Flash Memory_0402 07.7.23 1:38 PM ページ 2 SPANSION NOR型フラッシュメモリのさらなる可能性の追求 Spansion Flash Memory WITH SPANSION® FLASH MEMORY Flash Memory_0402 07.7.23 1:38 PM ページ 1 Contents 多様なアプリケーションをサポートする広範囲なポートフォリオ MirrorBit® テクノロジ ............................................................... 3 同時リード/ライト..................................................................... 5 高速化トレンド ......................................................................... 7 低消費電力（1.8V）................................................................... 7 製品一覧 .................................................................................. 8 お客様の付加価値を創造するソリューション ハードウェア開発ツール........................................................... 9 フラッシュメモリ向けドライバ/システムソフトウェア .............. 11 製品開発から出荷・アフターサービスにおける高品質/高信頼性の追及 品質方針 ................................................................................ 13 グローバルスタンダードを提供 パッケージ ............................................................................. 15 鉛フリーパッケージ ............................................................... 19 RoHS ..................................................................................... 20 ワールドワイドな事業展開 ............................................................ 21 Flash Memory_0402 07.7.23 1:38 PM ページ 2 豊かなユビキタス・ネットワーク社会へ。 切り拓くのはSpansion® フラッシュメモリ。 いつでも、どこでも、誰にでも、あらゆる機器が連携し、あらゆる 情報を自由にやりとりできる。そんなユビキタス社会を切り拓く のは半導体技術、中でもキーデバイスとなるのがフラッシュメモ リです。 Spansion（スパンション） は、フラッシュメモリのマーケットリー ダとして、この新しいネットワーク社会の実現をめざします。 Spansion® フラッシュメモリはユビキタス社会の情報機器に 求められる大容量化、高性能化ニーズに対応するとともに、デー タストレージ向けなど多彩な製品をラインナップ。携帯電話、DVD、 プリンタ、車載用機器、ネットワーク機器などの市場で、 トップク ラスの実績を誇ります。 モバイル機器を、より高機能に、車やデジタル家電を、よりイ ンテリジェントに。 Spansionフラッシュメモリは、Spansionの持つ先進テクノロジ で、さまざまな情報機器のユビキタス化を加速させてまいります。 Spansionは、SPAN（橋渡し） とEXPANSION（拡大、発展）を結合した造語です。 そのデザインイメージは、新たな機会を創造する力、過去から未来への橋渡し、 スピーディーかつフレキシブル、トータルソリューション、 そして、富士通とAMDのユニークな力の統合によるシナジーを表現しています。 Spansionフラッシュメモリの特長 市場ニーズを先取りした製品の開発 ● 低電圧対応 ：1.8V I/O対応、1.8V（Vcc）製品群 ● 大容量対応 ：2Gビットまでの対応 ● 高機能対応 ：同時リード/ライト、ページモード、バーストモード等 ● 小型パッケージ対応 ：FBGA、TSOP、MCP、SuperCSP ● ソフトウェアサポート ：シミュレーション・モデルおよびソフトウエア、ドライバ 2 Flash Memory_0402 07.7.23 1:38 PM ページ 3 多様なアプリケーションをサポートする 広範囲なポートフォリオ MirrorBit® テクノロジ MirrorBitテクノロジは従来のマルチレベル・セル（MLC）およびシングルレベル・セル（SLC）の フローティングゲート・テクノロジとは基本的に異なるSpansionの独自技術です。 MirrorBitテクノロジにより、設計者は革新的で 費用効果の高いソリューションを開発できるようになります。 MirrorBit® の特長 MirrorBit® Quadテクノロジの概要 ● 業界をリードする優れた価格性能比を誇るフラッシュメモリ MirrorBit Quadテクノロジは、Spansionの2ビット/セル技術である MirrorBitセルはメモリ・セルの両側に異なる情報を記憶できる2ビット MirrorBitテクノロジと同様に、異なる電荷量を非導電性の窒化膜内の /セルで構成されており同じセル数であればメモリ容量は従来のSLC 異なる2ヶ所に格納するため、コスト、信頼性、生産性の点でフロー フラッシュメモリ・アレイに比べて2倍になります。セル内のそれぞれの ティングゲート・テクノロジより優れています。2ビット/セルのMirrorBit 情報はバイナリ単位のデータ （つまり、0または1） としてメモリ・アレイ テクノロジでは、各格納場所に1ビットの情報が記憶されるのに対し、 に直接マップされます。メモリ・セルの片方に対するリードあるいはプ MirrorBit Quadでは各格納場所に2ビットの情報が記憶されます。 ログラムがセルの反対側に記憶されているデータに影響を及ぼすこ MirrorBit®（2ビット/セル） となく実行されます。 そのため、MirrorBitテクノロジではさまざまなマーケットでの用途に適 電圧レベル MirrorBit Quad（4ビット/セル） 電圧レベル したリード/ライト性能が実現されます。 対称型のメモリ・セルや非導電性の記憶エレメントの採用により、 4つの Vth電圧 MirrorBitテクノロジはシンプルで、効率的なメモリ・アレイを活用する ように開発されました。このアレイ設計により、デバイスのトポグラ フィと製造工程を大幅に簡素化することができます。つまり、MirrorBit 2箇所の 記憶領域 テクノロジは業界でもっとも価格性能比の優れたNOR型のフラッシュ メモリ・テクノロジなのです。 MirrorBit テクノロジ製品のアプリケーション • 携帯電話およびワイヤレスハンド • ネットワーク機器および通信機器 • プリンタおよび周辺機器 セット • スマートフォンおよびPDA • カーナビゲーション • セットトップボックスおよびDVR • ゲーム機器 • DVDプレーヤおよびレコーダ • 産業用途および組み込み機器 左右2つのストレージ領域 左右2つのストレージ領域 × × 各ストレージ領域に2つのVth電圧 各ストレージ領域に2つのVth電圧 ↓ ↓ 2 ˆ 2＝4値 2 ˆ 4＝16値 2ビット/セル 4ビット/セル MirrorBit Quadには、将来的にセルあたりのビット数を増やす余裕が あります。1セルあたりの記憶容量が増えることにより、MirrorBit Quad MirrorBit® フラッシュアレイ・アーキテクチャ メタルライン テクノロジでは、同一のプロセス・ノードにおいて、フローティングゲー ト・マルチレベルNANDフラッシュメモリよりも、1ビットあたりの有効 セルサイズを縮小することができます。 MirrorBitセル ワード線 記憶領域 ゲート ビット線 記憶領域 ソース／ドレイン 3 シリコン ドレイン／ソース ソース／ドレインコンタクト Flash Memory_0402 07.7.23 1:38 PM ページ 4 MirrorBit® ORNAND™ ソリューション SPI（シリアル・ペリフェラル・インタフェース） ● MirrorBit® ORNAND™ ソリューション：インテグレート・フラッシュ SpansionのS25FL（SPI） フラッシュ・ファミリは最新のMirrorBit テクノロ メモリ市場向けに最適化されたデータストレージ ジにより製造されたエンベデッド機器向けに最適な3.0V単一電源の MirrorBit ORNANDはインテグレート・フラッシュメモリ市場向けに最 SPI（シリアル・ペリフェラル・インタフェース） フラッシュメモリです。 適化されたデータストレージです。 MirrorBit ORNANDアーキテクチャ Spansion SPI製品は、シリアル・インタフェースを採用することで、よ をベースにしたSpansionのフラッシュメモリ・ソリューションはNAND型 り小型で、コスト競争力がある次世代型家電製品や車載エレクトロニ のインタフェースを持ち優れたコスト構造と共に、NOR型フラッシュメ クスの開発を支援します。SPIを使用することで部品間のインタフェー モリの持つ高い信頼性と高速リード性能を兼ね備えています。 ス用のピン数、およびボード面積、部品点数を削減でき、システム全 体のコスト削減が可能となります。 なぜ、SPIフラッシュか？ • SPI（シリアル・ペリフェラル・インタフェース） はピン数の少ないシリアル・ インタフェースです。 • パラレルフラッシュに比べて、アドレスピンとデータラインのピン数を削減 できます。 • コストに敏感な多くのアプリケーションがSPIへ移行しています。 • マイクロプロセッサやASIC側のピン数を削減されることでボード上のス ペースを削減でき、システム全体のコスト削減にもつながります。 項目 MirrorBit® ORNAND™ NAND データの信頼性 ○ × ページリード ○ ○ ※1 • SPIはピン数の少ない8ピン、または16ピンのパッケージで提供されます。 • パラレルフラッシュの48ピンのパッケージと比べて、パッケージコストを 下げることができます。 ページプログラム ○ ○ SPIに適したアプリケーション 1/4ページパーシャルリード※2 ○ × 4Mb ブロック消去 ○ ○ ハードディスク、オプティカルディスク、GPS、グラフィックボード、 車載オーディオ、LCDコントローラ 8-16Mb プリンタ、DSL/ケーブルモデム、DVDプレーヤ ※1 データの信頼性： MirrorBit ORNANDはデータの信頼性が高いため、NAND型フラッシュメモリに見られる バッドブロックが存在しません。従って、エラー訂正機構 （ECC） が基本的に不要です。 ※2 パーシャルページモード： 通常NANDでは1ページのデータを一気に読み込むことが必要ですがパーシャルページ・ リードコマンドを使用することで1/4ページ単位でリードができ、読み込み時間を短縮す ることができます。 32-128Mb プリンタ、DVDレコーダ、おもちゃ、セットトップボックス パラレルバスI/F、シリアルバスI/Fシステムの比較図 パラレルI / Fシステム TSOP48 30 パラレルバス I/F ASIC/MCU パラレルフラッシュ RAM シリアルI / Fシステム SO8 4 SPIバス I/F ASIC/MCU Spansion SPIフラッシュ 4 RAM Flash Memory_0402 07.7.23 1:38 PM ページ 5 多様なアプリケーションをサポートする 広範囲なポートフォリオ 同時リード/ライト 一つのセクタバンクに格納されているプログラムのリード実行と同時に 同一デバイス上にある別のセクタバンクにプログラム/イレーズが可能です。 同時リード/ライト機能のあるフラッシュメモリを使用することにより 外付けRAM/ROMの削減が可能になります。 同時リード/ライト型フラッシュメモリの特長 ● プログラム時間／イレーズ時間を有効活用 1. 外付けROM／RAMの削減 プログラム/イレーズ中でもCPUが開放されるため、フラッシュメモリ ●フラッシュメモリをプログラムするためのコードをフラッシュメモリ自身に格納可能 のプログラム中でも他の処理が可能になりました。 ●外部メモリへのプログラムロードを行わずにプログラム動作可能 ● 同時リード/ライト型フラッシュメモリにより処理速度を向上 前の処理 続出 イレーズ バンク2 システム性能向上 リードデータ バンク1 リード命令 次の処理 リード命令 CPU 2. フラッシュメモリのプログラム中にリソースの有効活用が可能 ●フラッシュメモリプログラム中、CPUは他の作業を実行可能 CPU 待ち時間 ● 従来品 イレーズ命令 コスト、実装スペース、システムのトータル消費電力を削減 終了 ● 同時リード/ライト動作例 ③ ● 従来型フラッシュメモリ （メモリデバイスが2個必要） バンク2 コード フラッシュ メモリ 続出 ② ① イレーズ 終了 イレーズ動作中のパフォーマンス向上 ① ROM リードデータ バンク1 次の処理 リード命令 同時リード/ライト機能によるメリットと効果 前の処理 イレーズ命令 CPU CPU ② ①バンク2 セクタのイレーズ開始 ① CPUからROMをリード ②バンク1 アドレスを指定 ② CPUからフラッシュメモリにプロ ③フラッシュメモリのデータバスをステータス情報の占有から開放し、そのバンク グラム ● 同時リード/ライト型フラッシュメモリ （メモリデバイスが1個必要） 1の格納プログラムまたはデータのリードを実行します。 フラッシュメモリのプログラム/イレーズ時間は、リード・アクセスタイ ムに比較して長くなっています。 バンク1 フラッシュメモリがプログラムやイレーズを実行中の場合は、従来の コード ① フラッシュメモリはメモリ情報をリードすることができず、CPUはス CPU フラッシュ メモリ ② ① CPUからフラッシュメモリ （バン ク1）をリード ② CPUからフラッシュメモリ （バン バンク2 ク2）にプログラム テータス情報を確認しながら、プログラム／イレーズ動作の終了を待 ち続ける仕様になっています。 同時リード/ライト型フラッシュメモリは、プログラム／イレーズの間に、 別バンクのデータをリードすることができるので、プログラム／イレー ズ時間を有効に活用できます。 5 Flash Memory_0402 07.7.23 1:38 PM ページ 6 ● プログラムタイミング例：従来型フラッシュメモリ Add AAA 555 AAA PA /WE PA 別アドレス 別アドレス ポーリング動作を 確認 フレックスバンク・アーキテクチャの特長 ● 64Mbフレックスバンク製品 PA ポーリング動作に 復帰 プログラム終了 を確認 /OE RY/BY DQ7 （コマンドデータは、省略） /PD /PD /PD /PD PD バンク 2 バンク 1 バンク 分割 容 量 組合せ 容 量 1 8Mb バンク A 56Mb バンク B バンク C バンク D 2 24Mb バンク B 40Mb バンク A バンク C バンク D 3 24Mb バンク C 40Mb バンク A バンク B バンク D 4 8Mb バンク D 56Mb バンク A バンク B バンク C 組合せ ※ ※：従来型のフラッシュメモリは、プログラム中のリード動作はすべてステータス情 報が出力されます。 8Mb（バンク A） ● プログラムタイミング例：同時リード/ライト型フラッシュメモリ 24Mb（バンク B） 同時リード/ライト型フラッシュメモリは、プログラム/イレーズ中に異な 24Mb（バンク C） るバンクのアドレスへ切り換えることにより、他バンクのデータのリー 8Mb（バンク D） プログラム/イレーズ リード ドができます。 どのバンクの組合せでも同時リード/ライト可能 Add AAA 555 AAA PA（B1） /WE PA（B1） PA（B2） PA（B2） ポーリング動作を 確認 PA（B1） ポーリング動作に 復帰 プログラム終了 ● バンクAにてプログラム/イレーズが行われているとき同時にバンクB、 C、Dからリードが可能 ● バンクアドレスの指定によりバンクを選択 を確認 /OE 別バンク 別バンク からデータ からデータ 読出し 読出し RY/BY DQ7 （コマンドデータは、省略） /PD DA1 （B2） DA2（B2） /PD PD ※ B1：バンク1 B2：バンク2 ※：他のDQ（DQ6-0、DQ15-8） も同様にバンク2の指定アドレスのデータをリードす ることができます。 6 Flash Memory_0402 07.7.23 1:38 PM ページ 7 多様なアプリケーションをサポートする 広範囲なポートフォリオ 高速化トレンド 低消費電力（1.8V電源） 多様化するフラッシュメモリの機能追加要求の中から 環境に配慮した製品開発、省エネルギー化の推進に向けて、 メインストリームになる機能を絞り込んで製品化いたします。 21世紀の携帯機器に欠かせない低消費電力品のラインナップを ページ、バーストモードは高速化のための新機能です。 充実させていきます。 ● ページモードにおけるリードタイミング address valid A21 to A2 A1 to A0 or A-1 address valid valid valid valid （ページアドレス） /CE /OE tACC DQ tPACC valid data tPACC valid tPACC valid valid tACC: アドレスアクセスタイム（ランダムアクセス） tPACC: ページアドレスアクセスタイム（ページアクセス） ● バーストモードにおけるリードタイミング /CE CLK /ADV tBACC A21 to A0 Aa DQ tIACC /OE High-Z RDY tIACC: イニシャルアクセスタイム tBACC: バーストアクセスタイム 7 Da Da+1 Da+2 Da+n Flash Memory_0402 07.7.23 1:38 PM ページ 8 製品一覧 動作電圧 型格 同時リード/ライト 転送方式 転送スピード パッケージ S29AL004D — — 55/70/90ns TS048, SO044, FBGA048 S29AL008D — — 55/70/90ns TS048, SO044, FBGA048 S29AL016D — — 70/90ns TS048, SO044, FBGA048 S29AL032D — — 70/90ns TS040/048, FBGA048 S29JL032H ○ — 60/70/90ns TS048 S29JL064H ○ — 55/60/70/90ns TS048 S29AL016M — — 90/100ns TS048, FBGA048, fBGA064 S29GL016A — ページ 90/100ns（25/30ns） TS048, FBGA048, fBGA064 S29GL032A — ページ 90/100/110ns（25/30/30ns） TS048/056, FBGA048, fBGA064 S29GL064A — ページ 90/100/110ns（25/30/30ns） TS048/056, FBGA048, fBGA064 S29GL128N — ページ 90/100/110ns（25/25/25ns） TS056, fBGA064 S29GL256N — ページ 90/100/110ns（25/25/25ns） TS056, fBGA064 S29GL512N — ページ 100/110ns（25/25ns） TS056, fBGA064 S25FL040A — シリアル 50MHz USON08, SO08 S25FL008A — シリアル 50MHz USON08, SO08 S25FL016A — シリアル 50MHz WSON08, SO016 3V MirrorBit® 3V S25FL064A — シリアル 50MHz SO016 S29WS128N ○ バースト 80, 54/66/80MHz FBGA084 S29WS256N ○ バースト 80, 54/66/80MHz FBGA084 S29WS128P ○ バースト 80, 54/66/80MHz FBGA084 S29WS256P ○ バースト 80, 54/66/80MHz FBGA084 S29WS512P ○ バースト 80, 54/66/80MHz FBGA084 MirrorBit S30MS512P — ページ 8µs/25µs TS48, FBGA137 ORNAND™ S30MS01GP — ページ 8µs/25µs TS48, FBGA137 S29CD016J ○ バースト 67/64/54,40/56/66MHz PQFP080, fBGA080 S29CD032J ○ バースト 67/64/54,40/56/66MHz PQFP080, fBGA080 MirrorBit® 1.8V ® 2.5V 転送スピードは3つの方式であらわしています。 1. イニシャルアクセスタイム 2. イニシャルアクセスタイム （ページアクセスタイム） 3. イニシャルアクセスタイム、バースト周波数 複数のスピードをサポートしている場合は “/” で区切ってあらわしています。 FBGA：ファインピッチBGA fBGA：フォーティファイドBGA 8 Flash Memory_0402 07.7.23 1:38 PM ページ 9 お客様の付加価値を創造するソリューション ハードウェア開発ツール Spansionは、フラッシュデバイスをエンべデッド製品やワイヤレス製品に 容易かつ迅速に導入するためのツールやサブシステムの開発を行っています。 Spansion® USB プログラマ（SUP） Spansion® メモリ・シミュレーション・モデル SUPは、Spansion® フラッシュメモリのプログラムおよび検証が可能 Spansion® フラッシュメモリのVHDL/Verilogシミュレーション・モデル なプログラマとして、以下の機能を提供します。 は、デバイスの動作を精密にモデル化したもので、高度なシミュレー ・PCのUSBポートからフラッシュメモリへのプログラム ション能力を発揮します。 ・リード、プログラム、イレーズ、セクタ保護 Spansionフラッシュメモリモデル上で実行される検証において、モデ ・プリプログラムされたデバイスの検証 ルはタイミングや機能面でデバイスのスペックを再現するように以下 ● ハードウェア ・パワーオンリセット ・プログラム/イレーズ SUPは、コントローラボードとアダプターボードから構成されます。 ・オートセレクト ・CFI のテストシーケンスが含まれています。 ・プロテクト機能全般 USB1.1および2.0が使用可能です。 CONTROLLER BOARD ・出力ディセーブル ・プログラム/イレーズサスペンド ADAPTER BOARD 他にも、PreLoadFile、TimingChecks、DebugInfoなどの豊富な機能を 搭載し、設計者を強力にサポートします。 10cm 12cm 6cm SUP Controller and Adapter Waves Snapshot ● ソフトウェア ソフトウェアは、Windows 2000、XP/PROに対応します。 ● VHDL/Verilogモデル Autoselectコードにより、自動的にデバイスの種類を確認し、また、電 Spansionは、自社のフラッシュメモリ製品向けに業界標準のVHDLと 圧のコントロールも可能です。 Verilogの両言語に対応した動作シミュレーション・モデルを開発しま した。SpansionのVHDL/Verilogシミュレーション・モデル（無償） は、ほ ぼすべてのEDAモデリング環境に対応可能な設計となっています。 ● IBISモデル IBIS（I/O Buffer Information Specification）は、入力バッファおよびパッ ケージ特性の動作を記述したものです。独占的な仕様であるH-SPICE モデルを共用することなく、必要なデータをお客様に提供するとい う明確な目的のもと、数社の企業によってIBISモデルのフォーマット が共同開発されました。信号の整合性、EMI、トランジションレスポ ンスの検証には、SpansionのIBISモデル（無償）をご利用ください。 9 SUP GUI Flash Memory_0402 07.7.23 1:39 PM ページ 10 ● OrCAD® 回路設計用のシンボル ● Spansion® ロジックアナライザ・インタフェースモジュール 設計の品質を向上させながら、同時に時間やコストの削減を可能にす デバッグプロセスの効率化を実現するために設計されたPISMOモ るため、Spansionのエンジニアは、Spansionフラッシュメモリ・デバイ ジュールは、関連モジュールのひとつであるロジックアナライザ・モ ス向けに、OrCAD® 回路設計用のシンボルの完全なライブラリを開 ジュールに接続することができます。このモジュールは、重要なコン 発しました。これらの定義済みシンボルは、プリント回路基板（PCB） トロール信号やアドレス信号、データ信号へのロジックアナライザに の設計アプリケーションにダウンロードすることができ、PCB設計者 よるアクセスを可能にするものです。これにより、すべてのボードに の生産性を向上させます。OrCADシンボルライブラリは、Spansionの ロジックアナライザ・ヘッダを付加するための手間やコストを省くこ ウェブサイトで提供しています。 とができ、評価システムやプロトタイプシステムの設計を簡素化する ことができます。 PISMO ● PISMO（Platform Independent Storage Module） 開発プラットフォーム向けメモリ拡張インタフェースの業界標準仕様 です。PISMOは開発ボードの効率的なメモリ検証を実現し、Spansion のさまざまなデザインの中核となっています。Spansionでは、Spansion フラッシュメモリを搭載したPISMOモジュールを総合的にサポートし ています。 ● Spansion® PCIカード Spansion PCIカードを使用することにより、PISMOインタフェースに 準拠したメモリモジュールをPCIベースのホストに接続することができ ます。Spansion PCIカードは、PCベースの開発システムを利用して、 ドライバやユーティリティ・アプリケーションの開発を行うための完全 なハードウェア・プラットフォームを提供します。 10 Flash Memory_0402 07.7.23 1:39 PM ページ 11 お客様の付加価値を創造するソリューション フラッシュメモリ向けドライバ/システム・ソフトウェア Spansionの提供するソフトウェアは開発済みでOSや基準モジュールに組み込み済みのシステムレベル・ソリューションや 特別なニーズに対応したカスタム・ソリューションとして無償で提供いたします。 これらのサポートにより、お客様はシステム設計を容易に行うことができます。 Spansionフラッシュメモリ・ソフトウェアは、Spansionフラッシュメモリ 製品ラインアップ をサポートする以下の5つのソフトウェア群を提供します｡ ● Superset Software Packages（SSP） ・Platform Software Platform Softwareに属する製品は、さまざまなOS上で動作するファ ・Platform Drivers ・Advanced Silicon Drivers ・Basic Silicon Drivers ・Example Software ソリューション Spansionフラッシュメモリ・ソフトウェアは、以下のソリューションによ り、お客さまのシステム設計をサポートします｡ ・Spansionによるソフトウェアの開発、サポート、バックアップ ・個々のお客さまに最適なソリューションを提供するラインナップ イルシステムを提供します。このPlatform Softwareに属するSSPは、 数多くのOSやフラッシュメモリに対応したM-Systems社のTrueFFS®※1 file systemベースのソフトウェアです。 ● Low Level Driver（LLD） Basic Silicon Driverに属するLLDは、 MirrorBitを含むすべてのSpansion フラッシュメモリをサポートする最下位のソフトウェア階層を提供す ・先行したシステムレベルソリューションの開発、組み込み るドライバです。 ・無償でのソフトウェア提供 ● SPI Low Level Driver（SLLD） Basic Silicon Driverに属するSLLDは、Spansion SPI flashをサポート する汎用ドライバです。 ● MirrorBit® ORNAND™ Low Level Driver（OLLD） OLLDはSpansion MirrorBit ORNANDをサポートする汎用ドライバです。 ● Data Management Software（DMS） Advanced Silicon Driversに属するDMSは、論理ブロックにより抽象 化を行い、EEPROMエミュレーションを実現するソフトウェア階層を 提供するドライバです。 ● Enhanced Flash Driver（EFD） Advanced Silicon Driversに属するEFDは、RTOSに対応し、またマル チスレッドをサポートしたドライバです。 ※1：TrueFFSはM-Systems社の登録商標または商標です。 11 Flash Memory_0402 07.7.23 1:39 PM ページ 12 ● アプリケーションノート Spansionでは、ホワイトペーパー、技術情報、データシート、デザイ Third Party Software Applications e.g. Downloadable ンガイド、技術マニュアルなどの技術資料を提供しています。 Spansionウェブサイト （www.spansion.com/jp）で入手可能なこれらの System Integration, Interfaces, Standards Dev. Tools, Debugging, Programming. Custom Engineering, Porting アプリケーションノートは、拡張性の高いワイヤレスプラットフォーム OEM Applications e.g. Internal or shipped SW の設計や、高速なフラッシュメモリ・オペレーションを利用したプログ ラミング・スループットの最大化、マイクロコントローラをフラッシュ メモリの特定部品に接続する方法など、幅広い技術トピックスをカ Platform Software e.g. File Systems バーしています。 ● ダウンロードおよびご注文について Operating System / RTOS Hardware: Chip Sets / Merchant / Boards Application / Platform Drivers (BSP) Advanced Silicon Drivers Spansionのハードウェアツール、シミュレーションモデル、OrCADシン ボル、アプリケーションノートは、担当営業またはSpansionウェブサイ トから入手いただけます。 詳細について Spansionフラッシュメモリのデザインツールに関する詳細は、 http://www.spansion.com/jpをご覧ください。 Basic Silicon Drivers Flash Memory Subsystem FG NOR, MirrorBit, MCP, Future・・・ Spansion製品は、富士通チャネルで販売いたしております。お客様の 製品をより早く市場投入していただけるように、どのようにお手伝い できるかにつきましては、http://www.spansion.com/jpをご覧いただ くか、担当営業までご連絡ください。 RTOS / OS Platform Drivers Advanced Silicon Drivers Basic Silicon Drivers Example Software Increasing Functionality / Complexity Platform Software 12 Spansion® フラッシュメモリ・ソフトウェアOverview Flash Memory_0402 07.7.23 1:39 PM ページ 13 製品開発から出荷・アフターサービスにおける 高品質/高信頼性の追及 品質方針 “Spansion has zero tolerance for customer – perceived problems in our drive toward total customer satisfaction.” Spansionは、顧客が問題と感じた事を我々の問題と認識します。 顧客満足第一を旨にその解決のため妥協をしません。 ● 製品開発／量産化体系 担当部門 お客様 業務内容 マーケット 部門 顧客要求 企 画 市場調査 情報 生産部門 製造/ 試験部門 技術部門 品質管理部門 管理部門 取引先 市場調査 情報の伝達 製品の流動 商品企画 特性設計 設計および設計検証 開発試作 開発試作 特性評価 特性評価 信頼性評価 信頼性評価 量産試作 量 産 試 作 品質保証部門 お客様要求事項の確認 商品企画 開 発 試 作 製造部門 開発部門 量産試作 特性評価 ES納入 特性評価 信頼性評価 CS納入 信頼性評価 初期流動管理 生 産 注 文 実行計画 生産計画 設備計画 製 造 材料要求 部品材料 発注購入 受 入 部品材料 受入 製造管理 （ウエハプロセス、 プローブ試験） 工程管理 工程内検査 装備/計量 統計的品質管理 計測器管理 製造管理 （アセンブリ） 工程間監査 検査 製造工程（アセンブリ） 最終試験 最終検査 出荷試験 梱 包 信頼性 モニタリング試験 信頼性試験 13 受入検査 製造工程（ウエハプロセス、プローブ試験） 工程間品質管理 出 荷 部品・材料 納 入 倉入/出荷 Flash Memory_0402 07.7.23 1:39 PM ページ 14 ● 開発審査の概要 製品は、テクノロジ開発審査／パッケージ開発審査／製品開発審査を 経て、品質目標に対して問題が無いことを確認した後に出荷します。 テクノロジ開発審査 パッケージ開発審査 Technology Qualification Package or Assembly Qualification • 新規テクノロジ開発 • 新規パッケージ開発 • 新規ウエハプロセス工場開発 • 新規組立工場開発 • 新規部材開発 etc. • 新規部材開発 etc. 製品開発審査 Product Qualification • 新規製品開発 製品出荷 ● クレーム対応体系 万が一お客様の工程内や市場で問題が発生した場合、それは販売／ 解決するべく対処します。 特約店／営業を通じて品質保証部門に通知されます。 また、緊急時にはお客様からのご連絡を品質保証部門が直接受け付 品質保証部門は責任を持ってクレーム対応体系に沿って、その問題を けます。 ［ルート］ 調査依頼ルート 回答返送ルート マーケティング部門 生産管理部門 緊急時 計画／流通 技術部門 お 客 様 販売／特約店／営業 品質保証部門 品質保証担当 設計／組立／試験／ プロダクト エンジニアリング 工場 プロセス／組立／試験／ 品 部質 プロダクト エンジニアリング／ 門管 生産 理 14 Flash Memory_0402 07.7.23 1:39 PM ページ 15 グローバルスタンダードを提供 パッケージ 電子機器の軽薄短小化や高機能化のトレンドに従って、 フラッシュメモリ用パッケージにも小型化・薄型化・多段化が求められています。 Spansionのパッケージも常に進化しており、 お客様のアプリケーションに適う、最適のパッケージ・ソリューションを常に提供していきます。 ● シングルチップFBGAの構造例 モールドコンパウンド ボンディングワイヤ ダイアタッチ ソルダ−レジスト VIA はんだボールパッド はんだボールピッチ ● Spansion マルチチップパッケージの構造例 モールドコンパウンド ファインピッチ・ボールグリッドアレイ （FBGA） ボンディングワイヤ BGAパッケージの基本構造は、基板上にダイを搭載しボンディングワ ダイ-1 イヤを用いて基板に接続を行った後に、モールドコンパウンドで封止 ダイ-2 された構造となっております。パッケージサイズはダイではなく基板 ダイアタッチ 基板 ソルダーレジスト のサイズによって決まります。そのため、ダイの縮小などにより小さな VIA はんだボールパッド ダイに変更した場合でも同一パッケージへの搭載が可能となり、パッ ケージの寸法やフットプリントに影響を与えることはありません。 基板実装においては、標準的な表面実装技術（SMT）装置で扱うこと が可能です。特殊な処理や、リフロープロファイル設定は不要であり、 はんだボールピッチ 2種類のダイによるMCP構造 同一基板上に別のSMT部品の混載も可能です。 BGAパッケージは、有鉛はんだ（鉛 37%、すず 63%）または、鉛フリー はんだ（すず 96.5%、銀 3.0%、銅 0.5%）のいずれにおいても対応可能 モールドコンパウンド です。 FBGAパッケージには、シングルチップ構成だけでなくマルチチップ構 成も用意されています。 マルチチップパッケージ（MCP）の場合、基板上にダイを順次積層し、 ボンディングワイヤ ダイ-1 ダミーダイ ダイ-2 2種類のダイによるMCP構造 ボンディングワイヤを用いて基板に接続を行った後に、モールドコン いる場合、2つのダイの間にダミーダイを配置し、下部のダイのワイ はんだボールピッチ 同一ダイを積み重ねたMCP構造 15 ソルダーレジスト VIA はんだボールパッド パウンドで封止された構造となっております。ダイサイズが類似して ヤボンディングを実現致します。 ダイアタッチ Flash Memory_0402 07.7.23 1:39 PM ページ 16 リードフレーム・パッケージ Jベンドリード設計：ガルウィング設計同様、Jベンドリード・パッケージ 表面実装型リードパッケージは1970年代後半、低コスト化に対する要 は基板に直接実装できます。 求に応えるために開発され、信頼性や機能性を損ねることなく、基板 ガルウィングと異なり、PKG内側にリードを形成するため、スタンドオ 上の密度を高めています。リードの先端が表面実装用に設計されてい フが高く生成されます。また、パッケージの下にはんだ接合部が内包 る点を除くと、従来のデュアルインラインパッケージに似ています。 されるため実装面積を低減でき、基板上のはんだランドにパッケージ Spansionでは、以下の表面実装型リードパッケージファミリを提供し の下からの拡張部分を容易に含めることが可能です。接続は強固で ています。 検査可能です。Jベンド設計では、デバイスの試験やプログラミングを 容易にするソケットの使用も簡単にできます。 • シンスモール・アウトラインパッケージ（TSOP） ：ガルウィング（2面） • スモール・アウトラインパッケージ（SOP） ：ガルウィング（2面） パッケージリード パッケージリード • プラスチック・リードチップキャリア（PLCC） ：Jベンド（4面） • ウルトラシンスモール・アウトライン・ノンリードパッケージ（USON） はんだの フットプリント アウターリード設計：表面実装型リードパッケージのリード端子の形状 はんだの フットプリント はんだフィレット は、ガルウィング形またはJベンド形があり、どちらのリード端子の形状 にも弾力性があり、パッケージと基板間の不整合を引き起こす熱応力 プリント基板 を吸収できます。 ガルウィングリード設計：ガルウィングリードはデュアルインライン、 スルーホールリードに類似していますが、リードの先端が曲げられ基 Jベンド（左）およびガルウィング（右）リード形態による、 回路基板上へのコンポーネントの実装例 板表面にフラットな部分があります。パッケージと基板の間にスタン ドオフを生成し、はんだの接合部がきれいで容易に検査可能です。 ノンリード型：ボディ下面に接合部を備えたパッケージであり、小型化、 薄型化に適しております。 16 Flash Memory_0402 07.7.23 1:39 PM ページ 17 グローバルスタンダードを提供 シンスモール・アウトラインパッケージ（TSOP） スモール・アウトラインパッケージ（SOP） TSOPパッケージは薄く、メモリデバイス特に携帯型アプリケーション SOPパッケージは少ピンデバイス向けに提供しております。 に有効です。パッケージ本体の厚み1mm（40mil） は、SOPまたはPLCC SOPパッケージのリードピッチは50milを採用しており、同タイプの パッケージの3分の1から2分の1となります。併せて、0.5mm（20mil） PDIPに比べパッケージサイズが飛躍的に縮小されています。また、軽 の狭リードピッチにより、パッケージの容積を飛躍的に抑えています。 量化も図られています。テープ&リールを含むすべての自動基板組立 その結果、基板上や基板間のスペースを削減しシステム設計の小型 てに対応可能なパッケージです。 化、軽量化に貢献しています。 SOPパッケージはリードフレームのダイパッドに接着されたデバイス 他のプラスチックパッケージと同様、TSOPは、リードフレームのダイ とインナーリードにワイヤボンディングされた回路から構成されま パッドに接着されたデバイスとインナーリードにワイヤボンディング す。モールドコンパウンドが射出成型加工され、デバイス/リードフ された回路から構成されます。モールドコンパウンドが射出成型加工 レームを被覆しています。 され、デバイス/リードフレームを被覆しています。 パッケージ本体の2辺の長辺側から伸びているリードは、ガルウィング 形に成型されています。Spansionでは8、44ピンSOPパッケージを用 意しています。 17 Flash Memory_0402 07.7.23 1:39 PM ページ 18 プラスチック・リードチップキャリア（PLCC） ウルトラシンスモール・アウトライン・ノンリードパッ ケージ（USON） PLCCパッケージは、より大きなダイサイズに対応できSMTの利点を ウルトラシンスモール・アウトライン・ノンリードパッケージ（USON） 生かすことができるため、より多くの端子を持つプラスチックDIPの代 は0.5mmの超薄型のパッケージ方式で携帯型機器に最適です。 替品として有効です。 PLCCパッケージは、リードフレームのダイパッドに接着されたデバイ スとインナーリードにワイヤボンディングされた回路から構成されま す。モールドコンパウンドが射出成型加工され、デバイス/リードフレー ムを被覆しています。リードは4方向に導出され、Jベンド形に成型さ れています。 PLCCパッケージのリードピッチは50milであり、従来のPDIPの半分と なっています。しかも、パッケージの4方向すべてに配置されており実 装面積は飛躍的に縮小されています。 全てのパッケージにRoHSに準拠した鉛フリー材質品を用意して います。 18 Flash Memory_0402 07.7.23 1:39 PM ページ 19 グローバルスタンダードを提供 鉛フリーパッケージ Spansionは世界中の電子メーカーのニーズに応えるため、鉛フリーのフラッシュメモリパッケージを用意しています。 2006年に施行された国際的な法規制に対応するため、 Spansionの鉛フリーパッケージは、はんだやその他の材料に使用されている 鉛の含有量を0.1wt%以下に抑えているほか、指定金属の含有量が100ppm未満のプラスチックを使用しています。 ● 高性能かつ環境に配慮 ● 鉛フリー規制の推進力とは Spansionの鉛フリーメモリパッケージは、最終仕上げに鉛を一切使用 電子材料が環境や健康におよぼす影響に対する世間の関心が高まる しておらず、鉛フリーの組み立てに求められる最高260˚Cのリフロー 中、鉛を含む特定の材料の使用を制限する新しい法律や規制が設け 温度に耐えることができます。さらにSpansionは、新たに導入される られるようになりました。そのなかで、最も広範囲におよぶ法律とな であろう規制やお客様における自主規制も考慮して、次世代の環境対 る欧州連合（EU）のRoHS（特定有害物質の制限）指令とWEE（廃電気 応として一部のパッケージに、ハロゲンおよびアンチモン・フリー 電子機器）指令に対応しております。 （0.1wt%未満）の難燃性モールドコンパウンドの適用を拡大していく RoHS指令は、電気電子機器（EEE）から計6種類の物質を取り除き、 人々の健康や環境を保護することを狙いとしています。RoHSはEU指 予定です。 令ですが、製造した製品が最終的にEU加盟国に輸出される場合は、 非欧州圏のメーカーであってもこの法律を遵守する必要があります。 ● 品質と信頼性のSpansion 最も重要なのは、Spansionの鉛フリー製品は従来のSnPbパッケージ と同等の品質、信頼性（パッケージの適合基準）を維持しているという ことです。また、Spansionでは、鉛フリー製品へのマイグレーション をご検討のお客様のために、マイグレーション計画の策定を支援する ツールやノウハウを用意しています。 モールドコンパウンド チップ ボンディングワイヤ プリントサブストレート はんだボール ダイアタッチ 鉛フリーFBGAに使用されている材質セット 19 Flash Memory_0402 07.7.23 1:39 PM ページ 20 RoHS Spansionから提供する鉛フリーメモリパッケージにおきましては 鉛含有を0.1wt%以下に抑えたはんだ、およびその他の材料を使 用しています。 これは、電気電子機器におけるRoHS（特定有害物質の使用制限） に関するEU（欧州連合）指令2002/95/ECの定義に適合します。 ● 鉛フリー型格例 Spansion型格 ● 分析データ （13文字目で指定） S29GL512N10FF I010 材料を提供しているベンダーによる分析レポートを提供することが できます。 ［BGAパッケージ］ F＝鉛（Pb） フリー ［リードフレームパッケージ］ F＝鉛（Pb） フリー、銅リード、 Sn最終仕上げ 詳細について 鉛フリーのSpansionパッケージングに関するご質問は、 [email protected]までお問い合わせください 20 Flash Memory_0402 07.7.23 1:39 PM ページ 21 ワールドワイドな事業展開 Spansionの世界に広がるネットワークが、 お客さまのグローバルな活動を強力に支援します。 Spansionは、ワールドワイドな開発拠点と製造拠点を持ち、マーケティング拠点も世界各地に配しています。 各国それぞれの商習慣やお客さまの事情を考慮しながら、ニーズに即応した製品開発を推進してまいります。 HQ/営業拠点 製造拠点 デザイン・センタ ミュンヘン/ドイツ • Automotive Center of Excellence サニーベール/カリフォルニア州 • Headquarters and SDC • HW & SW Verification パリ/フランス オースティン/テキサス州 • Fab25 • Driver & Platform Software 欧米の営業拠点数 北米： +24拠点 EU： +18拠点 その他： +2拠点 • Sales Office • Security Center of Excellence ペナン/マレーシア • Final Manufacturing クアラルンプール/マレーシア • Final Manufacturing 高信頼度を支える最先端技術工場 すでに多くの出荷実績を誇るSpansion、常に技術ノウハウを蓄積し、安定した高信頼度製品をご提供いたします。 21 世界最大のフラッシュメモリ工場 ■ SDC（サブミクロン・ディベロプメント・センター） 1993年4月に富士通と米国Advanced Micro Device, Inc.（AMD）社は、今後大きな飛躍が期 サブミクロン・ディベロプメント・センター （SDC） 待できるフラッシュメモリ製造を目的として合弁会社である富士通エイ・エム・ディ・セミコン はカリフォルニア州サニーベールにあり、最先 ダクタ株式会社を設立。その後、富士通とAMDとの間で半導体フラッシュメモリの新会社 端の半導体製造機器を活用して最新のプロセ Spansionとしてスタートしました。Spansionは、世界最大の規模で、330nm∼90nmデザイン ス技術の開発を行っております。さらにSDCは ツールのNOR型フラッシュメモリデバイスを量産。信頼性の高いSpansion® フラッシュメモ 主要な製造施設と緊密に連携し、大量生産の リを日本をはじめ世界の国々へ安定供給しています。 為の技術移転がスムーズかつ、確実に行える ように活動しております。 バン • Final Manu シン • Sales Offic Flash Memory_0402 07.7.23 1:39 PM ページ 22 川崎/日本 • Sales/Marketing • Custom HW & SW 会津若松/日本 • JV3/SP1 高蔵寺（愛知）/日本 ■ Spansion 915 DeGuigne Dr, Sunnyvale, CA 94088-3453 5204 E. Ben White Blvd, Austin, TX 7874 ■ Spansion Japan 株式会社 〒210-0024 神奈川県川崎市川崎区日進町1-14 キューブ川崎 Tel.044-223-1700 〒965-0060 福島県会津若松市高久工業団地2番 〒487-0013 愛知県春日井市高蔵寺町2丁目1844番2号 • Design Center ソウル/韓国 • Sales Office • Performance Optimization 台北/台湾 ■ Spansion (China) Limited No. 33, Xing Hai Street, Suzhou, 215021 ■ Spansion (Thailand) Limited 229 Moo 4 Changwattana Road, Pakkred, Nonthaburi 11120, Thailand • Sales Office ■ Spansion (Kuala Lumpur) Sdn. Bhd. 蘇州/中国 • MCP Development Center • Final Manufacturing Persiaran Kuala Selangor, Seksyen 26, 40000 Shah Alam, Selangor Darul Ehsan, Malaysia ■ Spansion (Penang) Sdn. Bhd. Phase II, Free Industrial Zone, Bayan Lepas, 11900 Penang バンコク/タイ • Final Manufacturing シンガポール • Sales Office ■ JV3/SP1（会津若松） ■ Fab25（米国） 会津事業所（高久地区）は、更なる増産体制に 米国オースティンに拠点を持つ工場で、2002 備えて建設されたSpansionの主力製造拠点で 年5月にCPUおよびロジックの工場からフラッ す。広大な会津盆地の北部に位置しており、 シュメモリの生産工場へと転換され、製造を Spansion初 の 300mmウエ ハ に よ る 45nm 開始。MirrorBitとMirrorBit Quadフラッシュメ MirrorBitの製造施設となる予定です。 モリを65nmおよび90nmプロセステクノロジ で製造しています。 22 Flash Memory_0402 07.7.23 1:37 PM ページ 1 Spansion Japan 株式会社 〒210-0024 神奈川県川崎市川崎区日進町1-14 キューブ川崎 Tel.044-223-1700 http://www.spansion.com/jp 富士通株式会社 http://edevice.fujitsu.com/jp/concept/product/memory/spansion/ 電子デバイス事業本部 システムメモリ統括部 〒163-0721 東京都新宿区西新宿2-7-1 新宿第一生命ビル Tel.03-5322-3324 LSI（電子デバイス事業本部）／営業拠点 東 京 〒163-0721 東京都新宿区西新宿2-7-1（新宿第一生命ビル） Tel.03-5322-3329 松 本 〒390-0811 長野県松本市中央2-1-27（松本本町第一生命ビル） Tel.0263-36-7470 名古屋 〒460-8585 愛知県名古屋市中区錦1-10-1（マルカン酢伏見ビル） Tel.052-239-1125 大 阪 〒540-0001 大阪府大阪市中央区城見2-2-53（大阪東京海上日動ビルディング9階）Tel.06-4794-8112 福 岡 〒812-8510 福岡県福岡市博多区博多駅前1-5-1（カーニープレイス博多）Tel.092-412-4660 ●Spansion®、Spansionロゴ®、MirrorBit® ORNAND™およびその全ての組み合わせは、Spansion LLCの商標です。 ●AMDはAdvanced Micro Devices. Incの商標です。 ●FCRAMは富士通株式会社の登録商標です。 ●BluetoothはBluetooth SIGの商標です。 その他、記載されている会社名および製品名等は該当会社の商標または登録商標です。 ●本資料の記載内容は、予告なしに変更することがありますので、ご用命の際は当社営業担当部門にご確認ください。 ●本資料に記載された動作概要や応用回路例は、半導体デバイスの標準的な動作や使い方を示したもので、実際に使用する機器での動作を 保証するものではありません。従いまして、これらを使用するにあたってはお客様の責任において機器の設計を行ってください。これらの 使用に起因する損害などについては、当社はその責任を負いません。 ●本資料に記載された動作概要および回路図を含む技術情報は、当社もしくは第三者の特許権、著作権等の知的財産権やその他の権利の使 用権または実施権の許諾を意味するものではありません。また、これらの使用について、第三者の知的財産権やその他の権利の実施がで きることの保証を行うものではありません。従いまして、これらの使用に起因する第三者の知的財産権やその他の権利の侵害について、 当社はその責任を負いません。 ●本資料に記載された製品は、通常の産業用、一般事務用、パーソナル用、家庭用などの一般的用途に使用されることを意図して設計・製造 されています。極めて高度な安全性が要求され、仮に当該安全性が確保されない場合、社会的に重大な影響を与えかつ直接生命・身体に 対する重大な危険性を伴う用途（原子力施設における核反応制御、航空機自動飛行制御、航空交通管制、大量輸送システムにおける運行 制御、生命維持のための医療機器、兵器システムにおけるミサイル発射制御をいう） 、ならびに極めて高い信頼性が要求される用途（海底 中継器、宇宙衛星をいう） に使用されるよう設計・製造されたものではありません。したがって、これらの用途にご使用をお考えのお客様 は、必ず事前に当社営業担当部門までご相談ください。ご相談なく使用されたことにより発生した損害などについては、責任を負いかね ますのでご了承ください。 ●半導体デバイスはある確率で故障が発生します。当社半導体デバイスが故障しても、結果的に人身事故、火災事故、社会的な損害を生じ させないよう、お客様は、装置の冗長設計、延焼対策設計、過電流防止対策設計、誤動作防止設計などの安全設計をお願いします。 ●本資料に記載された製品が、 「外国為替および外国貿易法」 に基づき規制されている貨物または技術に該当する場合には、本製品を輸出す るに際して、同法に基づく許可が必要となります。 編集／Spansion Japan 株式会社 ©2005-2007 Spansion Japan Limited SpansionFlashMemory_br_A7_J （02Apr2007）