N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 汕头华汕电子器件有限公司 HFH7N60 █ 主要用途 对应国外型号 █ 外形图及引脚排列 高压高速电源开关。 TO-3P █ 极限值（Ta=25℃） T s t g — — 贮存 温 度 ……… … … ……… … … ……… … … …… - 5 5 ~150 ℃ T j —— 结温 …………… …………… …………… …………… …… 1 5 0 ℃ 1―栅 极 G V D S S ——漏极—源极电压……………………………………………600V 2―漏 极 D VGS——栅极—源极电压………………………………………… ±30V 3―源 极 S ID——漏极电流（Tc=25℃）…………………………………………………7A IDM ——漏极电流（脉冲） （注 1）………………………………………… 28A P D ——耗散功率（T c =25℃）………………………………………198 W █ 电参数（Ta=25℃） 参数符号 BVDSS IDSS IGSS VGS（th） RDS（on） Ciss Coss Crss Td（on） Tr Td（off） Tf Qg Qgs Qgd IS VSD Rth(j-c) 符 号 说 明 漏—源极击穿电压 零栅压漏极电流 栅极泄漏电流 栅—源极开启电压 漏—源极导通电阻 输入电容 输出电容 反向传输电容 导通延迟时间 上升时间 断开延迟时间 下降时间 栅极总电荷 栅极—源极电荷 栅极—漏极电荷 源极—漏极二极管正向电流 源极—漏极二极管导通电压 热阻 *注 1：漏极电流受最大结温限制。 *注 2：脉冲测试，宽度≤300μS,占空比≤2% 最小值 典型值 最大值 600 2.0 0.91 1290 120 10 20 55 90 60 30 6 13 10 ±100 4.0 1.2 40 110 180 120 40 7 1.4 0.63 单 位 V μA nA V Ω pF pF pF ns ns ns ns nC nC nC A V ℃/W 测 试 条 件 ID=250μA，VGS=0 VDS=600V，VGS=0 VGS=±30V，VDS=0 VDS=VGS，ID=250μA VGS=10V，ID=3.5A VDS=25V，VGS=0，f=1MHz VDD=300V，ID=7A（峰 值），RG=25Ω（注 2） VDS=480V VGS=10V， ID=7A（注 2） IS=7A，VGS=0 结到外壳 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 汕头华汕电子器件有限公司 █ 典型特性曲线 HFH7N60 对应国外型号 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 汕头华汕电子器件有限公司 █ 典型特性曲线 HFH7N60 对应国外型号 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 汕头华汕电子器件有限公司 HFH7N60 █ 典型特性曲线 栅极存储电荷测试电路及波形图 开关时间测试电路及波形图 雪崩能量(EAS)测试电路及波形图 对应国外型号 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 汕头华汕电子器件有限公司 HFH7N60 █ 典型特性曲线 二极管峰值电压上升率(dv/dt)测试电路及波形图 对应国外型号