TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Modul IGBT-Module F4-75R07W2H3_B51 EasyBRIDGEModulmitCoolMOSundPressFIT/NTC EasyBRIDGEmodulewithCoolMOSandPressFIT/NTC VorläufigeDaten/PreliminaryData J VCES = 650V IC nom = 75A / ICRM = 150A TypischeAnwendungen • SolarAnwendungen TypicalApplications • SolarApplications ElektrischeEigenschaften • ErhöhteSperrspannungsfestigkeitauf650V • NiedrigesVCEsat ElectricalFeatures • Increasedblockingvoltagecapabilityto650V • LowVCEsat MechanischeEigenschaften • Al2O3 Substrat mit kleinem thermischen Widerstand • IntegrierterNTCTemperaturSensor • PressFITVerbindungstechnik MechanicalFeatures • Al2O3SubstratewithLowThermalResistance • IntegratedNTCtemperaturesensor • PressFITContactTechnology ModuleLabelCode BarcodeCode128 DMX-Code preparedby:MB dateofpublication:2014-10-15 approvedby:AKDA revision:2.0 ContentoftheCode Digit ModuleSerialNumber ModuleMaterialNumber ProductionOrderNumber Datecode(ProductionYear) Datecode(ProductionWeek) 1-5 6-11 12-19 20-21 22-23 ULapproved(E83335) 1 TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Modul IGBT-Module F4-75R07W2H3_B51 VorläufigeDaten PreliminaryData IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Tvj = 25°C ImplementierterKollektor-Strom Implementedcollectorcurrent VCES 650 V ICN 75 A Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent TC = 100°C, Tvj max = 175°C TC = 25°C, Tvj max = 175°C IC nom IC 37,5 75 PeriodischerKollektor-Spitzenstrom Repetitivepeakcollectorcurrent tP = 1 ms ICRM 150 A Gesamt-Verlustleistung Totalpowerdissipation TC = 25°C, Tvj max = 175°C Ptot 250 W VGES +/-20 V Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-emitterpeakvoltage CharakteristischeWerte/CharacteristicValues Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Collector-emittersaturationvoltage min. IC = 37,5 A, VGE = 15 V IC = 37,5 A, VGE = 15 V IC = 37,5 A, VGE = 15 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C VCE sat A A typ. max. 1,35 1,40 1,40 1,55 V V V 5,80 6,50 V Gate-Schwellenspannung Gatethresholdvoltage IC = 1,20 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C Gateladung Gatecharge VGE = -15 V ... +15 V QG 0,80 µC InternerGatewiderstand Internalgateresistor Tvj = 25°C RGint 0,0 Ω Eingangskapazität Inputcapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 4,70 nF Rückwirkungskapazität Reversetransfercapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,14 nF Kollektor-Emitter-Reststrom Collector-emittercut-offcurrent VCE = 650 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C ICES 1,0 mA Gate-Emitter-Reststrom Gate-emitterleakagecurrent VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C IGES 100 nA VGEth Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-ondelaytime,inductiveload IC = 37,5 A, VCE = 400 V VGE = ±15 V RGon = 8,2 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Anstiegszeit,induktiveLast Risetime,inductiveload IC = 37,5 A, VCE = 400 V VGE = ±15 V RGon = 8,2 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-offdelaytime,inductiveload IC = 37,5 A, VCE = 400 V VGE = ±15 V RGoff = 8,2 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Fallzeit,induktiveLast Falltime,inductiveload IC = 37,5 A, VCE = 400 V VGE = ±15 V RGoff = 8,2 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C EinschaltverlustenergieproPuls Turn-onenergylossperpulse IC = 37,5 A, VCE = 400 V, LS = 20 nH Tvj = 25°C VGE = ±15 V, di/dt = 1900 A/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C RGon = 8,2 Ω Tvj = 150°C AbschaltverlustenergieproPuls Turn-offenergylossperpulse 4,90 0,027 0,027 0,027 µs µs µs 0,016 0,017 0,018 µs µs µs 0,23 0,27 0,28 µs µs µs 0,01 0,02 0,02 µs µs µs Eon 1,10 1,45 1,50 mJ mJ mJ IC = 37,5 A, VCE = 400 V, LS = 20 nH Tvj = 25°C VGE = ±15 V, du/dt = 4000 V/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C RGoff = 8,2 Ω Tvj = 150°C Eoff 0,65 1,05 1,15 mJ mJ mJ Kurzschlußverhalten SCdata VGE ≤ 15 V, VCC = 400 V VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt ISC 430 A Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase proIGBT/perIGBT preparedby:MB dateofpublication:2014-10-15 approvedby:AKDA revision:2.0 tP ≤ 5 µs, Tvj = 150°C td on tr td off tf RthJC 2 0,55 0,60 K/W TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Modul IGBT-Module F4-75R07W2H3_B51 VorläufigeDaten PreliminaryData Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proIGBT/perIGBT Thermalresistance,casetoheatsink λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Tvj op 0,75 -40 K/W 150 °C Diode,Wechselrichter/Diode,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage Tvj = 25°C VRRM 650 V ImplementierterDurchlassstrom Implementedforwardcurrent IFN 50 A Dauergleichstrom ContinuousDCforwardcurrent IF 37,5 A IFRM 100 A I²t 370 330 PeriodischerSpitzenstrom Repetitivepeakforwardcurrent tP = 1 ms Grenzlastintegral I²t-value VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. A²s A²s typ. max. 1,70 VF 1,45 1,35 1,30 IF = 37,5 A, - diF/dt = 1900 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C VR = 400 V Tvj = 125°C VGE = -15 V Tvj = 150°C IRM 49,0 59,0 63,0 A A A Sperrverzögerungsladung Recoveredcharge IF = 37,5 A, - diF/dt = 1900 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C VR = 400 V Tvj = 125°C VGE = -15 V Tvj = 150°C Qr 1,90 3,60 4,00 µC µC µC AbschaltenergieproPuls Reverserecoveryenergy IF = 37,5 A, - diF/dt = 1900 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C VR = 400 V Tvj = 125°C VGE = -15 V Tvj = 150°C Erec 0,50 1,00 1,20 mJ mJ mJ proDiode/perdiode RthJC 1,00 1,10 K/W Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proDiode/perdiode Thermalresistance,casetoheatsink λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH 1,25 K/W TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Tvj op Durchlassspannung Forwardvoltage IF = 37,5 A, VGE = 0 V IF = 37,5 A, VGE = 0 V IF = 37,5 A, VGE = 0 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Rückstromspitze Peakreverserecoverycurrent Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase preparedby:MB dateofpublication:2014-10-15 approvedby:AKDA revision:2.0 3 -40 150 V V V °C TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Modul IGBT-Module F4-75R07W2H3_B51 VorläufigeDaten PreliminaryData Bypass-Diode/Bypass-Diode HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage Tvj = 25°C VRRM 800 V DurchlassstromGrenzeffektivwertproChip TC = 80°C MaximumRMSforwardcurrentperchip IFRMSM 50 A GleichrichterAusgangGrenzeffektivstrom MaximumRMScurrentatrectifieroutput TC = 80°C IRMSM 75 A StoßstromGrenzwert Surgeforwardcurrent tp = 10 ms, Tvj = 25°C tp = 10 ms, Tvj = 150°C IFSM 800 640 A A Grenzlastintegral I²t-value tp = 10 ms, Tvj = 25°C tp = 10 ms, Tvj = 150°C I²t 3200 2050 A²s A²s CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. Durchlassspannung Forwardvoltage Tvj = 150°C, IF = 50 A VF 0,90 V Sperrstrom Reversecurrent Tvj = 150°C, VR = 800 V IR 0,20 mA Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase proDiode/perdiode RthJC 0,45 0,55 K/W Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proDiode/perdiode Thermalresistance,casetoheatsink λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH 0,45 K/W TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Tvj op -40 150 °C Diode,Hochsetzsteller/Diode,Boost HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage Tvj = 25°C Dauergleichstrom ContinuousDCforwardcurrent PeriodischerSpitzenstrom Repetitivepeakforwardcurrent tP = 1 ms Grenzlastintegral I²t-value VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C VRRM 650 V IF 24 A IFRM 48 A I²t 72,0 A²s CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. 1,50 1,65 1,85 Durchlassspannung Forwardvoltage IF = 24 A, VGE = 0 V IF = 24 A, VGE = 0 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Rückstromspitze Peakreverserecoverycurrent IF = 24 A, - diF/dt = 1500 A/µs (Tvj=125°C) VR = 400 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C IRM 12,5 12,5 A A Sperrverzögerungsladung Recoveredcharge IF = 24 A, - diF/dt = 1500 A/µs (Tvj=125°C) VR = 400 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Qr 0,30 0,30 µC µC AbschaltenergieproPuls Reverserecoveryenergy IF = 24 A, - diF/dt = 1500 A/µs (Tvj=125°C) VR = 400 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Erec 0,03 0,03 mJ mJ Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase proDiode/perdiode RthJC 0,90 1,00 K/W Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proDiode/perdiode Thermalresistance,casetoheatsink λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH 0,95 K/W TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Tvj op preparedby:MB dateofpublication:2014-10-15 approvedby:AKDA revision:2.0 4 VF -40 125 V V °C TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Modul IGBT-Module F4-75R07W2H3_B51 VorläufigeDaten PreliminaryData MOSFET/MOSFET HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Drain-Source-Sperrspannung Drain-sourcebreakdownvoltage Drain-Gleichstrom DCdraincurrent GepulsterDrainstrom,tplimitiertdurch Tjmax Pulseddraincurrent,tplimitedbyTjmax Gesamt-Verlustleistung Totalpowerdissipation Gate-Source-Spitzenspannung Gate-sourcepeakvoltage Tvj = 25°C VDSS 650 V TC = 100°C TC = 25°C ID nom ID 30 50 ID puls 100 A Ptot 520 W VGSS +/-20 V TC = 25°C CharakteristischeWerte/CharacteristicValues Einschaltwiderstand Drain-sourceonresistance Gate-Schwellenspannung Gatethresholdvoltage Gateladung Gatecharge InternerGatewiderstand Internalgateresistor Eingangskapazität Inputcapacitance Ausgangskapazität Outputcapacitance Rückwirkungskapazität Reversetransfercapacitance Drain-Source-Reststrom Zerogatevoltagedraincurrent Gate-Source-Reststrom Gate-sourceleakagecurrent Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turnondelaytime,inductiveload Anstiegszeit,induktiveLast Risetime,inductiveload Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turnoffdelaytime,inductiveload Fallzeit,induktiveLast Falltime,inductiveload EinschaltverlustenergieproPuls Turn-onenergylossperpulse AbschaltverlustenergieproPuls Turn-offenergylossperpulse min. ID = 30 A, VGS = 10 V, Tvj = 25°C RDS on ID = 3,30 mA, VDS = VGS, Tvj = 25°C VGS(th) 2,50 A A typ. max. 38,0 42,0 mΩ 3,00 3,50 V VGS = 10 V, VDD= 480 V QG 0,33 µC Tvj = 25°C RGint 0,7 Ω f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VDS = 25 V, VGS = 0 V Ciss 8,00 nF f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VDS = 25 V, VGS = 0 V Coss 7,50 nF f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VDS = 25 V, VGS = 0 V Crss 0,80 nF VDS = 650 V, VGS = 0 V, Tvj = 25°C IDSS 2,00 µA VDS = 0 V, VGS = 20 V, Tvj = 25°C IGSS 100 nA ID = 30 A, VDS = 400 V VGS = 10 V RG = 7,50 Ω ID = 30 A, VDS = 400 V VGS = 10 V RG = 7,50 Ω ID = 30 A, VDS = 400 V VGS = 10 V RG = 7,50 Ω ID = 30 A, VDS = 400 V VGS = 10 V RG = 7,50 Ω ID = 30 A, VDS = 400 V, Lσ = 25 nH VGS = 10 V, di/dt = 1600 A/µs (Tvj = 150) RG = 7,50 Ω ID = 30 A, VDS = 400 V, Lσ = 25 nH VGS = 10 V, du/dt = 19500 V/µs (Tvj = 150) RG = 7,50 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper pro MOS-FET / per MOS-FET Thermalresistance,casetoheatsink λPaste = 1 W/(m*K) /λgrease = 1 W/(m*K) TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions 20,0 17,5 16,0 15,0 15,5 16,0 210 220 220 7,50 9,00 9,00 0,32 0,36 0,37 0,08 0,09 0,095 td on tr td off tf Eon Eoff preparedby:MB dateofpublication:2014-10-15 approvedby:AKDA revision:2.0 5 ns mJ mJ 0,40 K/W RthCH 0,40 K/W -40 min. Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C ns 0,35 Revers-Diode/reverse-diode IS = 50 A, VGS = 0 V IS = 50 A, VGS = 0 V IS = 50 A, VGS = 0 V ns RthJC Tvj op Durchlassspannung Forwardvoltage ns VSD 150 typ. 0,85 0,70 °C max. 1,30 V TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Modul IGBT-Module F4-75R07W2H3_B51 VorläufigeDaten PreliminaryData NTC-Widerstand/NTC-Thermistor CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. Nennwiderstand Ratedresistance TC = 25°C AbweichungvonR100 DeviationofR100 TC = 100°C, R100 = 493 Ω Verlustleistung Powerdissipation TC = 25°C B-Wert B-value R2 = R25 exp [B25/50(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/50 3375 K B-Wert B-value R2 = R25 exp [B25/80(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/80 3411 K B-Wert B-value R2 = R25 exp [B25/100(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/100 3433 K R25 5,00 ∆R/R -5 P25 kΩ 5 % 20,0 mW AngabengemäßgültigerApplicationNote. Specificationaccordingtothevalidapplicationnote. Modul/Module Isolations-Prüfspannung Isolationtestvoltage RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. InnereIsolation Internalisolation Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140) basicinsulation(class1,IEC61140) Al2O3 Kriechstrecke Creepagedistance Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal 11,5 6,3 mm Luftstrecke Clearance Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal 10,0 5,0 mm VergleichszahlderKriechwegbildung Comperativetrackingindex VISOL CTI Modulleitungswiderstand,AnschlüsseChip Moduleleadresistance,terminals-chip TC=25°C,proSchalter/perswitch Lagertemperatur Storagetemperature nH RCC'+EE' 3,00 mΩ Anpresskraft für mech. Bef. pro Feder mountig force per clamp F 40 Gewicht Weight G dateofpublication:2014-10-15 approvedby:AKDA revision:2.0 6 max. 17 -40 preparedby:MB typ. LsCE Tstg Der Strom im Dauerbetrieb ist auf 25 A effektiv pro Anschlusspin begrenzt. The current under continuous operation is limited to 25 A rms per connector pin. > 200 min. Modulstreuinduktivität Strayinductancemodule kV 2,5 39 125 °C 80 N g TechnischeInformation/TechnicalInformation F4-75R07W2H3_B51 IGBT-Modul IGBT-Module VorläufigeDaten PreliminaryData AusgangskennlinieIGBT,Wechselrichter(typisch) outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical) IC=f(VCE) VGE=15V AusgangskennlinienfeldIGBT,Wechselrichter(typisch) outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical) IC=f(VCE) Tvj=150°C 75 75 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C 70 65 60 60 55 55 50 50 45 45 40 40 IC [A] IC [A] 65 35 35 30 30 25 25 20 20 15 15 10 10 5 5 0 0,0 0,2 0,4 0,6 VGE = 19V VGE = 17V VGE = 15V VGE = 13V VGE = 11V VGE = 9V 70 0,8 1,0 1,2 VCE [V] 1,4 1,6 1,8 0 2,0 ÜbertragungscharakteristikIGBT,Wechselrichter(typisch) transfercharacteristicIGBT,Inverter(typical) IC=f(VGE) VCE=20V 0,0 0,5 1,0 1,5 VCE [V] 2,0 2,5 3,0 SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch) switchinglossesIGBT,Inverter(typical) Eon=f(IC),Eoff=f(IC) VGE=±15V,RGon=8.2Ω,RGoff=8.2Ω,VCE=400V 75 4,0 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C 70 65 Eon, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 125°C Eon, Tvj = 150°C Eoff, Tvj = 150°C 3,5 60 3,0 55 50 2,5 40 E [mJ] IC [A] 45 35 30 2,0 1,5 25 20 1,0 15 10 0,5 5 0 5 6 7 8 9 0,0 10 VGE [V] preparedby:MB dateofpublication:2014-10-15 approvedby:AKDA revision:2.0 7 0 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60 65 70 75 IC [A] TechnischeInformation/TechnicalInformation F4-75R07W2H3_B51 IGBT-Modul IGBT-Module VorläufigeDaten PreliminaryData SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch) switchinglossesIGBT,Inverter(typical) Eon=f(RG),Eoff=f(RG) VGE=±15V,IC=37.5A,VCE=400V TransienterWärmewiderstandIGBT,Wechselrichter transientthermalimpedanceIGBT,Inverter ZthJH=f(t) 9,0 10 Eon, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 125°C Eon, Tvj = 150°C Eoff, Tvj = 150°C 8,0 ZthJH : IGBT 7,0 1 ZthJH [K/W] E [mJ] 6,0 5,0 4,0 3,0 0,1 2,0 i: 1 2 3 4 ri[K/W]: 0,0255 0,1235 0,257 0,894 τi[s]: 0,0005 0,005 0,05 0,2 1,0 0,0 0 10 20 30 40 RG [Ω] 50 60 70 0,01 0,001 80 SichererRückwärts-ArbeitsbereichIGBT,Wechselrichter (RBSOA) reversebiassafeoperatingareaIGBT,Inverter(RBSOA) IC=f(VCE) VGE=±15V,RGoff=8,2Ω,Tvj=150°C 90 IC, Modul IC, Chip 0,01 0,1 t [s] 1 10 DurchlasskennliniederDiode,Wechselrichter(typisch) forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical) IF=f(VF) 75 Tvj = 25 °C Tvj = 125 °C Tvj = 150 °C 70 65 75 60 55 60 50 IF [A] IC [A] 45 45 40 35 30 30 25 20 15 15 10 5 0 0 100 200 300 400 VCE [V] 500 600 0 700 preparedby:MB dateofpublication:2014-10-15 approvedby:AKDA revision:2.0 8 0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 VF [V] 1,4 1,6 1,8 2,0 TechnischeInformation/TechnicalInformation F4-75R07W2H3_B51 IGBT-Modul IGBT-Module VorläufigeDaten PreliminaryData SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch) switchinglossesDiode,Inverter(typical) Erec=f(IF) RGon=8.2Ω,VCE=400V SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch) switchinglossesDiode,Inverter(typical) Erec=f(RG) IF=37.5A,VCE=400V 2,0 1,6 Erec, Tvj = 125°C Erec, Tvj = 150°C 1,8 Erec, Tvj = 125°C Erec, Tvj = 150°C 1,4 1,6 1,2 1,4 1,0 E [mJ] E [mJ] 1,2 1,0 0,8 0,8 0,6 0,6 0,4 0,4 0,2 0,2 0,0 0 0,0 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60 65 70 75 IF [A] TransienterWärmewiderstandDiode,Wechselrichter transientthermalimpedanceDiode,Inverter ZthJH=f(t) 0 10 20 30 40 RG [Ω] 50 60 70 80 DurchlasskennliniederBypass-Diode(typisch) forwardcharacteristicofBypass-Diode(typical) IF=f(VF) 10 100 ZthJH : Diode Tvj = 25 °C Tvj = 150 °C 90 80 60 IF [A] ZthJH [K/W] 70 1 50 40 30 20 i: 1 2 3 4 ri[K/W]: 0,17 0,37 0,72 0,99 τi[s]: 0,0005 0,005 0,05 0,2 0,1 0,001 0,01 0,1 t [s] 1 10 0 10 preparedby:MB dateofpublication:2014-10-15 approvedby:AKDA revision:2.0 9 0,0 0,2 0,4 0,6 VF [V] 0,8 1,0 1,2 TechnischeInformation/TechnicalInformation F4-75R07W2H3_B51 IGBT-Modul IGBT-Module VorläufigeDaten PreliminaryData DurchlasskennliniederDiode,Hochsetzsteller(typisch) forwardcharacteristicofDiode,Boost(typical) IF=f(VF) SchaltverlusteDiode,Hochsetzsteller(typisch) switchinglossesDiode,Boost(typical) Erec=f(IF) RGon=8.2Ω,VCE=400V 48 0,0375 Tvj = 25 °C Tvj = 125 °C 44 Erec, Tvj = 125°C 40 36 32 0,0250 E [mJ] IF [A] 28 24 20 16 0,0125 12 8 4 0 0,0 0,4 0,8 1,2 VF [V] 1,6 2,0 2,4 SchaltverlusteDiode,Hochsetzsteller(typisch) switchinglossesDiode,Boost(typical) Erec=f(RG) IF=24A,VCE=400V 0,0000 0 6 12 18 24 IF [A] 30 36 42 48 TransienterWärmewiderstandDiode,Hochsetzsteller transientthermalimpedanceDiode,Boost ZthJH=f(t) 0,0375 10 Erec, Tvj = 125°C ZthJH : Diode 1 E [mJ] ZthJH [K/W] 0,0250 0,0125 0,1 i: 1 2 3 4 ri[K/W]: 0,15 0,45 0,75 0,5 τi[s]: 0,0005 0,005 0,05 0,2 0,0000 0,0 0,01 0,001 7,5 15,0 22,5 30,0 37,5 45,0 52,5 60,0 67,5 75,0 RG [Ω] preparedby:MB dateofpublication:2014-10-15 approvedby:AKDA revision:2.0 10 0,01 0,1 t [s] 1 10 TechnischeInformation/TechnicalInformation F4-75R07W2H3_B51 IGBT-Modul IGBT-Module VorläufigeDaten PreliminaryData TransienterWärmewiderstandMOSFET transientthermalimpedanceMOSFET ZthJH=f(t) AusgangskennlinieMOSFET(typisch) outputcharacteristicMOSFET(typical) ID=f(VDS) Tvj=150°C 1 100 ZthJH: Mosfet VGS = 20 V VGS = 10 V VGS = 8 V VGS = 6 V VGS = 5 V VGS = 4 V 90 80 70 ID [A] ZthJH [K/W] 60 0,1 50 40 30 20 i: 1 2 3 4 ri[K/W]: 0,06 0,0225 0,06 0,6075 τi[s]: 0,0005 0,005 0,01 0,2 0,01 0,001 0,01 0,1 t [s] 1 10 0 10 ÜbertragungscharakteristikMOSFET(typisch) transfercharacteristicMOSFET(typical) ID=f(VGS) VDS=10V 0 1 2 3 4 5 6 VDS [V] 7 8 9 10 48 54 60 SchaltverlusteMOSFET(typisch) switchinglossesMOSFET(typical) Eon=f(IC),Eoff=f(IC) VGS=±15V,RGon=7,5Ω,RGoff=7,5Ω,VDS=400V 160 1,50 Tvj = 25 °C Tvj = 125 °C Tvj = 150 °C 150 140 Eon, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 150°C Eon, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 150°C 1,35 130 1,20 120 1,05 110 100 0,90 E [mJ] ID [A] 90 80 70 0,75 0,60 60 50 0,45 40 0,30 30 20 0,15 10 0 0 1 2 3 4 5 6 VGS [V] 7 8 9 0,00 10 preparedby:MB dateofpublication:2014-10-15 approvedby:AKDA revision:2.0 11 0 6 12 18 24 30 36 IC [A] 42 TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Modul IGBT-Module F4-75R07W2H3_B51 VorläufigeDaten PreliminaryData SchaltverlusteMOSFET(typisch) switchinglossesMOSFET(typical) Eon=f(RG),Eoff=f(RG) VGS=±15V,ID=37.5A,VDS=400V NTC-Widerstand-Temperaturkennlinie(typisch) NTC-Thermistor-temperaturecharacteristic(typical) R=f(T) 3,0 100000 Eon, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 125°C Eon, Tvj = 150C Eoff, Tvj = 150C 2,7 2,4 Rtyp 2,1 10000 R[Ω] E [mJ] 1,8 1,5 1,2 1000 0,9 0,6 0,3 0,0 0,0 100 7,5 15,0 22,5 30,0 37,5 45,0 52,5 60,0 67,5 75,0 RG [Ω] preparedby:MB dateofpublication:2014-10-15 approvedby:AKDA revision:2.0 12 0 20 40 60 80 100 TC [°C] 120 140 160 TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Modul IGBT-Module F4-75R07W2H3_B51 VorläufigeDaten PreliminaryData Schaltplan/circuit_diagram_headline J Gehäuseabmessungen/packageoutlines Infineon preparedby:MB dateofpublication:2014-10-15 approvedby:AKDA revision:2.0 13 TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Modul IGBT-Module F4-75R07W2H3_B51 VorläufigeDaten PreliminaryData Nutzungsbedingungen DieindiesemProduktdatenblattenthaltenenDatensindausschließlichfürtechnischgeschultesFachpersonalbestimmt.DieBeurteilung derEignungdiesesProduktesfürIhreAnwendungsowiedieBeurteilungderVollständigkeitderbereitgestelltenProduktdatenfürdiese AnwendungobliegtIhnenbzw.IhrentechnischenAbteilungen. IndiesemProduktdatenblattwerdendiejenigenMerkmalebeschrieben,fürdiewireineliefervertraglicheGewährleistungübernehmen.Eine solcheGewährleistungrichtetsichausschließlichnachMaßgabederimjeweiligenLiefervertragenthaltenenBestimmungen.Garantien jeglicherArtwerdenfürdasProduktunddessenEigenschaftenkeinesfallsübernommen.DieAngabenindengültigenAnwendungs-und MontagehinweisendesModulssindzubeachten. SolltenSievonunsProduktinformationenbenötigen,dieüberdenInhaltdiesesProduktdatenblattshinausgehenundinsbesondereeine spezifischeVerwendungunddenEinsatzdiesesProduktesbetreffen,setzenSiesichbittemitdemfürSiezuständigenVertriebsbüroin Verbindung(siehewww.infineon.com,Vertrieb&Kontakt).FürInteressentenhaltenwirApplicationNotesbereit. AufgrunddertechnischenAnforderungenkönnteunserProduktgesundheitsgefährdendeSubstanzenenthalten.BeiRückfragenzudenin diesemProduktjeweilsenthaltenenSubstanzensetzenSiesichbitteebenfallsmitdemfürSiezuständigenVertriebsbüroinVerbindung. SolltenSiebeabsichtigen,dasProduktinAnwendungenderLuftfahrt,ingesundheits-oderlebensgefährdendenoderlebenserhaltenden Anwendungsbereicheneinzusetzen,bittenwirumMitteilung.Wirweisendaraufhin,dasswirfürdieseFälle -diegemeinsameDurchführungeinesRisiko-undQualitätsassessments; -denAbschlussvonspeziellenQualitätssicherungsvereinbarungen; -diegemeinsameEinführungvonMaßnahmenzueinerlaufendenProduktbeobachtungdringendempfehlenund gegebenenfallsdieBelieferungvonderUmsetzungsolcherMaßnahmenabhängigmachen. Soweiterforderlich,bittenwirSie,entsprechendeHinweiseanIhreKundenzugeben. InhaltlicheÄnderungendiesesProduktdatenblattsbleibenvorbehalten. Terms&Conditionsofusage Thedatacontainedinthisproductdatasheetisexclusivelyintendedfortechnicallytrainedstaff.Youandyourtechnicaldepartmentswill havetoevaluatethesuitabilityoftheproductfortheintendedapplicationandthecompletenessoftheproductdatawithrespecttosuch application. Thisproductdatasheetisdescribingthecharacteristicsofthisproductforwhichawarrantyisgranted.Anysuchwarrantyisgranted exclusivelypursuantthetermsandconditionsofthesupplyagreement.Therewillbenoguaranteeofanykindfortheproductandits characteristics.Theinformationinthevalidapplication-andassemblynotesofthemodulemustbeconsidered. Shouldyourequireproductinformationinexcessofthedatagiveninthisproductdatasheetorwhichconcernsthespecificapplicationof ourproduct,pleasecontactthesalesoffice,whichisresponsibleforyou(seewww.infineon.com).Forthosethatarespecifically interestedwemayprovideapplicationnotes. Duetotechnicalrequirementsourproductmaycontaindangeroussubstances.Forinformationonthetypesinquestionpleasecontactthe salesoffice,whichisresponsibleforyou. ShouldyouintendtousetheProductinaviationapplications,inhealthorliveendangeringorlifesupportapplications,pleasenotify.Please note,thatforanysuchapplicationsweurgentlyrecommend -toperformjointRiskandQualityAssessments; -theconclusionofQualityAgreements; -toestablishjointmeasuresofanongoingproductsurvey,andthatwemaymakedeliverydependedon therealizationofanysuchmeasures. Ifandtotheextentnecessary,pleaseforwardequivalentnoticestoyourcustomers. Changesofthisproductdatasheetarereserved. preparedby:MB dateofpublication:2014-10-15 approvedby:AKDA revision:2.0 14