00124
0,00068
0,00018
τn [s]
5,69
0,59
0,139
0,02
0,0058
Rthn [°C/W]
0,00653
0,00072
0,00129
0,0007
0,00026
τn [s]
6,08
0,81
0,16
0,025
0,0068
R,T-Werte
beidseitig
two-sided
anodenseitig
anode-sided
kathodenseitig
cathode-sided
T 4771N
ZthJC =
Analytische Funktion / Analytical function:
6
nmax
Σ
n=1
7
Rthn 1 − e
-t
τn
0,01
ci
0,008
0,006
bi
0,004
Zth JC [K/W]
ai
0,002
0,001
0,01
0,1
1
10
0
100
t [s]
Transienter innerer Wärmewiderstand für DC/ Transient thermal impedance Z thJC = f(t) for DC
a : Anodenseitige Kühlung / Anode-sided cooling
b : Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
c : Kathodenseitige Kühlung / Cathode-sided cooling
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N
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T 4771N
6000
Diagramme
Diagramme
Durchlasskennlinie
5000
4000
iT [A]
typ.
max.
3000
2000
1000
0
0
0,2
0,4
0,6
0,8
1
1,2
1,4
vT [V]
Grenzdurchlaßkennlinie / Limiting on-state characteristic iT = f(vT)
Tvj = Tvj max
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N
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T 4771N
30
Durchlassverluste
20
10
c
5
b
a
-40°C
2
+25°C
v G [V]
+125°C
1
0,5
0,2
10
20
50
100
200
500
1000
2000
5000
10000
iG [mA]
Steuercharakteristik vG = f (iG) mit Zündbereichen für VD = 12 V
Gate characteristic vG = f (iG) with triggering area for VD = 12 V
Höchstzulässige Spitzensteuerverlustleistung / Maximum rated peak gate power dissipation PGM = f (tg) :
a - 20 W/10ms
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b - 40 W/1ms
c - 60 W/0,5ms
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N
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T 4771N
25
Tc beidseitig
20
Qr [mAs]
15
10
5
0
0
5
10
15
20
25
30
35
-di/dt [A/µs]
Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Qr = f(-di/dt)
Tvj=Tvjmax, vR=0,5 VRRM, VRM=0,8 VRRM
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N
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T 4771N
800
Ta bei Sinus
700
600
IRM [A]
500
400
300
200
100
0
0
5
10
15
20
25
30
35
-di/dt [A/µs]
Rückstromspitze / Peak reverse recovery current IRM = f(-di/dt)
Tvj=Tvjmax, vR=0,5 VRRM, VRM=0,8 VRRM
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Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T 4771N
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