〔1〕記号と用語 Symbols and terms 1）全般 Whole 記号 Symbols 用 語 Terms 定 義 Definitions Tstg 保存温度範囲 保存（非動作時）の周囲温度範囲 Storage Temperature Range Range of ambient temperature while not operating Tjw 動作接合温度範囲 動作時の接合温度許容範囲 Operating Junction Temperature Range Range of junction temperature while operating Tj 接合温度 Junction Temperature 接合部の温度 Junction Temperature Tc ケース温度 Case Temperature ケース部の温度 Case Temperature Ta 周囲温度 Ambient Temperature 周囲の温度 Ambient Temperature Tf 冷却体温度 Fin Temperature 冷却フィンの温度 Fin Temperature Rth 熱抵抗 Thermal Resistanse 熱的平衡状態にあるときの２点間の単位損失あたりの温度差 Temperature difference per watt between two points after thermal balance is established rth 過渡熱抵抗 熱的過渡状態にあるときの２点間の単位損失あたりの温度差 Transient Thermal Resistanse Temperature difference per watt between two points when being in a thermal transient state Rth(j-c) 接合部−ケース間熱抵抗 接合部−ケース間の熱抵抗 Thermal Resistanse Junction to Case Thermal Resistanse Rth(c-f) 接触熱抵抗 Thermal Resistanse ケース−フィン間の熱抵抗 Case to Fin Thermal Resistanse F 締め付けトルク Mounting Torque ネジに印加できるトルクの最大値 Maximum value of clamping torque Viso 絶縁耐圧 Isolation Voltage 規定条件における全端子と金属ベース間の絶縁耐圧 Isolation Voltage of all terminal to metal base at specified condition 2）ダイオードモジュール Diode Module 記号 Symbols 用 語 Terms 定 義 Definitions IO(AV) 平均整流電流 商用周波数（50Hz/60Hz)で流しうる最大平均電流 Average rectified output current Maximum average fowerd current of commercial frequency (50Hz/60Hz) sin wave IF(RMS) 実効順電流 RMS Fowerd current 連続して通電できる順電流の実効値 Maximum RMS value of continuous fowerd current IFM ピーク順電流 Peak fowerd current 順電流のピーク値 Peak fowerd current IFSM サージ順電流 Surge fowerd current 正弦波１サイクルを非繰り返しで流しうる最大順電流のピーク値 Non-repetitive maximum peak forword current in one cycle of sin wave IRM ピーク逆電流 Peak reverse current 規定の逆電圧を印加したときに流れる逆電流のピーク値 Peak reverce current at specified forward current I 電流二乗時間積 Current squared time 10ms未満 2 msまでの非繰り返しピーク順電流を計算するための値 Value toestimate non-repetitive peak forward current for 10ms to 2ms pulse width VFM ピーク順電圧 Peak fowerd voltage 規定の順電流を流したときの順電圧のピーク値 Peak fowerd voltage at specified forward current VRRM 繰り返しピーク逆電圧 繰り返し印加できる逆電圧のピーク値 Repetitive peak reverse voltage Allowable peak reverse voltage repetitively VRSM 非繰り返しピーク逆電圧 非繰り返しで印加できる逆電圧のピーク値 Non repetitive peak reverse voltage Allowable peak reverse voltage non-repetitively trr 逆回復時間 Reverse recovery time PF(AV) 平均順電力損失 規定の順電流を流したときの電力損失の平均値 Average forward power dissipation Average forward power dissipation at specified forward current 順方向通電状態から逆方向にスイッチするときに、逆阻止能力を回復するまでの時間（図1. t1∼t3） Time required to recover blocking capability after current is switched from forward to reverse（Fig1.t1 to t3) ─ 8 ─ 3）サイリスタモジュール Thyristor Module 記号 Symbols 用 語 Terms 活 定 義 Definitions IO(AV) 平均オン電流 商用周波数（50Hz/60Hz)で流しうる最大オン電流の平均値 Average rectified output current Maximum average on-state current of commercial frequency (50Hz/60Hz) sin wave IT(RMS) 実効オン電流 RMS on-state current 連続して通電できるオン電流の実効値 Maximum RMS value of continuous on-state current ITM ピークオン電流 Peak on-state current オン電流のピーク値 Peak on-state current ITSM サージオン電流 Surge on-state current 正弦波１サイクルを非繰り返しで流しうる最大オン電流のピーク値 Non-repetitive maximum peak on-state current in one cycle of sin wave IDM ピークオフ電流 Peak off-state current 規定のオフ電圧を印加したときに流れるオフ電流のピーク値 Peak reverce current at specified forward current IRM ピーク逆電流 Peak reverse current 規定の逆電圧を印加したときに流れる逆電流のピーク値 Peak reverce current at specified forward current I 電流二乗時間積 Current squared time 10ms未満 2 msまでの非繰り返しピークオン電流を計算するための値 Value toestimate non-repetitive peak on-state current for 10ms to 2ms pulse width VTM ピークオン電圧 Peak on-state voltage 規定の順電流を流したときのオン電圧のピーク値 Peak on-state voltage at specified on-state current VDRM 繰り返しピークオフ電圧 繰り返し印加できるオフ電圧のピーク値 Repetitive peak off-state voltage Allowable peak off-state voltage repetitively VDSM 非繰り返しピークオフ電圧 非繰り返しで印加できるオフ電圧のピーク値 Non repetitive peak off-state voltage Allowable peak off-state voltage non-repetitively VRRM 繰り返しピーク逆電圧 繰り返し印加できる逆電圧のピーク値 Repetitive peak reverse voltage Allowable peak reverse voltage repetitively VRSM 非繰り返しピーク逆電圧 非繰り返しで印加できる逆電圧のピーク値 Non repetitive peak reverse voltage Allowable peak reverse voltage non-repetitively di/dt 許容できるオン電流上昇率の最大値 臨界オン電流上昇率 Critical rate of rise of turned-on current Maximum allowable increase rate of on-state current PGM ピークゲート電力損失 Peak gate power ゲートに連続して許容される電力損失のピーク値 Maximum peak value of power dissipation continuously allowable of gate PG(AV) 平均ゲート電力損失 Average gate power ゲートに連続して許容される電力損失の平均値 Maximum average of power dissipation continuously allowable of gate IGM ピークゲート電流 Peak gate current ゲートに許容される順電流のピーク値 Allowable peak forward current of gate VGM ピークゲート電圧 Peak gate voltage ゲートに許容される順電圧のピーク値 Allowable peak forward voltage of gate VRGM ピークゲート逆電圧 ゲートに許容される逆電圧のピーク値 Peak gate reverse voltage Allowable peak reverse voltage of gate IGT トリガゲート電流 Gate current to trigger オンさせるのに必要な最小ゲート電流 Mimimum gate current required to turn on VGT トリガゲート電圧 Gate voltage to trigger オンさせるのに必要な最小ゲート電圧 Mimimum gate voltage required to turn on VGD 非トリガゲート電圧 オフ状態からオン状態へスイッチしない最大のゲート電圧 Gate non-trigger voltage Maximum gate voltage which is not switched to an ON state from an OFF state dv/dt オン状態へスイッチすることなく印加できるオフ電圧上昇率の最大値 臨界オフ電圧上昇率 Critical rate of rise of off-state voltage Maximum of the OFF voltage increasing rate which can be impressed without switching to an ON state IL ラッチング電流 Latching current オフ状態からオン状態へスイッチさせた後、トリガゲート電流を取り去ってもオン状態を保つ必要最小のオン電流 The minimum required on-state current which maintains an ON state even if it removes trigger gate current, after making it switch to an ON state from an OFF state IH 保持電流 Holding current オン状態を維持するのに必要な最小のオン電流 The minimum on-state current required to maintain an ON state tq ターンオフ時間 Turn-off time 順方向通電後、素子がオフ状態になってゲートの制御能力を回復するまでの時間 Time until an element will be in an OFF state and it recovers the control capability of a gate after passing on-state current tgt ターンオン時間 Turn-on time 図2. t1∼t3間の時間 Fig2. Time between t1 and t3 PD(AV) 平均順電力損失 規定のオン電流を流したときの電力損失の平均値 Average on-state power dissipation Average on-state power dissipation at specified on-state current ─ 9 ─ 用 の 手 引 き 4）MOSモジュール MOS Module 記号 Symbols 用 語 Terms 定 義 Definitions VDSS ドレイン−ソース間電圧 ゲート−ソース間を短絡した上でドレイン−ソース間に印加できる電圧のピーク値 Allowable peak voltage between drain and source with gate short-circuited to source Drain-source voltage VGSS ゲート−ソース間電圧 Gate-source voltage ID ドレイン電流 連続して流せるドレイン電流の最大値 Continuous drain current Maximum allowable continuous value of drain current IDM パルスドレイン電流 Pulsed drain current PD 全損失 ケース温度25℃での最大許容電力損失 Total power dissipation Maximum allowable power dissipation at 25℃ IDSS ドレイン遮断電流 ゲート−ソース間を短絡し、ドレイン−ソース間に規定の電圧を印加した時流れるドレイン電流 Zero gate voltage drain current Drain current at specified voltage between drain and source with gate short-circuited to source VGS(th) ゲート−ソース間しきい値電圧 規定のドレイン電流を流すのに必要なゲート−ソース間電圧 Gate-source threshold voltage Voltage between gate to sauce required to pass specified drain current IGSS ゲート−ソース間もれ電流 ドレイン−ソース間を短絡し、ゲート−ソース間に規定の電圧を印加した時流れるゲート電流 Gate-source leakage current Gate current at specified voltage between gate and source with drain short-circuited to source ドレイン−ソース間を短絡した上でゲート−ソース間に印加できる電圧のピーク値 Allowable peak voltage between gate and source with drain short-circuited to source 1 ms以内の時間で流せるドレイン電流の最大値 Maximum of the drain current which can be passed in time for less than 1ms rDS(on) ドレイン−ソース間オン抵抗 規定のドレイン電流を流したときのドレイン−ソース間の直流抵抗 Drain-source on-resistance DC resistance between drain and source at specified drain current VDS(on) ドレイン−ソース間オン電圧 規定のドレイン電流を流したときのドレイン−ソース間のオン電圧 Drain-source on-voltage On-voltage between drain and source at specified drain current gtg 順伝達コンダクタンス 規定のドレイン電流を流したときのドレイン電流と、そのとき印加したゲート−ソース間電圧との比 Forward transconductance The ratio of the drain current when passing specified drain current, and the voltage between gate to sauce then impressed Ciss 入力容量 Input capasitance ドレイン−ソース間を交流的に短絡したときの、ゲート−ソース間からみた素子内部の容量 Capacity inside the element seen from between the gate to sauce when short-circuiting between drain to sauce in exchange Coss 出力容量 Output capasitance ゲート−ソース間を交流的に短絡したときの、ドレイン−ソース間からみた素子内部の容量 Capacity inside the element seen from between the drain to sauce when short-circuiting between gate to sauce in exchange Crss 帰還容量 ソース−接地間を交流的に短絡したときの、ドレイン−ゲート間からみた素子内部の容量 Reverce transfer capasitance Capacity inside the element seen from between the drain to gate when short-circuiting between source to ground in exchange td(on) ターンオン遅延時間 Turn-on derey time ターンオン時において、ゲート電圧が最終値の10％に達する時間から、初期のドレイン電圧が90％に下降するまでの時間 Time until early drain voltage descends to 90% from time for gate voltage to reach 10% of the last value at the time of turn-on tr 上昇時間 Rise time ターンオン時において、初期のドレイン電圧が90％に下降する時間から、10％に下降するまでの時間 Time until it descends to 10% from time for early drain voltage to descend to 90% at the time of turn-on rd(off) ターンオフ遅延時間 Turn-off derey time ターンオフ時において、ゲート電圧が90％に下降する時間から、ドレイン電圧が最終値の10％に上昇するまでの時間 Time until drain voltage rises to 10% of the last value from time for gate voltage to descend to 90% at the time of turn-off tf 下降時間 Fall time ターンオフ時において、ドレイン電圧が最終値の10％に上昇する時間から、90％に上昇するまでの時間 Time until it goes up to 90% from time for drain voltage to rise to 10% of the last value at the time of turn-off IS ソース電流 ソースからドレインへ連続して流せる内部ダイオードの電流の最大値 Continuous source current Maximum of the current of the internal diode which can be continuously poured from sauce to drain ISM パルスソース電流 Pulse source current ソースからドレインへ 1 ms以内の時間で流せる内部ダイオードの電流の最大値 Maximum of the current of the internal diode which can be poured from sauce in time for less than 1ms to drain VSD ダイオード順電圧 Diode forward voltage ゲート−ソース間を短絡し、内部ダイオードに規定の電流を流したときの電圧降下 Diode forward voltage at specified source current with gate short-circuited to source ─ 10 ─ 5）IGBTモジュール IGBT Module 記号 Symbols 活 用 語 Terms 定 義 Definitions VCES コレクタ−エミッタ間電圧 ゲート−エミッタ間を短絡した上でコレクタ−エミッタ間に印加できる電圧のピーク値 Collector-emitter voltage Allowable peak voltage between collector and emitter with gate short-circuited to emitter VGES ゲート−エミッタ間電圧 コレクタ−エミッタ間を短絡した上でゲート−エミッタ間に印加できる電圧のピーク値 Allowable peak voltage between gate and emitter with collector short-circuited to emitter Gate-emitter voltage IC コレクタ電流 Collector current ICP コレクタ電流（１ms ） １ms以内の時間で流せるコレクタ電流の最大値 Collector current (1ms) Maximum of the collector current which can be passed in time for less than 1ms PC コレクタ損失 ケース温度25℃での最大許容電力損失 Collector power dissipation Maximum allowable power dissipation at 25℃ ICES コレクタ遮断電流 ゲート−エミッタ間を短絡し、コレクタ−エミッタ間に規定の電圧を印加した時流れるコレクタ電流 Collector-emitter ctt-off current Collector current at specified voltage between collector and emitter with gate short-circuited to emitter VGE(th) ゲートしきい値電圧 規定のコレクタ電流を流すのに必要なゲート−エミッタ間電圧 Gate-emitter threshold voltage Voltage between gate to emitter required to pass specified collector current IGES ゲートもれ電流 コレクタ−エミッタ間を短絡し、ゲート−エミッタ間に規定の電圧を印加した時流れるゲート電流 Gate-emitter leakage current Gate current at specified voltage between gate and emitter with collector short-circuited to emitter VCE(sat) コレクタ−エミッタ間飽和電圧 規定のコレクタ電流を流したときのコレクタ−エミッタ間の電圧 Collector-emitter saturation voltage On-voltage between collector and emitter at specified collector current Cies 入力容量 Input capasitance コレクタ−エミッタ間を交流的に短絡したときの、ゲート−エミッタ間からみた素子内部の容量 Capacity inside the element seen from between the gate to emitter when short-circuiting between collector to emitter in exchange ton ターンオン時間 Turn-on time ターンオン時において、ゲート電圧が最終値の10％に達する時間から初期のコレクタ電圧が90％に下降するまでの時間 Time until early collector voltage descends to 90% from time for gate voltage to reach 10% of the last value at the time of turn-on tr 上昇時間 Rise time ターンオン時において、初期のコレクタ電圧が90％に下降する時間から10％に下降するまでの時間 Time until it descends to 10% from time for early collector voltage to descend to 90% at the time of turn-on toff ターンオフ時間 Turn-off time ターンオフ時において、ゲート電圧が90％に下降する時間からコレクタ電流が10％に下降するまでの時間 Time until collector current rises to 10% of the last value from time for gate voltage to descend to 90% at the time of turn-off tf 下降時間 Fall time ターンオフ時において、初期のコレクタ電流が90％に下降する時間から10％に下降するまでの時間 Time until it descends to 10% from time for early collector current to descend to 90% at the time of turn-off IF 順電流 Forward current エミッタからコレクタへ連続して流せる内部ダイオードの電流の最大値 Maximum of the current of the internal diode which can be continuously poured from emitter to collector IFM 順電流（１ms ） Forward current (1ms) エミッタからコレクタへ１ms以内の時間で流せる内部ダイオードの電流の最大値 Maximum of the current of the internal diode which can be poured from emitter in time for less than 1ms to collector VF ダイオード順電圧 Diode forward voltage ゲート−エミッタ間を短絡し、内部ダイオードに規定の電流を流したときの電圧降下 Diode forward voltage at specified emitter current with gate short-circuited to emitter 連続して流せるコレクタ電流の最大値 Maximum allowable continuous value of collector current ─ 11 ─ 用 の 手 引 き 6．用語解説用波形 活 ２）サイリスタスイッチング波形 １）ダイオード逆回復波形 サイリスタのターンオン及びターンオフ波形を図２に ダイオードの逆回復波形は図１に示す。尚、MOSFET の 示す。 はIF値をISと表現。 用 手 ａ．ゲート電流波形 IF 引 IG t1 t2 き t3 0.1IG 0 0 時間 ｂ．ターンオン電圧波形 0.5IRrM 0.1V′ T VDRM 0.9IRrM IRrM 0.9V′ T V′ T 図1 VT 0 時間 t1 t2 t3 ｃ．ターンオフ電圧 VT 0 VR ｄ．ターンオフ電流 IT 0 t1 t2 図2 ─ 12 ─