NTE5541

NTE5541 thru NTE5548
Silicon Controlled Rectifier (SCR)
35 Amp, TO48
Description:
The NTE5541 thru NTE5548 are silicon controlled rectifiers (SCR) packaged in a TO48 type case
designed for industrial and consumer applications such as power supplies; battery chargers; temperature, motor, light and welder controls.
Absolute Maximum Ratings:
Repetitive Peak Off−State Voltage (TJ = +100C) VDRM
NTE5541 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50V
NTE5543 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200V
NTE5544 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300V
NTE5545 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 400V
NTE5546 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500V
NTE5547 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600V
NTE5548 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 800V
Repetitive Peak Reverse Voltage (TJ = +100C) VRRM
NTE5541 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50V
NTE5543 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200V
NTE5544 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300V
NTE5545 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 400V
NTE5546 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500V
NTE5547 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600V
NTE5548 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 800V
RMS On−State Current (TC = +75C), I(RMS) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35A
Peak Surge (Non−Repetitive) On−State Current (One Cycle at 50Hz or 60Hz), ITSM . . . . . . . 300A
Peak Gate−Trigger Current (3s Max), IGTM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20A
Peak Gate−Power Dissipation (IGT  IGTM for 3s Max), PGM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20W
Average Gate Power Dissipation, PG(AV) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500mW
Operating Temperature Range, Toper . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . −40 to +150C
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . −40 to +150C
Typical Thermal Resistance, Junction−to−Case, RthJC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.4C/W
Note 1. NTE5541, NTE5542, NTE5544, and NTE5546 are a discontinued devices and no longer
available.
Rev. 5−13
Electrical Characteristics: (At “Maximum Ratings” and Specified Case Temperatures)
Parameter
Symbol
Peak Off−State Current
IDRM,
IRRM
Test Conditions
Min
Typ
Max Unit
VDRM & VRRM = Max Rating,
TJ = +100C, Gate Open
−
−
2.0
mA
Maximum On−State Voltage (Peak)
IHO
TC = +25C
−
−
50
mA
DC Gate Trigger Current
IGT
Anode Voltage = 12V, RL = 30,
TC = +25C
−
−
30
mA
DC Gate Trigger Voltage
VGT
Anode Voltage = 12V, RL = 30,
TC = +25C
−
−
2.0
V
IGT = 150mA
−
2.5
−
s
−
100
−
V/s
Gate Controlled Turn−On Time
Critical Rate of Rise of
Off−State Voltage
tgt
dv/dt
Gate Open, TC = +100C
(Critical)
.562
(14.28)
Max
Gate
Cathode
1.193
(30.33)
Max
.200 (5.08) Max
.453
(11.5)
Max
Anode
1/4−28 UNF−2A