シングル N チャンネル MOSFET ELM51402FA-S ■概要 ■特長 ELM51402FA-S は低入力容量、 低電圧駆動、 低 ・ Vds=20V ON 抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。 ・ Id=1.0A ・ Rds(on) < 280mΩ (Vgs=4.5V) ・ Rds(on) < 340mΩ (Vgs=2.5V) ・ Rds(on) < 680mΩ (Vgs=1.8V) ■絶対最大定格値 項目 特に指定なき場合、Ta=25℃ 規格値 単位 記号 ドレイン - ソース電圧 Vds 20 V ゲート - ソース電圧 Vgs ±12 1.0 0.6 V 6 0.35 0.22 A Ta=25℃ Ta=70℃ 連続ドレイン電流 (Tj=150℃ ) Id パルス ・ ドレイン電流 Idm Tc=25℃ Tc=70℃ 最大許容損失 Pd 接合温度範囲及び保存温度範囲 Tj, Tstg A W - 55 ～ 150 ℃ ■熱特性 項目 最大接合部 - 周囲温度 記号 Rθja ■端子配列図 Typ. Max. 120 単位 ℃/W ■回路 � SC-70(TOP VIEW) 端子番号 1 端子記号 GATE 2 3 SOURCE DRAIN � � 5-1 シングル N チャンネル MOSFET ELM51402FA-S ■電気的特性 項目 記号 条件 特に指定なき場合、 Ta=25℃ Min. Typ. Max. 単位 静的特性 ドレイン - ソース降伏電圧 BVdss Id=250μA, Vgs=0V ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流 Idss ゲート漏れ電流 Igss ゲート ・ スレッシュホールド電圧 オン状態ドレイン電流 ドレイン - ソースオン状態抵抗 1 Vds=20V, Vgs=0V, Ta=85℃ 5 Vds=0V, Vgs=±12V Rds(on) Vgs=2.5V, Id=1.5A Vgs=1.8V, Id=1.2A 順方向相互コンダクタンス Gfs Vds=10V, Id=1.0A ダイオード順方向電圧 最大寄生ダイオード連続電流 Vsd Is Is=1.0A, Vgs=0V 動的特性 入力容量 出力容量 Ciss Coss Crss ゲート - ソース電荷 Qgs Qg V Vds=20V, Vgs=0V Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA Id(on) Vgs=4.5V, Vds=5V Vgs=4.5V, Id=1.8A 帰還容量 スイッチング特性 総ゲート電荷 20 Vgs=0V, Vds=10V, f=1MHz Vgs=4.5V, Vds=10V Id=1.2A ゲート - ドレイン電荷 ターン ・ オン遅延時間 Qgd td(on) ターン ・ オン立ち上がり時間 ターン ・ オフ遅延時間 ターン ・ オフ立ち下がり時間 tr RL=20Ω, Id=1.2A td(off) Rgen=1Ω tf Vgs=4.5V, Vds=10V 5-2 0.4 1.0 ±100 nA 1.0 V A 240 280 300 600 340 680 1 0.65 μA mΩ S 1.20 1.0 V A 70 20 pF pF 8 pF 1.06 1.38 nC 0.18 nC 0.32 18 26 nC ns 20 70 25 28 110 40 ns ns ns AFN1304 Alfa-MOS 20V N-Channel Technology Mode MOSFET シングル N チャンネル Enhancement MOSFET ELM51402FA-S Typical Characteristics ■標準特性と熱特性曲線 ©Alfa-MOS Technology Corp. Rev.A Oct. 2010 www.alfa-mos.com Page 3 5-3 AFN1304 Alfa-MOS 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET シングル N チャンネル MOSFET Technology ELM51402FA-S Typical Characteristics ©Alfa-MOS Technology Corp. Rev.A Oct. 2010 www.alfa-mos.com Page 4 5-4 AFN1304 Alfa-MOS 20V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET シングル N チャンネル MOSFET ELM51402FA-S Typical Characteristics ■テスト回路と波形 ©Alfa-MOS Technology Corp. Rev.A Oct. 2010 www.alfa-mos.com Page 5 5-5