30CTQ035S 30CTQ045S

30CTQ035S ... 30CTQ045S
30CTQ035S ... 30CTQ045S
High Temperature Schottky Rectifier – Common Cathode
Hochtemperatur Schottky Gleichrichterdiode – Gemeinsame Kathode
Version 2013-06-07
Nominal current
Nennstrom
1.2
10.25
4.5 ± 0.2
±0.5
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
4
Type
Typ
1
2
3
TO-263AB
D2PAK
Weight approx.
Gewicht ca.
1.3
5.08
1
2
3
1.6 g
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
4
Standard packaging in tubes
On request taped on 13” reel
(add “R” to the part number)
Standard Lieferform in Stangen
Auf Anfrage gegurtet auf 13” Rolle
(ergänze „R“ zur Artikelnummer)
Dimensions - Maße [mm]
Maximum ratings and Characteristics
Type
Typ
35...45 V
Plastic case
Kunststoffgehäuse
0.8
0.4
2 x 15 A
Green Molding
Halogen-Free1
Grenz- und Kennwerte
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
VRRM [V] 2)
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
VRSM [V] 2)
Forward voltage
Durchlass-Spannung
VF [V] 2), Tj = 25°C
IF = 5 A
IF = 15 A
30CTQ035S
35
35
< 0.52
< 0.62
30CTQ040S
40
40
< 0.52
< 0.62
30CTQ045S
45
45
< 0.52
< 0.62
Max. average forward current
Dauergrenzstrom
TC = 155°C
TC = 155°C
IFAV
IFAV
15 A 2) 3)
30 A 3) 4)
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
f > 15 Hz
IFRM
53 A 5)
Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle
TA = 25°C
IFSM
265/290 A 2)
Rating for fusing, t < 10 ms
Grenzlastintegral, t < 10 ms
TA = 25°C
i2t
351 A2s 2)
Tj
-50...+175°C
-50...+175°C
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
1
2
3
4
5
TS
From 4Q/2013 – Ab 4Q/2013
Per diode – Pro Diode
50% Duty cycle, rectangular waveform − 50% Tastverhältnis, Rechteckpuls
Per device (parallel operation) − Pro Bauteil (Parallelbetrieb)
Max. temperature of the case TC = 100°C – Max. Temperatur des Gehäuses TC = 100°C
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
1
30CTQ035S ... 30CTQ045S
Characteristics
Kennwerte
Leakage current
Sperrstrom
Tj = 25°C VR = VRRM
Tj = 125°C VR = VRRM
IR
Thermal resistance junction to case
Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse
< 50 µA
typ. 15 mA
< 3.25 K/W 1)
RthC
Maximum Junction Capacitance
Maximale Sperrschichtkapazität
900 pF 1)
Cj
120
103
[%]
[A]
100
2
10
Tj = 175°C
80
Tj = 125°C
10
60
Tj = 25°C
40
1
20
IF
IFAV
0
0
TC
50
100
150
30CTQ0xx
10-1
[°C]
0
Rated forward current vs. temp. of the case
Zul. Richtstrom in Abh. v. d. Temp. des Gehäuses
VF
0.4
0.8
[V] 1.4
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
10
2
Tj = 175°C
[mA]
Tj = 150°C
10
Tj = 125°C
1
Tj = 100°C
10-1
Tj = 75°C
IR
Tj = 50°C
Tj = 25°C
-2
10
0
VRRM 40
60
80
100
[%]
Typ. instantaneous leakage current vs. rev. voltage
Typ. Sperrstrom (Augenblickswert) ü. Sperrspannung
1
2
Per diode – Pro Diode
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