MPSA44 MPSA44 High voltage Si-epitaxial planar transistors Hochspannungs-Si-Epitaxial Planar-Transistoren NPN NPN Version 2010-09-30 Power dissipation Verlustleistung 18 9 16 E BC 625 mW Plastic case Kunststoffgehäuse TO-92 (10D3) Weight approx. Gewicht ca. 0.18 g Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert 2 x 2.54 Standard packaging taped in ammo pack Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack Dimensions / Maße [mm] Maximum ratings (TA = 25°C) Grenzwerte (TA = 25°C) MPSA44 Collector-Emitter-volt. - Kollektor-Emitter-Spannung B open VCEO 400 V Collector-Base-voltage - Kollektor-Basis-Spannung E open VCBO 500 V Emitter-Base-voltage - Emitter-Basis-Spannung C open VEBO 6V Power dissipation – Verlustleistung Ptot 625 mW 1) Collector current – Kollektorstrom (dc) IC 300 mA Junction temperature – Sperrschichttemperatur Tj -55...+150°C Storage temperature – Lagerungstemperatur TS -55…+150°C Characteristics (Tj = 25°C) Kennwerte (Tj = 25°C) Min. Typ. Max. ICB0 – – 100 nA IEB0 – – 100 nA VCEsat VCEsat VCEsat – – 400 mV 500 mV 750 mV Collector-Base cutoff current – Kollektorreststrom IE = 0, VCB = 400 V MPSA44 Emitter-Base cutoff current – Emitterreststrom IB = 0, VEB = 4 V MPSA44 2 Collector saturation voltage – Kollektor-Sättigungsspannung ) IC = 1 mA, IB = 0.1 mA IC = 10 mA, IB = 1 mA IC = 50 mA, IB = 5 mA 1 2 MPSA44 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 2 mm from the case Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 2 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2% © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 MPSA44 Characteristics (Tj = 25°C) Kennwerte (Tj = 25°C) Min. Typ. Max. VBEsat – – 750 mV hFE hFE hFE hFE 40 50 45 40 – 200 – – – – – – CCB0 – – 7pF Base saturation voltage – Basis-Sättigungsspannung 1) IC = 10 mA, IB = 1 mA DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis VCE = 10 V, IC = 1 mA VCE = 10 V, IC = 10 mA VCE = 10 V, IC = 50 mA VCE = 10 V, IC = 100 mA Collector-Base Capacitance – Kollektor-Basis-Kapazität VCB = 20 V, IE = ie = 0, f = 1 MHz MPSA44 Thermal resistance junction – ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft < 200 K/W 2) RthA Recommended complementary PNP transistors Empfohlene komplementäre PNP-Transistoren MPSA94 120 [%] 100 80 60 40 20 Ptot 0 0 TA 50 100 150 [°C] Power dissipation versus ambient temperature ) 1 Verlustleistung in Abh. von d. Umgebungstemp. ) 1 1 2 2 Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2% Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 2 mm from the case Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 2 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG