Order this document by MRF160/D SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA The RF MOSFET Line Power Field Effect Transistor MRF160 N–Channel Enhancement–Mode MOSFET Designed primarily for wideband large–signal output and driver from 30–500 MHz. • Guaranteed 28 Volt, 500 MHz Performance Output Power = 4.0 Watts Gain = 16 dB (Min) Efficiency = 55% (Typ) To 500 MHz, 4 W, 28 V MOSFET BROADBAND RF POWER FET • Excellent Thermal Stability, Ideally Suited for Class A Operation • Facilitates Manual Gain Control, ALC and Modulation Techniques • 100% Tested for Load Mismatch at All Phase Angles with 30:1 VSWR • Low Crss – 0.8 pF Typical at VDS = 28 Volts D CASE 249–06, STYLE 3 G S MAXIMUM RATINGS (TJ = 25°C unless otherwise noted) Symbol Value Unit Drain–Gate Voltage VDSS 65 Vdc Drain–Gate Voltage (RGS = 1.0 MΩ) VDGR 65 Vdc Rating VGS ± 20 Vdc Drain Current–Continuous ID 1.0 ADC Total Device Dissipation @ TC = 25°C Derate Above 25°C PD 24 0.14 Watts W/°C Storage Temperature Range Tstg – 65 to +150 °C TJ 200 °C RθJC 7.2 °C/W Gate–Source Voltage Operating Junction Temperature THERMAL CHARACTERISTICS Thermal Resistance — Junction to Case NOTE — CAUTION — MOS devices are susceptible to damage from electrostatic charge. Reasonable precautions in handling and packaging MOS devices should be observed. REV 5 1 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC = 25°C unless otherwise noted) Characteristic Symbol Min Typ Max 65 — — — — 0.5 — — 1.0 1.5 3.0 4.5 — 3.8 — 150 220 — — 6.0 — — 6.5 — — 0.8 — 16 18 — 50 55 — Unit OFF CHARACTERISTICS Drain–Source Breakdown Voltage (VDS = 0 Vdc, VGS = 0 Vdc, ID = 1.0 mA) V(BR)DSS Zero Gate Voltage Drain Current (VDS = 28 Vdc, VGS = 0 V) IDSS Gate–Source Leakage Current (VGS = 20 Vdc, VDS = 0 Vdc) IGSS Vdc mA µA ON CHARACTERISTICS Gate Threshold Voltage (VDS = 10 Vdc, ID = 10 mA) VGS(th) Drain Source On–Voltage (VDS (on), VGS = 10 Vdc, ID = 500 mA) VDS(on) Forward Transconductance (VDS = 10 Vdc, ID = 250 mA) Vdc Vdc gfs mS DYNAMIC CHARACTERISTICS Input Capacitance (VDS = 28 Vdc, VGS = 0 V, f = 1.0 MHz) Ciss Output Capacitance (VDS = 28 V, VGS = 0 Vdc, f = 1.0 MHz) Coss Reverse Transfer Capacitance (VDS = 28 Vdc, VGS = 0 Vdc, f = 1.0 MHz) Crss pF pF pF FUNCTIONAL CHARACTERISTICS Common Source Power Gain (VDD = 28 Vdc, Pout = 4.0 W, f = 500 MHz, IDQ = 50 mA) Gps Drain Efficiency (VDD = 28 Vdc, Pout = 4.0 W, f = 500 MHz, IDQ = 50 mA) η Electrical Ruggedness (VDD = 28 Vdc, Pout = 4.0 W, f = 500 MHz, IDQ = 50 mA) Load VSWR = 30:1 at All Phase Angles at Frequency of Test ψ Zin Series Equivalent Output Impedance (VDD = 28 Vdc, Pout = 4.0 W, f = 500 MHz, IDQ = 50 mA) Zout 2 % No Degradation in Output Power Series Equivalent Input Impedance (VDD = 28 Vdc, Pout = 4.0 W, f = 500 MHz, IDQ = 50 mA) REV 5 dB Ohms — 6.8 – j21 — — 21 – j28 — Ohms R3 C10 RFC1 C11 Bias Supply VDD 28 V + C7 R2 C9 C8 – + VDC C12 RFC2 R1 RF Output RF Input C6 C1 DUT C2 C3 C1, C6 C2 C4, C5 C3 C7, C9 C8 C10, C11 C12 C5 C4 240 pF, 100 mil Chip Capacitors 15 pF, 100 mil ATC Chip Capacitor 1 – 10 pF, Johanson Trimmer Capacitors 24 pF, 100 mil ATC Chip Capacitor 0.1 mF, 100 mil Chip Capacitors 220 pF, 100 mil ATC Chip Capacitor 680 pF, Feed Through Capacitors 50 mF, 50 V Electrolytic Capacitor R1 R2 R3 RFC1 RFC2 200 Ω, 1/2 Watt 10 kΩ, 1/2 Watt 1 kΩ, 1/2 Watt Ferroxcube VK200–19/4B 8 Turns, #20 AWG, Enameled, ID 110 mils Board Material — 0.062″, Teflon Fiberglass, 1 oz., Copper clad both sides, εr = 2.55 C5 900 mils Input Line 160 mils X 5315 mils Output Line 160 mils X 4345 mils C2 1300 mils NOTE: Due to variation in Chip Capacitor values and board material, these are approximate positions. C3 & C4 300 mils Figure 1. MRF160 500 MHz Test Circuit REV 5 3 Figure 2. MRF160 Broadband Test Fixture REV 5 4 TYPICAL CHARACTERISTICS f = 500 MHz IDQ = 50 mA 6 Pout , OUTPUT POWER (WATTS) Pout , OUTPUT POWER (WATTS) 7 5 4 3 2 f = 500 MHz IDQ = 50 mA 6 Pin = 150 mW 75 mW 4 50 mW 25 mW 2 1 0 0 0 40 80 120 Pin, INPUT POWER (mW) 160 200 12 Figure 3. Output Power versus Input Power 32 3.6 2.8 2.4 C, CAPACITANCE (pF) 3.2 f = 1.0 MHz VGS = 0 V 28 f = 500 MHz VDS = 28 V IDQ = 50 mA Pin = Constant 2.0 1.6 1.2 24 20 16 12 Coss Ciss 8 0.8 4 0.4 0 0 0.5 1 1.5 2 2.5 VGS, GATE–SOURCE VOLTAGE (VOLTS) 3 Figure 5. Output Power versus Gate Voltage 3.5 0 Crss 0 4 8 12 16 20 VDS, DRAIN–SOURCE VOLTAGE (VOLTS) I D, DRAIN CURRENT (AMPS) 1 0.1 0 0 1 10 VDS, DRAIN VOLTAGE (VOLTS) Figure 7. DC Safe Operating Area REV 5 24 28 Figure 6. Capacitance versus Drain–Source Voltage 10 5 28 Figure 4. Output Power versus Voltage 4.0 Pout , OUTPUT POWER (WATTS) 16 20 24 VDS, DRAIN–SOURCE VOLTAGE (VOLTS) 100 ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ Table 1. Common Source S–Parameters (VDS = 12.5 V, ID = 120 mA) S21 S12 S22 |S11| φ |S21| φ |S12| φ |S22| φ 30 0.991 –19 15.80 166 0.019 77 0.938 –19 40 0.970 –25 15.50 161 0.025 72 0.933 –25 50 0.959 –31 15.20 156 0.030 67 0.918 –31 60 0.943 –37 14.80 151 0.035 63 0.900 –37 70 0.925 –42 14.30 147 0.040 59 0.880 –42 80 0.912 –48 13.90 143 0.044 56 0.863 –47 85 0.903 –51 13.70 141 0.046 54 0.857 –49 90 0.896 –53 13.50 139 0.048 52 0.851 –52 100 0.872 –58 12.90 135 0.051 48 0.830 –57 110 0.853 –63 12.40 131 0.054 46 0.812 –60 120 0.841 –67 11.90 128 0.056 43 0.796 –63 130 0.831 –71 11.50 126 0.059 40 0.788 –67 140 0.814 –75 11.10 122 0.061 37 0.777 –70 150 0.797 –79 10.70 119 0.063 34 0.760 –74 160 0.782 –82 10.20 117 0.064 32 0.739 –78 170 0.776 –85 9.81 115 0.066 32 0.740 –79 180 0.769 –89 9.55 112 0.068 28 0.737 –83 190 0.754 –92 9.24 109 0.069 25 0.725 –87 200 0.737 –94 8.83 107 0.068 23 0.707 –90 210 0.731 –96 8.47 105 0.068 22 0.692 –92 220 0.730 –99 8.20 103 0.069 21 0.692 –94 230 0.724 –101 7.94 101 0.071 20 0.697 –95 240 0.713 –104 7.69 99 0.072 16 0.696 –99 250 0.705 –106 7.44 97 0.070 15 0.676 –100 260 0.699 –108 7.18 96 0.070 15 0.673 –102 270 0.697 –109 6.91 94 0.070 14 0.661 –103 280 0.697 –111 6.70 93 0.071 13 0.654 –104 290 0.693 –113 6.54 92 0.071 11 0.658 –106 300 0.686 –115 6.36 90 0.072 9 0.664 –108 310 0.679 –116 6.12 88 0.069 7 0.639 –111 320 0.679 –117 5.96 87 0.070 9 0.642 –110 330 0.679 –119 5.80 86 0.070 8 0.648 –112 340 0.679 –121 5.63 84 0.071 7 0.648 –114 350 0.674 –122 5.47 83 0.070 5 0.645 –114 360 0.669 –123 5.33 82 0.070 4 0.650 –116 370 0.667 –124 5.18 80 0.068 3 0.644 –118 380 0.672 –125 5.02 80 0.066 3 0.614 –119 390 0.675 –127 4.96 78 0.071 4 0.655 –116 400 0.672 –129 4.83 77 0.070 2 0.655 –119 410 0.668 –130 4.70 75 0.069 0 0.654 –121 420 0.666 –131 4.56 74 0.067 –1 0.644 –122 430 0.667 –131 4.48 74 0.066 –1 0.646 –122 REV 5 6 S11 f MHz ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ Table 1. Common Source S–Parameters (VDS = 12.5 V, ID = 120 mA) (continued) S11 f MHz |S11| 440 0.671 450 0.670 460 S21 φ S12 S22 |S21| φ |S12| φ |S22| φ –132 4.39 72 0.066 –1 0.651 –123 –134 4.29 71 0.068 –1 0.663 –123 0.662 –135 4.15 70 0.067 –6 0.677 –127 470 0.663 –135 4.05 69 0.065 –5 0.664 –127 480 0.666 –136 3.95 68 0.064 –5 0.663 –128 490 0.670 –137 3.88 67 0.064 –5 0.663 –128 500 0.670 –138 3.81 66 0.063 –6 0.670 –128 600 0.693 –147 3.06 55 0.053 –17 0.689 –136 700 0.708 –152 2.61 46 0.044 –14 0.723 –142 800 0.731 –158 2.22 40 0.037 –15 0.733 –146 900 0.724 –165 1.93 32 0.037 –32 0.760 –151 1000 0.748 –169 1.73 28 0.027 –6 0.778 –153 Table 2. Common Source S–Parameters (VDS = 28 V, ID = 250 mA) S21 S12 S22 |S11| φ |S21| φ |S12| φ |S22| φ 30 0.995 –18 15.00 167 0.014 78 0.919 –15 40 0.978 –24 14.70 162 0.018 73 0.913 –19 50 0.971 –30 14.50 158 0.022 69 0.900 –23 60 0.961 –36 14.20 153 0.026 65 0.885 –28 70 0.947 –41 13.80 149 0.029 62 0.867 –32 80 0.938 –46 13.40 145 0.033 58 0.851 –35 85 0.932 –49 13.30 143 0.034 56 0.845 –37 90 0.927 –51 13.10 141 0.036 55 0.839 –39 100 0.908 –56 12.70 138 0.038 51 0.825 –43 110 0.893 –61 12.20 134 0.040 49 0.802 –46 120 0.884 –65 11.80 131 0.043 46 0.788 –48 130 0.875 –69 11.40 128 0.045 44 0.781 –51 140 0.862 –74 11.10 125 0.047 40 0.772 –54 150 0.848 –78 10.70 122 0.048 37 0.754 –57 160 0.836 –81 10.30 119 0.049 35 0.733 –60 170 0.830 –84 9.86 117 0.050 35 0.718 –60 180 0.824 –88 9.64 115 0.053 31 0.729 –64 190 0.813 –91 9.38 112 0.053 29 0.719 –67 200 0.798 –94 9.00 109 0.053 26 0.701 –70 210 0.792 –96 8.63 107 0.053 25 0.682 –72 220 0.790 –98 8.36 105 0.054 24 0.677 –73 230 0.785 –101 8.10 104 0.055 22 0.677 –75 240 0.777 –104 7.92 101 0.057 19 0.694 –78 250 0.769 –106 7.65 99 0.055 18 0.663 –80 260 0.764 –108 7.40 97 0.055 18 0.662 –81 270 0.761 –109 7.13 96 0.055 17 0.649 –82 280 0.760 –111 6.91 95 0.055 16 0.640 –82 REV 5 7 S11 f MHz ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ Table 2. Common Source S–Parameters (VDS = 28 V, ID = 250 mA) (continued) |S11| 290 0.757 300 0.751 310 S21 φ S12 S22 |S21| φ |S12| φ |S22| φ –113 6.75 93 0.055 14 0.641 –84 –115 6.59 91 0.056 12 0.645 –86 0.743 –117 6.37 89 0.055 9 0.635 –90 320 0.744 –118 6.17 88 0.054 11 0.619 –89 330 0.744 –120 6.01 87 0.055 11 0.628 –90 340 0.743 –121 5.85 85 0.055 10 0.629 –92 350 0.738 –123 5.70 84 0.055 8 0.629 –92 360 0.733 –124 5.55 82 0.054 6 0.631 –94 370 0.730 –126 5.40 81 0.054 4 0.623 –96 380 0.732 –127 5.21 80 0.052 4 0.593 –98 390 0.737 –129 5.17 79 0.055 7 0.627 –93 400 0.734 –130 5.04 77 0.055 4 0.639 –97 410 0.731 –131 4.92 76 0.054 3 0.641 –99 420 0.728 –132 4.78 75 0.052 1 0.630 –100 430 0.729 –133 4.67 74 0.051 0 0.628 –101 440 0.731 –134 4.57 72 0.051 1 0.626 –102 450 0.731 –136 4.47 71 0.053 1 0.630 –102 460 0.723 –137 4.37 69 0.054 –4 0.673 –106 470 0.724 –137 4.24 68 0.050 –3 0.647 –107 480 0.727 –138 4.13 68 0.049 –3 0.642 –108 490 0.730 –139 4.05 67 0.048 –3 0.641 –107 500 0.730 –140 3.99 66 0.048 –4 0.647 –108 600 0.736 –150 3.54 56 0.037 –14 0.657 –118 700 0.745 –156 2.99 46 0.029 –9 0.699 –126 800 0.765 –161 2.54 39 0.025 –5 0.713 –131 900 0.759 –168 2.20 31 0.022 –34 0.742 –136 1000 0.769 –173 1.98 27 0.018 19 0.756 –139 REV 5 8 S11 f MHz PACKAGE DIMENSIONS 2 K H 4 J D 1 3 NOTES: 1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI Y14.5M, 1982. 2. CONTROLLING DIMENSION: INCH. 3. SEATING PLANE = GROUND AND IS CONNECTED TO PIN 1 AND 3. M DIM A C D H J K M A C SEATING PLANE CASE 249–06 ISSUE H Specifications subject to change without notice. n North America: Tel. (800) 366-2266, Fax (800) 618-8883 n Asia/Pacific: Tel.+81-44-844-8296, Fax +81-44-844-8298 n Europe: Tel. +44 (1344) 869 595, Fax+44 (1344) 300 020 Visit www.macom.com for additional data sheets and product information. REV 5 9 INCHES MIN MAX 0.271 0.286 0.112 0.136 0.215 0.235 0.055 0.065 0.003 0.007 0.435 ––– 45_ REF STYLE 3: PIN 1. 2. 3. 4. SOURCE GATE SOURCE DRAIN MILLIMETERS MIN MAX 6.88 7.26 2.84 3.45 5.46 5.97 1.40 1.65 0.08 0.18 11.05 ––– 45 _ REF