HFP830 - 华汕电子器件有限公司

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
汕头华汕电子器件有限公司
对应国外型号 IRF830
HFP830
█ 主要用途
█ 外形图及引脚排列
高压高速电源开关。
TO-220
█ 极限值(Ta=25℃)
Tstg——贮存温度………………………………… -55~150℃
Tj——结温…………………………………………
- 5 5 ~ 1 5 0 ℃ 1―栅 极 G
VD S S — — 漏 极 — 源 极 电 压 … … … … … … … … … … … … … 5 0 0 V
2―漏 极 D
VDGR —— 漏极—栅极电压(RGS=1MΩ) …………………………… 500V
3―源 极 S
V G S — — 栅 极 — 源 极 电 压 … … … … … … … … … … … … … ±2 0 V
ID——漏极电流(Tc=25℃)…………………………………4 . 5 A
P D — — 耗 散 功 率 (T c = 2 5 ℃ ) … … … … … … … … … … … … 7 5 W
█ 电参数(Ta=25℃)
参数符号 BVDSS IDSS IGSS VGS ( th )
ID(on) RDS(on) gfs Ciss Coss Crss Td(on) Tr Td(off) Tf Qg Qgs Qgd IS VSD 符 号 说 明 漏—源极击穿电压
零栅压漏极电流
栅极泄漏电流
栅—源极开启电压
导通状态漏极电流
漏—源极导通电阻
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间 上升时间 断开延迟时间 下降时间 栅极总电荷
栅极—源极电荷
栅极—漏极电荷
源极—漏极二极管正向电流
源极—漏极二极管导通电压 最小值 典型值 最大值 500 2.0 4.5 2.5 22 12 10 25 ±100 4.0 1.5 800 200 60 30 30 55 30 30 4.5 1.6 单 位 测 试 条 件 V µA nA V A Ω S pF pF pF ns ns ns ns nC nC nC A V ID=250µA,VGS=0 VDS=500V,VGS=0 VGS=±20V,VDS=0 VDS=VGS,ID=250µA VDS≥6.75V,VGS=10V VGS=10V,ID=2.5A VDS=40V,ID=2.5A VDS=25V,VGS=0,f=1MHz VDD=200V,ID=2.5A(峰
值),RG=15Ω VDS=0.8VDSS, VGS=10V, ID=4.5A IS=4.5A,VGS=0 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
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HFP830
对应国外型号 IRF830
█ 典型特性曲线
图 1 导通特性
图 3 导通电阻随漏电流和栅压
的变化关系
图 5 电容特性
图 2 转移特性
图 4 二极管正相压降随源极电流和温
度的变化关系
图 6 栅极存储电荷特性
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
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HFP830
对应国外型号 IRF830
█ 典型特性曲线
图 7 击穿电压随温度的变化关系
图 9 安全工作区
图 8 导通电阻随温度的变化关系
图 10 最大漏电流随管壳温度的变化关系
图 11 瞬态热阻
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
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HFP830
█ 典型特性曲线
栅极存储电荷测试电路与波形图
开关时间测试电路及波形图
雪崩(EAS)能量测试电路及波形图
对应国外型号 IRF830
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
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█ 典型特性曲线
二极管峰值电压上升率(dV/dt)测试电路及波形图
对应国外型号 IRF830