SyncMOS Technologies International, Inc. APN-200706-01 June 2007 新茂 MCU 使用注意事項 適用產品:適合於新茂全系列產品 主旨: 為使客戶能有效的使用新茂 MCU,以避免因電源或輸出入信號…等的異常,而造成 MCU 不可預期之毀損,致使客戶系統動作錯誤。故將相關建議事項條列如下,以供客戶設計電路時之 參考。 建議事項: 1 使用新茂MCU時,VDD請依規格書建議值,電壓請保持於基準值 ± 10%以內,電流請保持於 動態電流額定最大值以內;以免新茂MCU因超限使用毀損,而致使客戶系統動作錯誤。基於 提供給新茂MCU穩定之VDD,有幾點建議簡述如下: 1.1 為提供給新茂MCU穩定之直流VDD,外加交流電源整流濾波後直流電源的穩定是必要 的。必要時再加上大型濾波電容組(建議 330uF~1000uF電解電容並接 0 .1uF/250V陶瓷 電容)以穩定整流濾波後直流電源,並對交流電源部分之系統接地(大型濾波電容組的 接地必須與金屬機殼相接,若能接到整個作業場所的共接地更好)。 1.2 在電源開關未關閉的情況下,請避免直接插拔電源插頭,以免系統承受過多瞬間異常電 壓而損壞。 1.3 交流電源串接適當規格保險絲以保護客戶之系統是必要的。 1.4 交流電源加上突波吸收器(Tube)(反應速率快、耐用度高、價格貴),或是變阻器 (VARISTOR)(反應速率較慢、耐用度時間較短、價格便宜)以抑制瞬間異常高壓 (Spike),保護客戶之系統是必要的。 1.5 為提供給新茂MCU穩定之直流VDD,VDD需加上一電解電容(100uF/16V)及一陶瓷電容 (0.1uF/16V)並連接地。元件焊接擺放位置要越接近IC的VDD,穩壓效果越好。 1.6 VDD前建議接上一適當之zenor diode (1/4W)並連接地,也可保護到MCU,抑制瞬間異常 電壓。 Specifications subject to change without notice, contact your sales representatives for the most recent information. 1/2 APN-200706-01 Ver 1.0 2007/06 SyncMOS Technologies International, Inc. 2 APN-200706-01 June 2007 使用新茂MCU時,各個輸出入腳位之電壓及電流,請依規格書建議值,電壓VIH請保持於VDD +0.5V至 2.0V、電壓VIL請保持於 0.8V至Gnd- 0.5V;電流請保持於IOH及IOL額定最大值以內; 以免新茂MCU因超限使用毀損,而致使客戶系統動作錯誤。基於避免新茂MCU輸出 / 入接 腳因異常信號以致毀壞,有幾點建議簡述如下: 2.1 機板上之內含電感性的零件,瞬間啟動或是關閉切換功能時,其金屬接點皆會產生反電 動勢(突波電壓),逆向反饋流回 MCU 各個相關 I/O,若反電動勢電壓太高( > 10 V),且 多次反饋衝擊 I/O,便極有可能造成 I/O PAD 損傷,建議在 I/O 與電感性零件之間接上 一 By-pass 電容 { 陶瓷電容(0.1uF/16V)}或再加上 zenor diode (1/4W,break-down 電壓 7 ~ 8V 額定值) 並連接地。其位置越接近電感性的零件防禦效果越好。 2.2 若有馬達、繼電器或光耦合器….等的輸入-輸出端相接的應用環境時,MCU I/O 接腳建 議接上一反向二極體(1N4001~1N4004)再加上耐高壓的陶瓷電容(0.1uF/ 250V)並連接 地,可避免造成 I/O PAD 損傷,達到防護的效果。 Specifications subject to change without notice, contact your sales representatives for the most recent information. 2/2 APN-200706-01 Ver 1.0 2007/06