シングル N チャンネル MOSFET ELM53400CA-S ■概要 ■特長 ELM53400CA-S は低入力容量、 低電圧駆動、 低 ・ Vds=20V ON 抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。 ・ Id=1.8A (Vgs=4.5V) ・ Rds(on) < 280mΩ (Vgs=4.5V) ・ Rds(on) < 340mΩ (Vgs=2.5V) ・ Rds(on) < 750mΩ (Vgs=1.8V) ■絶対最大定格値 項目 特に指定なき場合、Ta=25℃ 規格値 単位 記号 ドレイン - ソース電圧 Vds 20 V ゲート - ソース電圧 Vgs ±12 1.8 1.2 V 6 1.25 0.80 A Ta=25℃ Ta=70℃ 連続ドレイン電流 (Tj=150℃ ) Id パルス ・ ドレイン電流 Idm Tc=25℃ Tc=70℃ 最大許容損失 Pd 接合温度範囲及び保存温度範囲 Tj, Tstg A W - 55 ～ 150 ℃ ■熱特性 項目 記号 最大接合部 - 周囲温度 Rθja ■端子配列図 Typ. Max. 単位 120 ℃/W ■回路 � SOT-23(TOP VIEW) � � � 端子番号 1 端子記号 GATE 2 SOURCE 3 DRAIN � � 5-1 シングル N チャンネル MOSFET ELM53400CA-S ■電気的特性 項目 記号 特に指定なき場合、Ta=25℃ Min. Typ. Max. 単位 条件 静的特性 ドレイン - ソース降伏電圧 BVdss Id=250μA, Vgs=0V 20 ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流 Idss Vds=20V, Vgs=0V ゲート漏れ電流 Igss Vds=0V, Vgs=±12V Ta=85℃ ゲート ・ スレッシュホールド電圧 Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA 0.4 オン状態ドレイン電流 Id(on) Vgs=4.5V, Vds=5V 1.8 ドレイン - ソースオン状態抵抗 順方向相互コンダクタンス ダイオード順方向電圧 V 1 5 μA ±100 nA 1.0 V A Vgs=4.5V, Id=1.8A Rds(on) Vgs=2.5V, Id=1.5A 220 260 280 340 Vgs=1.8V, Id=1.2A Vds=10V, Id=1.0A Is=1.0A, Vgs=0V 540 1 0.65 750 Gfs Vsd 最大寄生ダイオード連続電流 動的特性 入力容量 Is Ciss 出力容量 Coss 帰還容量 スイッチング特性 総ゲート電荷 Crss Qg Vgs=0V, Vds=10V, f=1MHz Vgs=4.5V, Vds=10V Id=1.2A ゲート - ソース電荷 ゲート - ドレイン電荷 ターン ・ オン遅延時間 Qgs Qgd td(on) ターン ・ オン立ち上がり時間 ターン ・ オフ遅延時間 ターン ・ オフ立ち下がり時間 tr td(off) Rgen=1Ω tf Vgs=4.5V, Vds=10V RL=20Ω, Id=1.2A 5-2 mΩ 1.20 S V 1 A 70 pF 20 pF 8 pF 1.06 1.38 nC 0.18 0.32 18 26 nC nC ns 20 70 25 28 110 40 ns ns ns AFN2306A Alfa-MOS 20V N-Channel Technology Mode MOSFET シングル N チャンネル Enhancement MOSFET ELM53400CA-S Typical Characteristics ■標準特性と熱特性曲線 ©Alfa-MOS Technology Corp. Rev.A Oct. 2010 www.alfa-mos.com Page 3 5-3 AFN2306A Alfa-MOS 20V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET シングル N チャンネル MOSFET ELM53400CA-S Typical Characteristics ©Alfa-MOS Technology Corp. Rev.A Oct. 2010 www.alfa-mos.com Page 4 5-4 AFN2306A Alfa-MOS 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Technology シングル N チャンネル MOSFET ELM53400CA-S Typical■テスト回路と波形 Characteristics ©Alfa-MOS Technology Corp. Rev.A Oct. 2010 www.alfa-mos.com Page 5 5-5