BY133 ... BY135 BY133 ... BY135 Silicon Rectifier Diodes – Silizium-Gleichrichterdioden Version 2011-01-10 Nominal current Nennstrom -0.1 5.1-0.1 Type +0.5 62.5 -2.5 Ø 2.6 Ø 0.77±0.07 Dimensions - Maße [mm] 1A Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung 150...1300 V Plastic case Kunststoffgehäuse DO-41 DO-204AL Weight approx. Gewicht ca. 0.4 g Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Standard packaging taped in ammo pack Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack Maximum ratings Type Typ Grenzwerte Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] Surge peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung VRSM [V] 1) BY133 1300 1600 BY134 600 800 BY135 150 200 Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last TA = 50°C IFAV 1A Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom f > 15 Hz IFRM 10 A 2) Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle TA = 25°C IFSM 50/55 A Rating for fusing, t < 10 ms Grenzlastintegral, t < 10 ms TA = 25°C i2t 12.5 A2s Tj TS -50...+175°C -50...+175°C Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur 1 2 Tested with pulses IR = 100 µA, tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% Gemessen mit Impulsen IR = 100 µA, tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2% Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 BY133 ... BY135 Characteristics Kennwerte Forward voltage – Durchlass-Spannung Tj = 25°C VF < 1.3 V Leakage current Sperrstrom Tj = 25°C VR = VRRM Tj = 100°C VR = VRRM IR IR < 5 µA < 50 µA Thermal resistance junction to ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft RthA < 45 K/W 1) Thermal resistance junction to terminal Wärmewiderstand Sperrschicht − Anschluss RthT < 15 K/W 120 IF = 1 A 10 2 [%] [A] 100 Tj = 125°C 10 80 Tj = 25°C 1 60 40 10-1 20 IF IFAV 0 0 TA 100 50 150 [°C] 50a-(1a-1.3v) 10-2 0.4 Rated forward current versus ambient temperature1) Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp.1) VF 0.8 1.0 1.2 1.4 [V] 1.8 Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) 102 [A] 10 îF 1 1 10 102 [n] 103 Peak forward surge current versus number of cycles at 50 Hz Durchlaß-Spitzenstrom in Abh. von der Zahl der Halbwellen bei 50 Hz 1 2 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG