本ドキュメントはCypress (サイプレス) 製品に関する情報が記載されております。 MB9AB40N/A40N/340N/140N/150R/ MB9B520M/320M/120M シリーズ FM3 ファミリ 32 ビット・マイクロコントローラ フラッシュプログラミングマニュアル Spansion (スパンション)のマイコンを効率的に開発するための情報を下記 URL にてご紹介いたします。 ご採用を検討中、またはご採用いただいたお客様に有益な情報を公開しています。 http://www.spansion.com/jp/support/microcontrollers/ Publication Number MB9AB40N_MN706-00019 CONFIDENTIAL Revision 3.0 Issue Date September 8, 2014 F L A S H P R O G R A M M I N G M A N U A L MB9AB40N_MN706-00019-3v0-J, September 8, 2014 CONFIDENTIAL F L A S H P R O G R A M M I N G M A N U A L はじめに 本書の目的と対象読者 本書は、実際に本シリーズを使用して製品を開発される技術者を対象に、フラッシュメモリの機 能や動作、フラッシュメモリのシリアル書込みについて解説しています。 商標 ARM and Cortex are the registered trademarks of ARM Limited in the EU and other countries. その他の社名および製品名は各社の商標もしくは登録商標です。 本書の全体構成 本書は、以下に示す 3 つの章から構成されます。 第 1 章 フラッシュメモリ フラッシュメモリの概要, 構成, 動作およびレジスタについて説明します。 第 2 章 フラッシュセキュリティ フラッシュセキュリティ機能によりフラッシュメモリの内容を保護できます。 フラッシュセキュリティの概要, 動作について説明します。 第 3 章 シリアル書込み接続 フラッシュメモリのシリアル書込みについて、Spansion 製シリアルプログラマを用いた場合の 基本構成を説明します。 サンプルプログラムおよび開発環境 FM3 ファミリの周辺機能を動作させるためのサンプルプログラムを無償で提供しております。ま た、本シリーズで使用する開発環境も掲載しています。当社マイコンの動作仕様や使用方法の確 認などにお役立てください。 ・ マイコンサポート情報 http://www.spansion.com/Support/microcontrollers/ * : サンプルプログラムは、予告なしに変更することがあります。また、サンプルプログラムは標 準的な動作や使い方を示したものですので、お客様のシステム上でご使用の際は十分評価され た上でご使用ください。 また、サンプルプログラムの使用に起因し生じた損害については、当社は一切その責任を負い ません。 September 8, 2014, MB9AB40N_MN706-00019-3v0-J CONFIDENTIAL i F L A S H P R O G R A M M I N G M A N U A L 本書の使い方 機能の探し方 本書では次の方法で、使いたい機能の説明を探すことができます。 ・ 目次から探す 本書の内容を記載順に示します。 ・ レジスタから探す 本文中では各レジスタの配置アドレスを記載しておりません。各レジスタのアドレスを確認す るときは『FM3 ファミリペリフェラルマニュアル』の『APPENDIXES レジスタマップ』を参 照してください。 用語について 本書で使用している用語について示します。 用語 説明 ワード 32 ビット単位でのアクセスを指します。 ハーフワード 16 ビット単位でのアクセスを指します。 バイト 8 ビット単位でのアクセスを指します。 表記について ・ 本書のレジスタ説明中のビット構成図では以下のように表記しています。 ・ bit : ビット番号 ・ Field : ビットフィールド名 ・ 属性 : 各ビットのリード、ライト属性 ・R : リードオンリ ・ W : ライトオンリ ・ RW : リード・ライト可能 ・: 未定義 ・ 初期値 : リセット直後のレジスタ初期値 ・ 0 : 初期値"0" ・ 1 : 初期値"1" ・ X : 初期値不定 ・ 本書では、複数のビットを以下のように表記しています。 例 : bit7 から bit0 の場合は bit7:0 ・ 本書では、アドレスなどの数値を以下のように表記しています。 ・ 16 進数 : プレフィックス(接頭辞)として"0x"を付けて表記しています(例 : 0xFFFF)。 ・ 2 進数 : プレフィックス(接頭辞)として"0b"を付けて表記しています(例 : 0b1111)。 ・ 10 進数 : 数値だけで表記しています(例 : 1000)。 ii CONFIDENTIAL MB9AB40N_MN706-00019-3v0-J, September 8, 2014 F L A S H P R O G R A M M I N G M A N U A L 表 1 対象型格一覧 (TYPE6 製品) タイプ名* 256Kbyte フラッシュメモリサイズ 128Kbyte 64Kbyte TYPE6 MB9AFB44L MB9AFB42L MB9AFB41L MB9AFB44M MB9AFB42M MB9AFB41M MB9AFB44N MB9AFB42N MB9AFB41N MB9AFB44LA MB9AFB42LA MB9AFB41LA MB9AFB44MA MB9AFB42MA MB9AFB41MA MB9AFB44NA MB9AFB42NA MB9AFB41NA MB9AFB44LB MB9AFB42LB MB9AFB41LB MB9AFB44MB MB9AFB42MB MB9AFB41MB MB9AFB44NB MB9AFB42NB MB9AFB41NB MB9AFA44L MB9AFA42L MB9AFA41L MB9AFA44M MB9AFA42M MB9AFA41M MB9AFA44N MB9AFA42N MB9AFA41N MB9AFA44LA MB9AFA42LA MB9AFA41LA MB9AFA44MA MB9AFA42MA MB9AFA41MA MB9AFA44NA MB9AFA42NA MB9AFA41NA MB9AFA44LB MB9AFA42LB MB9AFA41LB MB9AFA44MB MB9AFA42MB MB9AFA41MB MB9AFA44NB MB9AFA42NB MB9AFA41NB MB9AF344L MB9AF342L MB9AF341L MB9AF344M MB9AF342M MB9AF341M MB9AF344N MB9AF342N MB9AF341N MB9AF344LA MB9AF342LA MB9AF341LA MB9AF344MA MB9AF342MA MB9AF341MA MB9AF344NA MB9AF342NA MB9AF341NA MB9AF344LB MB9AF342LB MB9AF341LB MB9AF344MB MB9AF342MB MB9AF341MB MB9AF344NB MB9AF342NB MB9AF341NB MB9AF144L MB9AF142L MB9AF141L MB9AF144M MB9AF142M MB9AF141M MB9AF144N MB9AF142N MB9AF141N MB9AF144LA MB9AF142LA MB9AF141LA MB9AF144MA MB9AF142MA MB9AF141MA MB9AF144NA MB9AF142NA MB9AF141NA MB9AF144LB MB9AF142LB MB9AF141LB MB9AF144MB MB9AF142MB MB9AF141MB MB9AF144NB MB9AF142NB MB9AF141NB * : ペリフェラルマニュアルにおいて製品を分類するために使用している表記です。 表 2 TYPE8 型格一覧 (TYPE8 製品) タイプ名* 512Kbyte フラッシュメモリサイズ 384Kbyte 256Kbyte TYPE8 MB9AF156M MB9AF155M MB9AF154M MB9AF156N MB9AF155N MB9AF154N MB9AF156R MB9AF155R MB9AF154R MB9AF156MA MB9AF155MA MB9AF154MA MB9AF156NA MB9AF155NA MB9AF154NA MB9AF156RA MB9AF155RA MB9AF154RA * : ペリフェラルマニュアルにおいて製品を分類するために使用している表記です。 September 8, 2014, MB9AB40N_MN706-00019-3v0-J CONFIDENTIAL iii F L A S H P R O G R A M M I N G M A N U A L 表 3 TYPE9 型格一覧 (TYPE9 製品) タイプ名* 256Kbyte フラッシュメモリサイズ 128Kbyte 64Kbyte TYPE9 MB9BF524K MB9BF522K MB9BF521K MB9BF524L MB9BF522L MB9BF521L MB9BF524M MB9BF522M MB9BF521M MB9BF324K MB9BF322K MB9BF321K MB9BF324L MB9BF322L MB9BF321L MB9BF324M MB9BF322M MB9BF321M MB9BF124K MB9BF122K MB9BF121K MB9BF124L MB9BF122L MB9BF121L MB9BF124M MB9BF122M MB9BF121M * : ペリフェラルマニュアルにおいて製品を分類するために使用している表記です。 iv CONFIDENTIAL MB9AB40N_MN706-00019-3v0-J, September 8, 2014 F L A S H P R O G R A M M I N G M A N U A L 目次 CHAPTER 1: フラッシュメモリ ......................................................................................... 1 1. 概要 .................................................................................................................................... 2 2. 構成 .................................................................................................................................... 3 3. 動作説明 ........................................................................................................................... 11 3.1. デュアルオペレーションフラッシュメモリの動作 ...................................................... 12 3.2. 自動アルゴリズム......................................................................................................... 13 3.2.1. コマンドシーケンス ....................................................................................................14 3.2.2. コマンド動作説明........................................................................................................15 3.2.3. 自動アルゴリズムの実行状態......................................................................................17 3.3. フラッシュメモリの動作説明 ...................................................................................... 20 3.3.1. 読出し/ リセット動作 .................................................................................................21 3.3.2. 書込み動作 ..................................................................................................................22 3.3.3. フラッシュ消去動作 ....................................................................................................24 3.3.4. セクタ消去動作 ...........................................................................................................25 3.3.5. セクタ消去一時停止動作 .............................................................................................27 3.3.6. セクタ消去再開動作 ....................................................................................................28 3.4. フラッシュメモリの使用上の注意 ............................................................................... 29 4. レジスタ ........................................................................................................................... 30 4.1. フラッシュ・リードウェイト・レジスタ(FRWTR) ..................................................... 31 4.2. フラッシュ・ステータス・レジスタ(FSTR) ................................................................ 33 4.3. フラッシュ・割込み制御・レジスタ(FICR) ................................................................. 35 4.4. フラッシュ・割込みステータス・レジスタ(FISR) ...................................................... 36 4.5. フラッシュ・割込みクリア・レジスタ(FICLR) ........................................................... 37 4.6. CR トリミングデータ・ミラー・レジスタ(CRTRMM) ................................................ 38 CHAPTER 2: フラッシュセキュリティ ............................................................................ 41 1. 概要 .................................................................................................................................. 42 2. 動作説明 ........................................................................................................................... 43 CHAPTER 3: シリアル書込み接続.................................................................................... 45 1. シリアルプログラマ ......................................................................................................... 46 1.1. 基本構成 ....................................................................................................................... 47 1.2. 使用端子 ....................................................................................................................... 53 September 8, 2014, MB9AB40N_MN706-00019-3v0-J CONFIDENTIAL v F L A S H vi CONFIDENTIAL P R O G R A M M I N G M A N U A L MB9AB40N-MN706-00019-3v0-J, September 8, 2014 CHAPTER 1 フラッシュメモリ 1. 概要 CHAPTER 1: フラッシュメモリ 本シリーズは 64K～512K バイトのメイン領域および 32K バイトのワーク領域で構成される デュアルオペレーションフラッシュメモリが内蔵されています。 デュアルオペレーションフラッシュメモリは、上位バンクと下位バンクで構成されており、 従来のフラッシュメモリ製品では行えなかったバンクごとのデータ消去 / 書込みと読出し の同時実行が可能です。 本章ではデュアルオペレーションフラッシュメモリの概要, 構成, 動作およびレジスタにつ いて説明します。 1. 2. 3. 4. 概要 構成 動作説明 レジスタ 管理コード: 9AB40N_FLASH-J03.0 September 8, 2014, MB9AB40N_MN706-00019-3v0-J CONFIDENTIAL 1 CHAPTER 1 フラッシュメモリ 1. 概要 1. 概要 デュアルオペレーションフラッシュメモリは、Cortex-M3 CPU によるセクタ単位でのデータ 消去, フラッシュ消去(全セクタ一括データ消去)およびバイト(8 ビット)またはハーフワード (16 ビット)単位でのデータ書込みが可能です。またデュアルオペレーションフラッシュメモ リは, 上位バンクと下位バンクで構成されており,従来のフラッシュメモリ製品では行えな かったバンクごとのデータ消去 / 書込みと読出しの同時実行が可能です。 デュアルオペレーションフラッシュメモリの特長 ・ 2 バンク構成 書込み / 消去動作と読出し動作を同時に実行可能 ・ 使用可能容量 ・メイン領域 最小構成 64K バイト (16K バイトの下位バンク＋48K バイトの上位バンク) 最大構成 512K バイト (16K バイトの下位バンク＋496K バイトの上位バンク) ・ワーク領域 32K バイト (下位バンク) ・CPU 割込みによる書込み / 消去完了の検出が可能 ・ 高速フラッシュ ～40MHz 時 0Wait ～72MHz 時 プリフェッチバッファ機能を有効にすることによって 0wait を実現 (TYPE9 製品のみ) ・ 動作モード 1. CPU モード CPU からフラッシュメモリのデータ読出し, 書込みまたは消去ができるモードです ( 自動 アルゴリズム*1) 。バイト(8 ビット), ハーフワード(16 ビット)単位でのデータ書込みが可能で す。 データの書換え方法は、RAM 上でのプログラム実行またはデュアルオペレーションにおけ るフラッシュメモリ上でのプログラム実行があります。異なるバンク ( 上位バンク / 下位 バンク ) でのデータ消去/書込みと読出しの同時実行が可能です。 2. ROM ライタモード ROM ライタからフラッシュメモリのデータ読出し, 書込みおよび消去ができます ( 自動ア ルゴリズム*1) 。 ・ フラッシュセキュリティ機能搭載 (第三者によるフラッシュメモリ内容読出し阻止) フラッシュセキュリティ機能については『フラッシュセキュリティ』の章を参照してくださ い。 ＜注意事項＞ 本書では、フラッシュメモリを CPU モードで利用する場合について記載します。 ROM ライタからフラッシュメモリにアクセスする場合については、ご利用の ROM ライタの取扱 い説明書を参照してください。 *1 : 自動アルゴリズム=Embedded Algorithm September 8, 2014, MB9AB40N_MN706-00019-3v0-J CONFIDENTIAL 2 CHAPTER 1 フラッシュメモリ 2. 構成 2. 構成 本シリーズのフラッシュメモリは 64K～512K バイトのメイン領域, 32K バイトのワーク領域, セキュリティコード領域, CR トリミングデータ領域で構成されます。 本シリーズに搭載されているフラッシュメモリの容量と製品型格の対応を表 2-1、アドレス, セク タ構成とセキュリティコード領域/CR トリミング領域のアドレスを図 2-1～図 2-7 に示します。 セキュリティについての詳細は、『フラッシュセキュリティ』の章を参照してください。 CR トリミングデータの詳細は、「4.6 CR トリミングデータ・ミラー・レジスタ」と『FM3 ファ ミリ ペリフェラルマニュアル』の『高速 CR トリミング機能』の章を参照してください。 September 8, 2014, MB9AB40N_MN706-00019-3v0-J CONFIDENTIAL 3 CHAPTER 1 フラッシュメモリ 2. 構成 表 2-1 各製品型格のメイン領域容量 本書での メイン領域サイズ 512Kbyte 384Kbyte 256Kbyte 表記 TYPE6 TYPE8 - - - - - - - - MB9AF156M MB9AF156N MB9AF156R MB9AF156MA MB9AF156NA MB9AF156RA MB9AF155M MB9AF155N MB9AF155R MB9AF155MA MB9AF155NA MB9AF155RA TYPE9 - - - - - - September 8, 2014, MB9AB40N_MN706-00019-3v0-J CONFIDENTIAL MB9AFB44L MB9AFB44M MB9AFB44N MB9AFB44LA MB9AFB44MA MB9AFB44NA MB9AFB44LB MB9AFB44MB MB9AFB44NB MB9AFA44L MB9AFA44M MB9AFA44N MB9AFA44LA MB9AFA44MA MB9AFA44NA MB9AFA44LB MB9AFA44MB MB9AFA44NB MB9AF344L MB9AF344M MB9AF344N MB9AF344LA MB9AF344MA MB9AF344NA MB9AF344LB MB9AF344MB MB9AF344NB MB9AF144L MB9AF144M MB9AF144N MB9AF144LA MB9AF144MA MB9AF144NA MB9AF144LB MB9AF144MB MB9AF144NB MB9AF154M MB9AF154N MB9AF154R MB9AF154MA MB9AF154NA MB9AF154RA MB9BF524K MB9BF524L MB9BF524M MB9BF324K MB9BF324L MB9BF324M MB9BF124K MB9BF124L MB9BF124M 128Kbyte 64Kbyte MB9AFB42L MB9AFB42M MB9AFB42N MB9AFB42LA MB9AFB42MA MB9AFB42NA MB9AFB42LB MB9AFB42MB MB9AFB42NB MB9AFA42L MB9AFA42M MB9AFA42N MB9AFA42LA MB9AFA42MA MB9AFA42NA MB9AFA42LB MB9AFA42MB MB9AFA42NB MB9AF342L MB9AF342M MB9AF342N MB9AF342LA MB9AF342MA MB9AF342NA MB9AF342LB MB9AF342MB MB9AF342NB MB9AF142L MB9AF142M MB9AF142N MB9AF142LA MB9AF142MA MB9AF142NA MB9AF142LB MB9AF142MB MB9AF142NB MB9AFB41L MB9AFB41M MB9AFB41N MB9AFB41LA MB9AFB41MA MB9AFB41NA MB9AFB41LB MB9AFB41MB MB9AFB41NB MB9AFA41L MB9AFA41M MB9AFA41N MB9AFA41LA MB9AFA41MA MB9AFA41NA MB9AFA41LB MB9AFA41MB MB9AFA41NB MB9AF341L MB9AF341M MB9AF341N MB9AF341LA MB9AF341MA MB9AF341NA MB9AF341LB MB9AF341MB MB9AF341NB MB9AF141L MB9AF141M MB9AF141N MB9AF141LA MB9AF141MA MB9AF141NA MB9AF141LB MB9AF141MB MB9AF141NB - - MB9BF522K MB9BF522L MB9BF522M MB9BF322K MB9BF322L MB9BF322M MB9BF122K MB9BF122L MB9BF122M MB9BF521K MB9BF521L MB9BF521M MB9BF321K MB9BF321L MB9BF321M MB9BF121K MB9BF121L MB9BF121M 4 CHAPTER 1 フラッシュメモリ 2. 構成 図 2-1 メイン領域 64K バイト、ワーク領域 32K バイトのメモリマップ 0x0020_8000 0x0020_8000 SA7(8KB) 0x0020_6000 Flash memory 32KB SA6(8KB) 0x0020_4000 0x0020_2000 0x0020_0000 SA4(8KB) 0x0020_0000 bit31 +3 0x0010_4000 0x0010_2000 0x0010_0000 下位バンク SA5(8KB) bit0 +2 +1 +0 CR Trimming data 下位バンク Security code 0x0001_0000 0x0001_0000 上位バンク SA8(48KB) 0x0000_4000 Flash memory 64KB SA3(8KB) 0x0000_2000 bit31 0x0000_0000 September 8, 2014, MB9AB40N_MN706-00019-3v0-J CONFIDENTIAL 下位バンク SA2(8KB) 0x0000_0000 +3 bit0 +2 +1 +0 5 CHAPTER 1 フラッシュメモリ 2. 構成 図 2-2 メイン領域 128K バイト、ワーク領域 32K バイトのメモリマップ 0x0020_8000 0x0020_8000 SA7(8KB) 0x0020_6000 Flash memory 32KB SA6(8KB) 0x0020_4000 0x0020_0000 SA4(8KB) 0x0020_0000 bit31 +3 0x0010_4000 0x0010_2000 0x0010_0000 下位バンク SA5(8KB) 0x0020_2000 bit0 +2 +1 +0 CR Trimming data 下位バンク Security code 0x0002_0000 0x0002_0000 SA9(64KB) 上位バンク 0x0001_0000 SA8(48KB) Flash memory 128KB 0x0000_4000 SA3(8KB) 0x0000_2000 bit31 0x0000_0000 September 8, 2014, MB9AB40N_MN706-00019-3v0-J CONFIDENTIAL 下位バンク SA2(8KB) 0x0000_0000 +3 bit0 +2 +1 +0 6 CHAPTER 1 フラッシュメモリ 2. 構成 図 2-3 メイン領域 256K バイト、ワーク領域 32K バイトのメモリマップ 0x0020_8000 0x0020_8000 SA7(8KB) 0x0020_6000 Flash memory 32KB SA6(8KB) 0x0020_4000 0x0020_0000 SA4(8KB) 0x0020_0000 bit31 +3 0x0010_4000 0x0010_2000 0x0010_0000 下位バンク SA5(8KB) 0x0020_2000 bit0 +2 +1 +0 CR Trimming data 下位バンク Security code 0x0004_0000 0x0004_0000 SA11(64KB) 0x0003_0000 SA10(64KB) 上位バンク 0x0002_0000 SA9(64KB) Flash memory 256KB 0x0001_0000 SA8(48KB) 0x0000_4000 SA3(8KB) 0x0000_2000 bit31 0x0000_0000 September 8, 2014, MB9AB40N_MN706-00019-3v0-J CONFIDENTIAL 下位バンク SA2(8KB) 0x0000_0000 +3 bit0 +2 +1 +0 7 CHAPTER 1 フラッシュメモリ 2. 構成 図 2-4 メイン領域 384K バイト、ワーク領域 32K バイトのメモリマップ 0x0020_8000 0x0020_8000 SA7(8KB) 0x0020_6000 Flash memory 32KB SA6(8KB) 0x0020_4000 0x0020_0000 SA4(8KB) 0x0020_0000 bit31 +3 0x0010_4000 0x0010_2000 0x0010_0000 下位バンク SA5(8KB) 0x0020_2000 bit0 +2 +1 +0 CR Trimming data 下位バンク Security code 0x0006_0000 0x0006_0000 SA13(64KB) 0x0005_0000 SA12(64KB) 0x0004_0000 SA11(64KB) 上位バンク 0x0003_0000 SA10(64KB) Flash memory 384KB 0x0002_0000 SA9(64KB) 0x0001_0000 SA8(48KB) 0x0000_4000 SA3(8KB) 0x0000_2000 bit31 0x0000_0000 September 8, 2014, MB9AB40N_MN706-00019-3v0-J CONFIDENTIAL 下位バンク SA2(8KB) 0x0000_0000 +3 bit0 +2 +1 +0 8 CHAPTER 1 フラッシュメモリ 2. 構成 図 2-5 メイン領域 512K バイト、ワーク領域 32K バイトのメモリマップ 0x0020_8000 0x0020_8000 SA7(8KB) 0x0020_6000 Flash memory 32KB SA6(8KB) 0x0020_4000 0x0020_0000 SA4(8KB) 0x0020_0000 bit31 +3 0x0010_4000 0x0010_2000 0x0010_0000 下位バンク SA5(8KB) 0x0020_2000 bit0 +2 +1 +0 CR Trimming data 下位バンク Security code 0x0008_0000 0x0008_0000 SA15(64KB) 0x0007_0000 SA14(64KB) 0x0006_0000 SA13(64KB) 0x0005_0000 SA12(64KB) 上位バンク 0x0004_0000 SA11(64KB) Flash memory 512KB 0x0003_0000 SA10(64KB) 0x0002_0000 SA9(64KB) 0x0001_0000 SA8(48KB) 0x0000_4000 SA3(8KB) 0x0000_2000 bit31 0x0000_0000 September 8, 2014, MB9AB40N_MN706-00019-3v0-J CONFIDENTIAL 下位バンク SA2(8KB) 0x0000_0000 +3 bit0 +2 +1 +0 9 CHAPTER 1 フラッシュメモリ 2. 構成 図 2-6 セキュリティコード領域/CR トリミング領域のメモリマップ Security / CR Trimming data 0x0010_4000 0x0010_2004 CRトリミング領域 0x0010_2000 0x0010_0004 セキュリティコード領域 0x0010_0000 bit31 bit0 +3 +2 +1 +0 図 2-7 CR トリミング領域のビット構成 bit Field 31 21 20 予約 16 15 CR温度トリミングデータ* 10 9 予約 0 CR 周波数トリミングデータ *:TYPE8/TYPE9製品のみ September 8, 2014, MB9AB40N_MN706-00019-3v0-J CONFIDENTIAL 10 CHAPTER 1 フラッシュメモリ 3. 動作説明 3. 動作説明 動作について説明します。 3.1 デュアルオペレーションフラッシュメモリの動作 3.2 自動アルゴリズム 3.3 フラッシュメモリの動作説明 3.4 フラッシュメモリの使用上の注意 September 8, 2014, MB9AB40N_MN706-00019-3v0-J CONFIDENTIAL 11 CHAPTER 1 フラッシュメモリ 3. 動作説明 3.1. デュアルオペレーションフラッシュメモリの動作 デュアルオペレーションフラッシュメモリの動作を説明します。 デュアルオペレーションフラッシュメモリの動作 デュアルオペレーションフラッシュメモリは 2 つのバンク (上位バンク/下位バンク) で構成され ます。各バンクについて次の組合せでの動作が可能です。 上位バンク 下位バンク 読出し 読出し 書込み / セクタ消去 書込み / セクタ消去 読出し フラッシュ(全セクタ)消去 デュアルオペレーションフラッシュメモリの割込み デュアルオペレーションフラッシュメモリにより、フラッシュメモリ上でのプログラム実行にて 割込みを用いた書込み制御が可能となります。 書込み/消去動作完了時または HANG 状態検出時に割込みを発生させることが可能ですが、割込み ベクタのあるバンクへの書込み/消去中は、割込みベクタの読出しが行えないため、Cortex-M3 の「ベ クタ・テーブル・オフセット・レジスタ」にてほかのバンクか RAM へベクタアドレスを書き換え る必要があります。 ＜注意事項＞ ・ フラッシュメモリは、同一バンクの書込みと読出しを同時に行うことはできません。 ・ フラッシュメモリのデータを書込み/消去するには、書込み/消去プログラムをオンチップ SRAM または、他のバンクにコピーしてからそのプログラムを実行してください。 September 8, 2014, MB9AB40N_MN706-00019-3v0-J CONFIDENTIAL 12 CHAPTER 1 フラッシュメモリ 3. 動作説明 3.2. 自動アルゴリズム デュアルオペレーションフラッシュメモリへの書込み/消去は自動アルゴリズムを起動して 行います。 自動アルゴリズムについて説明します。 3.2.1 コマンドシーケンス 3.2.2 コマンド動作説明 3.2.3 自動アルゴリズムの実行状態 September 8, 2014, MB9AB40N_MN706-00019-3v0-J CONFIDENTIAL 13 CHAPTER 1 フラッシュメモリ 3. 動作説明 3.2.1. コマンドシーケンス デュアルオペレーションフラッシュメモリへ決められたフォーマットにてデータを書き込む と自動アルゴリズムが起動します。これをコマンドとよびます。コマンドシーケンスを表 3-1 に示します。 表 3-1 コマンドシーケンス表 コマンド 1 回目 2 回目 3 回目 4 回目 5 回目 6 回目 書込み 回数 アドレス データ アドレス データ アドレス データ アドレス データ アドレス データ アドレス データ 読出し/ リセット 1 書込み 4 フラッシ ュ消去 6 セクタ 消去(セ クタ追加 なし) 0xXXX 0xF0 0xAA8 0xAA -- 0x554 -- 0x55 -- -- -- -- -- -- -- -- 0xA0 PA PD -- -- -- -- 0xAA8 0x10 0xAA8 6 0x80 0xAA8 0xAA 0x554 0x30 0x55 SA セクタ 消去(セ クタ追加 あり) 6～ セクタ 消去 一時停止 1 0xXXX 0xB0 -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- セクタ 消去再開 1 0xXXX 0x30 -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- 0xE0 * X : 任意 PA : 書込みアドレス SA : セクタアドレス(消去対象となるセクタのアドレス範囲内の任意のアドレスを指定してください) PD : 書込みデータ * : 消去するセクタを追加する場合は 6 回目を繰り返してください。最後のセクタアドレスに 0x30 を 書き込むと消去が開始されます。 ＜注意事項＞ ・ 表 3-1 のデータ表記は下位 8 ビット分のみを表記しています。上位 8 ビットは任意です。 ・ コマンドはバイト(8 ビット)またはハーフワード(16 ビット)で書き込んでください。 ・ 表 3-1 のアドレス表記は下位 12 ビット分のみを表記しています。上位 20 ビット分は、対象と なるフラッシュメモリのアドレス範囲内の任意のアドレスを必ず指定してください。フラッ シュアドレス範囲外のアドレスを指定した場合、フラッシュメモリはコマンドを認識できない ため、コマンドシーケンスは正常に動作しません。 ・ フラッシュセキュリティコードを設定する場合、アドレスには 0x0010_0000 を指定してくださ い。 ・ CR トリミングデータの書込み/消去を行う場合、アドレスには 0x0010_2000(周波数トリミング データ)または、0x0010_2002(温度トリミングデータ)を指定してください。 September 8, 2014, MB9AB40N_MN706-00019-3v0-J CONFIDENTIAL 14 CHAPTER 1 フラッシュメモリ 3. 動作説明 3.2.2. コマンド動作説明 コマンド動作を説明します。 読出し/リセットコマンド 読出し/リセットコマンドを発行すると、フラッシュメモリを読出し/リセット状態にでき、ほかの コマンドが発行されるまで読出し状態を保持します。 自動アルゴリズムの実行がタイミングリミットを超過(HANG)した場合は、読出し/リセットコ マンドを発行するとフラッシュメモリが読出し/リセット状態へ復帰します。 読出し/リセットコマンドは各実行コマンドの途中で発行しても有効です。この場合にはそれ以前 に入力したコマンドはクリアされるため、再度最初からコマンドを入力しなおす必要があります。 実際の動作については、「3.3.1 読出し/リセット動作」を参照してください。 プログラム(書込み)コマンド 書込みコマンドを 4 回連続で発行すると、4 回目に指定したアドレスにデータを書き込むことが できます。4 回目に指定したデータ幅によりバイト(8 ビット)またはハーフワード(16 ビット)単位 の書込みが可能です。1～3 回目のコマンドについてはデータ幅の判定は行いません。 4 回目のコマンド発行が終了すると、自動アルゴリズムが起動し、フラッシュメモリへの自動書 込みが開始されます。自動書込みアルゴリズムコマンドシーケンス実行後は、外部からフラッ シュメモリを制御する必要はありません。 実際の動作については、「3.3.2 書込み動作」を参照してください。 ＜注意事項＞ 1 回の書込みコマンドシーケンスではバイトまたはハーフワードのデータ 1 つしか書き込めませ ん。複数のデータを書き込みたい場合は、1 データに 1 度書込みコマンドシーケンスを発行して ください。 フラッシュ消去（全セクタ一括消去）コマンド フラッシュ消去コマンドを 6 回連続して送るとフラッシュメモリの全セクタを一括でデータの消 去ができます。6 回目の書込みが終了すると、自動アルゴリズムが起動しフラッシュ消去動作が 開始されます。 ＜注意事項＞ フラッシュ消去コマンドにより、セキュリティ/CR トリミングデータの値も消去されます。 September 8, 2014, MB9AB40N_MN706-00019-3v0-J CONFIDENTIAL 15 CHAPTER 1 フラッシュメモリ 3. 動作説明 セクタ消去コマンド セクタ消去コマンドを 6 回連続して送ると 6 回目に指定したセクタのデータを消去できます。6 回目の書込みデータが 0x30 の場合、自動アルゴリズムが起動しセクタ消去動作が開始されます。 6 回目の書込みデータであるセクタ消去コードに 0xE0 を発行することによりデータ消去するセク タを追加することができます。7 回目以降は追加するセクタアドレスにセクタ消去コード 0xE0 を 書き込むことでさらに消去するセクタを追加することができます。最後にセクタ消去コード 0x30 を書き込むことで自動アルゴリズムが起動し、指定した複数セクタの消去動作が開始されます。 追加するセクタ数には制限はなく、全セクタを追加して一括消去することもできます。 ＜注意事項＞ セクタ消去は、セクタ消去コードに 0x30 を書き込むことで消去動作が開始されます。0xE0 では 消去動作は開始されません。 セクタ消去一時停止コマンド セクタ消去中に、セクタ消去一時停止コマンドを発行することによって、セクタ消去を一時停止 できます。セクタ消去一時停止状態では、消去対象以外のセクタのメモリセルについて読出しお よび書込み動作が可能です。(同一バンク内であっても可能です。) 実際の動作については、「3.3.5 セクタ消去一時停止動作」を参照してください。 ＜注意事項＞ ・ このコマンドはセクタ消去中のみ有効です。フラッシュ消去中や書込み中に、このコマンドを 発行しても無視されます。 ・ セクタ消去一時停止状態でのフラッシュ消去および消去対象以外のセクタ消去はできません。 セクタ消去再開コマンド セクタ消去一時停止状態から、中断していた消去動作を再開するためにはセクタ消去再開コマン ドを発行してください。セクタ消去再開コマンドを発行すると、セクタ消去状態に戻り消去動作 が再開されます。 実際の動作については、「3.3.6 セクタ消去再開動作」を参照してください。 ＜注意事項＞ 本コマンドはセクタ消去一時停止中のみ有効です。セクタ消去中に本コマンドを発行しても無視 されます。 September 8, 2014, MB9AB40N_MN706-00019-3v0-J CONFIDENTIAL 16 CHAPTER 1 フラッシュメモリ 3. 動作説明 3.2.3. 自動アルゴリズムの実行状態 デュアルオペレーションフラッシュメモリでは、書込みや消去を自動アルゴリズムで行いま す。自動アルゴリズムの各状態をフラッシュ・ステータス・レジスタ(FSTR)にて確認できま す。 フラッシュ・ステータス・レジスタ 自動アルゴリズムの各状態を示すレジスタです。フラッシュ・ステータス・レジスタのビット構 成を図 3-1 に示します。 図 3-1 フラッシュ・ステータス・レジスタのビット構成 bit 7 予約 6 予約 5 PGMS 4 SERS 3 ESPS 2 CERS 1 HNG 0 RDY ＜注意事項＞ コマンド発行直後は正しい値を読み出せない場合があるため、コマンド発行後 1 回目のフラッ シュ・ステータス・レジスタの読出し値は無視してください。 September 8, 2014, MB9AB40N_MN706-00019-3v0-J CONFIDENTIAL 17 CHAPTER 1 フラッシュメモリ 3. 動作説明 各ビットとフラッシュメモリの状態 フラッシュ・ステータス・レジスタの各ビットの状態とフラッシュメモリ状態の対応を表 3-2 に 示します。 表 3-2 フラッシュ・ステータス・レジスタの各ビット状態一覧 状態 PGMS SERS ESPS CERS HNG RDY 1 0 0 0 0 0 消去前内部動作中 0 0 0 0 0 0 消去中 0 0 0 1 0 0 0 1 0 0 0 0 1 1 1 0 0 0 0 1 1 0 1 0 0 0 0 1 1 0 消去前内部動作中 0 0 0 0 1 0 消去中 0 0 0 1 1 0 0 1 0 0 1 0 1 1 1 0 1 0 プログラム(書込み) フラッシュ消去 実行中 セクタ消去 プログラム(書込み) (消去対象外セクタ) 上記以外 セクタ消去 一時停止中 プログラム(書込み) タイム リミット 超過 フラッシュ消去 セクタ消去 セクタ消去一時 停止中 (注意事項) プログラム(書込み) (消去対象外セクタ) 読み出される値については、「● ビット説明」を参照してください。 ビット説明 [bit7:6] 予約ビット [bit5] PGMS : プログラム(書込み)状態フラグビット プログラム(書込み)コマンド発行後、RDY=0 となり本ビットが"1"にセットされます。 本ビットが"1"の間はプログラム(書込み)状態を示します。 プログラム(書込み)終了後、本ビットは"0"にクリアされ、RDY=1 となります。 [bit4] SERS : セクタ消去状態フラグビット セクタ消去コマンド発行後、RDY=0 となり本ビットが"1"にセットされます。 本ビットが"1"の間はセクタ消去状態を示します。 セクタ消去終了後、本ビットは"0"にクリアされ、RDY=1 となります。 セクタ消去中にセクタ一時停止コマンドを発行すると消去動作を一時的に停止します。この消去 停止状態中も本ビットは"1"のままです。 [bit3] ESPS: セクタ消去一時停止状態フラグビット セクタ消去中にセクタ一時停止コマンドを発行すると消去動作を一時的に停止し、RDY=1 となり、 本ビットが"1"にセットされます。本ビットが"1"の間はセクタ消去一時停止状態を示します。 セクタ消去再開コマンドを発行することで本ビットは"0"にクリアされ、セクタ消去動作が再開さ れます。 セクタ消去一時停止状態では消去対象外セクタに対しプログラム(書込み)コマンドを発行するこ とが可能となります。コマンドを発行すると RDY ビットが"0"、PGMS ビットが"1"にセットされ プログラム(書込み)状態となります。 [bit2] CERS : フラッシュ消去状態フラグビット フラッシュ消去コマンド発行後、RDY ビットが"0"となり、消去前内部動作状態となります。本状 態ではまだ本ビットは"1"にセットされません。消去前内部動作完了後、フラッシュ消去が開始され 本ビットが"1"にセットされます。 本ビットが"1"の間はフラッシュ消去状態を示します。 フラッシュ消去終了後、本ビットは"0"にクリアされ、RDY=1 となります。 September 8, 2014, MB9AB40N_MN706-00019-3v0-J CONFIDENTIAL 18 CHAPTER 1 フラッシュメモリ 3. 動作説明 [bit1] HNG：HANG 状態フラグビット フラッシュメモリには自動アルゴリズムの実行タイムリミットを定める内部タイマを搭載してい ます。自動アルゴリズムが内部タイマの示す実行タイムリミットに達しても未だ完了しない場合 に HANG 状態となり本ビットが"1"にセットされます。 本ビットを"0"にクリアし、通常状態へ復帰するためにはリセットを発生させるか、またはリセッ トコマンドの発行が必要です。 [bit0] RDY：RDY 状態フラグビット 自動アルゴリズム実行中であるかどうかを示すビットです。フラッシュが書込み/消去中である場 合に"0"になり、この状態では実行コマンドは受け付けられません。本ビットが"1"の場合に実行 コマンドを受け付けることができます。(セクタ消去中のセクタ一時停止コマンドを除く) September 8, 2014, MB9AB40N_MN706-00019-3v0-J CONFIDENTIAL 19 CHAPTER 1 フラッシュメモリ 3. 動作説明 3.3. フラッシュメモリの動作説明 フラッシュメモリの動作について、コマンドごとに説明します。 3.3.1 3.3.2 3.3.3 3.3.4 3.3.5 3.3.6 読出し/リセット動作 書込み動作 フラッシュ消去動作 セクタ消去動作 セクタ消去一時停止動作 セクタ消去再開動作 September 8, 2014, MB9AB40N_MN706-00019-3v0-J CONFIDENTIAL 20 CHAPTER 1 フラッシュメモリ 3. 動作説明 3.3.1. 読出し/リセット動作 読出し/リセット動作を説明します。 読出し/リセットコマンドをフラッシュメモリのアドレス範囲内の任意のアドレスに送るとフラッ シュメモリを読出し/リセット状態にできます。 この状態はフラッシュメモリの初期状態のため、電源を投入したときやコマンドが正常終了する と、フラッシュメモリは常に読出し/リセット状態に戻ります。電源投入時はデータ読出しコマン ドを発行する必要はありません。また、読出し/リセット状態では通常の読出しアクセスでデータ を読み出したり、CPU からプログラムアクセスしたりできます。このため、データを読み出すと きに読出し/リセットコマンドを発行する必要はありません。 September 8, 2014, MB9AB40N_MN706-00019-3v0-J CONFIDENTIAL 21 CHAPTER 1 フラッシュメモリ 3. 動作説明 3.3.2. 書込み動作 書込み動作を説明します。 以下の手順で、書込みを行ってください。 1. プログラム(書込み)コマンドを連続して発行する。 自動アルゴリズムが起動されフラッシュメモリへデータが書き込まれます。 書込みコマンド発行後は外部からフラッシュメモリを制御する必要はありません。 2. フラッシュ・ステータス・レジスタ(FSTR)を確認する。 プログラム(書込み)コマンド発行後、フラッシュ・ステータス・レジスタの RDY ビットが"0"、 PGMS ビットが"1"になります。その後書込みが終了すると、RDY ビットが"1"、PGMS ビット が"0"になります。 フラッシュメモリへの書込み手順例を図 3-2 に示します。 図 3-2 書込み手順例 書込み開始 書込みコマンドシーケンス ① Addr:00XX_XAA8 Data:XXAA ② Addr:00XX_X554 Data:XX55 ③ Addr:00XX_XAA8 Data:XXA0 ④ 書込みアドレス 書込みデータ FSTR 読出し(ダミー) FSTR 読出し 次のアドレス 1 HNG ? 0 書込みエラー PGMS=0 & RDY=1 ? No Yes 最終アドレス No Yes 書込み完了 September 8, 2014, MB9AB40N_MN706-00019-3v0-J CONFIDENTIAL 22 CHAPTER 1 フラッシュメモリ 3. 動作説明 ＜注意事項＞ ・ 書込みコマンドについては、「3.2 自動アルゴリズム」を参照してください。 ・ コマンド発行直後は正しい値を読み出せない場合があるため、コマンド発行後 1 回目のフラッ シュ・ステータス・レジスタ(FSTR)の読出し値は無視してください。 ・ フラッシュメモリへは、どのようなアドレスの順番でも、またセクタの境界を越えても書き込 めます。しかし 1 回の書込みコマンドシーケンスではバイトまたはハーフワードのデータ 1 つ しか書き込めません。複数のデータを書き込みたい場合は、1 データに 1 度書込みコマンド シーケンスを発行してください。 ・ 書込み動作中はフラッシュメモリへ発行されたすべてのコマンドが無視されます。 ・ 書込み中に本デバイスがリセットされた場合は、書き込んでいるデータは保証されません。 ・ 一度書き込みを行ったアドレスへの書込みは推奨しません。同一アドレスへの再書込みは、該 当アドレスを消去（セクタ消去、またはフラッシュ消去）後に行ってください。 September 8, 2014, MB9AB40N_MN706-00019-3v0-J CONFIDENTIAL 23 CHAPTER 1 フラッシュメモリ 3. 動作説明 3.3.3. フラッシュ消去動作 フラッシュ消去動作を説明します。 フラッシュメモリの全セクタを一括してデータを消去できます。これをフラッシュ消去とよびま す。 フラッシュ消去コマンドを対象セクタに連続して送ると自動アルゴリズムを起動して、全セクタ を一括で消去できます。 フラッシュ消去コマンドについては、「3.2 自動アルゴリズム」を参照してください。 1. フラッシュ消去コマンドを連続して発行する。 自動アルゴリズムが起動されフラッシュメモリのフラッシュ消去動作が開始されます。 2. フラッシュ・ステータス・レジスタ(FSTR)を確認する。 フラッシュ消去コマンド発行後、フラッシュ・ステータス・レジスタの RDY ビットが"0"にな ります。この時フラッシュは消去前内部動作状態となり CERS ビットは"0"の状態で保持されて います。その後消去が開始されると CERS ビットが"1"にセットされます。 フラッシュ消去が完了すると RDY ビットが"1"、CERS ビットは"0"にクリアされます。 September 8, 2014, MB9AB40N_MN706-00019-3v0-J CONFIDENTIAL 24 CHAPTER 1 フラッシュメモリ 3. 動作説明 3.3.4. セクタ消去動作 セクタ消去動作を説明します。 フラッシュメモリ内のセクタを選択して、選択したセクタのデータのみを消去できます。複数の セクタも同時に指定できます。 以下の手順で、セクタ消去を行ってください。 1. セクタ消去コマンドを対象セクタに連続して発行する。 自動アルゴリズムが起動され指定したセクタの消去が開始します。 複数のセクタを消去したい場合は、6 回目の書込みデータ(コマンドデータ)として 0xE0 を書き 込んでください。7 回目以降も追加するセクタアドレスに 0xE0 を書き込むことでさらに消去す るセクタを追加できます。最後のセクタアドレスに 0x30 を書き込むことで自動アルゴリズム が起動され指定した複数のセクタのデータ消去が開始します。 追加するセクタ数には制限はなく、全セクタを追加して一括消去することもできます。 2. フラッシュ・ステータス・レジスタ(FSTR)を確認する。 セクタ消去コマンド発行後、フラッシュ・ステータス・レジスタの RDY ビットが"0"、SERS ビットが"1"になります。その後、指定したすべてのセクタ消去が終了すると、RDY ビットが "1"、SERS ビットが"0"になります。 セクタ消去手順例を図 3-3 に示します。 September 8, 2014, MB9AB40N_MN706-00019-3v0-J CONFIDENTIAL 25 CHAPTER 1 フラッシュメモリ 3. 動作説明 図 3-3 セクタ消去手順例 セクタ消去開始 セクタ消去コマンドシーケンス ① Addr:00XX_XAA8 Data:XXAA ② Addr:00XX_X554 Data:XX55 ③ Addr:00XX_XAA8 Data:XX80 ④ Addr:00XX_XAA8 Data:XXAA ⑤ Addr:00XX_X554 Data:XX55 NO ほかにデータ消去する セクタがある? YES データ消去するセクタに 消去コード (0xXX30) を書き込む データ消去するセクタに 消去コード (0xXXE0) を書き込む FSTR 読出し(ダミー) FSTR 読出し HNG ? 1 0 SERS=0 & RDY=1 ? NO セクタ消去エラー YES セクタ消去完了 セクタ消去動作が終了すると、フラッシュメモリは読出し/リセットモードに戻ります。 ＜注意事項＞ ・ セクタ消去コマンドについては、「3.2 自動アルゴリズム」を参照してください。 ・ コマンド発行直後は正しい値を読み出せないことがあるため、コマンド発行後 1 回目のフラッ シュ・ステータス・レジスタ(FSTR)の読出し値は無視してください。 September 8, 2014, MB9AB40N_MN706-00019-3v0-J CONFIDENTIAL 26 CHAPTER 1 フラッシュメモリ 3. 動作説明 3.3.5. セクタ消去一時停止動作 セクタ消去一時停止動作を説明します。 セクタ消去中にセクタ消去一時停止コマンドを発行すると、セクタ消去一時停止状態に遷移し、 消去動作を一時的に中断します。 消去再開コマンドを発行することによってセクタ消去状態に戻り、中断していた消去動作を再開 できます。 セクタ消去一時停止動作 以下の手順でセクタ消去が一時停止されます。 1. セクタ消去中に、セクタ消去一時停止コマンドをフラッシュメモリのアドレス範囲内の任意 のアドレスへ書き込みます。 2. フラッシュ・ステータス・レジスタ(FSTR)を確認する。 セクタ消去一時停止コマンド発行後、フラッシュ・ステータス・レジスタの RDY ビットが"0"、 ESPS ビットが"1"になります。この状態で消去対象以外のセクタのメモリセルについて読出し および書込み動作が可能になります。(同一バンク内であっても可能です。) ＜注意事項＞ ・ セクタ消去一時停止コマンドについては、「3.2 自動アルゴリズム」を参照してください。 ・ セクタ消去一時停止後に消去対象のセクタを読み出した場合、読出し値は不定です。 September 8, 2014, MB9AB40N_MN706-00019-3v0-J CONFIDENTIAL 27 CHAPTER 1 フラッシュメモリ 3. 動作説明 3.3.6. セクタ消去再開動作 セクタ消去一時停止中にセクタ消去を再開する動作を説明します。 セクタ消去を一時停止中に、フラッシュメモリのアドレス範囲内の任意のアドレスにセクタ消去 再開コマンドを発行することで、セクタ消去を再開できます。 セクタ消去再開コマンドが発行されると、セクタ消去一時停止中のセクタ消去動作が再開されま す。 セクタ消去再開コマンドについては、「3.2 自動アルゴリズム」を参照してください。 ＜注意事項＞ セクタ消去再開コマンドは、セクタ消去一時停止中のみ有効です。セクタ消去中にセクタ消去再 開コマンドを発行しても無視されます。 September 8, 2014, MB9AB40N_MN706-00019-3v0-J CONFIDENTIAL 28 CHAPTER 1 フラッシュメモリ 3. 動作説明 3.4. フラッシュメモリの使用上の注意 フラッシュメモリの使用上の注意について説明します。 ・ 書込み中に本デバイスがリセットされた場合は、書き込んでいるデータは保証されません。 また、書込み/消去中には、ウォッチドッグタイマなどの予期しないリセットがかからないよ うにしてください。 ・ 自動アルゴリズムのコマンド発行直後にフラッシュ・ステータス・レジスタを読み出す場合は は、必ずダミーの読出しを行ってください。 ・ 本デバイスを低消費電力モードへ遷移させる場合は、フラッシュメモリ自動アルゴリズムの動 作が終了していることを必ず確認してください。 低消費電力モードについては、『FM3 ファミリ ペリフェラルマニュアル』の『低消費電力モー ド』の章を参照してください。 ・ 自動アルゴリズム実行中に、実行した同一バンク内のアドレスを読み出しても正しい値は読み 出せません。よって割込みベクタのあるバンクへの書込み/消去中は割込みが発生しないように するか、Cortex-M3 の「ベクタ・テーブル・オフセット・レジスタ」にてほかのバンクか RAM へベクタアドレスを書き換えてください。 ・ 一度書き込みを行ったアドレスへの書込みは推奨しません。同一アドレスへの再書込みは、該 当アドレスを消去（セクタ消去、またはフラッシュ消去）後に行ってください。 September 8, 2014, MB9AB40N_MN706-00019-3v0-J CONFIDENTIAL 29 CHAPTER 1 フラッシュメモリ 4. レジスタ 4. レジスタ レジスタについて説明します。 レジスタ一覧 レジスタ略称 レジスタ名 参照先 FRWTR フラッシュ・リードウェイト・レジスタ 4.1 FSTR フラッシュ・ステータス・レジスタ 4.2 FICR フラッシュ・割込み制御・レジスタ 4.3 FISR フラッシュ・割込みステータス・レジスタ 4.4 FICLR フラッシュ・割込みクリア・レジスタ 4.5 CRTRMM CR トリミングデータ・ミラー・レジスタ 4.6 September 8, 2014, MB9AB40N_MN706-00019-3v0-J CONFIDENTIAL 30 CHAPTER 1 フラッシュメモリ 4. レジスタ 4.1. フラッシュ・リードウェイト・レジスタ(FRWTR) FRWTR レジスタは、フラッシュメモリに対するウェイトサイクルを設定します。 TYPE6,TYPE8 製品 bit 7 6 5 4 3 2 1 予約 Field 0 RWT 属性 RW RW 初期値 0 1 [bit7:2] 予約ビット 読出し値は不定です。書込み時は無視されます。 [bit1:0] RWT: Read Wait Cycle フラッシュメモリのリードウェイトサイクルを指定します。 説明 bit1 bit0 0 0 0 サイクルウェイト HCLK が 20MHz 以下の場合に設定可能です。 0 1 0/1 サイクルウェイト(初期値) HCLK が 20MHz を超える場合には必ず設定してください。 1 0 1 1 設定禁止 ＜注意事項＞ ・ HCLK が 20MHz を超える場合は RWT=00 での使用は禁止です。RWT=00 のとき、HCLK が一瞬 でも 20MHz を超えないようにしてください。 ・ 本レジスタを変更後、必ず本レジスタに対してダミーリードを行ってください。 September 8, 2014, MB9AB40N_MN706-00019-3v0-J CONFIDENTIAL 31 CHAPTER 1 フラッシュメモリ 4. レジスタ TYPE9 製品 bit 7 6 5 4 3 2 1 予約 Field 0 RWT 属性 RW RW 初期値 1 0 [bit7:2] 予約ビット 読出し値は不定です。書込み時は無視されます。 [bit1:0] RWT: Read Wait Cycle フラッシュメモリのリードウェイトサイクルを指定します。 説明 bit1 bit0 0 0 0 サイクルウェイト HCLK が 20MHz 以下の場合に設定可能です。 0 1 0/1 サイクルウェイト HCLK が 20MHz を超え、40MHz 以下の場合に設定可能です。 1 0 プリフェッチモード(初期値) HCLK が 40MHz を超える場合には必ず設定してください。 1 1 設定禁止 ＜注意事項＞ ・ HCLK が 20MHz を超える場合は RWT=00 での使用は禁止です。RWT=00 のとき、HCLK が一瞬 でも 20MHz を超えないようにしてください。 ・ HCLK が 40MHz を超える場合は RWT=00、および RWT=01 での使用は禁止です。RWT=00、ま たは RWT=01 のとき、HCLK が一瞬でも 40MHz を超えないようにしてください。 ・ 本レジスタを変更後、必ず本レジスタに対してダミーリードを行ってください。 September 8, 2014, MB9AB40N_MN706-00019-3v0-J CONFIDENTIAL 32 CHAPTER 1 フラッシュメモリ 4. レジスタ 4.2. フラッシュ・ステータス・レジスタ(FSTR) FSTR レジスタは、フラッシュメモリのステータスを示すレジスタです。 bit 5 4 3 2 1 0 PGMS SERS ESPS CERS HNG RDY 属性 R R R R R R 初期値 0 0 0 0 0 X Field 7 6 予約 [bit7:6] 予約ビット 読出し値は不定です。書込み時は無視されます。 [bit5] PGMS : Flash Program Status フラッシュメモリのプログラム(書込み動作)状態を示します。 説明 bit 0 フラッシュへのプログラム(書込み動作)中ではない。 1 フラッシュへのプログラム(書込み動作)中。 [bit4] SERS : Flash Sector Erase Status フラッシュメモリのセクタ消去状態を示します。 説明 bit 0 セクタ消去中ではない。 1 セクタ消去中またはセクタ消去一時停止中。 [bit3] ESPS : Flash Erase Suspend Status フラッシュメモリのセクタ消去一時停止状態を示します。 説明 bit 0 セクタ消去一時停止中ではない。 1 セクタ消去一時停止中。 [bit2] CERS : Flash Chip Erase Status フラッシュメモリの全セクタ消去状態を示します。 説明 bit 0 フラッシュメモリのデータ消去中ではない。 1 フラッシュメモリのデータ消去中。 September 8, 2014, MB9AB40N_MN706-00019-3v0-J CONFIDENTIAL 33 CHAPTER 1 フラッシュメモリ 4. レジスタ [bit1] HNG : Flash Hang Status フラッシュメモリの HANG 状態を示します。タイミング超過すると HANG 状態になります。本ビ ットが"1"になった場合はリセットコマンド(「3.2.1 コマンドシーケンス」を参照してください) を 発行してください。 説明 bit 0 フラッシュメモリの HANG 状態を検出していません。 1 フラッシュメモリの HANG 状態を検出しました。 [bit0] RDY : Flash Ready Status 自動アルゴリズムでフラッシュメモリの書込み/消去動作が実行中か完了しているかを示します。 実行中の場合、フラッシュメモリへのデータ書込み/消去はできません。 説明 bit 0 書込み/消去動作実行中(書込み/消去コマンド受付不可) 1 書込み/消去動作完了(書込み/消去コマンド受付可能) September 8, 2014, MB9AB40N_MN706-00019-3v0-J CONFIDENTIAL 34 CHAPTER 1 フラッシュメモリ 4. レジスタ 4.3. フラッシュ・割込み制御・レジスタ(FICR) FICR レジスタは、フラッシュメモリの割込み許可の設定を行うレジスタです。 bit 7 6 5 4 3 1 0 HANGIE RDYIE 属性 RW RW 初期値 0 0 予約 Field 2 [bit1] HANGIE : HANG Interrupt Enable フラッシュ HANG 状態割込みを許可するビットです。FISR レジスタの HANGIF ビットが"1"で本 ビットが"1"の時、CPU に対して割込みを発生します。 説明 bit 0 フラッシュ HANG 割込み禁止(初期値) 1 フラッシュ HANG 割込み許可 [bit0] RDYIE : RDY Interrupt Enable フラッシュ RDY 割込みを許可するビットです。FISR レジスタの RDYIF ビットが"1"で本ビットが "1"の時、CPU に対して割込みを発生します。 説明 bit 0 フラッシュ RDY 割込み禁止(初期値) 1 フラッシュ RDY 割込み許可 ＜注意事項＞ 本レジスタのビットを"1"に設定し、割込みを許可する前には必ずフラッシュ・割込みステータ ス・レジスタ(FISR)の該当ビットをクリアしてください。 September 8, 2014, MB9AB40N_MN706-00019-3v0-J CONFIDENTIAL 35 CHAPTER 1 フラッシュメモリ 4. レジスタ 4.4. フラッシュ・割込みステータス・レジスタ(FISR) FISR レジスタは、フラッシュメモリの割込み状態を示すレジスタです。 bit 7 6 5 4 3 1 0 HANGIF RDYIF 属性 RW RW 初期値 0 0 予約 Field 2 [bit7:2] 予約ビット 読出し値は不定です。書込み時は無視されます。 [bit1] HANGIF : HANG Interrupt Flag フラッシュ HANG 状態を検出した場合"1"にセットされます。HANG 信号の立上りエッジでセッ トされます。フラッシュ・割込みクリア・レジスタ(FICLR)の HANGC ビットへの"1"書込みでク リアされます。 説明 bit 0 フラッシュ HANG 状態を検出していない。(初期値) 1 フラッシュ HANG 状態を検出。 [bit0] RDYIF : RDY Interrupt Flag フラッシュ RDY 状態を検出した場合"1"にセットされます。RDY 信号の立上りエッジでセットさ れます。フラッシュ・割込みクリア・レジスタ(FICLR)の RDYC ビットへの"1"書込みでクリアさ れます。 説明 bit 0 フラッシュ RDY 状態を検出していない。(初期値) 1 フラッシュ RDY 状態を検出。 September 8, 2014, MB9AB40N_MN706-00019-3v0-J CONFIDENTIAL 36 CHAPTER 1 フラッシュメモリ 4. レジスタ 4.5. フラッシュ・割込みクリア・レジスタ(FICLR) FICLR レジスタは、フラッシュメモリの割込み状態を示すレジスタです。 bit 7 6 5 4 3 2 1 0 HANGC RDYC 属性 W W 初期値 0 0 予約 Field [bit1] HANGC : HANG Interrupt Clear HANG 割込みフラグのクリアビットです。本ビットへ"1"を書き込むことでフラッシュ・割込みス テータス・レジスタ(FISR)の HANGIF ビットを"0"にクリアします。 説明 bit 書込み時 0 フラッシュ HANG 割込みフラグ(HANGIF)は変化しない。 1 フラッシュ HANG 割込みフラグ(HANGIF)をクリア。 読出し時 常に”0”が読み出されます。 [bit0] RDYC : RDY Interrupt Flag RDY 割込みフラグのクリアビットです。本ビットへ"1"を書き込むことでフラッシュ・割込みス テータス・レジスタ(FISR)の RDYIF ビットを"0"にクリアします。 説明 bit 書込み時 読出し時 0 フラッシュ RDY 割込みフラグ(RDYIF)は変化しない。 1 フラッシュ RDY 割込みフラグ(RDYIF)をクリア。 常に”0”が読み出されます。 September 8, 2014, MB9AB40N_MN706-00019-3v0-J CONFIDENTIAL 37 CHAPTER 1 フラッシュメモリ 4. レジスタ 4.6. CR トリミングデータ・ミラー・レジスタ(CRTRMM) CRTRMM レジスタは、CR トリミングデータのミラーレジスタです。 ユーザモード, シリアルライタモードで本レジスタの値を使用できます。 TYPE6 製品 bit 31 10 9 0 Field 予約 TRMM 属性 - R 初期値 - * [bit31:10] 予約ビット 読出し値は不定です。書込み時は無視されます。 [bit9:0] TRMM : CR Trimming Data Mirror Register リセット解除後、フラッシュメモリ領域のアドレス 0x0010_2000 番地の bit[9:0] (CR 周波数トリミ ングデータ)が本レジスタに格納します。 説明 bit 9:0 *:アドレス 0x0010_2000 番地の bit[9:0]が読み出されます。 ＜注意事項＞ フラッシュメモリを消去した後、チップ内部にリセットが発行されると本レジスタはクリアされ ます。このとき、格納されている CR トリミングデータは消失します。そのため、本レジスタが クリアされる前にレジスタに格納されている CR トリミングデータを RAM などに退避してくださ い。 September 8, 2014, MB9AB40N_MN706-00019-3v0-J CONFIDENTIAL 38 CHAPTER 1 フラッシュメモリ 4. レジスタ TYPE8,TYPE9 製品 bit 31 21 20 16 15 10 9 0 Field 予約 TTRMM 予約 TRMM 属性 - R - R 初期値 - * - * [bit31:21] 予約ビット 読出し値は不定です。書込み時は無視されます。 [bit20:16] TTRMM : CR Temperature Trimming Data Mirror bit リセット解除後、フラッシュメモリ領域のアドレス 0x0010_2002 番地の bit[4:0](CR 温度トリミン グデータ)が本ビットに格納されます。 説明 bit 20:16 アドレス 0x0010_2002 番地の bit[4:0]が読み出されます。 [bit15:10] 予約ビット 読出し値は不定です。書込み時は無視されます。 [bit9:0] TRMM : CR Trimming Data Mirror bit リセット解除後、フラッシュメモリ領域のアドレス 0x0010_2000 番地の bit[9:0] (CR 周波数トリ ミングデータ)が本レジスタに格納されます。 説明 bit 9:0 アドレス 0x0010_2000 番地の bit[9:0]が読み出されます。 ＜注意事項＞ フラッシュメモリを消去した後、チップ内部にリセットが発行されると本レジスタはクリアされ ます。このとき、格納されている CR トリミングデータは消失します。そのため、本レジスタが クリアされる前にレジスタに格納されている CR トリミングデータを RAM などに退避してくださ い。 September 8, 2014, MB9AB40N_MN706-00019-3v0-J CONFIDENTIAL 39 CHAPTER 1 フラッシュメモリ 4. レジスタ September 8, 2014, MB9AB40N_MN706-00019-3v0-J CONFIDENTIAL 40 CHAPTER 2 フラッシュセキュリティ 1. 概要 CHAPTER 2: フラッシュセキュリティ フラッシュセキュリティ機能によりフラッシュメモリの内容を保護できます。 フラッシュセキュリティの概要, 動作について説明します。 1. 2. 概要 動作説明 管理コード: 9BFB40NSECURITY-J01.0 September 8, 2014, MB9AB40N_MN706-00019-3v0-J CONFIDENTIAL 41 CHAPTER 2 フラッシュセキュリティ 1. 概要 1. 概要 フラッシュセキュリティの概要を説明します。 フラッシュメモリのセキュリティコード領域に保護コード"0x0001"を書き込むと、フラッシュメモ リへのアクセスを制限できます。フラッシュメモリを一度保護すると、フラッシュ消去を行うま で保護された状態は解除できません。保護された状態を解除しない限り、外部端子からフラッ シュメモリのデータを読出し/書込みをすることはできません。 この機能はフラッシュメモリに格納される自己完結型プログラムやデータのセキュリティを必要 とするアプリケーションに適しています。 表 1-1 にセキュリティコードのアドレスと保護コードを示します。 表 1-1 セキュリティコードのアドレスと保護コード アドレス 保護コード 0x0010_0000 0x0001 September 8, 2014, MB9AB40N_MN706-00019-3v0-J CONFIDENTIAL 42 CHAPTER 2 フラッシュセキュリティ 2. 動作説明 2. 動作説明 フラッシュセキュリティの動作を説明します。 セキュリティのかけ方 セキュリティコードのアドレスに保護コード"0x0001"を書き込みます。すべてのリセット要因また は電源再投入後に有効となりセキュリティがかかります。 セキュリティの解除 フラッシュ消去実行後のすべてのリセット要因または電源再投入で、セキュリティは解除されま す。 セキュリティ有効時の動作 セキュリティ有効時の動作は、各モードにより動作が異なります。 表 2-1 に各モードにおけるセキュリティ動作について示します。 表 2-1 セキュリティ有効時のフラッシュ動作 モード端子 フラッシュへのアクセス MD1 MD0 フラッシュ 消去 その他の コマンド 読出し JTAG 端子からの アクセス ユーザモード - 0 可能 可能 有効データ 不可能 シリアルライタモード 0 1 可能 不可能 無効データ 不可能 モード ＜注意事項＞ ・ 保護コードは、フラッシュプログラミングの最後に書き込むことを推奨します。 これは、プログラミング中、不意に保護されてしまうことを防ぐためです。 ・ ユーザモード時は、セキュリティ有効時でもフラッシュメモリに対して制限はありません。 しかし、セキュリティ有効時は JTAG 端子から内部へアクセスできないように JTAG 端子は固定 されます。セキュリティ解除は JTAG 端子を通して行えないため、解除を行う場合はシリアル ライタを使用してフラッシュ消去を行ってください。 ・ セキュリティをかけた状態でのフラッシュメモリ障害解析は一切行えません。 September 8, 2014, MB9AB40N_MN706-00019-3v0-J CONFIDENTIAL 43 CHAPTER 2 フラッシュセキュリティ 2. 動作説明 September 8, 2014, MB9AB40N_MN706-00019-3v0-J CONFIDENTIAL 44 CHAPTER 3 シリアル書込み接続 1. シリアルプログラマ CHAPTER 3: シリアル書込み接続 本シリーズは、フラッシュメモリのシリアルオンボード書込み(Spansion 標準)に対応してい ます。本章では、フラッシュメモリのシリアル書込みについて、Spansion 製シリアルプログ ラマを用いた場合の基本構成を説明します。 1. シリアルプログラマ 管理コード: 9AB40NFSP-J03.0 September 8, 2014, MB9AB40N_MN706-00019-3v0-J CONFIDENTIAL 45 CHAPTER 3 シリアル書込み接続 1. シリアルプログラマ 1. シリアルプログラマ Spansion 製シリアルプログラマ(ソフトウェア)は、フラッシュメモリ内蔵マイコン全製品を 対象にしたオンボードプログラミングツールです。 本シリアルプログラマは、PC との I/F(RS-232C, USB)により、2 種類のツールを用意してい ますので、環境に合わせてご利用いただけます。 なお、USB ファンクションを搭載している品種は USB-シリアル変換をすることなくパソ コンとマイコンをダイレクトに接続してオンボード書込みができます。 1.1 基本構成 1.2 使用端子 September 8, 2014, MB9AB40N_MN706-00019-3v0-J CONFIDENTIAL 46 CHAPTER 3 シリアル書込み接続 1. シリアルプログラマ 1.1. 基本構成 基本構成について説明します。 Spansion MCU Programmer(クロック非同期シリアル書込み)の基本構成 Spansion MCU Programmer は、パソコンとユーザシステムを RS-232C ケーブルで接続することで、 クロック非同期シリアル通信によりユーザシステムに実装されているマイコンに内蔵されている フラッシュメモリへデータを書き込みます。 本シリーズでは原発振に水晶振動子、または内蔵高速 CR 発振器を使用してシリアル書込み(UART 通信モード)が可能です。 Spansion MCU Programmer の基本構成を図 1-1、システム構成を表 1-1 に示します。 図 1-1 Spansion MCU Programmer の基本構成 ユーザシステム ※ RS-232C ※RS-232C のドライバ IC が別途必要です。 表 1-1 Spansion MCU Programmer のシステム構成 名称 仕様 Spansion MCU Programmer ソフトウェア (入手方法は弊社営業部門までお問い合わせください。) RS-232C ケーブル 市販品 September 8, 2014, MB9AB40N_MN706-00019-3v0-J CONFIDENTIAL 47 CHAPTER 3 シリアル書込み接続 1. シリアルプログラマ Spansion MCU Programmer の接続例 原発振に水晶振動子を使用する場合 原発振に水晶振動子を使用する場合の Spansion MCU Programmer 接続例を図 1-2 に、入力可能な 周波数と対応する通信ボーレートを表 1-2 に示します。 図 1-2 Spansion MCU Programmer の接続例 ユーザシステム VCC 原発振 MD1 シリアル書込み時"0" 10kΩ シリアル書込み時"1" ● ● X0 ● X1 ● MD0 ● 本デバイス INITX 10kΩ シリアル書込み UART 通信モード時"0" 10kΩ RS-232C ドライバ ● ● P60/INT15_1 ● 10kΩ ● P21/SIN_0 P22/SOT0_0 RS-232C VSS (注意事項)プルアップ抵抗値は一例です。システムごとに最適な抵抗値を選択してください。 表 1-2 クロック非同期シリアル通信時の入力可能な発振周波数と通信ボーレート 原発振周波数 通信ボーレート 4MHz 9600bps 8MHz 19200bps 16MHz 38400bps 24MHz 57600bps 48MHz* 115200bps *:TYPE9 製品のみ September 8, 2014, MB9AB40N_MN706-00019-3v0-J CONFIDENTIAL 48 CHAPTER 3 シリアル書込み接続 1. シリアルプログラマ 原発振に内蔵高速 CR 発振器を使用する場合 原発振に内蔵高速 CR 発振器を使用する場合の Spansion MCU Programmer 接続例を図 1-3 に示し ます。 X0/X1 端子に水晶振動子、または外部クロックを接続しない場合に内蔵高速 CR 発振器を使用し て通信を行います。 内蔵高速 CR 発振器を使用した場合の通信ボーレートは 9600[bps]になります。 また、内蔵高速 CR 発振器を使用する場合、以下の制限があります。 内蔵高速 CR 発振器の発振周波数は温度/電圧により変動するため、許容ボーレート誤差範囲を超 える場合があります。 内蔵高速 CR 発振器を使用する場合は、ご使用する製品の『データシート』の『内蔵 CR 発振規格』 を確認してください。 図 1-3 内蔵高速 CR 発振器を使用する場合の接続例 ユーザシステム VCC MD1 シリアル書込み時"0" 10kΩ シリアル書込み時"1" X0 ● ● MD0 ● X1 本デバイス INITX 10kΩ シリアル書込み UART 通信モード時"0" 10kΩ RS-232C ドライバ ● ● P60/INT15_1 ● 10kΩ ● P21/SIN_0 P22/SOT0_0 RS-232C VSS (注意事項)プルアップ抵抗値は一例です。システムごとに最適な抵抗値を選択してください。 September 8, 2014, MB9AB40N_MN706-00019-3v0-J CONFIDENTIAL 49 CHAPTER 3 シリアル書込み接続 1. シリアルプログラマ Spansion USB DIRECT Programmer(USB シリアル書込み)の基本構成 Spansion USB DIRECT Programmer は、パソコンとユーザシステムを USB ケーブルで接続すること で、USB 通信モードによりユーザシステムに実装されているマイコンに内蔵されているフラッ シュメモリへデータを書き込みます。 Spansion USB DIRECT Programmer の基本構成を図 1-4、システム構成を表 1-3 に示します。 図 1-4 Spansion USB DIRECT Programmer の基本構成 USB シリアル通信 USB ユーザシステム 表 1-3 Spansion USB DIRECT Programmer のシステム構成 名称 仕様 Spansion USB DIRECT Programmer ソフトウェア (入手方法は弊社営業部門までお問い合わせください。) USB ケーブル 市販品 接続例については Spansion USB DIRECT Programmer のマニュアル(HELP)を確認してください。 September 8, 2014, MB9AB40N_MN706-00019-3v0-J CONFIDENTIAL 50 CHAPTER 3 シリアル書込み接続 1. シリアルプログラマ 図 1-5 Spansion USB DIRECT Programmer の接続例(自己電源使用時,TYPE6/TYPE8 製品) ユーザシステム VCC MD1 シリアル書込み時"0" X0 10kΩ シリアル書込み時"1" ● ● ● MD0 ● シリアル書込み USB 通信モード 4MHz 時 "0" 48MHz 時"1" 4MHz or 48MHz X1 ● 本デバイス 10kΩ ● ● P22/SOT0_0 ● 10kΩ USB コネクタ レベル シフタ Vbus INITX ● P60/INT15_1 51kΩ D- UDM0 3.3V 27Ω レベル シフタ P61/UHCONX 10Ω 1.5kΩ D+ 100kΩ ● UDP0 ● 27Ω ● GND VSS (注意事項)プルアップ・プルダウン抵抗値は一例です。システムごとに最適な抵抗値を選択してください。 レベルシフタはシステムごとに適宜挿入願います。 図 1-6 Spansion USB DIRECT Programmer の接続例(自己電源使用時,TYPE9 製品) ユーザシステム VCC ● MD1 シリアル書込み時"0" X0 10kΩ シリアル書込み時"1" ● ● USB コネクタ ● MD0 ● シリアル書込み USB 通信モード 4MHz 時 "0" 48MHz 時"1" 4MHz or 48MHz X1 ● 本デバイス 10kΩ ● ● P22/SOT0_0 ● 10kΩ INITX レギュレータ 3.3V 出力 USBVCC レベル シフタ Vbus ● P60/INT15_1 51kΩ D27Ω レベル シフタ 100kΩ ● P61/UHCONX 10Ω 1.5kΩ D+ UDM0 3.3V UDP0 ● 27Ω GND ● VSS (注意事項)プルアップ・プルダウン抵抗値は一例です。システムごとに最適な抵抗値を選択してください。 レベルシフタはシステムごとに適宜挿入願います。 September 8, 2014, MB9AB40N_MN706-00019-3v0-J CONFIDENTIAL 51 CHAPTER 3 シリアル書込み接続 1. シリアルプログラマ 図 1-7 Spansion USB DIRECT Programmer の接続例(バス電源使用時,TYPE6/TYPE8 製品) ユーザシステム VCC MD1 シリアル書込み時"0" X0 10kΩ シリアル書込み時"1" ● ● シリアル書込み USB 通信モード 4MHz 時 "0" 48MHz 時"1" X1 ● 本デバイス 10kΩ ● ● P22/SOT0_0 ● 10kΩ USB コネクタ Vbus ● MD0 ● レギュレータ 3.3V 出力 4MHz or 48MHz INITX ● ● P60/INT15_1 51kΩ D- UDM0 3.3V 27Ω レベル シフタ P61/UHCONX 10Ω 1.5kΩ D+ 100kΩ ● UDP0 ● 27Ω ● GND VSS (注意事項)プルアップ・プルダウン抵抗値は一例です。システムごとに最適な抵抗値を選択してください。 図 1-8 Spansion USB DIRECT Programmer の接続例(バス電源使用時, TYPE9 製品) ユーザシステム VCC MD1 シリアル書込み時"0" X0 10kΩ シリアル書込み時"1" ● ● USB コネクタ Vbus ● ● MD0 ● シリアル書込み USB 通信モード 4MHz 時 "0" 48MHz 時"1" 4MHz or 48MHz X1 ● 本デバイス 10kΩ ● ● P22/SOT0_0 ● 10kΩ INITX レギュレータ 3.3V 出力 USBVCC ● ● P60/INT15_1 51kΩ D27Ω レベル シフタ 100kΩ ● P61/UHCONX 10Ω 1.5kΩ D+ UDM0 3.3V UDP0 ● 27Ω GND ● VSS (注意事項)プルアップ・プルダウン抵抗値は一例です。システムごとに最適な抵抗値を選択してください。 September 8, 2014, MB9AB40N_MN706-00019-3v0-J CONFIDENTIAL 52 CHAPTER 3 シリアル書込み接続 1. シリアルプログラマ 1.2. 使用端子 使用端子について説明します。 表 1-4 シリアル書込みに使用する端子 端子 機能 補足説明 MD0, MD1 モード端子 MD0=H, MD1=L に設定した状態で外部リセットまたは電源 投入するとシリアル書込みモードとなります。 なお、プルアップ/プルダウン抵抗を付ける場合は、配線を引 き回さないでください。 X0, X1 発振用端子 シリアル書込みモード時に使用可能な原発振クロック(メイ ンクロック)周波数はご使用する『データシート』を参照して ください。 (クロック非同期通信の場合は制限があります。詳細は表 1-2 を確認してください。) UART 通信モード時は、原発振を使用せず内蔵高速 CR 発振器 を使用して書込みが可能です。 P22/SOT0_0 UART シリアル データ出力端子/ USB 原発振周波数 選択端子 通信モードを UART とした場合、シリアル書込みモードが起 動し、通信が開始された時点でシリアルデータ出力端子とな ります。 通信モードを USB とした場合、原発振クロックの周波数を設 定します。 P22=L : 原発振周波数 4MHz P22=H : 原発振周波数 48MHz P21/SIN0_0 クロック同期・ 非同期選択端子/ UART シリアル データ入力端子 通信を開始するまでの本端子の入力レベルを"H"にするとク ロック非同期通信モードとなり、"L"にするとクロック同期通 信モードとなります。通信モードを UART とした場合、シリ アル書込みモードが起動し、通信が開始された時点で UART シリアルデータ入力端子として使用できます。 P60/INT15_1 通信モード選択端子 シリアル書込みモードに移行するリセット時の本端子の入力 レベルにより通信モードを決定します。 H のときは USB 通信モードとなり、L の時は UART 通信モー ドとなります。 P61/UHCONX UDP0 用プルアップ 制御端子 通信モードを USB とした場合、USB(+)側のプルアップを制御 します。 UHCONX=L : プルアップ抵抗接続 UHCONX=H : プルアップ抵抗切断 UDP0 USB 入出力端子 通信モードを USB とした場合、USB(+)側の入出力端子となり ます。 UDM0 USB 入出力端子 通信モードを USB とした場合、USB(-)側の入出力端子となり ます。 INITX リセット端子 - VCC 電源供給端子 書込み時、マイコンの電源はユーザシステムから供給してく ださい。 September 8, 2014, MB9AB40N_MN706-00019-3v0-J CONFIDENTIAL 53 CHAPTER 3 シリアル書込み接続 1. シリアルプログラマ 端子 機能 USBVCC USB I/O 用電源供給 端子 VSS GND 端子 September 8, 2014, MB9AB40N_MN706-00019-3v0-J CONFIDENTIAL 補足説明 USBVCC は TYPE9 製品にのみ存在します。 - 54 F L A S H P R O G R A M M I N G M A N U A L 主な変更内容 ページ 場所 変更箇所 Revision 1.0 - - Initial release Revision 2.0 - - TYPE8, TYPE9 製品を追加 TYPE6 に A 付き型格を追加 「・高速フラッシュ」へ以下の記述を追加 ～72MHz 時 プリフェッチバッファ機能を有効にすることによ って 0wait を実現 (TYPE9 製品のみ) 2 4 7, 8 16 17 21 30, 31 46 CHAPTER 1: フラッシュメモリ 1. 概要 デュアルオペレーションフラッシュメモリ の特長 2. 構成 3.2.3. 自動アルゴリズムの実行状態 ●ビット説明 3.3.2. 書込み動作 4.1. FRWTR (Flash Read Wait Register) フラ ッシュ・リードウェイト・レジスタ CHAPTER 3: シリアル書込み接続 1. シリアルプログラマ 1.1. 基本構成 4 - 10 10 11 14 31 38 47 48 53 - 社名変更および記述フォーマットの変換 - TYPE6 に 型格を追加 TYPE8 に 型格を追加 表 2-1 のタイトルを訂正 図 2-1～図 2-6 のタイトルを訂正 図 2-7 を追加 3.4 のタイトルを訂正 温度トリミングデータについての注意事項を追加 CHAPTER 1: フラッシュメモリ 2.構成 2.構成 3.動作説明 3.動作説明 3.2.1.コマンドシーケンス 4 レジスタ 4.1.フラッシュ・リードウェイト・レジスタ (FRWTR) 4 レジスタ 4.6.CR トリミングデータ・ミラー・レジス タ(CRTRMM) CHAPTER 3: シリアル書込み接続 1.シリアルプログラマ 1.1.基本構成 1.1.基本構成 1.2.使用端子 September 8, 2014, MB9AB40N_MN706-00019-3v0-J CONFIDENTIAL 表 1-2 の原発振周波数: 48MHz を削除 図 1-5, 図 1-7 を追加 48, 49 Revision 2.1 Revision 3.0 - 図 2-1 を追加 図 2-4, 図 2-5 を追加 図 3-1 を訂正 未定義 → 予約 未定義ビット → 予約ビット ビット名を訂正 PGRM → PGMS ｢■ TYPE6, TYPE8 製品｣, ｢■ TYPE9 製品｣の項を追加 RWT=01 の説明文を訂正 TYPE6 製品と TYPE8/TYPE9 製品に分割 TYPE8/TYPE9 製品に CR 温度トリミングデータの説明を追加 「Spansion MCU Programmer(クロック非同期シリアル書込み) の基本構成」の説明文を訂正 「Spansion MCU Programmer の接続例」を追加 X0,X1(発振用端子)の説明文を訂正 55 F L A S H 56 CONFIDENTIAL P R O G R A M M I N G M A N U A L MB9AB40N_MN706-00019-3v0-J, September 8, 2014 MN706-00019-3v0-J Spansion・Controller Manual 32 ビット・マイクロコントローラ MB9AB40N/A40N/340N/140N/150R/ MB9B520M/320M/120M シリーズ フラッシュプログラミングマニュアル 2014 年 9 月 Rev. 3.0 発行：Spansion Inc. 編集：コーポレートコミュニケーション部 September 8, 2014, MB9AB40N_MN706-00019-3v0-J CONFIDENTIAL 57 免責事項 本資料に記載された製品は、通常の産業用, 一般事務用, パーソナル用, 家庭用などの一般的用途 (ただし、用 途の限定はありません) に使用されることを意図して設計・製造されています。(1) 極めて高度な安全性が要求 され、仮に当該安全性が確保されない場合、社会的に重大な影響を与えかつ直接生命・身体に対する重大な危 険性を伴う用途 (原子力施設における核反応制御, 航空機自動飛行制御, 航空交通管制, 大量輸送システムにお ける運行制御, 生命維持のための医療機器, 兵器システムにおけるミサイル発射制御等をいう) 、ならびに(2) 極めて高い信頼性が要求される用途 (海底中継器, 宇宙衛星等をいう) に使用されるよう設計・製造されたもの ではありません。上記の製品の使用法によって惹起されたいかなる請求または損害についても、Spansion は、 お客様または第三者、あるいはその両方に対して責任を一切負いません。半導体デバイスはある確率で故障が 発生します。当社半導体デバイスが故障しても、結果的に人身事故, 火災事故, 社会的な損害を生じさせないよ う、お客様において、装置の冗長設計, 延焼対策設計, 過電流防止対策設計, 誤動作防止設計などの安全設計を お願いします。本資料に記載された製品が、外国為替及び外国貿易法、米国輸出管理関連法規などの規制に基 づき規制されている製品または技術に該当する場合には、本製品の輸出に際して、同法に基づく許可が必要と なります。 商標および注記 このドキュメントは、断りなく変更される場合があります。本資料には Spansion が開発中の Spansion 製品に関 する情報が記載されている場合があります。Spansion は、それらの製品に対し、予告なしに仕様を変更したり、 開発を中止したりする権利を有します。このドキュメントに含まれる情報は、現状のまま、保証なしに提供さ れるものであり、その正確性, 完全性, 実施可能性および特定の目的に対する適合性やその市場性および他者の 権利を侵害しない事を保証するものでなく、また、明示, 黙示または法定されているあらゆる保証をするもの でもありません。Spansion は、このドキュメントに含まれる情報を使用することにより発生したいかなる損害 に対しても責任を一切負いません。 Copyright © 2012-2014 Spansion. All rights reserved. 商標：Spansion®, Spansion ロゴ (図形マーク), MirrorBit®, MirrorBit® Eclipse™, ORNAND™, Easy DesignSim™, Traveo™及びこれらの組合せは、米国・日本ほか諸外国における Spansion LLC の商標です。第三者の社名・製 品名等の記載はここでは情報提供を目的として表記したものであり、各権利者の商標もしくは登録商標となっ ている場合があります。 September 8, 2014, MB9AB40N_MN706-00019-3v0-J CONFIDENTIAL 58