SB12H30 ... SB12H40 SB12H30 ... SB12H40 High temperature schottky barrier diodes Hochtemperatur-Schottky-Dioden Version 2013-02-25 Nominal current Nennstrom ±0.1 Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung 30...40 V Plastic case Kunststoffgehäuse 7.5 ±0.1 Type 62.5 ±0.5 Ø 5.4 12 A Ø 5.4 x 7.5 [mm] Weight approx. Gewicht ca. 1.0 g Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Ø 1.2 ±0.05 Standard packaging taped in ammo pack Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack Dimensions - Maße [mm] Maximum ratings Type Typ Grenzwerte Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] Surge peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung VRSM [V] Forward voltage Durchlass-Spannung VF [V] 1) IF = 5 A IF = 12 A SB12H30 30 30 < 0.51 < 0.59 SB12H40 40 40 < 0.51 < 0.59 Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last TA = 50°C IFAV 12 A2) Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom f > 15 Hz IFRM 55 A 2) Peak forward surge current, 50 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50 Hz Sinus-Halbwelle TA = 25°C IFSM 250 A Rating for fusing – Grenzlastintegral, t < 10 ms TA = 25°C i2t 312 A2s Junction temperature – Sperrschichttemperatur in DC forward mode – bei Gleichstrom-Durchlassbetrieb Tj Tj -50...+175°C ≤ 200°C Storage temperature – Lagerungstemperatur TS -50...+175°C 1 2 Tj = 25°C Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 SB12H30 ... SB12H40 Characteristics Kennwerte Leakage current Sperrstrom Tj = 25°C Tj = 125°C IR IR < 100 µA < 15 mA Thermal resistance junction to ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft RthA < 14 K/W 1) Thermal resistance junction to leads Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschlussdraht RthL < 4 K/W 120 VR = VRRM VR = VRRM 102 [%] [A] 100 10 80 Tj = 25°C 1 60 40 10-1 20 IF IFAV 0 10-2 0 TA 50 100 150 [°C] Rated forward current versus ambient temperature1) 1 Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp. ) 1 2 250a-(12a-0.75V) 0.2 VF 0.4 0.5 0.6 0.7 [V] 0.9 Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG