DIOTEC SBT1820

SBT1820 … SBT1845
SBT1820 … SBT1845
Schottky Barrier Rectifiers – Single Diode
Schottky-Barrier-Gleichrichter – Einzeldiode
Version 2011-06-27
Nominal current – Nennstrom
3.8
Type
Typ
13.2
1 2 3
18 A
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
4
20...45 V
Plastic case – Kunststoffgehäuse
1.5
TO-220AC
Weight approx. – Gewicht ca.
3.4
15.7
4
3
10±0.2
1.8 g
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
1 2 3
Standard packaging in tubes
Standard Lieferform in Stangen
0.9
Green Molding
Halogen-Free1
5.08
Dimensions - Maße [mm]
Typical Applications
Typische Anwendungen
2
Bypass Diodes – best trade-off between VF and IR )
Free-Wheeling Diodes
High Frequent Output Rectification
Bypass-Dioden – optimales VF und IR 2)
Freilaufdioden
Hochfrequenz-Ausgangsgleichrichtung
Maximum ratings and Characteristics
Type
Typ
Grenz- und Kennwerte
Repetitive / Surge peak reverse voltage
Periodische- / Spitzen-Sperrspannung
VRRM [V] / VRSM [V]
Forward Voltage
Durchlass-Spannung
VF [V] Tj = 125°C
Forward voltage
Durchlass-Spannung
VF [V] Tj = 25°C
IF = 5 A
IF = 5 A
IF = 18 A
SBT1820
20
typ. 0.33
< 0.50
< 0.58
SBT1830
30
typ. 0.33
< 0.50
< 0.58
SBT1840
40
typ. 0.33
< 0.50
< 0.58
SBT1845
45
typ. 0.33
< 0.50
< 0.58
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
TC = 100°C
IFAV
18 A
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
f > 15 Hz
IFRM
55 A 3)
SBT1820... TA = 25°C
SBT1845
IFSM
280/320 A
Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle
Rating for fusing, t < 10 ms
Grenzlastintegral, t < 10 ms
TA = 25°C
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
in DC forward mode – bei Gleichstrom-Durchlassbetrieb
1
2
3
i2t
390 A2s
Tj
Tj
-50...+150°C
≤ 200°C
From 4Q/2011 – Ab 4Q/2011
For more details, ask for the Diotec Application Note “Reliability of Bypass Diodes”
Weitere Infos in der Diotec Applikationsschrift „Reliability of Bypass Diodes”
Max. temperature of the case TC = 100°C – Max. Temperatur des Gehäuses TC = 100°C
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
1
SBT1820 … SBT1845
Characteristics
Kennwerte
Leakage current
Sperrstrom
Tj = 25°C
Tj = 100°C
VR = VRRM
VR = VRRM
Thermal resistance junction to case
Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse
IR
IR
< 500 µA
< 20 mA
RthC
< 1.5 K/W
102
120
[%]
[A]
Tj = 125°C
100
10
80
Tj = 25°C
1
60
40
10-1
20
IF
IFAV
10-2
0
0
TC
100
50
150
[°C]
0
Rated forward current vs. temp. of the case
Zul. Richtstrom in Abh. v. d. Temp. Des Gehäuses
0.4
0.6
1.0
VF
[V]
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
102
Tj = 150°C
[mA]
Tj = 125°C
101
Tj = 100°C
1
Tj = 75°C
Tj = 50°C
10-1
IR
Tj = 25°C
-2
10
0
VRRM
40
60
80
100 [%]
Typ. instantaneous leakage current vs. rev. voltage
Typ. Sperrstrom (Augenblickswert) ü. Sperrspannung
2
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