PowerMOSFET ■外観図 F31W60CP OUTLI NE Package：MTO3P t ：mm Uni 600V31A 特 長 煙低オン抵抗 煙高速スイッチング 0000 31W60CP Feat ur e 煙LowRON 煙Fas tSwi t chi ng 外形図については新電元Webサイトをご参照下さい。 捺印表示については捺 印仕様をご確認下さい。 Fordet ai l soft heout l i nedi mens i ons ,r ef ert o ourweb s i t e.Asf ort he mar ki ng,r ef ert ot hes peci f i cat i on" Mar ki ng,Ter mi nalConnect i on" . ■定格表 RATI NGS ●絶対最大定格 項 Abs ol ut eMaxi mum Rat i ngs （指定のない場合 目 I t em 記号 Sy mbol 保存温度 St or a geT e mpe r a t ur e チャネル温度 Cha nne l T e mpe r a t ur e ドレイン・ソース間電圧 Dr a i nSour c eV ol t a ge ゲート・ソース間電圧 Dr a i nSour c eV ol t a ge ドレイン電流（直流） Cont i nuousDr a i nCur r e nt( DC) ドレイン電流（ピーク） Cont i nuousDr a i nCur r e nt( Pe a k ) ソース電流（直流） Cont i nuousSour c eCur r e nt( DC) 全損失 T ot a l Powe rDi s s i pa t i on 締め付けトルク Mount i ngT or que ●電気的・熱的特性 項 条 件 Condi t i ons ドレイン・ソース間降伏電圧 Dr a i nSour c eBr e a k downV ol t a ge ドレイン遮断電流 Ze r oGa t eV ol t a geDr a i nCur r e nt ゲート漏れ電流 Ga t e Sour c eLe a k a geCur r e nt 順伝達コンダクタンス F or wa r dT r a ns c onduc t a nc e ドレイン・ソース間オン抵抗 St at i cDr ai nSour ceOns t at eRes i s t ance ゲートしきい値電圧 Ga t eThr e s s hol dV ol t a ge ソース・ドレイン間ダイオード順電圧 Sour c e Dr a i nDi odeF or wa deV ol t a ge 熱抵抗 The r ma l Re s i s t a nc e ゲート全電荷量 T ot a l Ga t eCha r ge 入力容量 I nputCa pa c i t a nc e 帰還容量 Re v e r s eT r a ns f e rCa pa c i t a nc e 出力容量 Out putCa pa c i t a nc e ターンオン遅延時間 T ur nonde l a yt i me 上昇時間 Ri s et i me ターンオフ遅延時間 T ur nof fde l a yt i me 下降時間 F a l l t i me 規格値 Rat i ngs 単位 Uni t Ts t g －5 5～1 5 0 Tc h 1 5 0 VDSS 6 0 0 VGSS ±3 0 I D I DP V 9 3 I S A 3 1 PT TOR ℃ 3 1 パルス幅 10 μs ,dut y=1/ 100 Pul s ewi dt h10µs ,dut y=1/ 100 1 2 0 W 0 . 8 N・m 規格値 Rat i ngs MI N TYP MAX 単位 Uni t （推奨値：0. 5N ・m） ( Re c omme nde dt or que: 0. 5N ・m) El ect r i calChar act er i s t i cs （指定のない場合 目 I t em 06〉） （MOSFET 〈2010. Tc＝2 5 ℃） 記号 Sy mbol Tc＝ 2 5 ℃） 条 件 Condi t i ons V mA, VGS＝0 V （BR） DSS I D＝1 6 0 0 ─ ─ I DSS VDS＝6 0 0 V, VGS＝0 V ─ ─ 1 0 I GSS VGS＝ ±3 0 V, VDS＝0 V ─ ─ ±0 . 1 gf s I 5 . 5 A, VDS＝1 0 V D＝ 1 1 0 . 7 2 1 . 5 ─ R 5 . 5 A, VGS＝1 0 V （DS） ON I D＝ 1 ─ 0 . 0 9 5 0 . 1 1 5 V μA S Ω VTH I mA, VDS＝1 0 V D＝ 1 2 . 5 3 . 0 3 . 5 VSD I 5 . 5 A, VGS＝0 V S＝ 1 ─ ─ 1 . 5 θj c 接合部・ケース間 J unc t i ont oc a s e ─ ─ 1 . 0 4 ℃/ W Qg VGS＝1 0 V, I 1 A, VDD＝4 0 0 V D＝3 ─ 6 0 Ci s s ─ 2 8 0 0 ─ Cr s s VDS＝ 1 0 0 V, VGS＝0 V, f ＝1 MHz ─ 1 . 5 ─ ─ Co s s ─ 1 3 0 ─ t d （o n） ─ 4 5 ─ t r I 5 . 5 A, VDD＝1 5 0 V, RL＝ 9 . 7 Ω D＝ 1 0 V, VGS V （＋）＝ 1 （－）＝0 t d （o f f ） VGS ─ 8 0 ─ ─ 2 3 0 ─ ─ 7 5 ─ t f www. s hi ndengen. c o. j p/ pr oduc t / s emi / V nC pF ns F31W60CP ■特性図 CHARACTERI STI C DI AGRAMS Typical Output Characteristics Transfer Characteristics Static Drain-Source On-static Resistance vs Drain Current Static Drain-Source On-static Resistance vs Case Temperature Gate Threshold Voltage vs Case emperature Safe Operating Area Transient Thermal Impedance Capacitance Characteristics Power Derating - Case Temperature Gate Charge Characteristics ＊Si newa veは5 0 Hzで測定しています。 ＊50Hzs i newav ei sus edf ormeas ur ement s . www. s hi ndengen. c o. j p/ pr oduc t / s emi / 06〉） （MOSFET 〈2010.