桂林斯壯微電子有限責任公司 Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. GM7002 SOT-23 場效應晶體管(SOT-23 Field Effect Transistors) N-Channel Enhancement-Mode MOS FETs N 沟道增强型 MOS 场效应管 ■MAXIMUM RATINGS 最大額定值 Characteristic 特性參數 Symbol 符號 Max 最大值 Unit 單位 Drain-Source Voltage 漏極-源極電壓 BVDSS 60 V Gate- Source Voltage 栅極-源極電壓 VGS +20 V Drain Current (continuous) 漏極電流-連續 IDR 115 mA Drain Current (pulsed) 漏極電流-脉冲 IDRM 800 mA ■THERMAL CHARACTERISTICS 熱特性 Characteristic 特性 Total Device Dissipation 總耗散功率 TA=25℃環境溫度爲 25℃ Derate above25℃ 超過 25℃遞減 Symbol 符號 Max 最大值 Unit 單位 PD 225 mW 1.8 mW/℃ 417 ℃/W Thermal Resistance Junction to Ambient 熱阻 RΘJA Junction and Storage Temperature 結溫和儲存溫度 TJ,Tstg 150℃,-55to+150℃ 桂林斯壯微電子有限責任公司 Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. GM7002 ■DEVICE MARKING 打標 7002 =7002 GM7002 GM 7002= ■ELECTRICAL CHARACTERISTICS 電特性 (TA=25℃ unless otherwise noted 如無特殊說明，溫度爲 25℃) Characteristic 特性參數 Symbol 符號 Min 最小值 Typ 典型值 Max 最大值 Unit 單位 Drain-Source Breakdown Voltage 漏極-源極擊穿電壓(ID =250uA,VGS=0V) BVDSS 60 — — V VGS(th) 1.0 — 2.5 V VDS(ON) — — 0.375 3.75 V VSD — — 1.5 V IDSS — — 1 500 uA IGSS — — +100 nA RDS(ON) — — 7.5 7.5 Ω CISS — — 50 pF COSS — — 25 pF t(on) — — 20 ns t(off) — — 40 ns trr — 400 — ns Gate Threshold Voltage 栅極開启電壓(ID =250uA,VGS= VDS) Drain-Source On Voltage 漏極-源極導通電壓(ID=50mA,VGS=5V) (ID =500mA,VGS=10V) Diode Forward Voltage Drop 内附二極管正向壓降(ISD=200mA,VGS=0V) Zero Gate Voltage Drain Current 零栅壓漏極電流(VGS=0V, VDS= BVDSS) (VGS=0V, VDS=0.8BVDSS, TA=125℃) Gate Body Leakage 栅極漏電流(VGS=+20V, VDS=0V) Static Drain-Source On-State Resistance 静态漏源導通電阻(ID=50mA,VGS=5V) (ID=500mA,VGS=10V) Input Capacitance 輸入電容 (VGS=0V, VDS=25V,f=1MHz) Common Source Output Capacitance 共源輸出電容(VGS=0V, VDS=25V,f=1MHz) Turn-ON Time 开启時間 (VDS=30V, ID=200mA, RGEN=25Ω) Turn-OFF Time 关断時間 (VDS=30V, ID=200mA, RGEN=25Ω) Reverse Recovery Time 反向恢复時間 (ISD=800mA, VGS=0V) 1. FR-5=1.0×0.75×0.062in. 2. Alumina=0.4×0.3×0.024in.99.5%alumina. 3. Pulse Width<300μs; Duty Cycle<2.0%. 桂林斯壯微電子有限責任公司 Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. GM7002 ■DIMENSION 外形封裝尺寸