DIOTEC MPSA93

MPSA92 / MPSA93
MPSA92 / MPSA93
High voltage Si-epitaxial planar transistors
Hochspannungs-Si-Epitaxial Planar-Transistoren
PNP
PNP
Version 2005-07-04
Power dissipation
Verlustleistung
18
9
16
E BC
625 mW
Plastic case
Kunststoffgehäuse
TO-92
(10D3)
Weight approx.
Gewicht ca.
0.18 g
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
2 x 2.54
Standard packaging taped in ammo pack
Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack
Dimensions / Maße [mm]
Maximum ratings (TA = 25°C)
Grenzwerte (TA = 25°C)
MPSA92
MPSA93
Collector-Emitter-volt. - Kollektor-Emitter-Spannung
B open
- VCEO
300 V
200 V
Collector-Base-voltage - Kollektor-Basis-Spannung
E open
- VCBO
300 V
200 V
Emitter-Base-voltage - Emitter-Basis-Spannung
C open
- VEBO
5V
Power dissipation – Verlustleistung
Ptot
625 mW 1)
Collector current – Kollektorstrom (dc)
- IC
500 mA
Base current – Basisstrom
- IB
100 mA
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Tj
-65...+150°C
Storage temperature – Lagerungstemperatur
TS
-65…+150°C
Characteristics (Tj = 25°C)
Kennwerte (Tj = 25°C)
Min.
Typ.
Max.
Collector-Base cutoff current – Kollektorreststrom
IE = 0, - VCB = 200 V
IE = 0, - VCB = 160 V
MPSA92
MPSA93
- ICB0
- ICB0
–
–
250 nA
250 nA
- IEB0
–
–
100 nA
- VCEsat
- VCEsat
–
–
500 mV
400 mV
- VBEsat
–
–
0.9 V
Emitter-Base cutoff current – Emitterreststrom
IB = 0, - VEB = 3 V
Collector saturation voltage – Kollektor-Sättigungsspannung )
2
- IC = 20 mA, - IB = 2 mA
MPSA92
MPSA93
Base saturation voltage – Basis-Sättigungsspannung 2)
- IC = 20 mA, - IB = 2 mA
1
2
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 2 mm from the case
Gültig, wenn die Anschlußdrähte in 2 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
1
MPSA92 / MPSA93
Characteristics (Tj = 25°C)
Kennwerte (Tj = 25°C)
DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis
Min.
Typ.
Max.
hFE
hFE
hFE
25
40
40
–
–
fT
50 MHz
–
–
CCB0
CCB0
–
–
3 pF
4 pF
1
VCE = 10 V, IC = 1 mA
VCE = 10 V, IC = 10 mA
VCE = 10 V, IC = 30 mA
Gain-Bandwidth Product – Transitfrequenz
VCE = 20 V, IC = 10 mA, f = 100 MHz
Collector-Base Capacitance – Kollektor-Basis-Kapazität
MPSA42
MPSA43
VCB = 20 V, IE = ie = 0, f = 1 MHz
Thermal resistance junction – ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
RthA
< 200 K/W 2)
Recommended complementary PNP transistors
Empfohlene komplementäre PNP-Transistoren
MPSA92, MPSA93
120
[%]
100
80
60
40
20
Ptot
0
0
TA
50
100
150
[°C]
1
Power dissipation versus ambient temperature )
1
Verlustleistung in Abh. von d. Umgebungstemp. )
1
2
2
Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 2 mm from the case
Gültig, wenn die Anschlußdrähte in 2 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG