NJW4113-T1 ウォッチドッグタイマ付き45V耐圧Io=500mA低飽和レギュレータ 概要 NJW4113 は、45V 耐圧、低消費電流、Io=500mA のウォッチドッグタイマ (WDT)内蔵低飽和型レギュレータです。 出力電圧の低下を監視すると共に、WDT 機能によるクロック監視が可能 であり、各種マイコン機能にフェイル・セーフを持たせることができます。検 出電圧は外付け抵抗にて微調整が可能となっています。 低消費電流のため、常時稼働のアプリケーションにおいても車載バッテリ ー等の負担軽減に貢献します。 動作温度が-40~+125℃と広範囲なので車載アプリケーション、その他、 高信頼性が要求されるセットに最適です。 ■外形 NJW4113GM1 特長 広範囲動作電圧 低消費電流 高精度出力電圧 4.0V to 40V max. 37μA typ. Vo 1.0%(Ta=25 C) Vo 1.5%(Ta=-40 C to +125 C) 高精度検出電圧 VDET 1.0%(Ta=25 C) VDET 2.0%(Ta=-40 C to +125 C) 出力電流 Io(min.)=500mA 外付け抵抗による検出電圧の調整が可能 外付けコンデンサによるWDT監視時間、WDTリセット時間、出力遅延時間の設定が可能 WDTイネーブル機能 小型セラミックコンデンサ対応 サーマルシャットダウン回路内蔵 過電流保護回路内蔵 パッケージ HSOP8 端子配列 VRO CLK RSADJ WDEN CW GND VIN VOUT Exposed PAD on backside connected to GND 1. 2. 3. 4. 5. 6. 7. 8. CLK RSADJ CW VIN VOUT GND WDEN VRO クロック入力端子 検出電圧調整用抵抗接続端子 WDT 監視時間、WDT リセット時間、出力遅延時間設定用容量接続端子 入力電圧端子 出力電圧端子 GND 端子 WDT 機能停止端子 リセット出力端子 製品分類 状態 量産 量産 PLAN 品 名 NJW4113GM1-A46-T1 NJW4113GM1-A41-T1 NJW4113GM1-B03-T1 Ver.2015-07-14 バージョン 出力電圧 検出電圧 4.6V A 5.0V 4.1V B 3.3V 3.0V -1- NJW4113-T1 端子説明 端子名称 CLK 端子番号 1 RSADJ 2 CW 3 VIN VOUT GND 4 5 6 WDEN 7 VRO 8 Exposed PAD - 機能 クロック入力端子です。マイコンからのクロックを監視します。 リセット電圧調整用抵抗接続端子です。 抵抗を外付けすることによって任意のリセット電圧に調整が可能です。 調整が不要な場合、端子はオープンとして下さい。 WDT監視時間、WDTリセット時間、出力遅延時間設定用容量接続端子です。コンデンサ を外付けすることによって任意の時間設定が可能です。 入力電圧端子です。 出力電圧端子です。 GND(接地)端子です。 WDT機能の動作・停止を制御する端子です。Highレベルで停止し、Lowレベルまたはオー プンで動作モードとなります。 リセット出力端子です。出力電圧が検出電圧以下でL信号を出力します。 100kΩ typ.でVOUTに端子プルアップされています。 GND端子に接続されています。 ブロック図 VIN 4 5 VOUT 8 VRO 3 CW Current Limit Vref1 Thermal Protection REG RSADJ 2 Vref2 CW Control CLK -2- 1 6 7 GND WDEN Ver.2015-07-14 NJW4113-T1 (Ta=25 C) 絶対最大定格 項 目 入力電圧 出力電圧 リセット出力電圧 クロック入力電圧 WDEN入力電圧 RSADJ端子入力電圧 消費電力 接合部温度範囲 動作温度範囲 保存温度範囲 記 号 VIN VO VRO VCLK VWDEN VRSADJ PD Tj Topr Tstg 定 格 -0.3 to +45 -0.3 to VIN +6 -0.3 to +6 -0.3 to +5.5 -0.3 to +5.5 -0.3 to + 5.5 790(*1) 2500(*2) -40 to +150 -40 to +125 -40 to +150 単 位 V V V V V V mW C C C (*1): 基板実装時 76.2×114.3×1.6mm(2 層 FR-4)で EIA/JEDEC 準拠による (*2): 基板実装時 76.2×114.3×1.6mm(4 層 FR-4)で EIA/JEDEC 準拠による (4 層内箔面積: 74.2 74.2mm、JEDEC standard JESD51-5 に準拠しサーマルビアホールを適用) ■ 入力電圧範囲 VIN = 4.0V to 40V Ver.2015-07-14 -3- NJW4113-T1 電気的特性 (総合特性) (指定なき場合には、VIN= VO +1V, CIN=1.0μF, CO=4.7μF, Ta=25 C) 項 目 消費電流 記 号 条 ISS WDT 動作時 WDT 動作時,Ta= -40ºC to +125ºC 記 号 出力電圧 VO 出力電流 IO ラインレギュレーション VO/ VIN ロードレギュレーション VO/ IO リップル除去比 RR 入出力間電位差 VIO 出力電圧温度係数 最小 - 標準 37 - 最大 70 80 単位 µA (指定なき場合には、VIN= VO +1V, CIN=1.0μF, CO=4.7μF, Ta=25 C) (レギュレータ部) 項 目 件 VO/ Ta 条 件 IO=30mA IO=30mA, Ta= -40ºC to +125ºC VO 0.9 VO 0.9, Ta= -40ºC to +125ºC VIN= VO +1V to 40V, IO =30mA VIN= VO +1V to 40V, IO =30mA, Ta= -40ºC / +125ºC (*3) IO=0mA to 500mA IO=0mA to 500mA, Ta= -40ºC /+125ºC (*3) IO=30mA to 500mA, Ta= -40ºC /+125ºC (*3) VIN= VO +2V, ein=50mVrms, f=1kHz, IO=10mA IO=300mA IO=300mA, Ta= -40ºC to +125ºC IO=30mA, Ta=0 C to 125 C 最小 -1.0% -1.5% 500 500 - 標準 - 最大 +1.0% +1.5% 0.05 単位 - - 0.05 - 0.002 - 0.004 0.008 0.0053 %/mA - 45 - dB - 0.3 ±50 0.5 0.78 - V mA %/V V ppm/ C (*3):-40 C /+125 C時の保証値となります。 (ボルテージディテクタ部) 項 目 (指定なき場合には、VIN= VO +1V, CIN=1.0μF, CO=4.7μF, Ta=25 C) 記 号 検出電圧 VDET ヒステリシス電圧 VHYS 検出電圧温度係数 ∆VDET / ∆Ta 電圧検出時CW端子 充電電流 復帰後リセット解除CW端 子スレッショルド電圧 ICWD VTCWD RSADJ端子電圧 VRSADJ RSADJ端子電圧温度係数 ∆VRSADJ / ∆Ta 出力遅延時間 tPR LOWレベル出力電圧 VROL リセット出力部動作電圧 VOPL 起動時 リセット出力端子電圧 プルアップ抵抗 -4- VROUV RPU 条 件 Ta= -40ºC to +125ºC Ta= -40ºC to +125ºC Ta=0 C to +125 C VCW = 0.5V VCW = 0.5V, Ta= -40ºC to +125ºC Ta= -40ºC to +125ºC VO=VDET (Vo detected) VO=VDET (Vo detected), Ta= -40ºC to +125ºC Ta=0 C to +125 C CW=0.01μF, VRO=L H CW=0.01μF, VRO=L H, Ta= -40ºC to +125ºC VO=VDET-0.5V VO=VDET-0.5V, Ta= -40ºC to +125ºC Ta= -40ºC to +125ºC VIN 立上がり時 最小 -1.0% -2.0% 80 50 標準 100 - 最大 +1.0% +2.0% 120 150 単位 - ±50 - ppm/ C 3 3 0.97 0.95 0.97 6 1.00 1.00 9 9 1.03 1.05 1.03 0.95 - 1.05 - ±50 - 0.7 1.7 3.5 0.3 - 3.8 0.8 0.8 0.02 - 0.2 0.2 - - 0.05 - V - 100 - k V mV μA V V ppm/ C ms V V Ver.2015-07-14 NJW4113-T1 電気的特性 (ウォッチドッグタイマ部) 項 目 (指定なき場合には、VIN= VO +1V, CIN=1.0μF, CO=4.7μF, Ta=25 C) 記 号 クロック入力 High レベル VTCKH クロック入力 Low レベル VTCKL クロック入力パルス幅 tCKW クロック入力周期 tCK 放電電流 ICW 充電電流 ICWL 上側スレッショルド電圧 VTCWH 下側スレッショルド電圧 VTCWL ウォッチドッグタイマ 監視時間 tWD ウォッチドッグタイマ リセット時間 tWR ウォッチドッグタイマ 機能停止WDEN 端子 スレッショルド電圧 ウォッチドッグタイマ 機能停止解除WDEN 端子 スレッショルド電圧 ------------------ ------------------ VTWDIS VTWEN 条 件 A バージョン A バージョン、Ta= -40ºC to +125ºC B バージョン B バージョン、Ta= -40ºC to +125ºC A バージョン A バージョン、Ta= -40ºC to +125ºC B バージョン B バージョン、Ta= -40ºC to +125ºC Ta= -40ºC to +125ºC Ta= -40ºC to +125ºC VCW = 0.5V VCW = 0.5V, Ta= -40ºC to +125ºC VCW = 0.5V VCW = 0.5V, Ta= -40ºC to +125ºC Ta= -40ºC to +125ºC Ta= -40ºC to +125ºC CW=0.01µF CW=0.01µF, Ta= -40ºC to +125ºC CW=0.01µF CW=0.01µF, Ta= -40ºC to +125ºC Ta= -40ºC to +125ºC Ta= -40ºC to +125ºC 最小 4.0 4.0 2.6 2.6 - 標準 - 0.05 0.05 0.1 0.1 1.5 1.1 3 3 0.97 0.95 0.18 0.16 2.9 2.5 0.6 0.3 2 6 1.00 0.2 4.0 1.3 - 最大 1.0 1.0 0.7 0.7 2.5 2.9 9 9 1.03 1.05 0.22 0.24 5.8 7.9 2.9 3.2 1.6 - - 1.6 - - - - 0.3 - - 0.3 単位 V V ms ms µA µA V V ms ms V V 各出力電圧共通表記としているため、個別仕様書とは異なることがあります。 別途仕様書にて確認の程、お願いいたします。 * 上記測定はパルス試験で実施しております。熱設計には十分ご注意ください。 Ver.2015-07-14 -5- NJW4113-T1 熱特性 項 目 記 号 値 単 位 158(*3) C/W 50(*4) 28(*3) 接合部-ケース表面間 jt C/W 12(*4) (*3): 基板実装時 76.2×114.3×1.6mm(2 層 FR-4)で EIA/JEDEC 準拠による (*4): 基板実装時 76.2×114.3×1.6mm(4 層 FR-4)で EIA/JEDEC 準拠による (4 層内箔面積: 74.2 74.2mm、JEDEC standard JESD51-5 に準拠しサーマルビアホールを適用) ja 接合部-周囲雰囲気間 消費電力-周囲温度特性例 NJW4113GM1 PowerDissipation (Topr=-40~+125°C,Tj=150°C) Power Dissipation PD(mW) 3500 3000 on 4 layers board 2500 2000 on 2 layers board 1500 1000 500 0 -50 -25 0 25 50 75 100 125 150 Temperature : Ta(°C) -6- Ver.2015-07-14 NJW4113-T1 ■ 測定回路図 <LDO部> IIN VIN 0.01μF 1 CLK VRO 8 2 RSADJ WDEN 7 3 CW GND 6 4 VIN 5 VOUT 1μF (ceramic) IO 4.7μF (ceramic) VO VWDEN=VO <LDO部以外> ※ICWO:CW端子電流,IVRO:VRO端子電流 ICW,ISS VTCWH(VTCWD) 1 CLK VRO 8 2 RSADJ WDEN 7 3 CW GND 6 4 VIN 0V→1.2V 1.2V→0.5V VO+1V VOUT 5 VTCWL 1 CLK VRO 8 2 RSADJ WDEN 7 3 CW GND 4 VIN VOUT 1.2V→0V 6 5 VO+1V ・ICW at VCW : 0.5V & VRO : H ・ISS at VCW : 0.5V & VRO : H CLK VRO 8 2 RSADJ WDEN 7 3 CW GND 6 4 VIN VRO 8 2 RSADJ WDEN 7 3 CW GND 6 4 VIN VOUT 5 ・VTCWL=VCW at VRO : H → L VTCKH,ICWL(ICWD) 1 CLK VO+1V ・VTCWH=VCW at VRO : L → H VDET 1 0V→VO VTWDIS,VTWEN ※①→②の順で印加 1 CLK VRO 8 1 CLK VRO 8 2 RSADJ WDEN 7 2 RSADJ WDEN 7 3 CW GND 6 3 CW GND 6 4 VIN 4 VIN ②0.3V⇔1.6V 1.2V 0.5V VOUT ①1.2V→0.5V 5 VO+1V→0V VOUT 5 ・VTCLKH at CW: ICW → ICWL ・ICWL=ICWO after CK edge ・VDET=VOUT at VRO:L→H VROL VOUT 5 VO+1V VO+1V ・VTWDIS=VWDEN at ICWO > ICW ・VTWEN=VWDEN at ICWO = ICW VROUV,VOPL RPU 1 CLK VRO 8 1 CLK VRO 8 1 CLK VRO 8 2 RSADJ WDEN 7 2 RSADJ WDEN 7 2 RSADJ WDEN 7 3 CW GND 6 3 CW GND 6 3 CW GND 6 4 VIN 4 VIN 4 VIN 0V 5V 1.2V 0.05V VOUT 0.01uF 5 VOUT 5 6V VO+1V→VDET-0.5V ・VROL=VRO at VO : VDET-0.5V 0V~0.8V ・VROUV=VRO at VO : 0V~0.8V ・VOPL≦VROL at VO ≧ 0.8V tCKW,tCK VOUT 5 VO+1V ・RPU = VO / IVRO tPR,tWD,tWR Oscilloscope 1 CLK VRO 8 1 CLK VRO 8 2 RSADJ WDEN 7 3 CW GND 6 4 VIN Oscilloscope 2 RSADJ WDEN 7 Oscilloscope 0.01uF 3 GND 6 0.01uF 4 VO+1V CW Oscilloscope VIN VOUT 5 VOUT 5 VOUT Oscilloscope Ver.2015-07-14 -7- NJW4113-T1 ■ アプリケーション回路例 (1) レギュレータ出力電圧監視とウォッチドッグタイマ 検出電圧を調整する場合に接続 (2) レギュレータ出力電圧監視のみ (ウォッチドッグタイマ機能停止) 検出電圧を調整する場合に接続 -8- Ver.2015-07-14 NJW4113-T1 *入力コンデンサ CIN について 入力コンデンサ CIN は、電源インピーダンスが高い場合や、VIN 又は GND 配線が長くなった場合の発振を防止する 効果があります。 そのため、推奨値(電気的特性共通条件欄に記載している容量値)以上の入力コンデンサ CIN を VIN 端子- GND 端子間 にできるだけ配線が短くなるように接続してください。 *出力コンデンサ CO について 出力コンデンサ Co はレギュレータ内蔵のエラーアンプの位相補償を行うために必要であり、容量値と ESR(Equivalent Series Resistance: 等価直列抵抗)が回路の安定度に影響を与えます。 推奨容量値 (電気的特性共通条件欄に記載している容量値) 未満の Co を使用すると内部回路の安定度が低下 し、出力ノイズの増加、レギュレータの発振等が起こる可能性がありますので、安定動作のために推奨容量 値以上の Co を、VOUT 端子-GND 端子間に最短配線で接続して下さい。 推奨容量値は出力電圧により異なり、低出力電圧品では大きな容量値を必要とする場合がありますので、 出力電圧毎に推奨容量値をご確認ください。尚、Co は容量値が大きいほど出力ノイズとリップル成分が減 少し、出力負荷変動に対する応答性も向上させることが出来ます。 また、コンデンサ固有の特性変動量(周波数特性、温度特性、DC バイアス特性)やバラツキを充分に考慮 する必要がありますので、温度特性が良く、出力電圧に対し余裕を持った耐圧のものを推奨致します。 本製品は低 ESR 品を始め、 幅広い範囲の ESR のコンデンサで安定動作するよう設計されておりますが、 コンデンサの選定に際しては、上記特性変動等もご考慮の上、適切なコンデンサを選定してください。 Ver.2015-07-14 -9- NJW4113-T1 ■ タイミングチャート (3) (1) (2) (6) (4) (7) (4) (5) (8) (8) (10) (9) VIN (入力電圧) GND VOUT VDETH VDET VOUT (出力電圧) VOPL GND VTWDIS WDEN (WDT機能停止解除端子電圧) CLK (クロック入力電圧) GND tCK VTCKH tCKW VTCKL GND VREG(2V) VTCWH VCW VTCWD (CW 端子電圧) VTCWL GND VRO (リセット出力電圧) VOUT GND tPR *VRO 端子は内部でVOUTにプルアップされています。 tWD tWR ■ 動作説明 ● 出力遅延時間 出力電圧 VOUT がリセット解除電圧 VDETH を超えた後、チャタリング等による誤動作を防止するためにリセット 出力端子が”H”を出力するまでの間に出力遅延時間 tPR を持たせています。 (1) 初期化状態 出力電圧VOUT がリセット解除電圧VDETH(=VDET+VHYS)未満 (VOUT < VDETH)の状態ではCW 端子電圧VCW は0V であり、VRO=”L”となります。 (2) 出力遅延時間の開始 VOUT が VDETH を超えると、電圧検出時 CW 端子充電電流 ICWD (typ. 6μA)で CW 端子のコンデンサ CW が充電さ れ、出力遅延時間が開始されます。出力遅延時間の間は VRO=”L”を保持します。 なお、CW 充電期間中に VOUT が VDETH より低下すると(1)の状態(VCW=0V ,VRO=”L”)に戻ります。 (3) 出力電圧低下の検出可能状態 VCW が復帰後リセット解除 CW 端子スレッショルド電圧 VTCWD (typ. 1.0V)に達すると VRO=”L” から”H”に切り 替わり、出力電圧の低下が検出可能となります。 VOUT≥VDETH になった時点から VRO=”H”になるまでが出力遅延時間 t PR になります。 VCW が VTCWD に達した後は、CW を放電電流 ICW (typ.2μA)で放電開始し、VCW が下降し始めます。 - 10 - Ver.2015-07-14 NJW4113-T1 Application Manual ● ウォッチドッグタイマ監視時間、ウォッチドッグタイマリセット時間 マイコン等のクロックの監視時間として、ウォッチドッグタイマ監視時間 tWD を設定できます。 設定時間内にクロック立上りエッジを検出しない時は、リセット出力端子が”L”を出力します。 リセット出力端子の状態は、ウォッチドッグタイマリセット時間 tWR で設定された間、”L”が保持されます。 (4) クロック立上りエッジ検出の待ち受け状態 CW を放電電流 ICW で放電し、VCW が上側スレッショルド電圧 VTCWH (typ.1.0V)以下になるとクロック立上り エッジが検出可能となります。 (5) クロック立上りエッジを検出した場合 クロックの立上りエッジを検出すると CW は ICW の放電から ICWL (typ. 6μA)の充電に替わり、VCW が上昇しま す。 VCW が VTCWH に達すると ICW の放電に切り替り、(4)の状態へ戻ります。 (6) クロック立上りエッジを検出しない場合 CW をICW で放電している間にクロックの立上りエッジを検出せず、 VCW が下側スレッショルド電圧VTCWL(typ. 0.2V)に達すると、VRO=”H” から”L”に切り替わり、CW を充電し始めます。 クロックの立上りエッジ検出のない状態で、VCW が VTCWH から VTCWL に下降するまでの時間がウォッチドッ グタイマ監視時間 tWD になります。 (7) ウォッチドッグタイマリセット時間の開始 ICWL で CW の充電を開始し、VCW が VTCWH に達するまで VRO=”L” を保持します。VCW が VTCWH を超えると VRO=”L”から”H”に切り替わります。 VRO=”L” を保持している時間がウォッチドッグタイマリセット時間 tWR になり、CW を ICW で放電し始めてウ ォッチドッグタイマ監視時間に戻ります。 ● 出力電圧低下の検出 (8) 出力電圧 VOUT<検出電圧 VDET となった場合 ウォッチドッグタイマ監視時間およびウォッチドッグタイマリセット時間において、VOUT が VDET より低下 すると VRO=”L”となり、CW を急速に放電して VCW=0V となります。 動作は(1)の初期化状態に戻ります。 ● ウォッチドックタイマ監視動作の停止 ―――――― (9) ウォッチドッグタイマ停止用端子 WDEN=”H”に設定した場合 ―――――― WDEN=”H”にすると、ウォッチドッグタイマ監視動作を停止することができます。 このとき、CW を IC 内部電源 VREG=2V 程度まで充電したのち、VCW=2V 固定になり、VOUT>VDET であれば VRO=”H”を保持します。 ―――――― WDEN=”L”またはオープンにすると CW の放電が開始され、VCW が VTCWH 以下になるとウォッチドッグタイ マ監視動作に戻ります。 ―――――― ウォッチドッグタイマリセット時間中にWDEN=”H”に設定したときには、ウォッチドッグタイマリセット時 間経過後にウォッチドッグタイマ監視動作停止に入ります。 ● 入力電圧 VIN 立ち下がり時 (10) 出力電圧 VOUT が 0V に下がる時 VOUT がリセット出力部動作電圧 VOPL (0.8V 程度)となるまで、VRO=”L”を保持します。 Ver.2015-07-14 - 11 - NJW4113-T1 Application Manual ■ 部品定数設定方法 ●出力遅延時間、ウォッチドッグタイマリセット時間、ウォッチドッグタイマ監視時間設定用コンデンサ CW の 定数設定方法 時間設定用コンデンサ CW により、出力遅延時間 tPR と WDT 監視時間 tWD、WDT リセット時間 tWR を設定しま す。 各々の時間からコンデンサ CW を設定する方法を下記に示します。 なお、コンデンサ CW の算出には式<1>、式<4>、式<7>のいずれかを使用します。 また、コンデンサ CW から時間を算出するには式<3>、式<6>、式<9>のいずれかを使用します。 出力遅延時間 tPR から CW を設定する場合 出力遅延時間 tPR は、時間設定用コンデンサ CW を ICW で充電し、VCW が 0V から VTCWD に達するまでの時間で 設定されます。 したがって、時間 tPR からコンデンサ CW の値を算出する式は次のようになります。 CW ICWD tPR VTCWD ・・・・・・ <1> ここで、充電電流 ICWD は 6μA(typ.)、スレッショルド電圧 VTCWD は 1.0V(typ.)なので、コンデンサ CW は次の式 で簡易的に計算することができます。 CW 6 10 1.0 6 10 6 tPR 6 tPR [F] ・・・・・・ <2> 時間 tPR の単位は[s] なお、コンデンサ CW から時間 tPR を算出する式は次のようになります。 tPR CW VTCWD ICWD CW 6 10 - 12 - 6 [s] ・・・・・・ <3> コンデンサ CW の単位は[F] Ver.2015-07-14 NJW4113-T1 Application Manual ウォッチドッグタイマ監視時間 tWD から CW を設定する場合 ウォッチドッグタイマ監視時間tWD は、 VCW=VTCWD またはVCW=VTCWH に達した後、 ICW による放電でVCW=VTCWL となるまでの時間となります。 したがって、時間 tWD からコンデンサ CW の値を算出する式は次のようになります。 CW ICW tWD VTCWH VTCWL ・・・・・・ <4> ※VTCWD=VTCWH となるため、ここでは電圧 VTCWH を使用しています。 ここで、放電電流 ICW は 2μA(typ.)、スレッショルド電圧 VTCWH、VTCWL はそれぞれ VTCWH=1.0V(typ.)、 VTCWL=0.2V(typ.)なので、コンデンサ CW は次の式で簡易的に計算することができます。 CW 2 10 6 tWD 1.0 0.2 2.5 10 6 tWD [F] ・・・・・・ <5> 時間 TWD の単位は[s] なお、コンデンサ CW から時間 tWD を算出する式は次のようになります。 tWD CW VTCWH VTCWL ICW 0.4 10 6 CW [s] Ver.2015-07-14 ・・・・・・ <6> コンデンサ CW の単位は[F] - 13 - NJW4113-T1 Application Manual ウォッチドッグタイマリセット時間 tWR から Cw を設定する場合 ウォッチドッグタイマ監視時間 tWD 経過後、ウォッチドッグタイマリセット期間に入ります。 ウォッチドッグタイマリセット時間 tWR は、VCW が VTCWL に達した後、放電から充電に切り替わり、充電電流 ICWL でコンデンサ CW を充電して VTCWH に達するまでの時間となります。 したがって、時間 TWR からコンデンサ CW の値を算出する式は次のようになります。 CW ICWL tWR VTCWH VTCWL ・・・・・・ <7> ここで、充電電流 ICWL は 6μA(typ.)、スレッショルド電圧 VTCWH、VTCWL はそれぞれ VTCWH=1.0V(typ.)、 VTCWL=0.2V(typ.)なので、コンデンサ CW は次の式で簡易的に計算することができます。 CW 6 10 6 tWR 1.0 0.2 7.5 10 6 tWR [F] ・・・・・・ <8> 時間 tWR の単位は[s] なお、コンデンサ CW から時間 tWR を算出する式は次のようになります。 tWR CW VTCWH VTCWL ICWL 0.133 10 6 CW [s] ・・・・・・ <9>コンデンサ CW の単位は[F] 以上より、コンデンサ Cw の値と時間 tPR,tWD,tWR の関係は図 2 のようになります。 Output Delay Hold Time WDT Moniter Time WDT Reset Time 100000 tPR tWD tWR tPR,tWD,tWR[ms] 10000 1000 100 10 1 0.1 0.001 0.01 0.1 CW [μF] 1 10 100 図 2. コンデンサ CW の値と各時間 tPR, tWD, tWR の関係 - 14 - Ver.2015-07-14 NJW4113-T1 Application Manual ● 検出電圧調整用外付け抵抗 R1, R2 の定数設定方法 マイコン等 micro computer ロジック回路 NJW4113 CW VIN 1 CLK VRO 8 CLK 2 RSADJ WDEN 7 RESET 3 CW GND 6 4 VIN VOUT 5 1μF VDD R1 4.7μF R2 図 3.外付け抵抗による検出電圧設定アプリケーション回路例 図 3 のように外付け抵抗 R1、R2 で検出電圧 VDET を調整する場合、IC 内部の検出電圧設定用抵抗の値を考慮す る必要があります。 VV IC 内部のリセット電圧検出回路を含めた部分を図 4 に示します。 O+ 抵抗R1 とR2 を接続した場合の検出電圧VDET およびリセット解除 電圧 VDETH は次のようになります。 〔検出電圧 VDET (トランジスタ M1:OFF)〕 VDET R1 1 R 2 RD 2 RD 3 R2 1 R1 RD1 1 VREF ・・・・ <10> R1 RD1 RSADJ RD2 R2 M1 RD3 VREF R1≪RD1、R2≪(RD2 +RD3)の時、次のような近似式で表せます。 VDET R1 1 VREF R2 ・・・・ <11> 図 4. リセット電圧検出回路部分 〔リセット解除電圧 VDETH (トランジスタ M1:ON)〕 VDETH R1 1 R 2 RD 2 1 VREF R 2 1 R1 RD1 ・・・・・・ <12> 検出電圧 VDET とリセット解除電圧 VDETH から、ヒステリシス電圧 VHYS は次のようになります。 〔ヒステリシス電圧 VHYS 〕 VHYS RD 2 RD 2 RD1 RD 3 VREF RD 3 1 RD1 R1 ・・・・・・ <13> なお、抵抗 RD1~RD3 は検出電圧ランクによります。ランクによる抵抗の値は次頁以降に示します。電圧 VREF は電気的特性の項目 RSADJ 端子電圧 VRSADJ と同等なので、VREF=1.0[V]となります。 式<10>より、所望の検出電圧 VDET と抵抗 R1 より抵抗 R2 を算出する場合、下記のような式となります。 R2 Ver.2015-07-14 RD 2 RD 3 RD 2 RD 3 VDET 1 1 RD1 R1 RD1 ・・・・・・ <14> 1 - 15 - NJW4113-T1 Application Manual NJW4113GM1-A46 の場合 NJW4113GM1-A46 の検出電圧 VDET の初期値は 4.6V で設定されています。IC 内部のリセット電圧検出部分に おける抵抗 RD1~RD3 の値は表 1 のようになっています。 この値を式<10>、式<13>、式<14>に適用すると次のようになります。 なお、VREF = 1.0[V]とし、抵抗の単位を[Ω]とします。 表 1. リセット電圧検出部の IC 内部抵抗値 〔検出電圧 VDET 〕 [NJW4113GM1-A46] 3 R 1224 kΩ D1 R1 1 R 2 (340 10 ) VDET 1 [V] ・ ・ ・ ・ <15> RD2 330 kΩ R 2 1 R1 (1224 10 3 ) RD3 10 kΩ 〔ヒステリシス電圧 VHYS 〕 VHYS 0.109 [V] 1 (1224 10 3 ) R1 ・・・・ <16> 〔抵抗 R2 の算出〕 R2 0.278 VDET 340 10 3 1224 10 3 1 1 R1 [Ω] ・・・・ <17> 1 NJW4113GM1-A41 の場合 NJW4113GM1-A41 の検出電圧 VDET の初期値は 4.1V で設定されています。IC 内部のリセット電圧検出部分に おける抵抗 RD1~RD3 の値は表 2 のようになっています。 この値を式<10>、式<13>、式<14>に適用すると次のようになります。 なお、VREF = 1.0[V]とし、抵抗の単位を[Ω]とします。 表 2. リセット電圧検出部の IC 内部抵抗値 〔検出電圧 VDET 〕 [NJW4113GM1-A41] 3 R 1054 kΩ D1 R1 1 R 2 (340 10 ) VDET 1 [V] ・ ・ ・ ・ <18> RD2 330 kΩ R 2 1 R1 (1054 10 3 ) RD3 10 kΩ 〔ヒステリシス電圧 VHYS 〕 VHYS 0.094 [V] 1 (1054 10 3 ) R1 ・・・・ <19> 〔抵抗 R2 の算出〕 R2 0.323 VDET - 16 - 340 10 3 1054 10 3 1 1 R1 [Ω] ・・・・ <20> 1 Ver.2015-07-14 NJW4113-T1 Application Manual ■ 使用上の注意点 ●ノイズに対する取り扱い RSADJ 端子にノイズが乗り、瞬間的に IC 内部コンパレータ基 準電圧 VREF 以下になることにより、リセット信号(VRO=”L”) が出る場合があります。 ノイズによりリセット信号が出るときには、RSADJ 端子と GND との間にフィルタ用のコンデンサCS を挿入して下さい (図 5 参照)。 VVO+ R1 RSADJ RSADJ RD2 CS R2 コンデンサ CS による遅延時間を tDPR とすると、 tDPR VRSADJ RD1 RD 2 ln 1 1 VOUT RD 2 ・・・・ <21> ・・・・・ <22> となります。 したがって、コンデンサ CS がない場合の出力遅延時間を tPR0 とすると、 tPR 0 VREF 図 5.ノイズに対する対応方法 VOUT V OUT (出力電圧 ) VRSADJ (R SADJ 端子電圧 ) GND 1V GND t PR0 (Cs 無し) C RD1 RD 2 CS RD1 RD 2 tPR M1 RD3 なお、 コンデンサ CS を挿入した場合、 図6 に示すようにRSADJ 端子電圧の立上りはコンデンサ CS により遅くなり、RSADJ 端 子電圧がVRSADJ =1.0V (typ.)に達してからコンデンサCW の充 電が開始されるので、出力遅延時間 tPR は CW による計算結果 より長くなります。 コンデンサCS を挿入した場合の出力遅延時間tPR は以下のよ うになります。 RD1 tDPR tPR 0 ・・・・・・ <23> W (WDT 調整用 端子電圧 ) GND VRO CSによる遅延 t DPR (リセット出力電圧 ) GND t PR(C Sあり ) 図 6. コンデンサ Cs 挿入時の各電圧波形 CW VTCWD ICWD で計算できます。 なお、抵抗 RD1~RD2 は検出電圧ランクによりますので表 1、表 2 を参照してください。 電圧 VRSADJ は電圧 VREF と同等なので、VRSADJ=1.0[V]とします。時間 tDPR の算出式を次頁に示します。 リセット電圧設定用外付け抵抗 R1, R2 を用いた場合は、抵抗 RD1 と RD2 を次のように置き換えて計算します。 RD1 ⇒ Ver.2015-07-14 RD1 R1 RD1 R1 , RD2 ⇒ RD 2 R 2 RD 2 R 2 - 17 - NJW4113-T1 Application Manual NJW4113GM1-A46 の場合の時間 tDPR の算出式 NJW4113GM1-A46 のコンデンサ CS による遅延時間 tDPR は式<21>、 式<22>より以下の式<24>で算出できます。 tDPR 1224 330 1.0 1224 330 C S ln 1 1 1224 330 5.0 330 739.27 C S [s] ・・・・・・ <24> ∵ VRSADJ =1.0[V]、VOUT =5.0[V] コンデンサ CS の単位は[F] NJW4113GM1-A41 の場合の時間 tDPR の算出式 NJW4113GM1-A41 のコンデンサ CS による遅延時間 tDPR は式<21>、 式<22>より以下の式<25>で算出できます。 tDPR 1054 330 1.0 1054 330 C S ln 1 1 1054 330 5.0 330 458.66 C S - 18 - [s] ・・・・・・ <25> ∵ VRSADJ =1.0[V]、VOUT =5.0[V] コンデンサ CS の単位は[F] Ver.2015-07-14 NJW4113-T1 特性例 NJW4113_A46 NJW4113_A46 Output Voltage vs Input Voltage Output Voltage vs Output Current 5.2 6 Io=0mA Io=30mA @:Ta=25 C CIN=1.0µF(Ceramic) Co=4.7µF(Ceramic) Io=100mA Io=300mA 5.1 Io=500mA 5 Output Voltage : Vo (V) Output Voltage : VO (V) 5.15 5.05 5 4.95 4.9 4 3 @:VIN=6V CIN=1.0µF(Ceramic) Co=4.7µF(Ceramic) 2 Ta=-40℃ 1 4.85 Ta=25℃ Ta=150℃ 0 4.8 4.5 5 5.5 Input Voltage : VIN (V) 0 6 @:Ta=25 C Output is open WDEN=GND VRO=High 250 Operating Current:ISS(μA) GroundPin Current : IGND (μA) 300 200 150 100 50 200 150 100 50 0 0 0 100 200 300 400 Output Current: Io (mA) 0 500 5 10 15 20 25 30 35 Input Voltage : VIN (V) 40 45 NJW4113_A46 NJW4113_A46 Operating Current vs Input Voltage (WDT Inactive) Operating Current vs Input Voltage(Vo detected) 300 300 200 150 100 50 0 @:Ta=25 C Output is open VRO=Low 250 Operating Current :ISS(μA) @:Ta=25 C Output is open WDEN=VOUT VRO=High 250 Operating Current:ISS(μA) 1500 Operating Current vs Input Voltage (WDT Active) @Ta=25ºC VIN=6V WDEN=VOUT 250 1000 NJW4113_A46 NJW4113_A46 Ground Pin Current vs Output Current 300 500 Output Current : Io (mA) 200 150 100 50 0 0 Ver.2015-07-14 5 10 15 20 25 30 35 Input Voltage : VIN (V) 40 45 0 5 10 15 20 25 30 35 Input Voltage : VIN (V) 40 45 - 19 - NJW4113-T1 NJW4113_A46 NJW4113_A46 Peak Output Current vs Input Voltage Load Regulation vs Output Current 1200 0 Peak Output Current : IOPEAK (mA) Load Regulation : DVo/DIo (mV) -10 -20 -30 -40 -50 -60 -70 @:Ta=25 C VIN=6V WDEN=VOUT Co=4.7µF(Ceramic) -80 -90 1000 800 600 400 @:Ta=25 C CIN=1.0µF(Ceramic) Co=4.7µF(Ceramic) Vo=4.5V 200 -100 0 0 100 200 300 400 500 0 10 20 30 Input Voltage : VIN (V) Output Current : Io (mA) NJW4113_A46 NJW4113_A46 Dropout Voltage VS Output Current 1 0.7 0.6 0.5 0.4 0.3 0.2 100mA 70 500mA 300mA 50 40 30 @Ta=25°C VIN=7V ein=50mVrms Co=4.7µF(Ceramic) 20 10 0 0.01 0 100 200 300 400 Output Current : Io (mA) 10mA 80 60 0.1 0 1µA 90 Ripple Rejection Ratio:RR (dB) Dropout Voltage : ΔVIO (V) 0.8 Ripple Rejection vs Frequency 100 @:Ta=25ºC CIN=1.0µF(Ceramic) Co=4.7µF(Ceramic) 0.9 500 80 1kHz(WDEN=VOUT) 10kHz(WDEN=VOUT) 60 50 40 30 20 10 - 20 - 0.01 0.1 1 10 100 Output Current:Io (mA) 100 1000 100 70 0 0.001 1 10 Freqency:f (kHz) Equivalent Series Resistance vs Output Current Equivalent Series Resistance : ESR(Ω) Ripple Rejection Ratio:RR (dB) 90 @:Ta=25ºC Co=4.7µF(Ceramic) VIN=7V ein=50mVrms 0.1 NJW4113_A46 NJW4113_A46 Ripple Rejection vs Output Current 100 40 1000 10 STABLE REGION 1 0.1 @:CIN=1.0µF(Ceramic) Co=4.7µF(Ceramic) VIN=6-40V WDEN=VOUT 0.01 0.01 0.1 1 10 100 1000 Output Current : Io (mA) Ver.2015-07-14 NJW4113-T1 NJW4113_A46 NJW4113_A46 Reset Output Voltage vs Output Voltage Reset Output Voltage vs RSADJ Pin Voltage 6 6 Reset Output Voltage:VRO Reset Output Voltage:VRO (V) 5 (V) @:Ta=25 C CIN=1.0µF(Ceramic) Co=4.7µF(Ceramic) 4 3 2 1 0 5 4 3 2 @:Ta=25 C CIN=1.0µF(Ceramic) Co=4.7µF(Ceramic) 1 0 0 1 2 3 4 5 0 1 Output Voltage:Vo (V) 2 NJW4113_A46 15 5 Output Voltage vs Temperature 5.2 @:Ta=25 C CIN=1.0µF(Ceramic) Co=4.7µF(Ceramic) @VIN=6V CIN=1.0µF Co=4.7µF 5.15 10 Output Voltage:VO (V) (μA) 4 NJW4113_A46 RSADJ Pin Current vs RSADJ Voltage RSADJ Pin Current:IRSADJ 3 RSADJ Pin Voltage:VRSADJ (V) 5 0 5.1 5.05 5 4.95 Io=0mA 4.9 Io=30mA Io=100mA 4.85 Io=300mA Io=500mA -5 0 1 2 3 4 RSADJ Pin Voltage:VRSADJ (V) 4.8 5 -50 150 Short Circuit Current vs Temperature 800 700 (mA) 1000 Short Circuit Current:ISC (mA) Peak Output Current:IOPEAK 50 100 Temperature: (ºC) NJW4113_A46 NJW4113_A46 Peak Output Current vs Temperature 1200 0 800 600 400 @CIN=1.0µF Co=4.7µF VO=4.5V 200 Vin=6V 600 500 400 300 200 @CIN=1.0µF Co=4.7µF VO=0V 100 Vin=6V Vin=40V Vin=40V 0 0 -50 Ver.2015-07-14 0 50 100 Temperature: (ºC) 150 -50 0 50 100 150 Temperature: (ºC) - 21 - NJW4113_A46 NJW4113_A46 Line Regulation vs Temperature Load Regulation vs Temperature 0.1 0.1 0.08 0.09 0.06 Load Regulation:DVo/DIo (%/mA) Line Regulation:DVo/DVIN (%/V) NJW4113-T1 @VIN=6-40V CIN=1.0µF(Ceramic) Co=4.7µF(Ceramic) Io=30mA 0.04 0.02 0 -0.02 -0.04 -0.06 -0.08 Io=0~30mA Io=0~300mA Io=0~500mA 0.08 @VIN=6.0V Co=4.7µF(Ceramic) 0.07 0.06 0.05 0.04 0.03 0.02 0.01 -0.1 0 -50 0 50 100 150 -50 0 Temperature: (ºC) 100 NJW4113_A46 NJW4113_A46 Dropout Voltage vs Temperature Output Voltage vs Temperature 1 150 6 Io=100mA 0.9 Io=300mA 5 Io=500mA 0.8 0.7 Output Voltage: Vo(V) Dropout Voltage: DVIO(V) 50 Temperature: (ºC) @CIN=1.0µF Co=4.7µF 0.6 0.5 0.4 0.3 0.2 4 3 2 1 @CIN=1.0µF Co=4.7µF Io=30mA 0.1 0 0 -50 0 50 100 150 -50 0 50 Temperature: (ºC) 100 150 200 Temperature: (ºC) NJW4113_A46 NJW4113_A46 Operating Current vs Temperature Pull Up Resistance vs Temperature 160 140 Vo detected WDT Active @VIN=6V CIN=1.0µF Co=4.7µF WDR Inactive 120 100 80 60 40 20 0 100 80 60 40 20 0 -50 0 50 Temperature: (ºC) - 22 - 120 Pull Up Resistance :RPU (kΩ) Operating Current:Iss (μA) 140 100 150 -50 0 50 100 150 Temperature: ( C) Ver.2015-07-14 NJW4113-T1 NJW4113_A41 Detection Voltage vs Temperature 4.2 Detection Voltage:VDET (V) Detection Voltage:VDET (V) 4.7 NJW4113_A46 Detection Voltage vs Temperature 4.65 4.6 4.55 4.15 4.1 4.05 4.5 4 -50 0 50 100 Temperature: (ºC) 150 -50 0 50 Temperature: (ºC) NJW4113_A46 RSADJ Pin Voltage vs Temperature 1.05 (V) 140 130 RSADJ Pin Voltage:VRADJ (mV) Hysteresis Voltage:VHYS 150 NJW4113_A46 Hysteresis Voltage vs Temperature 150 100 120 110 100 90 80 70 1.025 1 0.975 60 50 0.95 -50 50 Temperature: (ºC) 100 150 -50 0 50 100 Temperature: (ºC) NJW4113_A46 NJW4113_A46 CLK Input High-Level vs Temperature CLK Input Low-Level vs Temperature 2 2.75 CLK Input Low-Level:VTCKL (V) CLK Input High-Level:VTCKH (V) 2.8 0 2.7 2.65 2.6 2.55 2.5 2.45 2.4 150 1.95 1.9 1.85 1.8 1.75 1.7 -50 Ver.2015-07-14 0 50 Temperature: (ºC) 100 150 -50 0 50 Temperature: (ºC) 100 150 - 23 - NJW4113_A46 NJW4113_A46 Cw Pin Charge Current vs Temperature Cw Pin Discharge Current vs Temperature 7 3 6.8 2.8 Cw Pin Discharge Current:ICW (μA) Cw Pin Charge Current:ICWL (μA) NJW4113-T1 6.6 6.4 6.2 6 5.8 5.6 5.4 5.2 5 2.6 2.4 2.2 2 1.8 1.6 1.4 1.2 1 -50 0 50 100 150 -50 0 Temperature: ( C) NJW4113_A46 NJW4113_A46 Low-side Threshold Voltage vs Temperature Low-side Threshold Voltage:VTCWL (V) High-side Threshold Voltage:VTCWH (V) 0.25 1.025 1 0.975 0.95 0 50 100 0.2 0.175 0.15 150 -50 0 100 150 NJW4113_A46 Output Delay Hold Time vs Temperature WDT Monitor Time vs Temperature 6 2 5.5 1.9 WDT Monitor Time:tWD (ms) Output Delay Hold Time:tPR (ms) 50 Temperature: ( C) NJW4113_A46 1.8 1.7 1.6 1.5 1.4 1.3 1.2 5 4.5 4 3.5 3 2.5 2 1.1 -50 - 24 - 150 0.225 Temperature: ( C) 2.1 100 High-side Threshold Voltage vs Temperature 1.05 -50 50 Temperature: ( C) 0 50 Temperature: (ºC) 100 150 -50 0 50 100 150 Temperature: ( C) Ver.2015-07-14 NJW4113-T1 NJW4113_A46 NJW4113_A46 WDT Reset Time vs Temperature WDEN Pin Threshold Voltage:VTWDIS / VTWEN (V) 1.6 WDT Reset Time:tWR (ms) 1.5 1.4 1.3 1.2 1.1 1 0.9 0.8 -50 0 50 100 150 Temperature: ( C) WDEN Pin Threshold Voltage vs Temperature 1.5 VTWDIS 1.4 VTWEN 1.3 1.2 1.1 1 0.9 0.8 0.7 0.6 0.5 -50 0 50 Temperature: ( 100 150 C) NJW4113_A46 Low Level Reset Output Voltage vs Temperature Reset Low Output Voltage : VROL (V) 0.03 0.025 0.02 0.015 0.01 0.005 0 0 50 Temperature : (ºC) 100 150 NJW4113_A46 Load Transient Response NJW4113_A46 Input Transient Response Output Current 0 @Ta=25 C Io=0 - 300mA CIN=1.0µF(Ceramic) Co=4.7µF(Ceramic) WDEN=Vo VIN=7V Output Voltage 6 5.5 Output Voltage 5 4.5 4 Output Voltage:Vo (V) 200 Output Current 8 Output Current:Io (mA) Output Voltage:Vo (V) 400 7 Input Voltage 6 @Ta=25 C VIN=6 - 7V CIN=1.0µF(Ceramic) Co=4.7µF(Ceramic WDEN=Vo Io=30mA 5.4 5.2 Output Voltage Input Voltage:V IN (V) -50 5 4.8 0 200 400 600 Time:t (ms) Ver.2015-07-14 800 1000 4.6 0 40 80 120 160 200 Time:t (ms) - 25 - NJW4113-T1 <注意事項> このデータブックの掲載内容の正確さには 万全を期しておりますが、掲載内容について 何らかの法的な保証を行うものではありませ ん。とくに応用回路については、製品の代表 的な応用例を説明するためのものです。また、 工業所有権その他の権利の実施権の許諾を伴 うものではなく、第三者の権利を侵害しない ことを保証するものでもありません。 - 26 - Ver.2015-07-14