1N4002GP ... 1N4007GP, 1N4002-Q ... 1N4007-Q 1N4002GP ... 1N4007GP, 1N4002-Q ... 1N4007-Q Glass Passivated Silicon Rectifier Diodes Glaspassivierte Silizium-Gleichrichterdioden Version 2015-07-27 Nominal current Nennstrom -0.1 Ø 2.6 1A Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung 100...1000 V 5.1+0.1 -0.5 Type +0.5 62.5 -4.5 Plastic case Kunststoffgehäuse ~DO-41 ~DO-204AC Weight approx. Gewicht ca. 0.4 g Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Ø 0.77±0.07 Standard packaging taped in ammo pack Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack Dimensions - Maße [mm] Maximum ratings Type Typ Grenzwerte Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] Surge peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung VRSM [V] 1N4002GP / 1N4002-Q 100 100 1N4004GP / 1N4004-Q 400 400 1N4005GP / 1N4005-Q 600 600 1N4007GP / 1N4007-Q 1000 1000 Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last TA = 75°C TA = 100°C IFAV 1 A 1) 0.8 A 1) Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom f > 15 Hz IFRM 5.4 A 1) Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle TA = 25°C IFSM 27/30 A Rating for fusing – Grenzlastintegral, t < 10 ms TA = 25°C i2t 3.6 A2s Tj TS -50...+175°C -50...+175°C Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur 1 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 1N4002GP ... 1N4007GP, 1N4002-Q ... 1N4007-Q Characteristics Kennwerte Forward voltage – Durchlass-Spannung Tj = 25°C IF = 1 A VF < 1.1 V Leakage current Sperrstrom Tj = 25°C Tj = 125°C VR = VRRM VR = VRRM IR IR < 5 µA < 50 µA Reverse recovery time Sperrverzugszeit trr < 2µs 1) Thermal resistance junction to ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft RthA < 45 K/W 2) Thermal resistance junction to leads Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschlussdraht RthL < 15 K/W 120 102 [%] [A] 100 Tj = 125°C 10 80 Tj = 25°C 60 1 40 10-1 20 IF IFAV 0 0 TA 100 50 150 [°C] 50a-(1a-1.1v) 10-2 0.4 Rated forward current versus ambient temperature ) Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp.1) 1 VF 0.8 1.0 1.4 1.2 [V] 1.8 Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) 2 10 [A] 10 îF 1 1 10 2 10 [n] 3 10 Peak forward surge current versus number of cycles at 50 Hz Durchlaß-Spitzenstrom in Abh. von der Zahl der Halbwellen bei 50 Hz 1 2 2 IF = 0.5 A through/über IR = 1 A to/auf IR = 0.25 A Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG