LTC1416 - 低消費電力14ビット、400ksps

LTC1416
LTC1416
低消費電力14ビット、400ksps
サンプリングADC
特長
概要
■
LTC®1416は2.2µs、400ksps 14ビット・サンプリングA/Dコン
バータです。
±5V電源で動作し、
消費電力はわずか70mWで
す。
このデバイスは使いやすく、
広いダイナミック・レンジ
をもつサンプル&ホールド、高精度リファレンスを備えて
います。
2つの選択可能なパワー・シャットダウン・モードが
あり、
低消費電力システムに柔軟性を提供します。
■
■
■
■
■
■
■
■
■
■
サンプル・レート:400ksps
消費電力:70mW
±1.5LSB DNL、±2LSB INL(最大)を保証
100kHzにてS/(N+D) 80.5dBおよびTHD 93dB
ナイキスト入力周波数にてS/(N+D) 80dBおよびTHD 90dB
ナップとスリープのシャットダウン・モード
内部リファレンスまたは外部リファレンスで動作
真の差動入力によりコモンモード・ノイズを除去
15MHzのフルパワー帯域幅サンプリング
±2.5Vのバイポーラ入力範囲
28ピンSSOPパッケージ
LTC1416のフルスケール入力範囲は±2.5Vです。
全温度範囲
でのDCスペックは、INLが最大±2LSB、DNLが±1.5LSBで
す。100kHz入力でS/(N+D) は80.5dBおよびTHDは93dB、
200kHzのナイキスト入力周波数でS/(N+D)は80dBおよび
THDが90dBなど、
卓越したAC性能を実現しています。
アプリケーション
■
■
■
■
■
■
独自の差動入力サンプル・ホールドにより、15MHz帯域
幅までの信号をシングルエンドまたは差動で入力するこ
とができます。また、60dBの同相除去を実現しているた
め、ユーザはソースから差動的に信号を測定することに
より、グランド・ループと同相ノイズを除去できます。
テレコム
デジタル信号処理
多チャネル・データ収集システム
高速データ収集
スペクトラム分析
イメージング・システム
このADCはµPコンパチブルの14ビット・パラレル出力
ポートを備えています。変換結果にはパイプライン遅延
はありません。変換スタート入力とデータ・レディ信号
(BUSY)が独立しているため、FIFO、DSP、マイクロプ
ロセッサに容易に接続できます。
、LTC、LTはリニアテクノロジー社の登録商標です。
標準的応用例
有効ビット数および
S/(N+D)対入力周波数
S/(N + D) 80.5dBの完全な70mW、14ビットADC
10µF
DVDD
AVDD
OUTPUT
BUFFERS
14-BIT ADC
S/H
AIN–
REFCOMP
22µF
BUFFER
4k
TIMING
AND
LOGIC
2.5V
REFERENCE
VREF
1µF
VSS
10µF –5V
AGND
DGND
•
•
•
D13 (MSB)
D0 (LSB)
BUSY
CS
CONVST
RD
SHDN
1416 TA01
EFFECTIVE BITS
AIN+
86
80
74
68
62
NYQUIST
FREQUENCY
fSAMPLE = 400kHz
1k
10k
100k
INPUT FREQUENCY (Hz)
1M 2M
1416 TA02
6-100
SIGNAL/(NOISE + DISTORTION) (dB)
LTC1416
14
14
13
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
LTC1416
絶対最大定格
パッケージ/発注情報
AVDD=DVDD=VDD(Notes 1、2)
ORDER
PART NUMBER
TOP VIEW
電源電圧(VDD)............................................................6V
負電源電圧(VSS)..................................................... −6V
全電源電圧(VSSに対するVDD)................................. 12V
アナログ入力電圧
(Note 3)........................... (VSS−0.3V)∼(VDD+0.3V)
デジタル入力電圧(Note 4)................ (VSS−0.3V)∼10V
デジタル出力電圧 ................ (VSS−0.3V)∼(VDD+0.3V)
消費電力 ............................................................. 500mW
動作温度範囲
コマーシャル .............................................. 0℃∼70℃
インダストリアル ................................. −40℃∼85℃
保存温度範囲 ......................................... −65℃∼150℃
リード温度(半田付け、10秒)............................... 300℃
AIN+ 1
28 AVDD
AIN– 2
27 DVDD
VREF 3
26 VSS
REFCOMP 4
LTC1416CG
LTC1416IG
25 BUSY
AGND 5
24 CS
D13(MSB) 6
23 CONVST
D12 7
22 RD
D11 8
21 SHDN
D10 9
20 D0
D9 10
19 D1
D8 11
18 D2
D7 12
17 D3
D6 13
16 D4
DGND 14
15 D5
G PACKAGE
28-LEAD PLASTIC SSOP
TJMAX = 110°C, θJA = 95°C/W
ミリタリ・グレードおよびAグレードに関してはお問い合わせください。
6
コンバータ特性 内部リファレンス(Note 5、6)
PARAMETER
CONDITIONS
MIN
Resolution (No Missing Codes)
Integral Linearity Error
(Note 7)
Differential Linearity Error
TYP
MAX
UNITS
13
●
Bits
●
±0.8
±2
LSB
●
±0.7
±1.5
LSB
●
±5
±20
LSB
±60
±40
LSB
LSB
Offset Error
(Note 8)
Full-Scale Error
Internal Reference
External Reference = 2.5V
±20
±10
Full-Scale Tempco
IOUT(REF) = 0
±15
ppm/°C
アナログ入力 (Note 5)
SYMBOL PARAMETER
CONDITIONS
VIN
Analog Input Range (Note 9)
4.75V ≤ VDD ≤ 5.25V, – 5.25V ≤ VSS ≤ – 4.75V
●
IIN
Analog Input Leakage Current
CS = High
●
CIN
Analog Input Capacitance
Between Conversions
During Conversions
t ACQ
Sample-and-Hold Acquisition Time
(Note 9)
t AP
Sample-and-Hold Aperture Delay Time
tjitter
Sample-and-Hold Aperture Delay Time Jitter
CMRR
Analog Input Common Mode Rejection Ratio
MIN
TYP
±2.5
●
±1
100
= AIN
+ ) < 2.5V
UNITS
V
15
5
–1.5
– 2.5V < (AIN–
MAX
µA
pF
pF
400
ns
ns
2
psRMS
60
dB
6-101
LTC1416
ダイナミック精度 (Note 5)
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
S/(N + D)
Signal-to-(Noise + Distortion) Ratio
100kHz Input Signal
200kHz Input Signal
●
MIN
TYP
77
80.5
80
THD
Total Harmonic Distortion
100kHz Input Signal, First 5 Harmonics
200kHz Input Signal, First 5 Harmonics
●
– 93
– 90
– 86
dB
dB
SFDR
Spurious-Free Dynamic Range
100kHz Input Signal
●
– 95
– 86
dB
IMD
Intermodulation Distortion
fIN1 = 87.01172kHz, fIN2 = 113.18359kHz
– 90
15
MHz
(S/(N + D) ≥ 77dB)
0.8
MHz
Full Power Bandwidth
Full Linear Bandwidth
MAX
UNITS
dB
dB
dB
内部リファレンス特性 (Note 5)
PARAMETER
CONDITIONS
MIN
TYP
MAX
UNITS
VREF Output Voltage
IOUT = 0
2.480
2.500
2.520
V
VREF Output Tempco
IOUT = 0
±15
ppm/°C
VREF Line Regulation
4.75V ≤ VDD ≤ 5.25V
– 5.25V ≤ VSS ≤ – 4.75V
0.05
0.05
LSB/V
LSB/V
VREF Output Resistance
– 0.1mA ≤ IOUT ≤ 0.1mA
COMP Output Voltage
IOUT = 0
4
kΩ
4.06
V
デジタル入力およびデジタル出力 (Note 5)
SYMBOL PARAMETER
CONDITIONS
VIH
High Level Input Voltage
VDD = 5.25V
●
VIL
Low Level Input Voltage
VDD = 4.75V
●
0.8
V
IIN
Digital Input Current
VIN = 0V to VDD
●
±10
µA
CIN
Digital Input Capacitance
VOH
High Level Output Voltage
VOL
Low Level Output Voltage
MIN
VDD = 4.75V
IOUT = – 10µA
IOUT = – 200µA
●
VDD = 4.75V
IOUT = 160µA
IOUT = 1.6mA
●
TYP
MAX
2.4
UNITS
V
5
pF
4.5
V
V
4.0
0.05
0.10
0.4
V
V
IOZ
Hi-Z Output Leakage D13 to D0
VOUT = 0V to VDD, CS High
●
±10
µA
COZ
Hi-Z Output Capacitance D13 to D0
CS High (Note 9 )
●
15
pF
ISOURCE
Output Source Current
VOUT = 0V
– 10
mA
ISINK
Output Sink Current
VOUT = VDD
10
mA
電源要求条件 (Note 5)
SYMBOL PARAMETER
CONDITIONS
VDD
Positive Supply Voltage
(Note 10)
4.75
5.25
V
VSS
Negative Supply Voltage
(Note 10)
– 4.75
– 5.25
V
IDD
Positive Supply Current
Nap Mode
Sleep Mode
SHDN = 0V, CS = 0V
SHDN = 0V, CS = 5V
Negative Supply Current
Nap Mode
Sleep Mode
SHDN = 0V, CS = 0V
SHDN = 0V, CS = 5V
ISS
6-102
MIN
TYP
MAX
UNITS
●
7
0.8
1
10
1.2
mA
mA
µA
●
7
20
15
10
mA
µA
µA
LTC1416
電源要求条件 (Note 5)
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN
PDISS
Power Dissipation
Power Dissipation, Nap Mode
Power Dissipation, Sleep Mode
SHDN = 0V, CS = 0V
SHDN = 0V, CS = 5V
●
TYP
MAX
UNITS
70
4
0.1
100
6
mW
mW
mW
TYP
MAX
UNITS
タイミング特性 (Note 5、図15∼21参照)
SYMBOL
PARAMETER
fSAMPLE(MAX)
Maximum Sampling Frequency
CONDITIONS
tCONV
Conversion Time
tACQ
Acquisition Time
tACQ+CONV
Acquisition + Conversion Time
t1
CS to RD Setup Time
(Notes 9, 10)
●
0
ns
t2
CS↓ to CONVST↓ Setup Time
(Notes 9, 10)
●
10
ns
t3
CS↓ to SHDN↓ Setup Time
(Notes 9, 10)
●
10
ns
t4
SHDN↑ to CONVST↓ Wake-Up Time
(Note 10)
t5
CONVST Low Time
(Notes 10, 11)
●
40
t6
CONVST to BUSY Delay
CL = 25pF
(Note 9)
MIN
●
400
●
1.5
kHz
1.9
2.2
µs
●
100
400
ns
●
2
2.5
µs
400
ns
25
50
●
t7
Data Ready Before BUSY↑
t8
Delay Between Conversions
t9
Wait Time RD↓ After BUSY↑
t10
Data Access Time After RD↓
(Note 10)
75
50
●
40
ns
●
–5
ns
CL = 25pF
100
CL = 100pF
0°C ≤ TA ≤ 70°C
– 40°C ≤ TA ≤ 85°C
●
●
t12
RD Low Time
●
t 10
t13
CONVST High Time
●
40
● は全動作温度範囲の規格値を意味する。その他すべてのリミット値と標準値
はTA=25℃。
Note 1:絶対最大定格はそれを超えるとデバイスの寿命を損なう可能性がある
値。
Note 2:すべての電圧値は、注記がない限り、DGNDとAGNDが連結されたグ
ランドを基準とする。
Note 3:これらのピン電圧をVSSより低くするか、VDDより高くすると、内部ダ
イオードによってクランプされる。この製品はVSSより低い、またはVDDより高
い電圧を加えてもラッチアップを起こさずに100mA以上の入力電流を処理する
ことができる。
Note 4:これらのピン電圧をVSSより低くすると、内部ダイオードでクランプ
される。この製品はVSSより低い電圧を加えても、ラッチアップを起こさずに
100mA以上の入力電流を処理することができる。これらのピンはVDDにクラン
プされない。
Note 5:注記がない限り、VDD=5V、V SS=−5V、f SAMPLE=400kHz、t r=tf=
5ns
ns
ns
15
25
35
ns
ns
20
35
50
ns
ns
8
20
25
30
ns
ns
ns
●
Bus Relinquish Time
ns
ns
●
●
t11
ns
ns
ns
−を接地した状
Note 6:直線性、オフセット、およびフルスケール仕様は、AIN
態のシングルエンドAIN+入力に適用される。
Note 7:積分非直線性は伝達曲線の実際のエンドポイントを通過する直線から
のコードの偏差として定義される。偏差は量子化幅の中心から測定される。
Note 8:バイポーラ・オフセットは、出力コードが0000 0000 0000 00と1111
1111 1111 11の間で変化するときに、−0.5LSBから測定したオフセット電圧。
Note 9:設計により保証されているがテストは行われない。
Note 10:推奨動作条件
Note 11:CONVSTの立下りエッジで変換が開始される。変換中に微妙な点で
CONVSTが“H”に戻った場合は、小さな誤差が生じる可能性がある。最良の性
能を得るためには、変換開始から900ns以内またはBUSYが立ち上がってから
CONVSTが“H”に戻るようにすること。
6-103
6
LTC1416
標準的性能特性
S/(N+D)と入力周波数および
振幅
SN比と入力周波数
歪みと入力周波数
VIN = 0dB
AMPLITUDE (dB BELOW THE FUNDAMENTAL)
90
80
80
70
SIGNAL-TO-NOISE RATIO (dB)
SIGNAL/(NOISE + DISTORTION) (dB)
90
VIN = –20dB
60
50
40
30
VIN = –60dB
20
70
60
50
40
30
20
10
10
0
0
1k
10k
100k
INPUT FREQUENCY (Hz)
1k
1M 2M
10k
100k
INPUT FREQUENCY (Hz)
スプリアス無しダイナミック・
レンジと入力周波数
–30
–40
–50
–60
–70
–80
–90
1M 2M
1k
–50
–60
–70
10k
100k
INPUT FREQUENCY (Hz)
1M 2M
1416 G03
微分非直線性と出力コード
1.0
VOUT = ±2.5V
VREF = 2.5V
0.5
–40
DNL ERROR (LSB)
–20
–40
2ND
–110
fSAMPLE = 400kHz
fa=87.01171876kHz
fb=113.1835938kHz
–20
–30
3RD
THD
–100
0
–10
AMPLITUDE (dB)
SPURIOUS-FREE DYNAMIC RANGE (dB)
–20
混変調歪みプロット
0
–60
–80
–100
0
–0.5
–80
–120
–90
–100
1k
10k
100k
INPUT FREQUENCY (Hz)
1M 2M
–140
0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 200
FREQUENCY (Hz)
1416 G04
–1.0
0
–0.5
4096
8192
12288
16384
OUTPUT CODE
1416 G07
6-104
12288
入力同相除去と入力周波数
–20
–30
–40
–50
–60
–70
–80
16384
80
–10
DGND (VIN = 100mV)
VSS (VIN = 10mV)
–90
–100
0
8192
1416 G06
COMMON MODE REJECTION (dB)
AMPLITUDE OF
POWER SUPPLY FEEDTHROUGH (dB)
0.5
4096
1416 G05
0
VOUT = ±2.5V
VREF = 2.5V
0
OUTPUT CODE
電源フィードスルーと
リップル周波数
積分非直線性と出力コード
1.0
INL ERROR (LSB)
–10
1416 G02
1416 G01
–1.0
0
VDD (VIN = 10mV)
70
60
50
40
30
20
10
0
1k
10k
100k
RIPPLE FREQUENCY (Hz)
1M 2M
1416 G08
1k
10k
100k
INPUT FREQUENCY (Hz)
1M 2M
1416 G09
LTC1416
ピン機能
CONVST
(ピン23):変換開始信号。このアクテイブ“L”
信号の立下りエッジで変換を開始します。
AIN+(ピン1):±2.5Vの正アナログ入力。
AIN
−
(ピン2):±2.5Vの負アナログ入力。
VREF(ピン3):2.5Vリファレンス出力。1µFでAGNDに
バイパスします。
REFCOMP
(ピン4):4.06Vリファレンス出力。22µFタン
タル・コンデンサと0.1µFセラミック・コンデンサの並
列、または22µFセラミックをAGNDにバイパスします。
AGND(ピン5):アナログ・グランド。
CS(ピン24):チップ・セレクト入力。ADCがCONVST
およびRD入力を認識するにはチップセレクトは“L”でな
け れ ば な り ま せ ん 。 ま た 、 SHDNが“ L”に な る と き
シャットダウン・モードを設定します。CSとSHDNが
“L”のとき、高速ウェイクアップのナップ・モードを選
択します。CSが“H”でSHDNが“L”のとき、スリープ・
モードを選択します。
D13からD6
(ピン6から13)
:スリーステート・データ出力。
DGND(ピン14):内部ロジック用デジタル・グランド。
AGNDに接続してください。
D5からD0
(ピン15から20)
:スリーステート・データ出力。
SHDN(ピン21):シャットダウン入力。“L”でシャット
ダウンを選択します。シャットダウン・モードはCSピ
ンによって選択されます。CS=0はナップ・モード、CS
=1はスリープ・モードです。
RD(ピン22):リード入力。CSが“L”のとき、このピン
によって出力ドライバをイネーブルします。
BUSY(ピン25):BUSY出力はコンバータのステータス
を示します。変換を実行中のときには“L”になります。
BUSYの立上りエッジでデータが有効になります。
VSS
(ピン26):−5V負電源。10µFタンタル・コンデンサ
と0.1µFセラミック・コンデンサの並列接続または10µFセ
ラミック・コンデンサをAGNDにバイパスします。
DVDD(ピン27):5V正電源。ピン28に接続します。
AVDD(ピン28):5V正電源。10µFタンタル・コンデンサ
と0.1µFセラミック・コンデンサの並列接続または10µF
セラミック・コンデンサをAGNDにバイパスします。
6
機能ブロック図
CSAMPLE
AIN+
AVDD
DVDD
CSAMPLE
AIN–
VSS
4k
VREF
ZEROING SWITCHES
2.5V REF
+
REF AMP
COMP
14-BIT CAPACITIVE DAC
–
REFCOMP
(4.06V)
SUCCESSIVE APPROXIMATION
REGISTER
AGND
DGND
INTERNAL
CLOCK
14
OUTPUT LATCHES
•
•
•
D13
D0
CONTROL LOGIC
SHDN CONVST
RD
CS
BUSY
1416 BD
6-105
LTC1416
テスト回路
アクセス・タイミングのための負荷回路
出力フロート遅延のための負荷回路
5V
5V
1k
1k
DBN
DBN
DBN
1k
CL
1k
CL
(A) Hi-Z TO VOH AND VOL TO VOH
DBN
(B) Hi-Z TO VOL AND VOH TO VOL
(A) VOH TO Hi-Z
100pF
100pF
(B) VOL TO Hi-Z
1416 TC02
1416 TC01
アプリケーション情報
変換の詳細説明
LTC1416は、逐次比較アルゴリズムと内部サンプル&
ホールド回路を使用して、アナログ信号を14ビットのパ
ラレル出力に変換します。このADCは高精度リファレ
ンスと内部クロックを備えています。コントロール・ロ
ジックにより、簡単にマイクロプロセッサやDSPにイン
タフェースすることができます。(データ・フォーマッ
トについては、デジタル・インタフェースのセクション
を参照してください)。
AIN+
CSAMPLE+
SAMPLE
HOLD
AIN–
CSAMPLE–
SAMPLE
HOLD
HOLD
ZEROING SWITCHES
CDAC+
HOLD
+
VDAC+
CDAC–
COMP
–
VDAC–
14
SAR
OUTPUT
LATCH
•
•
•
D13
D0
1416 F01
図1. 簡略ブロック図
6-106
変換スタートは、CSおよびCONVST入力でコントロール
されます。変換がスタートすると、逐次比較レジスタ
(SAR)がリセットされます。一度変換サイクルが始まる
と、再スタートすることはできません。
変換中は、内部の差動14ビット容量性DAC出力が、SAR
によって最上位ビット(MSB)から最下位ビット(LSB)に
連続的に動作します。図1を参照してください。AIN+お
よびAIN− 入力はアクイジション・フェーズ中にサンプ
ル&ホールド・コンデンサ(CSAMPLE)に接続され、コン
パレータ・オフセットはゼロ調整スイッチによってゼロ
になります。このアクイジション・フェーズでは、
400nsの最小遅延時間により、サンプル&ホールド・コ
ンデンサがアナログ信号を収集するのに十分な時間を与
えます。変換フェーズ中は、コンパレータのゼロ調整ス
イッチがオープンして、コンパレータを比較モードにし
ます。入力スイッチはCSAMPLEコンデンサをグランドに
スイッチして、アナログ入力電荷をコンパレータの加算
点に送ります。この入力電荷は、差動容量性DACから
供給されるバイナリ・ウェイト電荷と逐次比較されま
す。ビットの決定は高速コンパレータで行われます。変
換が終わると、差動DAC出力はAIN+およびAIN−入力電
荷とバランスします。AIN+ とAIN− の差を表すSARの内
部状態(14ビット・データ・ワード)が14ビット出力ラッ
チにロードされます。
LTC1416
アプリケーション情報
ダイナミック特性
SN比
LTC1416は、高性能な高速サンプリング能力を備えてい
ます。ADCの定格スループットにおける周波数応答、歪
み、およびノイズの特性をテストするために、FFT
(高速
フーリェ変換)
テスト・テクニックを使用しています。低
歪み正弦波を加え、FFTアルゴリズムを用いてデジタル
出力を解析することにより、基本波成分外の周波数に対
するADCのスペクトラム成分を調べることができます。
図2に標準的なLTC1416のFFTプロットを示します。
信号対(ノイズ+歪み)比[S/(N+D)]は、A/D出力におけ
る基本波周波数のRMS振幅と他のすべての周波数成分
のRMS振幅との比率です。出力はDCからサンプリング
周 波 数 の 1/2の 周 波 数 帯 域 に 限 定 さ れ ま す 。 図 2aに
400kHzのサンプリング・レート時の100kHz入力での標
準スペクトラム成分を示します。ダイナミック特性は入
力周波数が200kHz以上のナイキスト限界まで非常に優
れています(図2b)。
0
fSAMPLE = 400kHz
fIN = 101.5625kHz
SFDR = 95.2dB
SINAD = 80.5dB
AMPLITUDE (dB))
–20
–40
有効ビット数
有効ビット数(ENOB)はADCの分解能の尺度であり、次
式のとおりS/(N+D)に直接関係します。
–60
ENOB=[S/(N+D)−1.76]/6.02
–80
–100
–120
–140
0
25
50
75
100 125 150 175 200
ここで、ENOBは分解能の有効ビット数であり、S/(N+
D)はdBで表されます。400kHzの最大サンプリング・
レートで、LTC1416は200kHzのナイキスト入力周波数
まで、理想的なENOBを維持します(図3を参照)。
FREQUENCY (kHz)
1416 F02a
6
図2a. LTC1416の非平均化4096ポイントFFT、
入力周波数=100kHz
AMPLITUDE (dB))
–20
–40
EFFECTIVE BITS
fSAMPLE = 400kHz
fIN = 189.9414kHz
SFDR = 94.8dB
SINAD = 80.2dB
–60
–80
–100
–120
NYQUIST
FREQUENCY
fSAMPLE = 400kHz
1k
–140
0
25
50
75
100 125 150 175 200
FREQUENCY (kHz)
86
80
74
68
62
SIGNAL/(NOISE + DISTORTION) (dB)
0
14
13
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
10k
100k
INPUT FREQUENCY (Hz)
1M 2M
1416 TA02
図3. 有効ビットおよびS/(N+D)対入力周波数
1416 F02b
図2b. LTC1416の非平均化4096ポイントFFT、
入力周波数=190kHz
6-107
LTC1416
アプリケーション情報
全高調波歪み
全高調波歪み(THD)は、入力信号のすべての高調波の
RMSの合計と基本波との比率です。帯域外高調波は、
DCとサンプリング周波数の1/2の周波数帯域に限定され
ます。THDは次式で表されます。
2
2
2
mおよびn=0、1、2、3、...です。たとえば、2次IMDの項
は
(fa+fb)
です。2つの入力正弦波の振幅が等しい場合、2
次IMDの値
(dB)
は次式で表すことができます。
(
)
IMD fa + fb = 20 log
(fa+fb)での振幅
faでの振幅
2
V2 + V3 + V4 + ...Vn
V1
THD = 20 log
ここで、V1は基本波周波数のRMS振幅であり、V2から
Vnは第2高調波から第N高調波の振幅です。THDと入力
周波数を図4に示します。LTC1416は、ナイキスト周波
数を超える周波数まで良好な歪み特性を有しています。
0
AMPLITUDE (dB)
–20
fSAMPLE = 400kHz
fa=87.01171876kHz
fb=113.1835938kHz
–40
–60
–80
AMPLITUDE (dB BELOW THE FUNDAMENTAL)
–100
0
–120
–10
–20
–140
0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 200
FREQUENCY (Hz)
–30
–40
1416 G05
–50
図5. 混変調歪みプロット
–60
–70
–80
–90
THD
3RD
最大高調波またはスプリアス・ノイズ
2ND
–100
–110
1k
10k
100k
INPUT FREQUENCY (Hz)
1M 2M
最大高調波つまり最大スプリアス・ノイズは、入力信号
とDCを除く最大スペクトラム成分です。この値はフル
スケール入力信号のRMS値に対するdBで表されます。
1416 G03
図4. 歪み対入力周波数
フルパワーおよびフルリニア帯域幅
混変調歪み
ADC入力信号が2つ以上のスペクトラム成分からなると
きには、ADC伝達関数の非直線性によって、THDに加
えて混変調歪み(IMD)が発生する可能性があります。
IMDは別の異なる周波数の正弦波入力が現れたときに、
ある正弦波入力に起こる変化です。
ADC入力にfaとfbの2つの周波数の純粋な正弦波が与えら
れると、ADC伝達関数の非直線性によって、和および差
の周波数mfa±nfbに歪み成分が形成されます。ただし、
6-108
フルパワー帯域幅はフルスケール入力信号を供給したと
きに、再生される基本成分の振幅が3dBだけ低下する入
力周波数です。フルリニア帯域幅は、S/(N+D)が77dB
(有効ビット12.5ビット)に低下する入力周波数です。
LTC1416は、入力帯域幅が最適になるように設計されて
おり、ADCは入力信号をコンバータのナイキスト周波
数より高い周波数でアンダーサンプルすることができま
す。ノイズ・フロアは高周波数でも非常に低く、
ナイキスト周波数よりはるかに高い周波数では歪みによ
る、S/(N + D)の悪化が大きな部分を占めます。
LTC1416
アプリケーション情報
アナログ入力のドライブ
LTC1416の差動アナログ入力は簡単にドライブできま
す。入力は差動、あるいはシングルエンド入力(すなわ
ち、AIN−入力を接地)としてドライブ可能です。AIN+入
力とAIN− 入力は同時にサンプリングされます。両方の
入力に同相となる不要な信号は、サンプル&ホールド回
路の同相除去比によって低減されます。入力には変換終
了時にサンプル・ホールド・コンデンサを充電する間に
1回だけ小さなスパイク電流が流れます。変換中、アナ
ログ入力にはわずかなリーク電流しか流れません。ドラ
イブ回路のソース・インピーダンスが低い場合は、
LTC1416入力を直接ドライブすることができます。ソー
ス・インピーダンスが増加すると、アクイジション・タ
イムも増加します(図6参照)。ソース・インピーダンス
が高いときに、アクイジション・タイムを最小にするに
は、バッファ・アンプを使用します。必要な条件は、ア
ナログ入力をドライブするアンプが、小さな電流スパイ
クが発生した後、次の変換が開始する前に安定しなけれ
ばならないことだけです(最大スループット・レートを
得るには、セトリング時間が400nsであること)
。
LTC1416をドライブするための最適なオペアンプの選択
は、アプリケーションに依存します。一般に、アプリ
ケーションは次の2つに分類されます。ダイナミック仕
様が最も重要なACアプリケーションと、DC精度とセト
リング・タイムが最も重要なタイム・ドメイン・アプリ
ケーションです。以下のリストはLTC1416をドライブす
るのに適したオペアンプをまとめたものです。より詳細
な情報は、リニアテクノロジーのデータブックおよび
LinearViewTM CD-ROMで提供されます。
LT®1220:30MHzユニティゲイン帯域幅電圧帰還アン
プ。±5V∼±15V電源、優れたDC仕様。
LT1223: 100MHzビ デ オ 電 流 帰 還 ア ン プ 。 消 費 電 流
6mA、±5V∼±15V電源、400kHz以上の周波数で低歪
み、低ノイズ、ACアプリケーションに最適。
10
ACQUISITION TIME (µs)
利得1で使用した場合、50MHzでの出力インピーダンス
は、100Ω以下でなければなりません。もう1つの要求条
件は、最大スループット・レートを得るために十分な小
信号セトリング時間を保証するには、閉ループ帯域幅が
10MHz以上でなければならないことです。低速オペアン
プを使用する場合、変換と変換の間の時間を長くすれ
ば、セトリングのための時間を長くしてください。
1
LT1227: 140MHzビ デ オ 電 流 帰 還 ア ン プ 。 消 費 電 流
10mA、±5V∼±15V電源、400kHz以上の周波数で低歪
み、低ノイズ、ACアプリケーションに最適。
0.1
0.01
10
100
1k
10k
SOURCE RESISTANCE (Ω)
100k
1416 F06
図6. アクイジション・タイムとソース抵抗
入力アンプの選択
いくつかの要求条件を考慮に入れれば、入力アンプは簡
単に選択できます。まず、サンプリング・コンデンサを
充電する際にアンプで発生する電圧スパイクの振幅を制
限するために、閉ループ帯域幅周波数で低い出力イン
ピーダンス(100Ω以下)をもつアンプを選択します。た
とえば、50MHzのユニティゲイン帯域幅をもつアンプを
LT1229/LT1230:デュアルおよびクワッド100MHz電流
帰還アンプ。±2V∼±15V電源、低ノイズ、優れたAC
仕様、アンプ当たりの消費電流6mA。
LT1360:50MHz電圧帰還アンプ。消費電流3.8mA、優
れたAC/DC仕様、±5V∼±15V電源。
LT1363: 70MHz、 1000V/µsオ ペ ア ン プ 。 消 費 電 流
6.3mA、優れたAC/DC仕様。
LT1364/LT1365: デ ュ ア ル お よ び ク ワ ッ ド 70MHz、
100V/µsオペアンプ。1アンプ当たりの消費電流6.3mA。
LinearViewはリニアテクノロジー社の商標です。
6-109
6
LTC1416
アプリケーション情報
入力フィルタリング
入力アンプおよび他の回路のノイズと歪みがLTC1416の
ノイズと歪みに加えられるため、これらについても考慮
しなければなりません。サンプル・ホールド回路の小信
号帯域幅は15MHzです。アナログ入力に現れるノイズま
たは歪みはこの全帯域幅に加えられます。ノイズの多い
入力回路は、ノイズを低減するためにアナログ入力に送
られる前にフィルタしなければなりません。多くのアプ
リケーションでは、単純な1ポールRCフィルタで十分で
す。たとえば、図7はAIN+からグランドに1000pFコンデ
ンサと200Ωのソース抵抗を接続すると、入力帯域幅が
800kHzに制限されることを示します。また、1000pFコ
ンデンサは入力サンプル&ホールドのための電荷貯蔵庫
として働き、ADC入力をグリッチの影響を受けやすい
サンプリング回路から切り離します。これらの部品が歪
みを増加させる可能性があるため、高品質のコンデンサ
と抵抗を使用してください。NPOとシルバ・マイカ型誘
電体コンデンサは、優れた直線性を備えています。ま
た、カーボン表面実装抵抗は、自己加熱や半田付け中に
生じる損傷から歪みを生じることがあります。金属フィ
ルム表面実装抵抗は、これら両方の問題の影響を受けに
くいものです。
ANALOG
INPUT
200Ω
1000pF
1
AIN+
2
AIN–
3
4
22µF
5
も、他の入力範囲に対応できます。以下のセクションで
は、リファレンスと入力回路、そしてそれらがどのよう
に入力範囲に影響を与えるかを説明します。
内部リファレンス
LTC1416は、温度補償および曲線補正されたバンドギャッ
プ・リファレンスを内蔵しており、このリファレンスは製
造時に2.500Vにトリミングされています。このリファレン
スは内部でリファレンス・アンプに接続され、VREF
(ピン
3)
から外部に引き出されています。図8aを参照してくださ
い。4kΩの抵抗が出力と直列に接続されているため、外部
リファレンスまたは他の回路で簡単にオーバドライブでき
ます
(図8b参照)
。リファレンス・アンプは、VREFピンの電
圧を1.625倍に昇圧して、必要な内部リファレンス電圧を生
成します。これによって、VREFピンと高速容量性DAC間に
バッファリングを提供します。リファレンス・アンプ補償
ピンREFCOMP
(ピン4)
は、コンデンサでグランドにバイパ
2.5V
4.0625V
3
VREF
4
REFCOMP
R1
4k
BANDGAP
REFERENCE
REF
AMP
R2
80k
22µF
5
LTC1416
AGND
R3
128k
LTC1416
VREF
1416 F08a
REFCOMP
図8a. LTC1416のリファレンス回路
AGND
1416 F07
図7. RC入力フィルタ
5V
入力範囲
LTC1416の±2.5V入力範囲は、ノイズと歪みが低くなる
ように最適化されています。大部分の高性能オペアンプ
もこの範囲で最適に動作するため、アナログ入力への直
接結合が可能で、特殊な変換回路は必要ありません。
VIN
ANALOG
INPUT
LT1019A-2.5
VOUT
1
AIN+
2
AIN–
3
4
22µF
5
LTC1416
VREF
REFCOMP
AGND
1416 F08b
アプリケーションによっては、他の入力範囲が必要で
す。LTC1416の差動入力とリファレンス回路は、多くの
場合、回路をほとんどあるいはまったく追加しなくて
6-110
図8b. LT1019-2.5を外部リファレンスとして使用
LTC1416
アプリケーション情報
VREFピンは、
図9に示すとおり、
DACまたは他の方法でドラ
イブすることができます。
これはピーク入力信号振幅が変
化する可能性のあるアプリケーションに役立ちます。
ADC
の入力スパンを調整して、
ピーク入力信号にマッチさせ、
SN
比を最大にすることができます。内部LTC1416リファレン
ス・アンプのフィルタリングにより、
この回路の帯域幅とセ
トリング時間が制限されます。
リファレンス電圧調整の後、
5msのセトリング時間を設ける必要があります。
LTC1450
1
ANALOG
INPUT
AIN+
2
AIN–
1.25V TO 3V
3
4
22µF
5
80
COMMON MODE REJECTION (dB)
スしなければなりません。リファレンス・アンプは1µF以
上のコンデンサで安定動作します。最高のノイズ性能を得
るために、22µFのセラミック・コンデンサか22µFのタンタ
ル・コンデンサと並列に0.1µFのセラミック・コンデンサ
を接続することを推奨しています。
70
60
50
40
30
20
10
0
1k
10k
100k
INPUT FREQUENCY (Hz)
1416 G09
図10a. CMRRと入力周波数
ANALOG INPUT
LTC1416
±2.5V
VREF
1
AIN+
2
AIN–
3
0V TO 5V
4
REFCOMP
22µF
AGND
5
VREF
LTC1416
REFCOMP
AGND
1416 F09
図9. DACによるVREFのドライブ
差動入力
LTC1416はユニークな差動サンプル&ホールド回路を備
え、レール・トゥ・レール入力が可能です。ADCは同
相電圧に関係なく、常にAIN+ −AIN− の差を変換しま
す。同相除去は極端に高い周波数まで有効です(図10aを
参照)。唯一の要求条件は、両方の入力がAVDDまたは
AVSS電源電圧を超えてはならないことです。積分非直
線性誤差(INL)と微分直線性誤差(DNL)は、同相電圧と
は無関係ですが、バイポーラ・ゼロ誤差(BZE)は同相電
圧によって変動します。BZEの変化は、標準で同相電圧
の0.1%未満です。また、ダイナミック性能も同相電圧
によって影響を受けます。THDは入力電圧がいずれかの
電源レールに近付くにつれて悪化します。同相0Vでは
THDは90dBですが、同相2.5Vまたは−2.5Vでは79dBに
低下します。
差動入力は、いろいろな入力範囲を受け入れることがで
き柔軟性が高くなっています。図10bは追加変換回路な
1M 2M
1416 F10b
図10b. 入力範囲:0V∼5Vまたは±2.5Vを選択可能
しで、0V∼5Vのアナログ入力信号を変換する回路を示
します。
フルスケールおよびオフセット調整
図11aにLTC1416の理想的な入出力特性を示します。
コード
遷移は、
連続する整数のLSB値の間の中間
(すなわち、−FS
+0.5LSB、
−FS+1.5LSB、
−FS+2.5LSB、
...FS−1.5LSB、
FS−
0.5LSB)に現れます。出力コードは、1LSB=FS−(−FS)/
16384=5V/16384=305.2µVの2の補数バイナリです。
絶対精度が重要なアプリケーションの場合には、オフ
セットとフルスケール誤差をゼロに調整できます。フル
スケール誤差を調整する前に、オフセット誤差を調整し
なければなりません。図11bにフルスケール誤差の調整
に必要な追加部品を示します。ゼロ・オフセットは、
AIN− 入力に印加されるオフセットを調整して達成され
ます。オフセット誤差をゼロにするには、−152µV(す
なわち、−0.5LSB)をAIN+に印加し、出力コードが0000
6-111
6
LTC1416
アプリケーション情報
0000 0000 00と1111 1111 1111 11の間を変化するようにな
るまで、AIN− 入力のオフセットを調整します。フルス
ケール調整を行うには、2.499544V(FS/2−1.5LSB)の入
力電圧をAINに印加し、出力コードが0111 1111 1111 10と
0111 1111 1111 11の間を変化するようになるまでR2を調
整します。
011...111
OUTPUT CODE
011...110
000...001
優れたPSRRを備えており、−5V電源にスイッチング・
レギュレータを使用しても、14ビットでも良好な性能を
達成することができます。図12aに、Cukまたはチュー
ク・コンバータとして構成したLT1373を使用して5V電
源から−5Vを生成する回路を示します。図12bに示す回
路では、LT1054安定化チャージ・ポンプを使用して−
5Vを供給しています。この回路の利点は、ボード占有
スペースと受動部品点数が少なくてすむことです。(詳
細については、Linear Technology Magazine, June 1997の29
ページを参照してください。)
000...000
111...111
ボード・レイアウトとバイパス
111...110
ワイヤラップ・ボードは、高分解能または高速A/Dコン
バータにはお奨めできません。LTC1416から最良の性能
を引き出すには、グランド・プレーン付きのPCボード
が必要です。PCボードのレイアウトでは、デジタルお
よびアナログ信号ラインができるだけ離れていなければ
なりません。特にADCの下やアナログ信号トラックに
沿ってデジタル・トラックを走らせないよう注意してく
ださい。アナログ入力はAGNDで遮蔽しなければなりま
せん。
100...001
100...000
FS – 1LSB
– (FS – 1LSB)
INPUT VOLTAGE (AIN+ – AIN–)
1416 F11a
図11a. LTC1416の伝達特性
–5V
R3
24k
R1
50k
ANALOG
INPUT
R4
100Ω
1
AIN+
2
–
3
R5 R2
47k 50k
R6
24k
4
5
22µF
AIN
LTC1416
VREF
REFCOMP
AGND
1416 F11b
図11b. オフセットおよびフルスケール調整回路
−5V電源の生成
単一5V電源ではなく±5V電源を使用する利点がいくつ
かあります。ダイナミック・レンジを増加させ、SN 比
を改善する大きな信号振幅が可能です。また、±5V電
源で動作することによりヘッドルームが増加するため、
信号調整回路の条件が緩和され、レール・トゥ・レール
動作の制限が回避され、高性能オペアンプの選択肢が広
がります。しかし、アプリケーションによっては−5V
電源が容易に得られず、大部分のADCが有するPSRRで
はスイッチングまたはチャージ・ポンプ電源によって生
じるノイズを十分に抑えるには不十分です。LTC1416は
6-112
ロジックのシステム・グランドから離したアナログ・グ
ランド・プレーンを、ADCの下またはADCの周囲に設
けなければなりません(図13参照)。ピン5( AGND)、ピ
ン14、およびピン19(ADCのDGND)他のすべてのアナロ
グ・グランドは、この1つのアナログ・グランド・ポイ
ントに接続してください。また、REFCOMPバイパス・
コンデンサとDVDDバイパス・コンデンサもこのアナロ
グ・グランド・プレーンに接続します。他のデジタル・
グランドをこのアナログ・グランド・プレーンに接続し
てはなりません。このADCを低ノイズで動作させるの
に、低インピーダンスのアナログおよびデジタル電源の
コモン・リターンが不可欠です。また、これらのトラッ
クのフォイル幅はできる限り広くなければなりません。
ADCのデータ出力と制御信号が常時アクティブである
マイクロプロセッサ・バスに接続されるアプリケーショ
ンでは、変換結果に誤差が生じることがあります。これ
らの誤差は、マイクロプロセッサから逐次変換コンパ
レータへのフィードスルーによるものです。この問題
は、変換中にマイクロプロセッサをWAITステートにす
るか、またはスリーステート・バッファを使ってADC
のデータ・バスを分離すれば解決できます。ピンとバイ
パス・コンデンサを接続するトレースは、できる限り短
LTC1416
アプリケーション情報
5V
1µF CER
AIN+
AVDD
2
AIN–
DVDD
VREF
VSS
3
4
C5
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
BUSY
COMP
CS
AGND
D13 (MSB)
CONVST
RD
D12
D11
D10
SHDN
LTC1416
D0
D9
D1
D8
D2
D7
D3
D6
D4
DGND
D5
28
27
C7
1
26
CUK*
CONVERTER
25
24
5
23
C8
22µF
10V
TANT
MICROPROCESSOR/
MICROCONTROLLER
INTERFACE
22
+
4
7
21
6
VIN
S/S
U2
LT1373
NFB
VC
GND S
20
C11
100µF
10V
TANT
C10
10µF
CER
VSW
GND
4
8
R4
4.99k
1%
3
C12
0.1µF
D1
1
R5
4.99k
1%
R3
4.99k
19
C9
0.01µF
18
+
ANALOG
INPUT
–5V
2 L1 3
C6
1
R6
499Ω
1%
1416 F12a
17
C5 = 22µF CERAMIC
C6, C7 = 10µF CERAMIC
L1 = OCTAPAC CTX-100-1
D1 = 1N5818
16
15
図12a. LT1373を使用し−5V電源を生成
6
5V
–5V
C6
ANALOG
INPUT
1µF CER
1
AIN+
AVDD
2
AIN–
DVDD
3
4
C5
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
VREF
VSS
BUSY
COMP
CS
AGND
D13 (MSB)
CONVST
D12
RD
D11
SHDN
D0
D10
LTC1416
D9
D1
D8
D2
D7
D3
D6
D4
DGND
D5
28
C2
2µF
27
1
C7
26
2
25
C1
10µF
TANT
24
23
22
+
FB/SHDN
V+
C4
100µF
TANT
8
7
OSC
U1
LT1054
3
6
GND
VREF
4
5
CAP –
VOUT
+
CAP+
MICROPROCESSOR/
MICROCONTROLLER
INTERFACE
R1, 30.1k
C3
0.002µF
R2, 120k
1416 F12b
21
20
19
18
17
16
C5 = 22µF CERAMIC
C6, C7 = 10µF CERAMIC
15
図12b. LT1054を使用し−5V電源を生成
6-113
LTC1416
アプリケーション情報
1
AIN+
AIN–
ANALOG
INPUT
CIRCUITRY
+
–
2
DIGITAL
SYSTEM
LTC1416
REFCOMP
AGND
VSS
5
4
22µF
26
10µF
AVDD
DVDD
DGND
28
27
14
10µF
1416 F13
図13. 電源の接地方法
く、また幅を広くとってください。
LTC1416はノイズの結合を最小限に抑えるために差動入
力を備えています。AIN+とAIN−リードの同相ノイズは、
入力CMRRによって除去されます。AIN−入力をAIN+入力
のグランド・センスとして使用することができます。す
なわちLTC1416はAIN+とAIN−間の電圧差をホールドし変
(ピン2)へのリードは、で
換します。AIN+(ピン1)とAIN−
きるだけ短くします。これが可能でないアプリケーショ
ンでは、AIN+およびAIN−の配線を平行して走らせて、ノ
イズの結合をキャンセルしなければなりません。
電源のバイパス
本データシートの最初のページにある標準的応用例に示
すように、VDDピン(10µF)およびREFCOMPピン(22µF)
には、高品質で低直列抵抗のセラミックのバイパス・コ
ンデンサを使用してください。村田製作所の
GRM235Y5V106Z016のような表面実装セラミック・コ
ンデンサは、小さなボード・スペースに優れたバイパス
特性を提供します。あるいは、タンタル・コンデンサと
0.1µFセラミック・コンデンサを並列に接続して使用す
ることもできます。これらのコンデンサはできる限りピ
ンの近くに配置します。ピンとバイパス・コンデンサを
接続する配線は、できる限り短く、また幅を広くとって
ください。
レイアウト例
図14a、14b、14c、および14dに評価ボードの回路図とレ
イアウトを示します。レイアウトは、2層PCボードでの
デカップリング・コンデンサとグランド・プレーンの正
しい使い方を示しています。
6-114
デジタル・インタフェース
このA/Dコンバータは、メモリ・マップド・デバイスと
してマイクロプロセッサにインタフェースするように設
計されています。CSおよびRDコントロール入力は、す
べての周辺メモリ・インタフェースに共通です。
CONVSTを使用して、変換を開始します。
内部クロック
このA/Dコンバータには内部クロックがあり、他のADC
のように外部クロックとCSおよびRD信号間で同期をと
る必要はありません。内部クロックは標準変換時間
1.8µs、および全動作温度範囲における最大変換時間
2.2µsを達成するよう製造時に調整されています。外部
調整は不要です。保証最大アクイジション・タイムは
400nsです。加えて、2.5µsのスループット時間と400ksps
の最小サンプリング・レートが保証されます。
電源シャットダウン
LTC1416にはナップとスリープの2つの電源シャットダウ
ン・モードがあり、非アクティブ期間中の電力を節減しま
す。
ナップ・モードでは消費電力が95%低減され、
デジタル・
ロジックとリファレンスだけが動作状態になります。
ナッ
プからアクティブになるまでのウェイクアップ時間は
200nsです。
スリープ・モードでは、
リファレンスがシャット
ダウンされ、
約120µAのわずかな電流が流れます。
スリープ・
モードからのウェイクアップ時間は、
リファレンス回路が
立ち上がり、
そして14ビット精度すなわち0.005%にセトリ
ングしなければならないため、
より低速になります。
スリー
プ・モードのウェイクアップ時間は、
REFCOMP
(ピン4)
に接
続されたコンデンサの値によって決まります。ウェイク
アップ時間は推奨している22µFコンデンサでは20msです。
+VIN
U2
1
GND TABGND
2
4
J1
–7V TO
–15V
VLOGIC
3
VOUT
VIN
R14
20Ω
VCC
LT1121-5
–VIN
+
D15
SS12
C12
0.1µF
C2
22µF
10V
J2
VCC
GND
C14
0.1µF
+
U1
79L05
2
VIN
VOUT
GND
C10
10µF
10V
5
VSS
1
D[00:13]
D14
SS12
+
J3
7V TO
15V
U5
74HC574
C4
0.1µF
1
B[00:13]
AGND
DGND
J4
JP3
R15
51Ω
JP2
U3
V
LT1363
2 7
–
6
3 +
8
1
4
V–
R17
10k
C11
1000pF
R18
10k
JP4
VOUT
+
A+
VSS
1
2
VREF
J5
3
4
C8
1µF
10V
C13
22µF
10 V
25
24
23
22
J7
1
CLK
R19
51Ω
2
U7A
HC14
3
U7B
11
B00
2
B01
3
B02
4
B03
5
B04
6
B05
7
B13
8
9
U4
LTC1416
C3
0.1µF
R16
51Ω
A–
C1
22µF
10V
21
4
28
27
HC14
26
5
14
AIN+
D13
AIN–
D12
VREF
D11
REFCOMP
D10
BUSY
D9
CS
D8
CONVST
D7
RD
D6
SHDN
D5
AVDD
D4
DVDD
D3
VSS
D2
AGND
D1
DGND
D0
0E
D0
Q0
D1
Q1
D2
Q2
D3
Q3
D4
Q4
D5
Q5
D6
Q6
D7
Q7
B13
7
B12
1
8
B11
11
9
B10
B12
2
10 B09
B11
3
11 B08
B10
4
12 B07
B09
5
13 B06
B08
6
15 B05
B07
7
16 B04
B06
8
17 B03
9
18 B02
JP5C
JP5B
JP5A
VCC
RD
NOTES: UNLESS OTHERWISE SPECIFIED
ALL RESISTOR VALUES IN OHMS, 5%
D02
R2, 1.2k
D2
D03
R3, 1.2k
D3
D04
R4, 1.2k
D4
D05
R5, 1.2k
D5
D06
R6, 1.2k
D6
D07
R7, 1.2k
D7
D01
17
D02
16
D03
D08
R8, 1.2k
D8
15
D04
D09
R9, 1.2k
D9
14
D05
D10
R10, 1.2k D10
D11
R11, 1.2k D11
D12
R12, 1.2k D12
D13
R13, 1.2k D13
13
D13
12
D0
Q0
D1
Q1
D2
Q2
D3
Q3
D4
Q4
D5
Q5
D6
Q6
D7
Q7
19
D12
D00
18
D11
D01
17
D10
D02
16
D09
D03
15
D08
14
D07
13
D06
D04
D05
D06
12
D07
D08
20 B00
D09
11
10
5
VLOGIC
R20
1M
HC14
14
VCC
C15
0.1µF
U7F
12
13
6-115
図14a. 推奨評価回路図
D01
D02
D03
D04
D05
D06
D07
D08
D09
D10
D11
D12
D13
C6
15pF
D13
U7D
9
8
HC14
RDY
LED
J6-13
D00
J6-14
D01
J6-11
D02
J6-12
D03
J6-9
D04
J6-10
D05
J6-7
D06
J6-8
D07
J6-5
D08
J6-6
D09
J6-3
D10
J6-4
D11
J6-1
D12
J6-2
D13
J6-15
D13
J6-16
RDY
J6-17
DGND
J6-18
DGND
JP1
HEADER
18-PIN
HC14
1416 F14a
LTC1416
U7G
HC14
GND
7
6
R21
1k
D12
D13
HC14
U7C
D10
D11
U7E
VSS
C5
10µF
10V
D00
0E
19 B01
DATA READY
SHDN
D1
D0
18
CS
C9
10µF
10V
D01
R1, 1.2k
D00
D13
VLOGIC
R0, 1.2k
19
U6
74HC574
6
D00
アプリケーション情報
VCC
6
LTC1416
アプリケーション情報
図14b. 推奨評価回路ボード部品面のシルクスクリーン
図14c. 推奨評価回路ボード部品面のレイアウト
CS
t3
SHDN
1416 F15a
図15a. CSからSHDNのタイミング
SHDN
t4
CONVST
1416 F15b
図15b. SHDNからCONVSTまでのウェイクアップ・タイミング
図14d. 推奨評価回路ボード半田面のレイアウト
6-116
LTC1416
アプリケーション情報
シャットダウンはピン21( SHDN)で制御され、SHDNが
“L”のときにADCはシャットダウン状態になっていま
す。シャットダウン・モードはピン20( CS)で選択さ
れ、“L”のときナップを選択します。
では、CSは“L”に接続され、CONVSTとRDはひとつに接
続されます。MPUは、RD信号のみで変換を開始して出
力を読み出します。変換はMPUまたはDSP( 外部サンプ
ル・クロックは不要)によって開始されます。
低速メモリ・モードでは、プロセッサはRD
(=CONVST)に
“L”
を印加して変換を開始します。
BUSYが
“L”
になり、
プロ
変換スタートおよびデータ・リード・オペレーションは、 セッサを強制的に待ち状態にします。
このとき前の変換結
CONVST、
CS、
およびRDの3つのデジタル入力でコントロー
果がデータ出力に現れています。
変換が完了すると、
新しい
ルされます。CONVSTピンにロジック“0”を印加すると、 変換結果がデータ出力に現れます。BUSYが“H”になって、
ADCが選択された後
(すなわち、
CSが
“L”
)変換を開始しま
プロセッサを解放すると、
プロセッサはRD
(=CONVST)
を
す。
一度変換を開始すると、
変換が完了するまで再スタート “H”
に戻して、
新しい変換データを読み出します。
することはできません。
コンバータのステータスはBUSY出
力で示されます。
変換実行中、
BUSYは
“L”
になっています。
ROMモードでは、プロセッサはRD
(=CONVST)を“L”
タイミングとコントロール
にして変換を開始し、前の変換結果を読み出します。変
換が完了すると、プロセッサは新しい結果を読み出し
て、別の変換を開始することができます。
図16∼図21に、
いくつかの異なる動作モードを示します。
モー
ド1aと1b
(図17と図18)では、CSとRDは両方とも
“L”に接続さ
れます。
CONVSTの立下りエッジで変換を開始します。
データ
出力は常にイネーブルされ、データはBUSYの立上りエッジ
でラッチすることができます。
モード1aは、
幅の狭い論理
“L”
のCONVSTパルスによる動作を示します。
モード1bは、
幅の狭
い論理
“H”
のCONVSTパルスによる動作を示します。
CS
t2
CONVST
6
t1
モード2
(図19)
では、
CSは
“L”
に接続されます。
CONVST信号
の立下りエッジで変換を開始します。
データ出力は、
MPUが
RD信号で読み出すまでスリーステートになっています。
モード2は、
共有MPUデータ・バスでの動作に使用できます。
RD
1416 F16
図16. CSからCONVSTのセットアップ・タイミング
低速メモリ・モードおよびROMモード(図20および21)
t CONV
CS = RD = 0
(SAMPLE N)
t5
CONVST
t6
t8
BUSY
t7
DATA
DATA (N – 1)
DB13 TO DB0
DATA N
DB13 TO DB0
DATA (N + 1)
DB13 TO DB0
1416 F17
図17. モード1a。CONVSTで変換を開始。データ出力は常時イネーブル
(CONVST =
)
6-117
LTC1416
アプリケーション情報
tCONV
CS = RD = 0
t8
t5
t13
CONVST
t6
t6
t6
BUSY
t7
DATA (N – 1)
DB13 TO DB0
DATA
DATA N
DB13 TO DB0
DATA (N + 1)
DB13 TO DB0
1416 F18
図18. モード1b。CONVSTで変換を開始。データ出力は常時イネーブル。
(CONVST =
)
t13
(SAMPLE N)
tCONV
t5
CS = 0
t8
CONVST
t6
BUSY
t9
t 12
t 11
RD
t 10
DATA N
DB13 TO DB0
DATA
1416 F19
図19. モード2。CONVSTで変換を開始。RDでデータの読み出し。
t8
t CONV
CS = 0
(SAMPLE N)
RD = CONVST
t6
t 11
BUSY
t 10
DATA
t7
DATA (N – 1)
DB13 TO DB0
DATA N
DB13 TO DB0
DATA N
DB13 TO DB0
DATA (N + 1)
DB13 TO DB0
1416 F20
図20. 低速メモリ・モード・タイミング
6-118
LTC1416
アプリケーション情報
t CONV
CS = 0
t8
(SAMPLE N)
RD = CONVST
t6
t 11
BUSY
t 10
DATA
DATA N
DB13 TO DB0
DATA (N – 1)
DB13 TO DB0
1416 F21
図21. ROMモード・タイミング
関連製品
製品番号
説明
注釈
LTC1278/LTC1279 単一電源、12ビット、500ksps/600ksps ADC
低消費電力、5Vまたは±5V電源
LTC1400
高速シリアル12ビットADC
400ksps、VREF、CLK、サンプル&ホールド内蔵、SO-8
LTC1409
低消費電力、
12ビット、
800kspsサンプリングADC 最良のダイナミック性能、fSAMPLE ≤ 800ksps、消費電力80mW
LTC1410
12ビット、1.25MspsサンプリングADC、
シャットダウン機能付き
最良のダイナミック性能、ナイキスト周波数にて
THD=84dBおよびSINAD=71dB
LTC1412
12ビット、3MspsサンプリングADC
最良のダイナミック性能、ナイキストにてSINAD=72dB
LTC1415
単一5V、12ビット、1.25Msps ADC
単一電源、消費電力55mW
LTC1418
14ビット、200kspsサンプリングADC
消費電力16mW、シリアルおよびパラレル出力
LTC1419
14ビット、800kspsサンプリングADC、
シャットダウン付き
81.5dB SINAD、±5V電源で消費電力150mW
LTC1604
16ビット、333kspsサンプリングADC
±2.5V入力、SINAD=90dB、THD=100dB
LTC1605
単一5V、16ビット、100ksps ADC
低消費電力、±10V入力
6-119
6