N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 汕头华汕电子器件有限公司 对应国外型号 ＩＲＦ６４０ HFP640 █ 主要用途 █ 外形图及引脚排列 高压高速电源开关。 TO-220 █ 极限值（Ta=25℃） Tstg——贮存温度………………………………… －55~15 0℃ T j — —结 温 … … … … … … … … … … … … … … … … … … … … … …1 5 0℃ 1―栅 极 G VD S S ——漏极—源极电压…………………………………………… 200V 2―漏 极 D VDGR —— 漏极—栅极电压(RGS=20KΩ) ……………………………… 200V 3―源 极 S V G S — — 栅 极 — 源 极 电 压 … … … … … … … … … … … … … … ±2 0 V I D — — 漏 极 电 流 （T c = 2 5℃ ） … … … … … … … … … … … … … … … 1 8 A P D ——耗散功率 （T c = 2 5℃）………………………………………1 2 5 W █ 电参数（Ta=25℃） 参数符号 ＢＶＤＳＳ ＩＤＳＳ ＩＧＳＳ ＶＧＳ （ ｔｈ ） ＲＤＳ（ｏｎ） ｇｆｓ Ｃｉｓｓ Ｃｏｓｓ Ｃｒｓｓ Ｔｄ（ｏｎ） Ｔｒ Ｔｄ（ｏｆｆ） Ｔｆ Ｑｇ Ｑｇｓ Ｑｇｄ ＩＳ ＶＳＤ Ｒｔｈ（ｊ－ｃ） 符 号 说 明 最小值 典型值 最大值 漏—源极击穿电压 零栅压漏极电流 栅极泄漏电流 栅—源极开启电压 漏—源极导通电阻 正向跨导 输入电容 输出电容 反向传输电容 导通延迟时间 上升时间 断开延迟时间 下降时间 栅极总电荷 栅极—源极电荷 栅极—漏极电荷 源极—漏极二极管正向电流 源极—漏极二极管导通电压 热阻 注：1、脉冲测试，宽度≤300μＳ，占空比≤２％ ２００ ２．０ ４．３ ４５ ６．５ ２２ ２５ ±１００ ４．０ ０．１８ １７００ ２３０ ６０ ５０ ３００ ３００ ２３０ ５８ １８ １．５ １．０ 单 位 测 试 条 件 Ｖ µＡ ｎＡ Ｖ Ω Ｓ ｐＦ ｐＦ ｐＦ ｎｓ ｎｓ ｎｓ ｎｓ ｎＣ ｎＣ ｎＣ Ａ Ｖ ℃/W ＩＤ＝２５０µＡ，ＶＧＳ＝０ ＶＤＳ＝２００Ｖ，ＶＧＳ＝０ ＶＧＳ＝±2０Ｖ，ＶＤＳ＝０ ＶＤＳ＝ＶＧＳ，ＩＤ＝２５０µＡ ＶＧＳ＝１０Ｖ，ＩＤ＝９Ａ ＶＤＳ＝４０Ｖ，ＩＤ＝９Ａ（注 １） ＶＤＳ＝２５Ｖ，ＶＧＳ＝０，ｆ＝１ＭＨｚ ＶＤＤ＝１００Ｖ，ＩＤ＝１８Ａ（峰 值），ＲＧ＝２５Ω（注 １） ＶＤＳ＝０．８ＶＤＳＳ， ＶＧＳ＝１０Ｖ， ＩＤ＝１８Ａ（注 １） ＩＳ＝１８Ａ，ＶＧＳ＝０ 结到外壳 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 汕头华汕电子器件有限公司 HFP640 对应国外型号 ＩＲＦ６４０ █ 典型特性曲线 图 1 导通特性 图 3 导通电阻随漏电流和栅压 的变化关系 图 5 电容特性 图 2 转移特性 图 4 二极管正向压降随源极电流和温 度的变化关系 图 6 栅极存储电荷特性 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 汕头华汕电子器件有限公司 HFP640 对应国外型号 ＩＲＦ６４０ █ 典型特性曲线 图 7 击穿电压随温度的变化关系 图 8 导通电阻随温度的变化关系 图 9 安全工作区 图 10 最大漏电流随管壳温度的变化 图 11 瞬态热阻 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 汕头华汕电子器件有限公司 HFP640 █ 典型特性曲线 栅极存储电荷测试电路及波形图 开关时间测试电路及波形图 雪崩能量(EAS )测试电路及波形图 对应国外型号 ＩＲＦ６４０ N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 汕头华汕电子器件有限公司 HFP640 █ 典型特性曲线 二极管峰值电压上升率（dv/dt）测试电路及波形图 对应国外型号 ＩＲＦ６４０