DIOTEC MPSA44

MPSA44
MPSA44
High voltage Si-epitaxial planar transistors
Hochspannungs-Si-Epitaxial Planar-Transistoren
NPN
NPN
Version 2010-09-30
Power dissipation
Verlustleistung
18
9
16
E BC
625 mW
Plastic case
Kunststoffgehäuse
TO-92
(10D3)
Weight approx.
Gewicht ca.
0.18 g
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
2 x 2.54
Standard packaging taped in ammo pack
Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack
Dimensions / Maße [mm]
Maximum ratings (TA = 25°C)
Grenzwerte (TA = 25°C)
MPSA44
Collector-Emitter-volt. - Kollektor-Emitter-Spannung
B open
VCEO
400 V
Collector-Base-voltage - Kollektor-Basis-Spannung
E open
VCBO
500 V
Emitter-Base-voltage - Emitter-Basis-Spannung
C open
VEBO
6V
Power dissipation – Verlustleistung
Ptot
625 mW 1)
Collector current – Kollektorstrom (dc)
IC
300 mA
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Tj
-55...+150°C
Storage temperature – Lagerungstemperatur
TS
-55…+150°C
Characteristics (Tj = 25°C)
Kennwerte (Tj = 25°C)
Min.
Typ.
Max.
ICB0
–
–
100 nA
IEB0
–
–
100 nA
VCEsat
VCEsat
VCEsat
–
–
400 mV
500 mV
750 mV
Collector-Base cutoff current – Kollektorreststrom
IE = 0, VCB = 400 V
MPSA44
Emitter-Base cutoff current – Emitterreststrom
IB = 0, VEB = 4 V
MPSA44
2
Collector saturation voltage – Kollektor-Sättigungsspannung )
IC = 1 mA, IB = 0.1 mA
IC = 10 mA, IB = 1 mA
IC = 50 mA, IB = 5 mA
1
2
MPSA44
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 2 mm from the case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 2 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
1
MPSA44
Characteristics (Tj = 25°C)
Kennwerte (Tj = 25°C)
Min.
Typ.
Max.
VBEsat
–
–
750 mV
hFE
hFE
hFE
hFE
40
50
45
40
–
200
–
–
–
–
–
–
CCB0
–
–
7pF
Base saturation voltage – Basis-Sättigungsspannung 1)
IC = 10 mA, IB = 1 mA
DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis
VCE = 10 V, IC = 1 mA
VCE = 10 V, IC = 10 mA
VCE = 10 V, IC = 50 mA
VCE = 10 V, IC = 100 mA
Collector-Base Capacitance – Kollektor-Basis-Kapazität
VCB = 20 V, IE = ie = 0, f = 1 MHz
MPSA44
Thermal resistance junction – ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
< 200 K/W 2)
RthA
Recommended complementary PNP transistors
Empfohlene komplementäre PNP-Transistoren
MPSA94
120
[%]
100
80
60
40
20
Ptot
0
0
TA
50
100
150
[°C]
Power dissipation versus ambient temperature )
1
Verlustleistung in Abh. von d. Umgebungstemp. )
1
1
2
2
Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 2 mm from the case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 2 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
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© Diotec Semiconductor AG