FUJITSU セミコンダクター FRAM FUJITSU Semiconductor FRAM 富士通セミコンダクター株式会社 〒222-0033 神奈川県横浜市港北区新横浜2-10-23 野村不動産新横浜ビル http://jp.fujitsu.com/fsl/ 電子デバイス製品に関するお問い合わせ先 0120-198-610 受付時間：平日9時～17時(土・日・祝日, 年末年始を除きます) 携帯電話・PHSからもお問い合わせができます。 ※電話番号はお間違えのないよう, お確かめのうえおかけください。 本資料の記載内容は , 予告なしに変更することがありますので , 製品のご購入やご使用などのご用命の際は , 当社営業窓口にご確認ください。 本資料に記載された動作概要や応用回路例などの情報は, 半導体デバイスの標準的な動作や使い方を示したもので, 実際に使用する機器での動作を保証す るものではありません。したがって , お客様の機器の設計においてこれらを使用する場合は , お客様の責任において行ってください。これらの使用に起因す る損害などについては , 当社はその責任を負いません。 本資料は , 本資料に記載された製品および動作概要・回路図を含む技術情報について , 当社もしくは第三者の特許権 , 著作権等の知的財産権やその他の権 利の使用権または実施権を許諾するものではありません。また , これらの使用について , 第三者の知的財産権やその他の権利の実施ができることの保証を行 うものではありません。したがって , これらの使用に起因する第三者の知的財産権やその他の権利の侵害などについて , 当社はその責任を負いません。 本資料に記載された製品は , 通常の産業用 , 一般事務用 , パーソナル用 , 家庭用などの一般的用途に使用されることを意図して設計・製造されています。極 めて高度な安全性が要求され , 仮に当該安全性が確保されない場合, 直接生命・身体に対する重大な危険性を伴う用途（原子力施設における核反応制御, 航空 機自動飛行制御, 航空交通管制, 大量輸送システムにおける運行制御, 生命維持のための医療機器, 兵器システムにおけるミサイル発射制御など）, または極めて 高い信頼性が要求される用途（海底中継器, 宇宙衛星など）に使用されるよう設計・製造されたものではありません。したがって, これらの用途へのご使用を お考えのお客様は, 必ず事前に当社営業窓口までご相談ください。ご相談なく使用されたことにより発生した損害などについては, 当社は責任を負いません。 半導体デバイスには , ある確率で故障や誤動作が発生します。本資料に記載の製品を含め当社半導体デバイスをご使用いただく場合は, 当社半導体デバイ スに故障や誤動作が発生した場合も , 結果的に人身事故 , 火災事故 , 社会的な損害などを生じさせないよう , お客様の責任において , 装置の冗長設計 , 延焼対 策設計, 過電流防止対策設計 , 誤動作防止設計などの安全設計をお願いします。 本資料に記載された製品および技術情報を輸出または非居住者に提供する場合は, 外国為替及び外国貿易法および米国輸出管理関連法規などの規制をご確 認の上, 必要な手続きをおとりください。 本資料に記載されている社名および製品名などの固有名詞は, 各社の商標または登録商標です。 ©2011-2014 FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED Printed in Japan AD05-00033-8 November 2014 FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED FRAM FRAM FRAM FRAM Ferroelectric Random Access Memory FRAM FRAM EEPROM FRAM FRAM 15 150ns 10 FRAM 検 索 EEPROM 5ms 100 FLASH SRAM 10µs 55ns 10 FRAM FRAM FRAM FRAM SOP TSOP RFID LSI 単体メモリ 2 シリアルメモリ FRAM LSI FRAM FRAM I2C 4K 8 パラレルメモリ LSI FRAM搭載LSI RFID用LSI LSI 1M SOP 256K SPI 4M 16K 2M SRAM 認証用LSI カスタムLSI メモリ容量（ビット） 8M/16Mビット パラレル 1.8V-3.3V 8M/16M SRAM 4M SRAM 4M TSOP 44 量産 FRAM 4M 4Mビット SPI 1.8V-3.3V 計画中 FRAM MB85R4M2T 4MビットSRAM＋バッテリ 4MビットFRAM トータルコスト 機器の メモリ部 SRAM 44-pin TSOP（II） 19 ㎜ 1M MB85RC1MT 1.8V-3.3V MB85RS1MT 1.8V-3.3V 512K MB85RC512T 1.8V-3.3V MB85RS512T 1.8V-3.3V FRAM SRAM 用 バッテリ 19 ㎜ 25 ㎜ FRAM 44-pin TSOP（II） 実装面積を 50%以上削減！ SRAMの ＋ バッテリ コスト バッテリの コスト バッテリ交換のコスト、 バッテリの在庫、 メンテナンスの費用など FRAMの FRAM 12 ㎜ 使用中の運用コスト （メンテナンス・コスト） 開発コスト（部品コスト） SRAM 256K 64K MB85RC64A 3.3V MB85RC64V 5V 16K MB85RC16 3.3V MB85RC16V 5V バッテリの削減によって、バッテリ関連コストは不要 EEPROM 2 IC 1M EEPROM 1M FRAM MB85RS256B 3.3V MB85R256F 3.3V MB85RS64 3.3V MB85RS64V 5V MB85RDP16LX（*） MB85RS16/16N 1.8V 3.3V 内蔵品 I2C 5V SPI 1.8V SPI 3.3V (SPI 1.8V-3.3V) SPI 5V パラレル 3.3V (パラレル 1.8V-3.3V) FRAM FRAM MB85RC1MT 10 FA MB85R1001/2A 3.3V *：バイナリカウンタ MB85RC04V 3.3V-5V I2C 3.3V (I2C 1.8V-3.3V) I2C MB85R4001/2A 3.3V MB85RS128B 3.3V MB85RC128A 3.3V 4K バッテリの削減によって、 メモリ部の最小実装面積が半減 MB85RC256V 3.3V-5V 128K コスト MB85R4M2T 1.8V-3.3V MB85RS2MT 1.8V-3.3V 2M SRAM SRAM EEPROM FRAM FRAM 10 FA EEPROM SSD EEPROM FRAM ・条件： 1秒間に1回のデータ書換えをした場合の 書換え保証回数への到達時間 消費電力量 (μJ) 10兆回に 当社製 到達！ FRAM 300 200 汎用 100万回に 到達 EEPROM 11日 3 100 32万年 時間 ・条件： 1Mビット品, シリアルメモリ, I2C I/F, VDD=3.0V,1MHz動作, 2Kバイト書込み時 汎用 EEPROM 352μJ 最大93%の 消費電力量を削減 FA 当社製 FRAM 24μJ 0 4 FRAM FRAM LSI FRAM FRAM EEPROM FRAM 2M FRAM MAX 1M 1.8 3.6V 3.4MHz -40 +85 10 10 +85 SOP-8 MB85RC512T 512K 1.8 3.6V 3.4MHz -40 +85 10 10 +85 SOP-8 MB85RC256V 256K 2.7 5.5V 1MHz -40 +85 1 10 +85 SOP-8 MB85RC128A 128K 2.7 3.6V 1MHz -40 +85 1 10 +85 SOP-8 MB85RC64A 64K 2.7 3.6V 1MHz -40 +85 1 10 +85 SOP-8 MB85RC64V 64K 3.0 5.5V 1MHz -40 +85 1 10 +85 SOP-8 MB85RC16 16K 2.7 3.6V 1MHz -40 +85 1 10 +85 SOP-8/SON-8 MB85RC16V 16K 3.0 5.5V 1MHz -40 +85 1 10 +85 SOP-8 MB85RC04V 4K 3.0 5.5V 1MHz -40 +85 1 10 +85 SOP-8 *1 1 ISO15693, ISO18000-3 2M 1.8 3.6V 25MHz *2 -40 +85 10 10 +85 SOP-8/DIP-8 MB85RS1MT 1M 1.8 3.6V 30MHz *2 -40 +85 10 10 +85 SOP-8 MB85RS512T 512K 1.8 3.6V 30MHz *2 -40 +85 10 10 +85 SOP-8 MB85RS256B 256K 2.7 3.6V 33MHz -40 +85 1 10 +85 SOP-8 MB85RS128B 128K 2.7 3.6V 33MHz -40 +85 1 10 +85 SOP-8 MB85RS64 64K 2.7 3.6V 20MHz -40 +85 1 10 +85 SOP-8 MB85RS64V 64K 3.0 5.5V 20MHz -40 +85 1 10 +85 SOP-8 MB85RS16 16K 2.7 3.6V 20MHz -40 +85 1 10 +85 SOP-8 1 MB85RS16N 16K 2.7 3.6V 20MHz -40 +95 MB85RDP16LX *3 16K 1.65 1.95V 15MHz *4 -40 +105 +85 100 +95 10 10 +95 SOP-8/SON-8 10 +105 SON-8 7.5MHz 1.8 3.6V 150ns -40 +85 10 10 +85 TSOP-44 MB85R4001A 4M 512K 8 3.0 3.6V 150ns -40 +85 100 10 +55 TSOP-48 MB85R4002A 4M 256K 16 3.0 3.6V 150ns -40 +85 100 10 +55 TSOP-48 MB85R1001A 1M 128K 8 3.0 3.6V 150ns -40 +85 100 10 +55 TSOP-48 MB85R1002A 1M 64K 16 3.0 3.6V 150ns -40 +85 100 10 +55 TSOP-48 MB85R256F 256K 32K 8 2.7 3.6V 150ns -40 +85 1 10 +85 TSOP-28/SOP-28 *1 +55 +85 メモリ容量 通信距離 （最大） 36バイト～256バイト 2Kバイト～4Kバイト MB97R8050 MB97R803A MB97R804B 9Kバイト HF帯 13.56MHz 50cm 型格 動作周波数 メモリ容量 通信規格 シリアル インタフェース UHF帯 860-960MHz UHF帯 860-960MHz 4Kバイト ISO/IEC18000-63 EPC C1G2 Ver.1.2.0 ̶ 10年（+55℃） 100億回 4Kバイト SPI 10年（+55℃） 100億回 MB97R8050 UHF帯 860-960MHz 36バイト （EPC128ビット） ISO/IEC18000-63 EPC C1G2 Ver.1.2.0 ISO/IEC18000-63 EPC C1G2 Ver.1.2.0 ̶ 10年（+55℃） 100億回 MB89R118C HF帯 13.56MHz 2Kバイト ISO/IEC15693 ̶ 10年（+85℃） 1兆回 MB89R119B HF帯 13.56MHz 256バイト ISO/IEC15693 ̶ 10年（+85℃） 1兆回 MB89R112A/B HF帯 13.56MHz 9Kバイト ISO/IEC15693 SPI 10年（+85℃） 1兆回 FRAM 256K 16 メンテナンス 資産管理 3m MB97R804B 40MHz *1 1 ,6 UHF帯 860-960MHz MB97R803A +85 *2 *3 *4 Dual SPI 医療用具 リネン RFID LSI 動作周波数 MB85RS2MT RFIDセンサ 食品，医薬品 流通履歴管理 *1 *1 5 RFID LSI FA, 製造管理 +85 MAX 4M FRAM RFID FRAM搭載RFIDが実現するアプリケーション SPI MB85R4M2T 860 960MHz UHF *1 MB85RC1MT LSI RFID LSI 13.56MHz HF I2C RFID LSI LSI ・FRAM 36B （EPC 128bit） ̶ ・FRAM 4KB ・SPI I/F MB89R119B MB89R112A/B MB89R118C ・FRAM 256B ・FRAM 9KB ・SPI I/F ・FRAM 2KB データ リテンション データ書換え回数 LSI FRAM IC FRAM IC IC FRAM認証チップ & FRAM 暗号通信 本体 （鍵&データ） Logic 暗号IP （AES等） LSI I2C, SPI, RF等 認証対象品 6