10A05 10A10

10A05 ... 10A10
10A05 ... 10A10
Silicon Rectifier Diodes – Silizium-Gleichrichterdioden
Version 2013-12-09
Nominal Current
Nennstrom
±0.2
8.8 ±0.2
62.5 ±0.5
Ø 8.8
Type
Ø 1.3 ±0.05
10 A
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
1000 V
Plastic case
Kunststoffgehäuse
Ø 8.8 x 8.8 [mm]
R-6 Style
Weight approx.
Gewicht ca.
1.65 g
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped in ammo pack
Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack
Dimensions - Maße [mm]
Maximum ratings
Type
Typ
Grenzwerte
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
VRRM [V]
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
VRSM [V]
10A05
50
50
10A1
100
100
10A2
200
200
10A4
400
400
10A6
600
600
10A8
800
800
10A10
1000
1000
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
TA = 50°C
IFAV
10 A 1)
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
f > 15 Hz
IFRM
72 A 1)
Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle
TA = 25°C
IFSM
360/400 A
Rating for fusing, Grenzlastintegral, t < 10 ms
TA = 25°C
i2t
1.8 A2s
Tj
TS
-50...+150°C
-50...+150°C
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
1
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 9,5 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 9,5 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
1
10A05 ... 10A10
Characteristics
Kennwerte
Forward voltage – Durchlass-Spannung
Tj = 25°C
IF = 10 A
VF
< 1.0 V
Leakage current – Sperrstrom
Tj = 25°C VR = VRRM
Tj = 100°C VR = VRRM
IR
IR
< 10 µA
< 100 µA
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
RthA
< 14 K/W 1)
Thermal resistance junction to leads
Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschlussdraht
RthL
< 2.8 K/W
120
10
3
[%]
[A]
100
10 2
80
T j = 125°C
T j = 25°C
10
60
40
1
20
IF
IFAV
0
10 -1
0
TA
100
50
150
[°C]
Rated forward current versus ambient temperature
Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp.
400a-(10a-1v)
0.4
VF
0.8
1.0
1.2
1.4
[V] 1.8
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
10 3
[A]
10 2
3 .14 IFAV
îF
IFAV
10
1
2
1
2
10
10
[n]
1 0
Peak forward surg e current versus numb er of cycles at 50 Hz
Durchlaß-Spitzenstrom in Ab h. von d er Zahl d er Halb wellen b ei 50 Hz
3
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
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© Diotec Semiconductor AG