NTE54000

NTE54000 thru NTE54004
Silicon Controlled Rectifier (SCR)
55 Amp, TO220
Description:
The NTE54000 thru NTE54004 are half−wave, unidirectional, gate−controlled silicon controlled
rectifiers (SCR) packaged in a TO220 type case featuring glass−passivated junctions to ensure long−
term reliability and perimeter stability.
Features:
D High Voltage Capability
D High Surge Capability
D Glass−Passivated Chip
Absolute Maximum Ratings: (TA = +25°C, 60Hz with a resistive load unless otherwise specified)
Repetitive Peak Off−State Voltage, VDRM
NTE54000 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200V
NTE54001 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 400V
NTE54002 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600V
NTE54003 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 800V
NTE54004 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1000V
Repetitive Peak Reverse Voltage, VRRM
NTE54000 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200V
NTE54001 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 400V
NTE54002 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600V
NTE54003 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 800V
NTE54004 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1000V
RMS On−State Current, IT(RMS) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 55A
On−State Current, IT(AV) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35A
Peak Surge (Non−Repetitive) On−State Current (More than One Full Cycle), ITSM
50Hz . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 550A
60Hz . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 650A
Peak Gate Current (10μs Max), IGM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4A
Peak Gate−Power Dissipation (10μs Max), PGM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40W
Average Gate Power Dissipation, PG(AV) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 800mW
Peak On−State Voltage (at Max. Rated RMS Current, TC = +25°C), VTM . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.8V
RMS Surge (Non−Repetitive) On−State Current for Fusing (8.3ms), I2t . . . . . . . . . . . . . . 1750A2sec
Lead Temperature (During soldering, 1/16” from case, 10sec max), TL . . . . . . . . . . . . . . . . . +230°C
Operating Temperature Range, Toper . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . −40° to +125°C
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . −40° to +150°C
Typical Thermal Resistance, Junction−to−Case, RthJC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.5°C/W
Electrical Characteristics:
Parameter
Symbol
Peak Off−State Current
NTE54000, NTE54001, NTE54002
IDRM,
IRRM
Test Conditions
Min
Typ
−
−
1.0
mA
NTE54003
−
−
1.5
mA
NTE54004
−
−
5.0
mA
VDRM & VRRM = Max Rating,
TC = +100°C
Max Unit
DC Holding Current
IH
Initial On−State Current = 400mA,
Gate Open
−
−
60
mA
DC Gate Trigger Current
IGT
VD = 12V, RL = 30Ω
5
−
40
mA
DC Gate Trigger Voltage
VGT
VD = 12V, RL = 30Ω, TC = +25°C,
Note 1
−
−
1.5
V
Gate Controlled Turn−On Time
tgt
IGT = 150mA, Min. Width = 15μs,
Rise Time ≤ 0.1μs
−
−
2.5
μs
Circuit Commutated Turn−Off Time
tq
IT = 2A, IGT = 200mA at Turn−On,
Pulse Duration = 50μs, dv/dt = 20V/μs,
di/dt = −30A/μs
−
−
35
μs
500
−
−
V/μs
−
−
175
A/μs
Critical Rate of Rise of Off−State Voltage
dv/dt
TC = +100°C
Max Rate of Rise of On−State Current
di/dt
IGT = 150mA, Rise Time ≤ 0.1μs
Note 1. Minimum non−trigger VGT at +125°C is 0.2V.
.420 (10.67)
Max
.110 (2.79)
Tab
.147 (3.75)
Dia Max
.500
(12.7)
Max
.250
(6.35)
Max
.500
(12.7)
Min
.070 (1.78) Max
Cathode
Gate
.100 (2.54)
Anode/Tab