PowerMOSFET ■外観図 F47W60C3 OUTLI NE Package：MTO3P 16 ロット記号 （例） Date code 600V47A t ：mm Uni 5 ④ 特 長 品名 Type No. 煙低オン抵抗 煙高速スイッチング 0000 21 管理番号 （例） Control No. 47W60C3 Feat ur e 20 煙LowRON 煙Fas tSwi t chi ng ① ② ①: G ②:D ③: S ④:D ③ 外形図については新電元Webサイトをご参照下さい。 捺印表示については捺 印仕様をご確認下さい。 Fordet ai l soft heout l i nedi mens i ons ,r ef ert o ourweb s i t e.Asf ort he mar ki ng,r ef ert ot hes peci f i cat i on" Mar ki ng,Ter mi nalConnect i on" . ■定格表 RATI NGS ●絶対最大定格 項 Abs ol ut eMaxi mum Rat i ngs （指定のない場合 目 I t em 記号 Sy mbol 保存温度 St or a geT e mpe r a t ur e チャネル温度 Cha nne l T e mpe r a t ur e ドレイン・ソース間電圧 Dr a i nSour c eV ol t a ge ゲート・ソース間電圧 Dr a i nSour c eV ol t a ge ドレイン電流（直流） Cont i nuousDr a i nCur r e nt( DC) ドレイン電流（ピーク） Cont i nuousDr a i nCur r e nt( Pe a k ) ソース電流（直流） Cont i nuousSour c eCur r e nt( DC) 全損失 T ot a l Powe rDi s s i pa t i on 締め付けトルク Mount i ngT or que ●電気的・熱的特性 項 条 件 Condi t i ons ドレイン・ソース間降伏電圧 Dr a i nSour c eBr e a k downV ol t a ge ドレイン遮断電流 Ze r oGa t eV ol t a geDr a i nCur r e nt ゲート漏れ電流 Ga t e Sour c eLe a k a geCur r e nt 順伝達コンダクタンス F or wa r dT r a ns c onduc t a nc e ドレイン・ソース間オン抵抗 St at i cDr ai nSour ceOns t at eRes i s t ance ゲートしきい値電圧 Ga t eThr e s s hol dV ol t a ge ソース・ドレイン間ダイオード順電圧 Sour c e Dr a i nDi odeF or wa deV ol t a ge 熱抵抗 The r ma l Re s i s t a nc e ゲート全電荷量 T ot a l Ga t eCha r ge 入力容量 I nputCa pa c i t a nc e 帰還容量 Re v e r s eT r a ns f e rCa pa c i t a nc e 出力容量 Out putCa pa c i t a nc e ターンオン遅延時間 T ur nonde l a yt i me 上昇時間 Ri s et i me ターンオフ遅延時間 T ur nof fde l a yt i me 下降時間 F a l l t i me 規格値 Rat i ngs 単位 Uni t Ts t g －5 5～1 5 0 Tc h 1 5 0 VDSS 6 0 0 VGSS ±3 0 I D I DP V 1 4 1 I S A 4 7 PT TOR ℃ 4 7 パルス幅 10 μs ,dut y=1/ 100 Pul s ewi dt h10µs ,dut y=1/ 100 1 2 0 W 0 . 8 N・m 規格値 Rat i ngs MI N TYP MAX 単位 Uni t （推奨値：0. 5N ・m） ( Re c omme nde dt or que: 0. 5N ・m) El ect r i calChar act er i s t i cs （指定のない場合 目 I t em 06〉） （MOSFET 〈2010. Tc＝2 5 ℃） 記号 Sy mbol Tc＝ 2 5 ℃） 条 件 Condi t i ons V mA, VGS＝0 V （BR） DSS I D＝1 6 0 0 ─ ─ I DSS VDS＝6 0 0 V, VGS＝0 V ─ ─ 2 5 I GSS VGS＝ ±3 0 V, VDS＝0 V ─ ─ ±0 . 1 gf s I 3 . 5 A, VDS＝1 0 V D＝ 2 2 0 4 0 ─ S Ω R 3 . 5 A, VGS＝1 0 V （DS） ON I D＝ 2 V μA ─ 0 . 0 6 0 . 0 7 VTH I . 7 mA, VDS＝1 0 V D＝ 2 2 . 1 3 . 0 3 . 9 VSD I 3 . 5 A, VGS＝0 V S＝ 2 ─ ─ 1 . 5 θj c 接合部・ケース間 J unc t i ont oc a s e ─ ─ 1 . 0 4 ℃/ W Qg VGS＝1 0 V, I 7 A, VDD＝4 0 0 V D＝4 ─ 2 3 5 Ci s s ─ 7 0 0 0 ─ Cr s s VDS＝ 2 5 V, VGS＝0 V, f ＝1 MHz ─ 1 4 5 ─ ─ Co s s ─ 2 2 0 0 ─ t d （o n） ─ 8 0 ─ t r I 3 . 5 A, VDD＝1 5 0 V, RL＝ 6 . 3 Ω D＝ 2 0 V, VGS V （＋）＝ 1 （－）＝0 t d （o f f ） VGS ─ 1 4 0 ─ ─ 1 0 0 0 ─ ─ 1 4 0 ─ t f www. s hi ndengen. c o. j p/ pr oduc t / s emi / V nC pF ns F47W60C3 ■特性図 CHARACTERI STI C DI AGRAMS 伝達特性 ドレイン・ソース間オン抵抗─ドレイン電流 Typical Output Characteristics Transfer Characteristics Static Drain-Source On-static Resistance vs Drain Current Ｔｃ=−５５℃ ２５℃ １００℃ ８０ Pulse measurement Drain Current ID〔A〕 Drain Current ID〔A〕 ８０ ９４ Tc=25℃ TYP １０Ｖ ８Ｖ ６Ｖ ６０ ５Ｖ ４０ ２０ １５０℃ ６０ ４０ ５ １０ １５ ２０ ２０ VDS=20V TYP Pulse measurement ０ ０ ２５ Drain Source Voltage VDS〔V〕 ５ １０ １５ ２０ Gate Source Voltage VGS〔V〕 ゲートしきい値電圧─ケース温度 Static Drain-Source On-static Resistance vs Case Temperature Gate Threshold Voltage vs Case Temperature ０． ０１ −５５ ０ ５０ VGS＝10V Pulse test TYP １００ １５０ VGS＝１０V Tc＝２５℃ TYP Pulse measurement ０． ５ ０． ２ ０． １ ０． ０２ ０． ０１ １ Pulse measurement １０ ２０ 10μs ２ １ VDS＝１０V ID=２７ . mA TYP −５５ ０ １００ ５０ Case Temperature Tc〔℃〕 １５０ on） １０ RDS（on） Restricted space 100μs 200μs 1ms １ 10ms DC ０． １ Tc＝２５℃ Single pulse ０． ０１ ０ １０ １００ 全損失減少率─ケース温度 Capacitance Characteristics Power Derating - Case Temperature １０-２ １０-１ Time t〔s〕 １００ １０１ １０２ １０００ ８０ Power Derating〔%〕 ０.０１ １０-３ Ｃｉ ｓ ｓ １００００ ０.１ ０.００１ -５ １０ １０-４ １００ １０００００ Capacitance Ｃiss Coss Crss〔pF〕 Trancient Thermal Impedance θjc 〔℃/W〕 キャパシタンス特性 θjc θjc ６００ Drain Source Voltage VDS〔V〕 Transient Thermal Impedance １ １２０ １４１ １００ 過渡熱抵抗 １０ ５０ ４７ ３ Case Ｔemperature Tc〔℃〕 ５ Drain Current ID〔A〕 Safe Operating Area ４ ０ ２ 安全動作領域 Drain Current ID〔A〕 ID=２ =２３５ . A ０． １ ０． ００１ ５ Pulse measurement Gate Threshold Voltage ＶTH〔Ｖ〕 Static Drain-Source On-static Resistance RDS（ON）〔Ω〕 ドレイン・ソース間オン抵抗─ケース温度 １ １ ０． ０５ VＧS ＧS=４Ｖ ０ ０ Static Drain-Source On-state Resistance RDS(ON)〔Ω〕 出力特性 Ｃoｓ ｓ １００ Ｃrｓ ｓ ６０ ４０ ２０ １０ f＝１MHz Tc＝２５℃ TYP １ ０ ２０ ４０ ６０ ８０ Drain Source Voltage VDS〔Ｖ〕 １００ ０ ０ ２５ ５０ ７５ １００ １２５ Case Temperature Tc〔℃〕 １５０ ゲートチャージ特性 Drain Source Voltage VDS〔V〕 ５００ ４００ ID=４７A TYP ２０ VDS １５ VDD=４ =４００Ｖ ２００Ｖ １００Ｖ ３００ VＧS ＧS １０ ２００ ５ １００ ０ ０ Gate Source Voltage VGS〔V〕 Gate Charge Characteristics ８０ １６０ ２４０ ３２０ Total Gate Charge Qg〔nC〕 ０ ４００ ＊Si newa veは5 0 Hzで測定しています。 ＊50Hzs i newav ei sus edf ormeas ur ement s . www. s hi ndengen. c o. j p/ pr oduc t / s emi / 06〉） （MOSFET 〈2010.