MPSA42-BK MPSA42-BK High voltage Si-epitaxial planar transistors Hochspannungs-Si-Epitaxial Planar-Transistoren NPN NPN Version 2011-07-07 Power dissipation Verlustleistung ±0.1 E BC min 12.5 4.6±0.1 4.6 625 mW Plastic case Kunststoffgehäuse TO-92 (10D3) Weight approx. Gewicht ca. 0.18 g Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Special packaging bulk Sonder-Lieferform Schüttgut 2 x 1.27 Dimensions / Maße [mm] Maximum ratings (TA = 25°C) Grenzwerte (TA = 25°C) MPSA42 Collector-Emitter-volt. - Kollektor-Emitter-Spannung B open VCEO 300 V Collector-Base-voltage - Kollektor-Basis-Spannung E open VCBO 300 V Emitter-Base-voltage - Emitter-Basis-Spannung C open VEBO 6V Power dissipation – Verlustleistung Ptot 625 mW 1) Collector current – Kollektorstrom (dc) IC 500 mA Base current – Basisstrom IB 100 mA Junction temperature – Sperrschichttemperatur Tj -55...+150°C Storage temperature – Lagerungstemperatur TS -55…+150°C Characteristics (Tj = 25°C) Kennwerte (Tj = 25°C) Min. Typ. Max. ICB0 – – 100 nA IEB0 – – 100 nA VCEsat – – 500 mV Collector-Base cutoff current – Kollektorreststrom IE = 0, VCB = 200 V MPSA42 Emitter-Base cutoff current – Emitterreststrom IB = 0, VEB = 6 V MPSA42 2 Collector saturation voltage – Kollektor-Sättigungsspannung ) IC = 20 mA, IB = 2 mA 1 2 MPSA42 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 2 mm from the case Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 2 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2% © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 MPSA42-BK Characteristics (Tj = 25°C) Kennwerte (Tj = 25°C) Min. Typ. Max. VBEsat – – 0.9 V hFE hFE hFE 25 40 40 – – – – – – fT 50 MHz – – CCB0 – – 3 pF Base saturation voltage – Basis-Sättigungsspannung 1) IC = 20 mA, IB = 2 mA DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis VCE = 10 V, IC = 1 mA VCE = 10 V, IC = 10 mA VCE = 10 V, IC = 30 mA Gain-Bandwidth Product – Transitfrequenz VCE = 20 V, IC = 10 mA, f = 100 MHz Collector-Base Capacitance – Kollektor-Basis-Kapazität VCB = 20 V, IE = ie = 0, f = 1 MHz MPSA42 Thermal resistance junction – ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft < 200 K/W 2) RthA Recommended complementary PNP transistors Empfohlene komplementäre PNP-Transistoren MPSA92 120 [%] 100 80 60 40 20 Ptot 0 0 TA 50 100 150 [°C] Power dissipation versus ambient temperature ) Verlustleistung in Abh. von d. Umgebungstemp.1) 1 1 2 2 Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2% Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 2 mm from the case Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 2 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG