1N4001 ... 1N4007, 1N4007-13, EM513, EM516, EM518 1N4001 ... 1N4007, 1N4007-13, EM513, EM516, EM518 Silicon Rectifier Diodes – Silizium-Gleichrichterdioden Version 2009-10-16 Nominal current Nennstrom -0.1 5.1-0.1 Type +0.5 62.5 -2.5 Ø 2.6 Ø 0.77±0.07 Dimensions - Maße [mm] 1A Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung 50...2000 V Plastic case Kunststoffgehäuse DO-41 DO-204AL Weight approx. Gewicht ca. 0.4 g Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Standard packaging taped in ammo pack Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack Maximum ratings Type Typ Grenzwerte Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] Surge peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung VRSM [V] 1N4001 50 50 1N4002 100 100 1N4003 200 200 1N4004 400 400 1N4005 600 600 1N4006 800 800 1N4007 1000 1000 1N4007-13 1300 1300 EM513 1600 1600 EM516 1800 1800 EM518 2000 2000 Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last TA = 75°C TA = 100°C IFAV 1 A 1) 0.8 A 1) Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom f > 15 Hz IFRM 10 A 1) Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle TA = 25°C IFSM 50/55 A Rating for fusing – Grenzlastintegral, t < 10 ms TA = 25°C i2t 12.5 A2s Tj TS -50...+175°C -50...+175°C Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur 1 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 1N4001 ... 1N4007, 1N4007-13, EM513, EM516, EM518 Characteristics Kennwerte Forward voltage – Durchlass-Spannung Tj = 25°C IF = 1 A VF < 1.1 V Leakage current Sperrstrom Tj = 25°C Tj = 100°C VR = VRRM VR = VRRM IR IR < 5 µA < 50 µA Thermal resistance junction to ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft RthA < 45 K/W 1) Thermal resistance junction to leads Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschlussdraht RthL < 15 K/W 120 102 [%] [A] 100 Tj = 125°C 10 80 Tj = 25°C 60 1 40 10 -1 20 IF IFAV 0 0 TA 100 50 150 [°C] 50a-(1a-1.1v) 10-2 0.4 1 Rated forward current versus ambient temperature ) Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp.1) VF 0.8 1.0 1.2 1.4 [V] 1.8 Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) 102 [A] 10 îF 1 1 10 102 [n] 103 Peak forward surge current versus number of cycles at 50 Hz Durchlaß-Spitzenstrom in Abh. von der Zahl der Halbwellen bei 50 Hz 1 2 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG