SBCT1020

SBCT1020 ... SBCT10100
SBCT1020 ... SBCT10100
Schottky Barrier Rectifier Diodes – Common Cathode
Schottky-Barrier-Gleichrichterdioden – Gemeinsame Kathode
Version 2013-05-07
14.9
4.5±0.2
±0.7
10.1
Ø 3.8±0.2
4
Type
Typ
0.42
±0.1
4
3.9±0.3
±0.2
13.9±0.3
1 2 3
2.67
Nominal Current
Nennstrom
±0.3
2.8±0.3
±0.2
8.7±0.3
1.2
±0.1
1.3
10 A
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
20...100 V
Plastic case
Kunststoffgehäuse
TO-220AB
Weight approx.
Gewicht ca.
1 2 3
0.8
±0.2
2.2g
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
±0.1
2.54
Standard packaging in tubes
Standard Lieferform in Stangen
Dimensions - Maße [mm]
Maximum ratings
Type
Typ
Grenzwerte
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
VRRM [V]
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
VRSM [V]
Forward Voltage
Durchlass-Spannung
VF [V] 1) 2)
IF = 5 A
IF = 10 A
SBCT1020
20
20
< 0.55
< 0.63
SBCT1030
30
30
< 0.55
< 0.63
SBCT1040
40
40
< 0.55
< 0.63
SBCT1045
45
45
< 0.55
< 0.63
SBCT1050
50
50
< 0.70
< 0.79
SBCT1060
60
60
< 0.70
< 0.79
SBCT1090
90
90
< 0.85
< 0.92
SBCT10100
100
100
< 0.85
< 0.92
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
TC = 100°C
IFAV
IFAV
5 A 1)
10 A 2)
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
f > 15 Hz
IFRM
20 A 2)
Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle
TA = 25°C
IFSM
100/120 A 2)
Rating for fusing, t < 10 ms
Grenzlastintegral, t < 10 ms
TA = 25°C
i2t
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Tj
TS
1
1
2
50 A2s 2)
-50...+150°C
-50...+175°C
Tj = 25°C
Per diode − Pro Diode
Per device (parallel operation) − Pro Bauteil (Parallelbetrieb)
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
1
SBCT1020 ... SBCT10100
Characteristics
Kennwerte
Leakage current
Sperrstrom
Tj = 25°C
Tj = 100°C
Thermal resistance junction to case
Wärmewiderstand Sperrschicht - Gehäuse
VR = VRRM
IR
RthC
< 300 µA 1)
< 7 mA 1)
3.0 K/W 2)
102
120
[%]
[A]
100
SBCT1020...SBCT1045
10
80
SBCT1050, SBCT1060
1
60
40
SBCT1080, SBCT10100
10-1
20
IF
IFAV
0
10
0
TC
50
100
150
[°C]
Rated forward current vs. temp. of the case
Zul. Richtstrom in Abh. v. d. Gehäusetemperatur
1
2
2
Tj = 25°C
-2
0
0.4
0.6
1.0
VF
[V]
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
Per diode − Pro Diode
Per device (parallel operation) − Pro Bauteil (Parallelbetrieb)
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG