同期整流型降圧 PWM コントローラ ISL8117 特長 ISL8117 は、産業用機器分野や汎用品分野での幅広いアプリ ケーション向けの POL 電圧レールおよびバイアス電圧レー ルを生成する同期整流型降圧コントローラです。入力および 出力電圧範囲が広いので、通信機器やアフターマーケットの 車載アプリケーションに適しています。 • 広い入力電圧範囲：4.5V ～ 60V ISL8117 は、バレー・カレント変調技術を使用して、部品点 数を最小限に抑え、望ましくない事象から完全に保護された 電源を手軽に設計できます。 ISL8117 はプログラム可能なソフトスタート機能とイネーブ ル機能に加えて、電源レールのシーケンス制御やその他のハ ウスキーピング要件を容易にするためのパワーグッド・イン ジケータを備えています。理想的な状況では、完全な電源回 路を 10 個の外付け部品で設計できます。また、スペースに 配慮した 16 ピン 4mmx4mm QFN パッケージまたは、組み立 てや す い 6.4mmx5mm の 16 ピ ン HTSSOP パ ッ ケージに OV/OC/OT 保護回路を内蔵しています。どちらのパッケージ も EPAD を使用して、放熱およびノイズ余裕度を向上させて います。ISL8117 は、ピン数と外付け部品数が少なく、デフォ ルトの内部値を備えているため、迅速に製品化するシンプル な電源設計にに理想的なソリューションです。ISL8117 は、 補償回路を内蔵し、また動作周波数や過電流保護のような他 の機能に対して、抵抗 1 個で設定できます。VIN のフィード・ フォワード機能を備えた電流モード制御により、本製品は固 定の補償回路を使用した場合でも、各種のアプリケーション に対応できます。軽負荷での独自の DEM/ スキップ・モード により、待機時の消費電力が劇的に低下し、さまざまな負荷 レベルにわたって一定の出力リップルになります。 関連文書 • 広い出力電圧範囲：0.6V ～ 54V • 軽負荷時の効率の向上 - パルス・スキップ機能を備えた低リップルのダイオー ド・エミュレーション・モード • プログラム可能なソフトスタート • SR ソフトスタートによるプリバイアス状態での出力をサ ポート • プログラム可能な周波数：100kHz ～ 2MHz • 外部同期 • PGOOD インジケータ • 強制 PWM • アダプティブ・ショートスルー保護 • 外付け電流センス抵抗不要 - 低 rDS(ON) の MOSFET を使用 • 保護回路を完備 - 過電流、過電圧、過熱、アンダーボルテージ • 鉛フリー (RoHS 準拠 ) アプリケーション • PLC および工業用オートメーション • アミューズメント機器 • 安全監視用機器 • UG020、「ISL8117EVAL2Z Evaluation Board User Guide」 • サーバーおよびデータ・センタ • UG021、「ISL8117DEMO2Z Demonstration Board User Guide」 • スイッチャおよびルータ • UG030、「ISL8117EVAL1Z Evaluation Board User Guide」 • 通信機器およびデータ通信機器 • UG031、「ISL8117DEMO1Z Demonstration Board User Guide」 • LED パネル VIN 100 VIN 16 1 EXTBIAS 98 BOOT 15 2 EN UGATE 14 4 MOD SYNC PHASE 13 VOUT SGND 5 PGOOD ISEN 12 6 RT VCC5V 11 7 SS/TRK LGATE 10 OCS EFFICIENCY (%) 96 3 CLKOUT 94 92 90 88 8 FB VIN = 60V VIN = 24V VIN = 36V V = 48V IN 86 PGND 9 84 0 図 1. アプリケーション回路例 2015 年 6 月 4 日 FN8666.3 VIN = 18V 1 2 4 6 8 10 OUTPUT CURRENT (A) 12 14 16 図 2. 効率 注意：本データシート記載のデバイスは静電気に対して敏感です。適切な取り扱いを行ってください。 1-888-INTERSIL or 1-888-468-3774 | Copyright Intersil Americas LLC 2015.All Rights Reserved Intersil、Intersil ロゴは Intersil Corporation または関連子会社が権利を保有しています。 そのほかの企業名や製品名などの商標はそれぞれの権利所有者に帰属します。 ISL8117 目次 注文情報...................................................................................................................................................................................... 3 ピン配置...................................................................................................................................................................................... 3 ピンの説明 .................................................................................................................................................................................. 3 ブロック図 .................................................................................................................................................................................. 5 アプリケーション回路例............................................................................................................................................................. 6 絶対最大定格............................................................................................................................................................................... 7 温度情報...................................................................................................................................................................................... 7 推奨動作条件............................................................................................................................................................................... 7 電気的特性 .................................................................................................................................................................................. 7 代表的な性能曲線 ..................................................................................................................................................................... 10 機能の説明 ................................................................................................................................................................................ 14 概要 ...................................................................................................................................................................................... 14 入力電圧範囲........................................................................................................................................................................ 14 内部の 5V リニア・レギュレータ (VCC5V) と外部の VCC バイアス電源 (EXTBIAS) ........................................................ 14 イネーブルとソフトスタート動作 ....................................................................................................................................... 14 出力電圧の設定 .................................................................................................................................................................... 15 トラッキング動作................................................................................................................................................................. 15 軽負荷時の効率の向上 ......................................................................................................................................................... 15 プリバイアス状態での起動............................................................................................................................................................... 15 周波数の選択........................................................................................................................................................................ 15 周波数の同期...................................................................................................................................................................................... 15 ゲート制御ロジック ............................................................................................................................................................. 15 ゲートドライバ .................................................................................................................................................................... 16 アダプティブ・デッド・タイム ........................................................................................................................................... 16 内部ブートストラップ・ダイオード.................................................................................................................................... 16 パワーグッド・インジケータ............................................................................................................................................... 16 保護回路.................................................................................................................................................................................... 16 アンダーボルテージ・ロックアウト.................................................................................................................................... 16 過電流保護 ........................................................................................................................................................................... 17 過電圧保護 ........................................................................................................................................................................... 17 過熱保護 ............................................................................................................................................................................... 17 帰還ループの補償 ..................................................................................................................................................................... 17 レイアウトのガイドライン ....................................................................................................................................................... 18 レイアウトに関する考慮事項............................................................................................................................................... 18 一般的なサーマルパッド設計に関する考慮事項.................................................................................................................. 19 部品選択のガイドライン........................................................................................................................................................... 19 MOSFET に関する考慮事項................................................................................................................................................. 19 出力インダクタの選択 ......................................................................................................................................................... 19 出力コンデンサの選択 ......................................................................................................................................................... 19 入力コンデンサの選択 ......................................................................................................................................................... 20 改訂履歴.................................................................................................................................................................................... 21 インターシルについて .............................................................................................................................................................. 21 パッケージ寸法図 ..................................................................................................................................................................... 22 L16.4x4A ............................................................................................................................................................................. 22 M16.173A ............................................................................................................................................................................ 23 Submit Document Feedback 2 FN8666.3 2015 年 6 月 4 日 ISL8117 注文情報 製品型番 (Note 1、2、3) 製品 マーキング 温度範囲 (℃) パッケージ (RoHS 準拠 ) パッケージの 外形図 # ISL8117FRZ 81 17FRZ -40 ～ +125 16 Ld 4x4 QFN L16.4x4A ISL8117FVEZ 8117 FVEZ -40 ～ +125 16 Ld HTSSOP M16.173A ISL8117EVAL1Z HTSSOP 用の評価基板 ISL8117DEMO1Z HTSSOP 用のデモ基板 ISL8117EVAL2Z QFN 用の評価基板 ISL8117DEMO2Z QFN 用のデモ基板 NOTE： 1. テープ・アンド・リールの場合は接尾辞「-T*」を追加してください。リールの詳細仕様については、TB347 を参照してくださ い。 2. インターシルのこれらの鉛フリー・プラスチック・パッケージ製品には、専用の鉛フリー素材セット、モールド材料 / ダイ・ア タッチ素材を使用するとともに、錫 100% の梨地メッキとアニーリングを実施しています (RoHS 指令に準拠するとともに SnPb ハンダ付け作業と鉛フリー・ハンダ付け作業とも互換性のある e3 端子仕上げ )。インターシルの鉛フリー製品は、鉛フ リー・ピークリフロー温度で MSL 分類に対応し、IPC/JEDEC J STD-020 の鉛フリー要件と同等か上回るものです。 3. 吸湿性レベル (MSL) については、ISL8117 の製品情報ページを参照してください。MSL の詳細については、テクニカル・ブ リーフ TB363 を参照してください。 ピン配置 ISL8117 16 LD HTSSOP TOP VIEW EN EXTBIAS VIN BOOT ISL8117 16 LD 4x4 QFN TOP VIEW 16 15 14 13 CLKOUT 1 12 UGATE MOD/SYNC 2 11 PHASE PGOOD 3 RT 4 SGND 10 ISEN 5 6 7 8 SS/TRK FB PGND LGATE/OCS 9 VCC5V EXTBIAS 1 16 VIN EN 2 15 BOOT CLKOUT 3 14 UGATE MOD/SYNC 4 PGOOD 5 12 ISEN RT 6 11 SS/TRK 7 10 LGATE/OCS FB 8 SGND 13 PHASE 9 VCC5V PGND ピンの説明 ピン番号 (HTSSOP) ピン番号 (QFN) ピン名称 3 1 CLKOUT 4 2 5 3 機能 クロック信号出力です。クロック信号の周波数は、RT とグラウンドの間の抵抗で設定されるス イッチング周波数です。 MOD/SYNC 二重機能ピンです。このピンを VCC5V に接続すると、軽負荷時にはパルス・スキップ状態にな るダイオード・エミュレーション・モードが選択されます。グラウンドに接続しているかフロー ティング状態のとき、コントローラは軽負荷時に PWM モードで動作します。 このピンを外部クロックに接続すると、外部クロックに同期します。外部クロックと同期してい るとき、コントローラは軽負荷時に PWM モードで動作します。 Submit Document Feedback PGOOD 3 出力電圧の状況を示すオープン・ドレインのロジック出力です。出力が公称電圧の ±11% 以内に 入っていないか、EN ピンが Low である場合、このピンは Low になります。 FN8666.3 2015 年 6 月 4 日 ISL8117 ピンの説明 ( 続き ) ピン番号 (HTSSOP) ピン番号 (QFN) ピン名称 機能 6 4 RT このピンとグラウンドの間に抵抗を接続することにより、スイッチング周波数を 100kHz ～ 2MHz の範囲に調整します。PWM コントローラのスイッチング周波数は、式 1 に示すように抵抗 RT によって決まります。 39.2 R T = ----------- – 1.96 ⋅ kΩ ( 式 1) f SW ここで、fSW はスイッチング周波数 (MHz) です。 このピンをグラウンドに接続すると、出力周波数は 300kHz に設定されます。 このピンを VCC5V に接続するかフローティング状態にすると、出力周波数は 600kHz に設定さ れます。 7 5 SS/TRK 8 6 FB 9 7 PGND 10 8 11 9 VCC5V 内部の 5V リニア・レギュレータの出力です。この出力は、IC、ローサイド・ゲートドライバ、 およびハイサイド・ゲートドライバの内部ブート回路に対してバイアスを供給します。VCC5V ピ ンのすぐ近くに 4.7μF 以上のセラミック・コンデンサを配置して、常にパワー・グラウンドにデ カップリングする必要があります。VCC5V の電圧はいかなるときも VIN の電圧を超えないよう にしてください。VCC5V ピンから VIN ピンに過大な電流が流れないように、VIN ピンと電源の 間に抵抗を接続することができます。 12 10 ISEN 電流センス信号の入力です。このピンは、電流ループ帰還および過電流保護のため、ローサイド MOSFET 両端の電圧降下をモニタする目的で使用します。 13 11 PHASE フェーズ・ノードの接続点です。このピンは、ハイサイド MOSFET のソース、出力フィルタ・イ ンダクタ、およびローサイド MOSFET のドレインの接続部に接続します。 14 12 UGATE ハイサイド MOSFET のゲートドライバ出力です。 15 13 BOOT ハイサイド・ドライバにバイアスを供給するためのブートストラップ・ピンです。ブートスト ラップ・コンデンサの正端子をこのピンに接続します。ブートストラップ・ダイオードを内蔵す ることで、システム・コストを削減し、レイアウトの複雑さを軽減します。 16 14 VIN このピンは入力レールに接続します。このピンは内部のリニア・ドライブ回路に電力を供給しま す。また、フィード・フォワード・コントローラが使用して、PWM 鋸歯状波の振幅を調整しま す。小容量のセラミック・コンデンサ (0.1μF ～ 1μF) を使用して、このピンをグラウンドにデ カップリングします。 1 15 EXTBIAS オプションの外部 5V バイアス電源からの入力です。このピンと VCC5V の間に内部スイッチがあ ります。EXTBIAS の電圧が 4.7V ( 代表値 ) より高いと、このスイッチが閉じて IC に電力を供給 し、内部リニア・レギュレータをバイパスします。EXTBIAS ピンの電圧はいかなるときも VIN の電圧を超えないようにしてください。EXTBIAS ピンから VIN ピンに過大な電流が流れないよ うに、VIN ピンと電源の間に抵抗を接続することができます。 このピンを使用する場合は、小容量のセラミック・コンデンサ (0.1μF ～ 1μF) を使用して、この ピンをグラウンドにデカップリングします。使用しない場合、このピンはグラウンドに接続しま す。このピンはフロート状態にしないでください。 2 16 EN このピンはイネーブル / ディスエーブル機能を備えています。このピンをグラウンドにプルダウ ンすると、出力はディスエーブルされます。このピンの電圧が 1.6V に達すると、出力は動作状態 になります。このピンがフローティング状態の場合、内部プルアップ回路により、出力はデフォ ルトでイネーブルされます。 - - SGND EPAD これはすべての制御回路に共通の小信号グラウンドです。このグラウンドは大電流グラウンド (PGND) と切り離して配線することを推奨します。ベタグラウンド層が１つあり、チップ周辺に ノイズの多い電流が流れない場合は、SGND と PGND を互いに接続してもかまいません。すべて の電圧レベルはこのピンを基準にして測定されます。 エキスポーズド・パッドはグラウンド電位です。エキスポーズド・パッドは内部で SGND に接続 されています。しかしながら、このピンはグラウンド・パターンに直接半田付けして、放熱とノ イズ余裕度を向上させることを強く推奨します。 二重機能ピンです。ソフトスタート制御に使用する場合は、ソフトスタート・コンデンサをこの ピンとグラウンドの間に接続します。2μA の安定化ソフトスタート電流がソフトスタート・コン デンサを充電します。ソフトスタート・コンデンサの値は、出力電圧ランプを設定します。 トラッキング制御に使用した場合は、外部電源レールがマスタとして構成され、マスタ電源の出 力電圧が抵抗分圧回路を介してこのピンに印加されます。出力電圧はマスタの電源電圧に追従し ます。 出力帰還入力です。出力と SGND の間の抵抗分圧回路に FB を接続して、出力電圧を調整します。 パワーグラウンドの接続点です。このピンは、ローサイド MOSFET のソースと外付け入力コン デンサの (-) 端子に接続します。 LGATE/OCS ローサイド MOSFET のゲートドライバ出力および OC の設定ピンです。このピンとグラウンド の間に 1k ～ 30k の抵抗を接続して、過電流スレッショルドを設定します。このピンと GND の間 に抵抗を接続しなかった場合は、過電流スレッショルドは 10k の抵抗によって設定されるのと同 じ値に自動的に設定されます。 Submit Document Feedback 4 FN8666.3 2015 年 6 月 4 日 ISL8117 ブロック図 PGOOD EN BOOT VIN VCC5V EXTBIAS 5VCC UGATE PHASE POR ADAPTIVE DEAD TIME V/I SAMPLE TIMING 5VCC SW THRES. ENABLE BIAS SUPPLIES REFERENCE LGATE/OCS SS/TRK PGND LGATE/OCS PGND FAULT LATCH SEE Note 6 OC OV/UV FB FB _ + PWM + 0.6V _ REF 2µA SS/TRK 5VCC VIN SS/TRK CLKOUT DUTY CYCLE RAMP GENERATOR CLOCK ISEN CURRENT SAMPLE LGATE/OCS MOD/SYNC CURRENT SAMPLE + 1.75V _ REFERENCE OC SAME STATE FOR 2 CLOCK CYCLES REQUIRED TO LATCH OVERCURRENT FAULT RT SGND 図 3. ブロック図 Submit Document Feedback 5 FN8666.3 2015 年 6 月 4 日 ISL8117 アプリケーション回路例 VIN 1 1 EXTBIAS 2 EN 3 C5 0.1u/25V CLKOUT 4 R2 11k ISEN RT 7 C3 0.047u/25V PHASE PGOOD 6 R6 76.8k UGATE MOD/SYNC 5 BOOT VCC5 SS/TRK 8 LGATE/OCS FB C6 220p/50V PGND C8 100u/100V R9 2 4.5 - 60V C4 0.1u/100V 16 R11 15 5.1 1 GND Q1A BUK9K17-60EX 14 L1 3.3u C2 0.22u/25V 13 R7 3k 12 Q1B VOUT 1 R10 2.2 11 3.3V/6A C9 200u/6.3V C1 4.7u/10V 1 C20 470p/100V 10 GND R3 10k 9 17 R5 10k VIN U1 ISL8117 SGND R4 22k R1 49.9k 図 4. ISL8117EVAL1Z 評価基板の回路図 R4 91k C4 0.1u/100V C8 220u/100V R9 10 1 C3 0.047u/25V VIN BOOT 13 14 15 EXBIAS LGATE/OCS PGND ISEN VCC5V R12 1 R3 5.1k R2 2.62k R10 10k BSC067N06LS3 BSC067N06LS3 Q1 Q2 C2 1u/25V 12 ADJ EN 7 U2 ISL80138 D1 DNP 12 14 OUT IN 2 L1 3.3uH 11 VOUT 1 10 R7 5.1k 9 BSC067N06LS3 C1 Q3 4.7u/10V 8 FB RT 7 R6 0 PHASE PGOOD 5 4 U1 ISL8117 6 3 UGATE MOD/SYNC GND R11 30.9k CLKOUT SS/TRK 2 EN SGND 17 16 C16 4.7u/10V 1 18V~60V 8 R5 10k GND C5 0.01u/25V VIN 1 C7 100p/100V BSC067N06LS3 Q4 C6 220p/50V 12V/20A C9 330u/35V 1 GND R8 22 R1 49.9k 図 5. ISL8117EVAL2Z 評価基板の回路図 Submit Document Feedback 6 FN8666.3 2015 年 6 月 4 日 ISL8117 絶対最大定格 温度情報 VCC5V - GND 間 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .-0.3V ～ +5.9V EXTBIAS - GND 間 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -0.3V ～ +5.9V VIN - GND 間 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .-0.3V ～ +62.5V BOOT/UGATE - PHASE 間 . . . . . . . . . . . . . . . . .-0.3V ～ VCC5V+0.3V PHASE および ISEN - GND 間 . . . . .-5V (<20ns)/-0.3V (DC) ～ +62.5V EN、PGOOD、SS/TRK、FB - GND 間 . . . . . . .-0.3V ～ VCC5V+0.3V LGATE/OCS - GND 間 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .-0.3V ～ VCC5V+0.3V RT、MOD/SYNC、CLKOUT - GND 間 . . . . . . .-0.3V ～ VCC5V+0.3V VCC5V と GND 間の短絡時間 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1 秒 ESD 定格 人体モデル (JS-001-2010 に従ってテスト済み ) . . . . . . . . . . . . . 4kV マシン・モデル (JESD22-A115C に従ってテスト済み ). . . . . . 400V 帯電デバイスモデル (JESD22-C101E に従ってテスト済み ) . . . 2kV ラッチアップ (JESD78D、クラス 2、レベル A に従って +125 ℃でテスト済み ). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100mA 熱抵抗 ( 代表値 ) θJA ( ℃ /W) θJC ( ℃ /W) 40 2.5 16 ピン QFN パッケージ (Note 4、5). . . . . . 16 ピン HTSSOP パッケージ (Note 4、5) . . 35 4.5 ジャンクション温度範囲 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55 ℃～ +150 ℃ 動作温度範囲 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -40 ℃～ +125 ℃ 保存温度範囲 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -65 ℃～ +150 ℃ 鉛フリー・リフロープロファイル . . . . . . . . . . . . . . . . . . . TB493 参照 推奨動作条件 温度範囲 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -40 ℃～ +125 ℃ VIN - GND 間 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4.5V ～ 60V VCC5V - GND 間 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -0.1V ～ 5.5V EXTBIAS - GND 間 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -0.1V ～ +5.5V 注意：過度に長い時間にわたって最大定格点または最大定格点付近で動作させないでください。そのような動作条件を課すと製品の信頼性 に悪影響が及ぶ恐れがあるとともに、保証の対象とはならない可能性があります。 NOTE： 4. θJA は、デバイスを放熱効率の高い「ダイレクト・アタッチ」機能対応の試験基板に実装し、自由大気中で測定した値です。テ クニカル・ブリーフ TB379 を参照してください。 5. θJC の測定における「ケース温度」位置は、パッケージ下面のエキスポーズド金属パッドの中心です。 電気的特性 特記のない限り、推奨動作条件です。5 ページの「ブロック図」および 6 ページの「アプリケーション回路例」を参照し てください。特記のない限り、VIN = 4.5V to 60V、または VCC5V = 5V ±10%、C_VCC5V = 4.7µF、TA = -40 ℃～ +125 ℃に対する値で す。代表値は TA = +25 ℃に対する値です。太字のリミット値は動作温度範囲 -40 ℃～ +125 ℃に対して適用されます。 Submit Document Feedback 7 FN8666.3 2015 年 6 月 4 日 ISL8117 電気的特性 特記のない限り、推奨動作条件です。5 ページの「ブロック図」および 6 ページの「アプリケーション回路例」を参照し てください。特記のない限り、VIN = 4.5V to 60V、または VCC5V = 5V ±10%、C_VCC5V = 4.7µF、TA = -40 ℃～ +125 ℃に対する値で す。代表値は TA = +25 ℃に対する値です。太字のリミット値は動作温度範囲 -40 ℃～ +125 ℃に対して適用されます。( 続き ) Submit Document Feedback 8 FN8666.3 2015 年 6 月 4 日 ISL8117 電気的特性 特記のない限り、推奨動作条件です。5 ページの「ブロック図」および 6 ページの「アプリケーション回路例」を参照し てください。特記のない限り、VIN = 4.5V to 60V、または VCC5V = 5V ±10%、C_VCC5V = 4.7µF、TA = -40 ℃～ +125 ℃に対する値で す。代表値は TA = +25 ℃に対する値です。太字のリミット値は動作温度範囲 -40 ℃～ +125 ℃に対して適用されます。( 続き ) NOTE： 6. VIN ピンの電圧が製品に供給される通常動作時に、VCC5V ピンは 75mA( 最小 ) を供給可能な 5V 出力を実現します。製品の電 力が EXTBIAS ピンの外部 5V 電源によって供給される場合、内部の LDO レギュレータはディスエーブルされます。VCC5V の 電圧は、いかなるときも VIN の電圧を超えないようにしてください。( 詳細は、3 ページの「ピンの説明」を参照してくださ い。) 7. これは、VIN = 5.6V および 60V での全シャットダウン電流です。 8. 動作電流は、製品が動作状態ではあるがスイッチングしていないときに消費される電流電源です。ゲートドライブ電流は含まれ ていません。 9. MIN パラメータと MAX パラメータは、特記のない限り +25 ℃で全数試験を行っています。温度のリミット値は特性評価によっ て定められたものであり、製造時テストは行われていません。 10. DEM の間にローサイド MOSFET をオフにする場合の PHASE ピンのスレッショルド電圧です。 11. ソフトスタート時間が 4.5ms より短いと、tPGR は増加します。内部ソフトスタート ( 最も短いソフトスタート時間 ) の場合、 tPGR は、その最大リミットの 5ms 近くまで増加します。 Submit Document Feedback 9 FN8666.3 2015 年 6 月 4 日 ISL8117 代表的な性能曲線 オシロスコープのプロットは、特記のない限り、ISL8117EVAL2Z 評価基板を使用し、VIN = 18 ～ 60V、 VOUT = 12V、IOUT = 20A の条件で取っています。 10 5.0 9 4.5 8 4.0 7 3.5 IVINOP (mA) IVINQ (µA) 6 5 4 3.0 2.5 2.0 3 1.5 2 1.0 1 0.5 0 -40 -25 -10 5 20 35 50 65 80 95 0 -40 110 125 -25 -10 5 TEMPERATURE (°C) 20 35 50 65 TEMPERATURE (°C) 80 95 110 125 図 7. 静止電流 vs 温度 図 6. シャットダウン電流 vs 温度 6 5.2 5.1 5 5.0 VCC5V (V) VCC5V (V) 4 3 2 4.9 4.8 4.7 4.6 1 0 4.5 0 20 40 60 80 100 4.4 120 0 10 20 LOAD CURRENT (mA) 30 VIN (V) 40 50 60 図 9. VCC5V のライン・レギュレーション 図 8. VCC5V のロード・レギュレーション 1100 350 1090 300 1080 250 1060 fSW (kHz) fSW (kHz) 1070 1050 1040 1030 200 150 100 1020 50 1010 1000 -40 -25 -10 5 20 35 50 65 80 95 TEMPERATURE (°C) 図 10. スイッチング周波数 vs 温度 (RT = 36kΩ) Submit Document Feedback 10 110 125 0 0 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60 VIN (V) 図 11. スイッチング周波数 vs VIN FN8666.3 2015 年 6 月 4 日 ISL8117 代表的な性能曲線 オシロスコープのプロットは、特記のない限り、ISL8117EVAL2Z 評価基板を使用し、VIN = 18 ～ 60V、 VOUT = 12V、IOUT = 20A の条件で取っています。( 続き ) 605 NORMALIZED OUTPUT VOLTAGE (%) 120 604 603 VREF (mV) 602 601 600 599 598 597 596 595 -40 -25 -10 5 20 35 50 65 80 95 100 80 60 40 20 0 110 125 0 0.5 TEMPERATURE (°C) 100 90 90 80 80 VIN = 24V EFFICIENCY (%) EFFICIENCY (%) 100 60 50 VIN = 60V VIN = 18V 40 VIN = 48V 30 20 IOUT (A) VIN = 60V 40 VIN = 48V 30 1 10 VIN = 36V 0 0.01 20 0.1 0.8 0.6 0.6 0.4 REGULATION (%) REGULATION (%) 0.8 VIN = 24V 0.0 VIN = 18V VIN = 48V VIN = 36V IOUT (A) 1 10 20 図 15. DEM モードの効率 1.0 -0.4 3.5 50 1.0 -0.2 3.0 VIN = 18V 60 図 14. CCM モードの効率 0.2 2.5 70 10 10 0.1 2.0 VIN = 24V 20 VIN = 36V 0 0.01 1.5 図 13. 正規化出力電圧 vs ソフトスタート・ピンの電圧 図 12. リファレンス電圧 vs 温度 70 1.0 SOFT-START PIN VOLTAGE (V) IO = 20A 0.4 0.2 0.0 -0.2 IO = 0A -0.4 -0.6 VIN = 60V -0.6 IO = 10A -0.8 -0.8 -1.0 0 2 4 6 8 10 12 14 16 OUTPUT CURRENT (A) 図 16. CCM モードのロード・レギュレーション Submit Document Feedback 11 18 20 -1.0 18 24 30 36 42 48 54 60 VIN (V) 図 17. CCM モードのライン・レギュレーション FN8666.3 2015 年 6 月 4 日 ISL8117 代表的な性能曲線 オシロスコープのプロットは、特記のない限り、ISL8117EVAL2Z 評価基板を使用し、VIN = 18 ～ 60V、 VOUT = 12V、IOUT = 20A の条件で取っています。( 続き ) 10 PHASE 50V/DIV IIN (CCM) IIN (A) 1 LGATE 5V/DIV 0.1 CLKOUT 5V/DIV 0.01 IIN (DEM) IL 5A/DIV 0.001 0.01 0.1 IOUT (A) 1 10 図 18. CCM/DEM モード、VIN = 48V 入力電流の比較 1µs/DIV 図 19. PHASE、LGATE、CLKOUT、およびインダクタ 電流の波形 VOUT 50mV/DIV NO LOAD, VIN = 48V VOUT 50mV/DIV NO LOAD, VIN = 48V 1ms/DIV VOUT 50mV/DIV 20A LOAD, VIN = 48V 20A LOAD, VIN = 48V VOUT 50mV/DIV 4µs/DIV 4µs/DIV 図 20. 出力リップル、CCM モード 図 21. 出力リップル、DEM モード VOUT 5V/DIV VOUT 5V/DIV BURST MODE OPERATION BOOT CAP REFRESH EXTBIAS KICK-IN LGATE 5V/DIV BOOT CAP REFRESH EXTBIAS KICK-IN CLKOUT 5V/DIV CLKOUT 5V/DIV DEM TO CCM TRANSITION 4ms/DIV IL 10A/DIV 図 22. 起動時の波形：CCM モード、負荷 = 0A、VIN = 48V Submit Document Feedback 12 LGATE 5V/DIV IL 5A/DIV 4ms/DIV 図 23. 起動時の波形：DEM モード、負荷 = 0A、VIN = 48V FN8666.3 2015 年 6 月 4 日 ISL8117 代表的な性能曲線 オシロスコープのプロットは、特記のない限り、ISL8117EVAL2Z 評価基板を使用し、VIN = 18 ～ 60V、 VOUT = 12V、IOUT = 20A の条件で取っています。( 続き ) VOUT 5V/DIV VOUT 5V/DIV SS 1V/DIV SS 1V/DIV EN 5V/DIV EN 5V/DIV PGOOD 5V/DIV PGOOD 5V/DIV 20ms/DIV 20ms/DIV 図 24. 起動時の波形：CCM モード 、負荷 = 0A、 VIN = 48V 図 25. 起動時の波形：DEM モード 、負荷 = 0A、 VIN = 48V IL 5A/DIV SS 500mV/DIV LGATE 5V/DIV VOUT 10V/DIV SYNC 5V/DIV PGOOD 5V/DIV CLKOUT 5V/DIV 1ms/DIV 800ns/DIV 図 26. トラッキング：VIN = 48V、負荷 = 0A、CCM モード 図 27. 周波数の同期：VIN = 48V、負荷 = 0A、デフォルトの fSW = 300kHz、同期時の fSW = 400kHz VOUT 10V/DIV VOUT 500mV/DIV IOUT 10A/DIV IL 20A/DIV SS 2V/DIV PGOOD 5V/DIV 400µs/DIV 図 28. 負荷の過渡応答：VIN=48V、0A ～ 20A、 1A/μs ステップ負荷、CCM モード Submit Document Feedback 13 40ms/DIV 図 29. OCP の応答、無負荷状態から出力をグラウンドに 短絡してから解放、CCM モード、VIN = 48V FN8666.3 2015 年 6 月 4 日 ISL8117 機能の説明 概要 ISL8117 は、同期整流型降圧コンバータの制御回路を内蔵し ています。最終設計を簡略化するため、ドライバと保護回路 も内蔵しています。 この製品はイネーブル / ディスエーブル制御 EN が独立して いるので、柔軟なパワーアップ・シーケンスとシンプルな VIN UVP を実現します。ソフトスタート時間は SS/TRK に接 続されているソフトスタート・コンデンサを調整することに よって設定可能です。 入力電圧フィード・フォワード・ランプ機能を備えたバレー・ カレント・モード制御方式により、ループ補償が簡素化さ れ、入力電圧変動に対する優れた除去性能を実現します。 入力電圧範囲 例えば、全ゲート電荷が 15nC の大型 FET は、1 個で 15nC x 300kHz = 4.5mA が必要です (15nC x 600kHz = 9mA)。また、高 い入力電圧で大型 FET を使用すると、5V の内部レギュレー タ間での電力損失が増加します。このレギュレータ間での損 失が過剰にならないようにして、ジャンクションの温度上昇 を防止する必要があります。過剰な電力損失によってダイ温 度が +160 ℃より高くなると、サーマル・プロテクションが 作動する場合があります。 大型の MOSFET を使用すると、外部の 5V バイアス電圧を EXTBIAS ピンに印加して過剰な電力損失を軽減することが できます。EXTBIAS ピンの電圧は VIN ピンの電圧より常に 低くなるようにして、過剰な電圧が EXTBIAS および VCC5V を介してパワー段をバイアスしないようにする必要があり ます。滑らかなソフトスタート動作を保証するため、外部 UVLO 回路が必要になる場合があります。 ISL8117 は、4.5V ～ 60V の入力電圧範囲で動作するよう設計 されています。 内部 LDO の過電流リミットは標準で 120mA です。効率を向 上させるため、入力が 5V±10% のアプリケーションでは、 VCC5V を VIN に接続します。 入力電圧範囲は、式 2 に示すように実質的に PWM 最小オフ 時間によって制限されます。 イネーブルとソフトスタート動作 V OUT + V d1 V IN ( min ) ≥ -------------------------------------------------------------------------- + V d2 – V d1 × Frequency 1 – t OFF ( min ) ( 式 2) ここで、 Vd1 = ローサイド FET、インダクタ、および PC 基板などのイ ンダクタ放電経路での寄生電圧降下の合計。 Vd2 = ハイサイド FET、インダクタ、および PC 基板抵抗など の充電経路での電圧降下の合計。 tOFF(min) = 308ns。 最大入力電圧と最小出力電圧は、式 3 に示すように最小オン 時間 (tON(min)) によって制限されます。 V OUT V IN ( max ) ≤ -------------------------------------------------------------- t ON ( min ) × Frequency ( 式 3) ここで、tON(min) は、CCMでは40nsであり、DEMでは60nsです。 内部の 5V リニア・レギュレータ (VCC5V) と外部の VCC バイアス電源 (EXTBIAS) ISL8117 のすべての機能の電力は、内部でオンチップの低ド ロップアウト 5V レギュレータから供給されるか、または EXTBIASピンを介して外部の5Vバイアス電圧から供給され ます。リニア・レギュレータの出力 (VCC5V) を 4.7μF のコン デンサでパワーグラウンドへバイパスします。ISL8117 はア ンダーボルテージ・ロックアウト回路も採用しているので、 VCC5V の電圧が 3.5V より低くなると、すべてのレギュレー タがディスエーブルされます。 内部 LDO は 75mA を超える電流の供給源となって、IC に供 給し、ローサイド・ゲートドライバに電力を供給して、ブー ト・コンデンサを充電することができます。大型 FET を高い スイッチング周波数で駆動する場合は、レギュレータの電流 が外部負荷にはほとんど流れないことがあります。 Submit Document Feedback 14 EN ピンを High または Low にすると、コントローラのイネー ブルまたはディスエーブルが可能です。 ENピンの電圧が1.6V より高くなると、コントローラはイネーブルされ、その内部 回路が起動します。VCC5V ピンの電圧が UVLO スレッショ ルドに達すると、ISL8117 のソフトスタート回路は動作状態 になります。2μA の内部充電電流により、SS/TRK ピンと GND の間に接続されているソフトスタート・コンデンサの充電が 開 始 さ れ ま す。電 圧 誤 差 ア ン プ の リ フ ァ レ ン ス 電 圧は、 SS/TRK ピンの電圧にクランプされます。 SS/TRK の電圧は 0V から 0.6V まで上昇するので、出力電圧はそれに応じて 0V か らレギュレーション状態まで上昇します。ソフトスタート・ コンデンサの充電は、SS/TRK ピンの電圧が 3V に達するまで 続きます。 ISL8117 のアプリケーション回路例では、プログラム可能な アナログ・ソフトスタートまたは SS/TRK ピンを使用してト ラッキングを行います。ソフトスタート時間は、SS/TRK と GNDの間に接続したソフトスタート・コンデンサの値によっ て設定することができます。起動時の突入電流は、ソフトス タート時間を調整することで緩和することができます。 標準的なソフトスタート時間は、式 4 に従って設定されます。 C SS t SS = 0.6V ----------- 2μA ( 式 4) 外付けのCSS によって設定されたソフトスタート時間または トラッキングが 1.5ms 未満である場合は、1.5ms の内部ソフ トスタート回路がソフトスタートを引き継ぎます。 PGOOD は、対応する出力が起動してレギュレーション状態 になると、High に切り替わります。 EN を Low にすると、PWM 出力および内部 LDO がディス エーブルされるので、低スタンバイ電流が実現します。ま た、SS/TRK ピンも、rDS(ON) が 70Ω の内部 MOSFET によっ て GND 電位まで放電されます。 FN8666.3 2015 年 6 月 4 日 ISL8117 出力電圧の設定 ISL8117 は、高精度 0.6V の内部リファレンス電圧により出力 電圧を設定します。この内部リファレンスに基づいて、0.6V から、回路の入力電圧、最大デューティ・サイクル、および 変換効率によって決まるレベルまでの範囲に出力電圧を設 定することができます。 出力電圧は、出力とグラウンドの間の抵抗分圧回路によって 設定されます。分圧回路の中央点は FB ピンに接続するもの とします。出力電圧値は、式 5 で求められます。 図 30 に示す周波数設定曲線は、RT の適正な値を選択するの に役立ちます。 3500 R 1 + R 2 V OUT = 0.6V --------------------- R2 ( 式 5) トラッキング動作 ISL8117 は外部電源に追従するように設定することができま す。トラッキングを実装するため、外部電源の出力とグラウ ンドの間に抵抗分圧回路を接続します。分圧回路の中央点は ISL8117 の SS/TRK ピンに接続するものとします。抵抗分圧 比は、2 つの電圧レール間のランピング比を設定します。同 時トラッキングを実装するには、トラッキングの抵抗分圧比 を、式 5 で与えられる ISL8117 出力の抵抗分圧回路の場合と 完全に同じ値に設定します。マスタ・レールがレギュレー ション状態に達したときに、SS/TRK の電圧が 0.6V より高い ことを確認してください。 2μA のソフトスタート電流のトラッキング機能への影響を 最小限に抑えるため、トラッキング抵抗分圧回路には 10kΩ 未満の抵抗を使用することを推奨します。 過電流保護回路 (OCP) が作動する場合は、内蔵の最小ソフト スタート回路によって OCP ソフトスタート・ヒカップ動作 が決まります。 軽負荷時の効率の向上 MOD/SYNC を VCC5V に接続した場合、ISL8117 は、軽負荷 状態では高効率のダイオード・エミュレーション・モードと パルス・スキップ・モードで動作します。この時インダクタ 電流は逆流しません ( 不連続動作 )。非常に軽い負荷では、コ ンバータはダイオード・エミュレーション・モードに移行 し、パルス・スキップ機能が作動します。パルス・スキッ プ・モードでは、誤差アンプ出力がパルス・スキップ・モー ドのスレッショルドより高くなる点に出力電圧が低下する まで、ハイサイド MOSFET はオフのままです。パルス・ス キップ・モードでの tON の最小値は 60ns です。 プリバイアス状態での起動 ISL8117 は、出力をプリバイアスした状態でソフトスタート する機能を備えています。プリバイアス状態での起動時に出 力電圧が低下することはありません。ソフトスタートのラン プ電 圧が出力電圧と 抵抗分 圧回路 比の積に 達するまで、 PWM はアクティブになりません。 ソフトスタート中は過電圧保護回路が作動しています。 周波数の選択 スイッチング周波数の選択では、効率と部品サイズがトレー ドオフの関係にあります。スイッチング周波数を低くする 15 3000 2500 fSW (kHz) ここで、R1 は帰還分圧回路網の上側の抵抗であり、R2 は FB とグラウンドの間に接続されている下側の抵抗です。 Submit Document Feedback と、MOSFET のスイッチング損失が減少するので効率は向上 します。出力リップル要件と負荷変動要件を満たすため、低 スイッチング周波数で動作させるには、インダクタンスと出 力容量を増やすことが必要です。ISL8117 のスイッチング周 波数は、式 1 に従って RT ピンと GND の間に接続した抵抗に よって設定します。 2000 1500 1000 500 0 0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 200 RT (kΩ) 図 30. RT vs スイッチング周波数 fSW 周波数の同期 MOD/SYNC ピンを使用して、ISL8117 を外部クロックまたは 別の ISL8117 の CLKOUT ピンと同期させることができます。 MOD/SYNC ピンを別の ISL8117 の CLKOUT ピンに接続する と、2 つのコントローラは同期して動作します。 MOD/SYNC ピンを外部クロックに接続すると、ISL8117 はこ の外部クロック周波数に同期します。正常動作を確保するた め、抵抗 RT で設定する周波数は外部クロック周波数より低 くします。 周波数同期が動作している場合、コントローラは軽負荷時に 強制連続電流モードに入ります。 CLKOUT ピンは、パルス幅が 280ns のクロック信号を出力し ます。信号の周波数は、RT ピンとグラウンドの間の抵抗に よって設定される周波数と同じです。信号の立ち上がりエッ ジは PWM の立ち下がりエッジと同期します。 ゲート制御ロジック ゲート制御ロジックは、PWM 信号をゲートドライブ信号に 変換して、増幅、レベルシフト処理、およびショートスルー 保護動作を実現します。ゲートドライバには、幅広い動作条 件にわたって IC の性能を最適化するのに役立つ回路が組み 込まれています。MOSFET のスイッチング時間は、種類に よって、また入力電圧によって劇的に変化することがあるの で、ゲート制御ロジックは、ハイサイド MOSFET とローサ イド MOSFET の両方の実際のゲート波形をモニタすること によってアダプティブ・デッド・タイムを実現します。ショー トスルー制御ロジックは、ハイサイド MOSFET とローサイ ド MOSFET が両方同時にオンしてショートスルー状態にな らないように、16ns のデッド・タイムを設定します。 FN8666.3 2015 年 6 月 4 日 ISL8117 ゲートドライバ ローサイド・ゲートドライバは VCC5V から電力の供給を受 けます。シンク電流とソース電流のピーク値は 2A です。ハ イサイド・ゲートドライバもローサイド・ゲートドライバと 同じ値の電流を供給する能力があります。N チャネル・ハイ サイド MOSFET のゲートドライブ電圧は、フライング・コ ンデンサ・ブート回路によって生成されます。BOOT ピンと PHASE ノードの間に接続されたブート・コンデンサは、ハ イサイド MOSFET ドライバに電力を供給します。IC 内での ピーク電流を制限するため、BOOT ピンとブート・コンデン サの間に直列抵抗を外付けすることができます。また、この 抵抗は、基板のトレース内寄生インダクタンスと FET の入力 容量で構成される共振タンク回路に起因する発振も減衰さ せます。 起動時には、まずローサイド MOSFET がオンし、BOOT コ ンデンサを5Vまで充電するためにPHASEを強制的にグラウ ンド電位にします。ローサイドMOSFETがオフした後、BOOT と UGATE の間の内部スイッチを閉じることにより、ハイサ イド MOSFET が オ ン し ま す。こ れ に よ り、ハ イサイド MOSFET がオンするために必要なゲート / ソース間電圧が得 られます。これはつまり、5V のゲートドライブ信号を VIN より高い電圧に昇圧する動作です。ハイサイド MOSFET を 駆動するのに必要な電流は、内部の 5V レギュレータから供 給します。 最適な EMI 性能を得るため、または PHASE ノードのリンギ ングを低減するため、BOOT ピンとブートストラップ・コン デンサの正端子の間に低抵抗を配置することができます。 VCC_5V BOOT OPTIONAL EXTERNAL SCHOTTKY VIN RBOOT CB UGATE PHASE している間、ハイサイド MOSFET のゲート電圧をモニタし ます。ハイサイド MOSFET のゲート / ソース間電圧が 1V の スレッショルドより低くなると、LGATE の電圧は上昇可能 になります。UGATE および LGATE とそれぞれの MOSFET のゲートの間には抵抗を使用しないことを推奨します。この 抵抗はデッド・タイム回路に干渉する可能性があるからで す。 内部ブートストラップ・ダイオード ISL8117 は、システム・コストを削減してレイアウトの複雑 さを軽減するのに役立つブートストラップ・ダイオードを内 蔵しています。BOOT ピンと PHASE ピンの間に外付けコン デンサを追加するだけで、ブートストラップ回路が完成しま す。ブートストラップ・コンデンサは式 6 から選ぶことがで きます。 Q GATE C BOOT ≥ -----------------------ΔV BOOT ( 式 6) ここで QGATE は、ハイサイド MOSFET のゲートを満充電す るのに必要なゲート電荷の量です。ΔVBOOT の項は、高電位 側ドライブ回路のレールでの許容低下電圧として規定され ます。 一例として、ハイサイド MOSFET の 5V でのゲート電荷 (QGATE) が 25nC であると仮定し、また 1 回の PWM サイクル 間でのドライブ電圧の低下量が200mV であると仮定します。 計算に基づいて、0.125μF 以上のブートストラップ容量が必 要です。これより容量の大きい次の標準値容量である 0.22μF を使用します。品質の優れたセラミック・コンデンサを推奨 します。 内蔵のブートストラップ・ショットキー・ダイオードの抵抗 値は、800mA のとき 1.5Ω( 代表値 ) です。抵抗 RBOOT と組み 合わせると、ローサイド MOSFET がオンする時間が極めて 短い場合には、ブート・コンデンサの充電が不十分になる可 能 性 が あ り ま す。そ の よ う な 状 況 が 予 想 さ れ る 場 合は、 VCC5V とブート・コンデンサの正端子の間に外付けの ショットキー・ダイオードを追加することができます。ハイ サイド MOSFET の高速ターンオンによる EMI を低減するた め、RBOOT が必要になる場合があります。 パワーグッド・インジケータ ISL8117 図 31. ハイサイド・ゲートドライバ回路 アダプティブ・デッド・タイム ISL8117 は、MOSFET の状態を変化させて動作を最適化する アダプティブ・デッド・タイム・アルゴリズムを同期整流型 降圧 PWM コントローラに組み込んでいます。このアルゴリ ズムにより、ハイサイド MOSFET とローサイド MOSFET の スイッチング間に約 16ns のデッド・タイムが設定されます。 このデッド・タイムには適応性があるので、さまざまな MOSFET による動作が可能です。抵抗またはコンデンサを使 用してデッド・タイムを外部から調整する必要もありませ ん。ローサイド MOSFET がオフしている間、LGATE の電圧 は 1V のスレッショルドに達するまでモニタされます。これ が 1V になった時点で UGATE は解放されて電圧が上昇しま す。アダプティブ・デッド・タイム回路は、UGATE がオフ Submit Document Feedback 16 パワーグッド・ピンを使用して、出力電圧の状況をモニタす ることができます。PGOOD は、FB ピンの電圧がリファレン ス電圧の ±11% 以内になってから 1.1ms 後に真 ( オープン・ド レイン ) になります。 PGOOD ピンが LOW になるときには、余分な遅延はありま せん。 保護回路 コンバータ出力はモニタされ、過負荷、軽負荷、および電圧 低下の状態から保護されます。 アンダーボルテージ・ロックアウト ISL8117 は UVLO 保護回路を内蔵しています。この回路は、 製品に適正な動作電圧が加わるまで、製品をリセット状態に 維持します。また、この保護回路は、動作電圧が事前定義の 値より低くなると、ISL8117 をシャットダウンします。UVLO がアサートされると、コントローラはディスエーブル状態に FN8666.3 2015 年 6 月 4 日 ISL8117 なります。UVLO がアサートされると、PGOOD が有効にな ります。 過電流保護 コントローラはローサイド MOSFET のオン抵抗 (rDS(ON) ) を 使用してコンバータ内の電流をモニタします。これにより検 出 し た 電 圧 降 下 は、ソ フ ト ス タ ー ト 前 の 起 動 段 階 で、 LGATE/OCS ピンとグラウンドの間に接続されている抵抗 ROCSET で設定されたスレッショルドと比較されます。起動 段階では、LGATE/OCS ピンからの 10.5μA 電流源により、 ROCSET で電圧降下が生じます。その後、この電圧降下は OCP コンパレータのリファレンスとして読み取られ、保管されま す。ROCSET は、式 7 で計算することができます。 ( r DS ( ON ) ) ( I OC ) R OCSET = ------------------------------------------- ( kΩ ) 0.7 + 3.5R CS ( 式 7) ここで、IOC は目的の過電流保護スレッショルドであり、RCS は、ISEN ピンに接続されている電流センス抵抗の値です。 rDS(ON) の単位は mΩ で、RCS の単位は kΩ です。 過電流が検出された場合、ハイサイド MOSFET はオフとな り、ローサイド MOSFET は次のサイクルまでオンのままで す。その結果、コンバータはパルスをスキップします。過負 荷状態が解除されると、コンバータは通常動作を再開しま す。 2 回の連続クロック・サイクルで過電流が検出されると、IC はゲートドライバをオフにしてソフトスタートを開始し、ヒ カップモードに入ります。IC は 50ms オフのままになり、そ の後再起動しようとします。過電流状態が解除されるまで、 IC はソフトスタートを周期的に繰り返し続けます。ソフト スタート中はヒカップモードが動作しています。したがっ て、ソフトスタート中はピーク・インダクタ電流が過電流ス レッショルドを超えないように注意する必要があります。 この電流検出技法の性質上、rDS(ON) の広範囲のばらつきの ため、過電流スレッショルドの値は最大動作電流の約 150% ～ 180% の過負荷電流を設定します。より高精度の電流保護 が望ましい場合は、電流センス抵抗をローサイド MOSFET のソースと直列に配置します。 OCP が作動すると、SS/TRK ピンは内部 MOSFET によってグ ラウンド電位に低下し、ヒカップモード再開に備えます。別 の電圧レールに追従するよう構成すると、SS/TRK ピンの電 圧は、内部の最小ソフトスタート・ランプより速く上昇しま す。その後、電圧リファレンスは内部の最小ソフトスター ト・ランプにクランプされることにより、トラッキング機能 を使用した場合でも、滑らかなソフトスタート・ヒカップ動 作が実現します。 インダクタ・リップル電流が大きいアプリケーションでは、 値の大きな RCS を使用して、ISEN ピンに流れ込むリップル 電流を、OCP コンパレータのヒステリシスである 6μA より 少なくすることを推奨します。そうしない場合、負荷電流が OCP のトリップ・ポイントに近づくと、OCP コンパレータ は 1 回のスイッチング・サイクルのうちにトリップしてリ セットすることがあります。この過電流状態は、IC を強制 的にヒカップモードにするための 2サイクル連続した状態に なりません。代わりに、IC は半分の周波数の PWM モードで 動作するので、出力リップルの増大につながります。 Submit Document Feedback 17 過電圧保護 過電圧のセットポイントは、帰還抵抗で設定した公称出力電 圧の 121% に設定されます。過電圧事象が発生した場合、IC はハイサイド MOSFET をオフ状態に維持し、かつローサイ ド MOSFET をオン状態に維持することにより、出力電圧を レギュレーション状態に戻そうとします。過電圧状態が解消 されて出力電圧が公称出力電圧の 110% まで戻ると、ハイサ イドとローサイドの MOSFET は両方ともオフになり、出力 電圧が公称電圧まで低下して正常な PWM スイッチング状態 で機能し始めるまでオフのままになります。 超低出力電圧設計や超低スイッチング周波数設計など、制御 ループの帯域幅が狭いアプリケーションでは、全負荷から無 負荷への過渡応答が低速になり、OVP が誤作動する可能性 があります。OVP が作動している場合、LGATE のオン時間 が長いと、負のインダクタ電流が大量に発生するので、通常 より多くの電流が ISEN ピンに流れ込むことになります。 ISENピンに流れ込む電流は16μA未満に制限することを推奨 します。そうしないと、OCP のヒカップ動作が誤作動して出 力がシャットダウンする場合があります。 過熱保護 この IC は、ダイ温度が +160 ℃に達すると IC をシャットダ ウンする過熱保護回路を内蔵しています。通常動作が再開 するのは、ダイ温度が低下して、全ソフトスタート・サイ クルの開始時から +145 ℃を下回った場合です。OTP による シャットダウン中、IC の消費電流はわずか 100μA です。コ ントローラがディスエーブル状態のとき、過熱保護回路は不 動作状態です。これは、5μA の非常に低いシャットダウン電 流を実現するのに役立ちます。 帰還ループの補償 外付け部品の数を減らし、補償部品を決定する過程を簡略化 するため、コントローラは内部補償型誤差アンプを使用して 設計されています。内部補償を可能にするため、いくつかの 設計手段が取られました。 まず、PWM コンパレータに加えられるランプ信号は、VIN ピンに供給される入力電圧に比例します。こうすると、入力 電圧が異なってもモジュレータのゲインが一定に保たれま す。次に、PWM の期間中にローサイド MOSFET 両端での電 圧降下から負荷電流に比例する信号が得られ、コンパレータ 入力での増幅後の誤差信号から減じられます。これにより、 内部電流制御ループが形成されます。ISEN ピンに接続され ている抵抗 RCS により、電流帰還ループ内でのゲインが設定 されます。次の式 8 は、動作時の最大負荷電流と MOSFET の rDS(ON) の値に応じて、電流センス抵抗の必要な値を推定し ます。 ( I MAX ) ( r DS ( ON ) ) R CS ≥ ----------------------------------------------30μA ( 式 8) 電流のサンプル・ホールド回路に 30μA の電流を供給するよ う RCS を選択することを推奨しますが、使用できる最小値は 2μA で最大値は 100μA です。 FN8666.3 2015 年 6 月 4 日 ISL8117 電流ループの帰還により、モジュレータの応答はシングル・ ポールであり、式 9 を使用して負荷によって決まる周波数で の傾斜は -20dB です。 1 F PO = --------------------------------2π ⋅ R O ⋅ C O ( 式 9) ここで、RO は負荷抵抗であり、CO は負荷容量です。この種 のモジュレータでは、通常はタイプ2の補償回路で十分です。 18 ページの図 32 は、タイプ 2 のアンプとその応答を示し、 電流モード・モジュレータおよびコンバータの応答も一緒に 示しています。タイプ 2 のアンプには、原点でのポールの他 にゼロとポールがあり、これによってゼロとポールの間の周 波数域にゲインの平坦な領域が生じます。 1 F Z = ------------------------------- = 10kHz 2π ⋅ R 2 ⋅ C 1 ( 式 10) 1 F P = ------------------------------- = 600kHz 2π ⋅ R 2 ⋅ C 2 ( 式 11) アンプのゼロ周波数ゲインおよびモジュレータのゲインを 高く設定して、ほとんどのアプリケーション回路例に適合す るようにします。クロスオーバー周波数が現われるのは、モ ジュレータの減衰量がアンプの高周波ゲインと等しくなる 点です。システム設計者が完了させる必要がある唯一の作業 は、出力フィルタ・コンデンサを指定して、アンプのゼロ周 波数より1桁低い周波数からアンプのゼロ周波数までのどこ かに主要な負荷ポールを設定することです。この種の補償の 場合は、ゼロとポールの位相「増加」により十分な位相余裕 を容易に実現できます。 C1 CONVERTER R1 EA TYPE 2 EA G EA= 18dB FZ F PO FP FC 図 32. 帰還ループの補償 安定性が条件付きで得られる可能性があるのは、過大な出力 フィルタ容量が原因で、メインの負荷ポールが周波数軸の極 端に左側に位置する場合に限られます。この場合は、ESR の ゼロが 1.2kHz ～ 30kHz の範囲内にあるので、一定の位相「増 加」分が加わります。また、一定の位相増加を実現できる方 法として、出力電圧値を設定する分圧回路の上側の抵抗 R1 と並列にコンデンサ C3 を接続する方法もあります。15 ペー ジの「出力電圧の設定」を参照してください。 Submit Document Feedback 18 ISL8117 を使用する DC/DC コンバータには、3 組の重要な部 品があります。それは、コントローラ、スイッチング・パ ワー部品、および小信号部品です。スイッチング・パワー部 品はレイアウトの観点から見て最も重要です。この部品は大 量のエネルギーを切り替えて、大量のノイズを発生させる傾 向があるからです。重要な小信号部品は、敏感なノードに接 続されている部品または重要なバイアス電流を供給する部 品です。多層のプリント回路基板を推奨します。 レイアウトに関する考慮事項 1. 入力コンデンサ、ハイサイド FET、ローサイド FET、 インダクタ、および出力コンデンサを最初に配置しま す。これらのパワー部品は、グラウンド端子が互いに 隣接している基板の専用エリア上で分離します。高周 波の入力デカップリング・セラミック・コンデンサを MOSFET のすぐ近くに配置します。 3. 入力コンデンサ、ハイサイド FET、およびローサイド FET によって形成されるループは、可能な限り小さく とどめておく必要があります。 GM = 23.5 dB MODULATOR ISL8117 ベースの DC/DC コンバータを正常に実装するには、 レイアウト要件に対する注意が必要です。ISL8117 は非常に 高い周波数でスイッチングするので、スイッチング時間が非 常に短時間です。これらのスイッチング周波数では、トレー スが最短の場合でもインピーダンスがかなり大きくなりま す。また、ゲートドライブ電流のピーク値も極端に短い時間 内に大幅に増加します。速い電流遷移は、相互接続インピー ダンス間や寄生の回路素子間で電圧スパイクが発生します。 これらの電圧スパイクは、効率の低下、EMI の発生、製品へ の過電圧ストレスおよびリンギングの増加の原因となりま す。部品を注意深く選択して適切な PC 基板レイアウトを設 計することにより、これらの電圧スパイクの大きさは最小限 に抑えられます。 2. 信号部品と IC を動力伝達機構とは別の領域に配置する 場合は、共有の SGND および PGND がある内層で全面 グラウンド・パターンを使用して、レイアウト設計を 簡略化することを推奨します。そうしない場合は、パ ワーグラウンドと小信号グラウンドに別個のグラウン ド・パターンを使用してください。SGND と PGND は、 IC の近くで互いに接続します。それ以外の場所では相 互接続しないでください。 C2 R2 レイアウトのガイドライン 4. 入力コンデンサから MOSFET、出力インダクタ、およ び出力コンデンサまでの電流経路は、許容できる最大 のトレース幅にして、できるだけ短くするようにして ください。 5. PWM コントローラ IC はローサイド FET の近くに配置 します。LGATE の接続部は短く幅の広いものにします。 IC は低ノイズのグラウンド領域に配置するのが最適で す。この領域では、スイッチング・グラウンド・ルー プ電流が流れないようにしてください。 6. IC の VCC5V ピンのすぐ近くに VCC5V のバイパス・コ ンデンサを配置して、IC のグラウンドを PGND のパ ターンに接続します。 7. ゲートドライブ部品 ( オプションのブート・ダイオード およびブート・コンデンサ ) はコントローラ IC の近く にまとめて配置します。 FN8666.3 2015 年 6 月 4 日 ISL8117 8. 出力コンデンサは負荷のできるだけ近くに配置します。 短く幅の広い銅エリアを使用して出力コンデンサを負 荷に接続し、インダクタンスと抵抗が発生しないよう にします。 9. ハイサイド FET、ローサイド FET、および出力インダ クタの接続部は、銅を充填した多角形または広く短い トレースを使用して接続します。また、PHASE ノード の IC までの接続部も短く抑えます。PHASE ノードの銅 パターンは、必要以上に大きくしないようにします。 PHASE ノードには dv/dt の非常に高い電圧が印加され るため、これらのパターン間に形成される浮遊容量お よび周辺の回路は、スイッチング・ノイズを結合する 傾向があります。 10. すべての高速スイッチング・ノードは、制御回路から 遠ざけて配線します。 11. 独立した小さなアナログ・グラウンド・パターンを IC の近くに作成します。このパターンに SGND ピンを接 続します。帰還抵抗、電流リミット設定抵抗、ソフト スタート・コンデンサ、および EN プルダウン抵抗を含 むすべての小信号接地経路は、この SGND パターンに 接続します。 12. 電流検出トレースを PHASE ノードの接続部から切り離 します。 13. 出力コンデンサまでの帰還接続部が短く直接であるこ とを確認してください。 一般的なサーマルパッド設計に関する考慮事項 以下は、ビアを使用して IC の放熱の例です。 電力損失には、導通損失とスイッチング損失という 2 つの損 失構成要素が含まれます。これらの損失は、デューティ・サ イクルに応じてハイサイド MOSFET とローサイド MOSFET の間で分散されます。( 式 12 および 13 を参照してください )。 導通損失は、ローサイド MOSFET の電力損失の主な構成要 素です。ローサイド MOSFET は 0V 付近の電圧でオン / オフ す る の で、ス イ ッ チ ン グ 損 失 が 大 き い の は ハ イ サ イ ド MOSFET だけです。式では、電圧と電流の変化が線形である と仮定しており、ローサイド MOSFET のボディ・ダイオー ドの逆回復による電力損失はモデル化していません。 2 ( I O ) ( r DS ( ON ) ) ( V OUT ) ( I O ) ( V IN ) ( t SW ) ( f SW ) P UPPER = --------------------------------------------------------------- + ---------------------------------------------------------V IN 2 2 ( I O ) ( r DS ( ON ) ) ( V IN – V OUT ) P LOWER = ------------------------------------------------------------------------------V IN サーマルパッド領域をビアで満たすことを推奨します。標準 的なビア・アレイは、ビアの中心が互いに半径の 3 倍の距離 だけ離れるようにサーマルパッドの占有面積を埋め尽くし ます。ビアは小さく保ちます。ただし、ビアの内径をあまり 小さくするとリフロー中にハンダがビアを通ってはい上が るので、それを防止できる内径にします。 すべてのビアはグラウンド・パターンに接続してください。 熱を効率的に伝達するため、ビアの熱抵抗は低いことが重要 です。メッキ加工スルーホールが各パターンまで完全に接続 していることが重要です。 部品選択のガイドライン MOSFET に関する考慮事項 ロジック・レベルの MOSFET は、潜在的に広い入力電圧範 囲および出力電力要件を前提に、効率が最適になるように選 択します。同期整流型降圧コンバータでは、2 個の N チャネ ル MOSFET が使用されます。これらの MOSFET は、rDS(ON)、 ゲートの電源要件、および熱管理に関する考慮事項に基づい て選択します。 Submit Document Feedback 19 ( 式 13) ゲート電荷が大量にあるとスイッチング時間（tSW ）が長く なり、ハイサイド MOSFET のスイッチング損失が大きくな ります。パッケージの熱抵抗規格に従って温度上昇を計算す ることにより、周囲温度が高いとき MOSFET が両方とも最 大ジャンクション温度に達しないことを確認してください。 出力インダクタの選択 PWM コンバータには出力インダクタが必要です。出力イン ダクタは、出力電圧のリップル要件を満たすように選択しま す。インダクタの値により、コンバータのリップル電流が決 まります。また、リップル電圧は、リップル電流と出力コン デンサの ESR の関数です。リップル電圧の式はコンデンサ の選択のセクションに示し、リップル電流は式 14 で概算し ます。 ( V IN – V OUT ) ( V OUT ) ΔI L = ---------------------------------------------------------( f SW ) ( L ) ( V IN ) 図 33. PCB のビア・パターン ( 式 12) ( 式 14) リップル電流比は、通常は全出力負荷の 30% ～ 70% の範囲 内です。 出力コンデンサの選択 出力コンデンサには出力ごとに独自の要件があります。一般 に、出力コンデンサは、リップル電圧や負荷変動などの動的 なレギュレーション要件を満たすように選択します。出力コ ンデンサの選択は出力インダクタにも依存するため、出力コ ンデンサを選択するには、インダクタをある程度分析するこ とが必要です。 負荷変動に対するコンバータの応答を制限するパラメータ の 1 つは、インダクタ電流が新しいレベルに切り替わるため に必要な時間です。ISL8117 は、デューティ・サイクルが負 荷変動に応じて 0% または最大のいずれかになります。 応答時間は、インダクタ電流が初期電流値から負荷電流レベ ルに切り替わるために必要な時間です。この時間中は、イン ダクタ電流レベルと過渡電流レベルの間の差を出力コンデ ンサから供給しなければなりません。応答時間を最短に抑え ると、必要な出力容量を最小限に抑えることができます。ま た、ハードディスク・ドライブや CD ドライブの場合のよう に、負荷変動の立ち上がり時間がインダクタの応答時間より 遅い場合は、出力コンデンサの要件が軽減されます。 FN8666.3 2015 年 6 月 4 日 ISL8117 インダクタの応答時間中に、立ち上がり時の最大ステップ過 渡負荷電流を供給するために必要なコンデンサの最大値を 式 15 に示します。 2 ( L O ) ( I TRAN ) C OUT = ----------------------------------------------------------2 ( V IN – V O ) ( DV OUT ) ( 式 15) ここで、COUT は必要な出力コンデンサ、LO は出力インダク タ、ITRAN は過渡負荷電流ステップ、VIN は入力電圧、VO は 出力電圧、DVOUT は負荷変動時に許容される出力電圧での 電圧降下です。 高周波コンデンサが過渡電流を最初に供給するので、バル ク・コンデンサで観測される負荷変動速度は低下します。バ ルクフィルタ・コンデンサの値は、一般に、ESR( 等価直列 抵抗 ) と電圧定格の要件ならびに実際の容量要件によって決 まります。 出力電圧のリップルは、式 16 で定義されるように、インダ クタ・リップル電流と出力コンデンサの ESR が原因です。 V RIPPLE = ΔI L ( ESR ) ( 式 16) ここで、ΔIL は式 14 で計算します。 高周波のデカップリング・コンデンサを、負荷の電源ピンに 物理的にできるだけ近づけて配置します。これらの低インダ クタンス部品の有効性を相殺する可能性があるインダクタ ンスが回路基板配線に加わらないように注意してください。 具体的なデカップリング要件については、負荷回路のメー カーに問い合わせてください。 バルク・コンデンサには、スイッチング・レギュレータ・ア プリケーションを対象とした専用の低ESRコンデンサのみを 使用してください。ほとんどの場合、小型ケースの電解コン デンサを複数使用した方が、大型ケースのコンデンサを単体 で使用するよりも性能が優れています。 出力コンデンサを選択する上での安定性の要件は、 「ESR の ゼロ」(f Z) の範囲を 2kHz ～ 60kHz にすることです。この範 囲は、8.8kHz における製品内部での単一の補償ゼロによって 設定されます。ESR のゼロは、内部のゼロの両側で 5 倍にな ることがあるので、制御ループの増加した位相余裕に対して もなお寄与することがあります。 この要件を式 17 に示します。 1 C OUT = -----------------------------------2π ( ESR ) ( f Z ) Submit Document Feedback ( 式 17) 20 結論として、出力コンデンサは以下の基準を満たす必要があ ります。 1. 出力コンデンサのバルク容量は、負荷変動時に、出力 インダクタ電流が負荷変動の値に切り替わるまでの間、 出力電圧を維持するのに十分であることが必要です。 2. 出力インダクタ電流に起因する出力電圧リップルが目 的の値を満たすように、ESR は十分に低くする必要が あります。 3. ESR のゼロの範囲はやや広めに設定して、位相余裕を 広げるようにします。 ISL8117 の出力コンデンサの推奨値は、外部補償回路によっ て安定性の基準を満たすため、100μF ～ 680μF の範囲内にな ります。アルミ電解コンデンサ (POSCAP) またはタンタル・ タイプのコンデンサを使用することを推奨します。ループ解 析を行って安定性を確保することにより、低 ESR のセラミッ ク・コンデンサを使用することができます。 入力コンデンサの選択 入力コンデンサの重要なパラメータは、電圧定格と RMS 電 流定格です。信頼できる動作を確保するため、回路が必要と する最大入力電圧および最大 RMS 電流を上回る電圧定格お よび電流定格を備えた入力コンデンサを選択します。コンデ ンサの電圧定格は、最大入力電圧の 1.25 倍以上の値にしま す。1.5 倍が確実なガイドラインです。AC の RMS 入力電流 は、式 18 に示す負荷に応じて変化します。 I RMS = 2 DC – DC ⋅ I O ( 式 18) ここで、DC は PWM のデューティ・サイクルです。 入力コンデンサによって供給される RMS 電流が最大になる のは、式 19 に示すように VIN = 2 X VOUT、DC = 50% のとき です。 1 I RMS = --- × I O 2 ( 式 19) 異種の入力バイパス・コンデンサを組み合わせて使用し、 MOSFET 両端のリップル電圧を制御します。セラミック・コ ンデンサを使用して高周波をデカップリングし、バルク・コ ンデンサを使用して RMS 電流を供給します。小容量のセラ ミック・コンデンサを MOSFET のすぐ近くに配置して、寄 生回路インピーダンスによって誘導された電圧を抑えるこ とができます。 固体タンタル・コンデンサを使用することはできますが、コ ンデンサのサージ電流定格に関して注意する必要がありま す。これらのコンデンサは電源投入時にサージ電流を処理で きる必要があります。 FN8666.3 2015 年 6 月 4 日 ISL8117 改訂履歴 この改訂履歴は参考情報として掲載するものであり、正確を期すように努めていますが、内容を保証するものではありません。最新 のデータシートは、インターシルのウェブサイトでご確認ください。 日付 レビジョン 変更点 2015 年 6 月 4 日 FN8666.3 1 ページの説明で、 「13 個の外付け部品で」を「10 個の外付け部品で」に変更。 3 ページの「ピンの説明」の EN で、 「このピンの電圧が 1.3V に達すると、出力は動作状態になり ます」を「このピンの電圧が 1.6V に達すると、出力は動作状態になります」に変更。 14 ページの右のコラムで、「過剰な電力損失によってダイ温度が +150 ℃より高くなると、サーマ ル・プロテクションが作動する場合があります」を「過剰な電力損失によってダイ温度が +160 ℃ より高くなると、サーマル・プロテクションが作動する場合があります」に変更。 14 ページの右のコラムで、「EN ピンの電圧が 1.3V より高くなると、コントローラはイネーブルさ れ、その内部回路が起動します」を「EN ピンの電圧が 1.6V より高くなると、コントローラはイ ネーブルされ、その内部回路が起動します」に変更 2015 年 5 月 12 日 FN8666.2 図 1、4、および 5 を差し替え。 3 ページ MOD/SYNC ピンの説明を更新。 2015 年 5 月 6 日 FN8666.1 データシート全体にわたって HTSSOP パッケージ / 製品情報を追加。 7 ページで、 「IVINOP」パラメータの代表値を「3mA」から「2.5mA」に更新。 17 ページの「過電圧保護」セクションに第 2 段落を追加。 2015 年 4 月 10 日 FN8666.0 初版 インターシルについて インターシルは、革新的なパワーマネジメントと高精度アナログ・ソリューションのプロバイダとして世界をリードしてい ます。インターシルの製品は、産業用機器 / インフラ、モバイル・コンピューティング、ハイエンド・コンシューマの分野で 特に規模の大きな市場向けに開発されています。 最新のデータシート、アプリケーション・ノート、関連ドキュメント、関連製品については、www.intersil.com の各製品情報 ページを参照してください。 本データシートに対するご意見は www.intersil.com/ask にお寄せください。 信頼性に関するデータも www.intersil.com/support に掲載されています。 そのほかの製品については www.intersil.com/product_tree/ を参照してください。 インターシルは、www.intersil.com/design/quality/ に記載の品質保証のとおり、 ISO9000 品質システムに基づいて、製品の製造、組み立て、試験を行っています。 インターシルは、製品を販売するにあたって、製品情報のみを提供します。インターシルは、いかなる時点においても、予告なしに、回路設計、ソフ トウェア、仕様を変更する権利を有します。製品を購入されるお客様は、必ず、データシートが最新であることをご確認くださいますようお願いいた します。インターシルは正確かつ信頼に足る情報を提供できるよう努めていますが、その使用に関して、インターシルおよび関連子会社は責を負いま せん。また、その使用に関して、第三者が所有する特許または他の知的所有権の非侵害を保証するものではありません。インターシルおよび関連子会 社が所有する特許の使用権を暗黙的または他の方法によって与えるものではありません。 インターシルの会社概要については www.intersil.com をご覧ください。 Submit Document Feedback 21 FN8666.3 2015 年 6 月 4 日 ISL8117 パッケージ寸法図 L16.4x4A 16 LEAD QUAD FLAT NO-LEAD PLASTIC PACKAGE Rev 3, 03/15 2.40 4.00 A 4X 1.50 B 6 13 PIN #1 INDEX AREA 16 6 PIN 1 INDEX AREA 12 1 4.00 12X 0.50 2.40 4 9 0.15 (4X) 5 8 上面図 0.10 M C A B 4 0.25 +0.05 -0.07 16x 0.40±0.01 底面図 SEE DETAIL "X" 0.90±0.10 0.10 C SEATING PLANE C 0.08 C 側面図 (3.8 TYP) ( 2.40) (12x 0.50) C 0.20 REF (16x 0.25) (16x 0.60) 5 +0.03/-0.02 "X" の詳細 推奨ランドパターンの例 NOTE： 1. 寸法の単位は mm です。 ( ) 内の寸法は参考値です。 2. 寸法と公差は ASME Y14.5M-1994 に従っています。 3. 特記のない限り、公差は DECIMAL± 0.05 です。 4. 寸法は金属端子に適用され、端子の先端から 0.15mm ～ 0.30mm の 間で測定されています。 5. タイバー ( 示されている場合 ) は非機能性です。 6. 1 ピンの識別子の配置はオプションですが、表示の領域内に配置す る必要があります。1 ピンの識別子はモールドまたはマーキングで 示されます。 Submit Document Feedback 22 FN8666.3 2015 年 6 月 4 日 ISL8117 パッケージ寸法図 M16.173A 16 LEAD HEATSINK THIN SHRINK SMALL OUTLINE PACKAGE (HTSSOP) Rev 1, 2/15 A 1 3 3.00 ±0.10 5.00 ±0.10 SEE DETAIL "X" 9 16 PIN #1 I.D.MARK 6.40 4.40 ±0.10 2 3.00 ±0.10 3 0.20 C B A 1 8 B 0.65 EXPOSED THERMAL PAD 0.09 TO 0.20 端面図 底面図 上面図 - 0.05 H 1.00 REF C 1.20 MAX SEATING PLANE 0.90 +0.15/-0.10 GAUGE PLANE 0.25 +0.05/-0.06 5 0.10 M C B A 0.10 C 0.25 0°-8° 0.05 MIN 0.15 MAX 側面図 0.60 ±0.15 "X" の詳細 (1.45) NOTE： (5.65) ( 3.00) 1. 寸法にはモールドのバリ、突起、ゲートのバリを含みません。 モールドのバリ、突起、ゲートのバリは片側につき 0.15 を超えな いものとします。 2. 寸法にはリード間のバリや突起を含みません。リード間のバリまた は突起は片側につき 0.25 を超えないものとします。 3. 寸法は基準面 H で測定しています。 4. 寸法と公差は ASME Y14.5M-1994 に従っています。 5. 寸法にはダムバーの突起を含みません。許容できる突起は材料の最 大状態時の寸法超過分が合計で 0.08mm とします。突起と隣接リー ドとの最小間隔は 0.07mm です。 (0.65 TYP) (0.35 TYP) 推奨ランドパターンの例 Submit Document Feedback 23 6. ( ) 内の寸法は参考値です。 7. JEDEC MO-153 に準拠しています。 FN8666.3 2015 年 6 月 4 日