F3L30R06W1E3_B11 Data Sheet (720 KB, EN/DE)

TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
F3L30R06W1E3_B11
EasyPACKModulmitTrench/FeldstoppIGBT3undEmitterControlled3DiodeundPressFIT/NTC
EasyPACKmodulewithTrench/FieldstopIGBT3andEmitterControlled3diodeandPressFIT/NTC
J
VCES = 600V
IC nom = 30A / ICRM = 60A
TypischeAnwendungen
• 3-Level-Applikationen
• SolarAnwendungen
• USV-Systeme
TypicalApplications
• 3-Level-Applications
• SolarApplications
• UPSSystems
ElektrischeEigenschaften
• NiederinduktivesDesign
• NiedrigeSchaltverluste
• NiedrigesVCEsat
ElectricalFeatures
• LowInductiveDesign
• LowSwitchingLosses
• LowVCEsat
MechanischeEigenschaften
• Al2O3 Substrat mit kleinem thermischen
Widerstand
• KompaktesDesign
• PressFITVerbindungstechnik
• Robuste Montage durch integrierte
Befestigungsklammern
MechanicalFeatures
• Al2O3SubstratewithLowThermalResistance
• Compactdesign
• PressFITContactTechnology
• Rugged mounting due to integrated mounting
clamps
ModuleLabelCode
BarcodeCode128
DMX-Code
preparedby:CM
dateofpublication:2015-07-30
approvedby:RS
revision:V3.2
ContentoftheCode
Digit
ModuleSerialNumber
ModuleMaterialNumber
ProductionOrderNumber
Datecode(ProductionYear)
Datecode(ProductionWeek)
1-5
6-11
12-19
20-21
22-23
ULapproved(E83335)
1
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
F3L30R06W1E3_B11
IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
Collector-emittervoltage
Tvj = 25°C
VCES
600
V
Kollektor-Dauergleichstrom
ContinuousDCcollectorcurrent
TC = 100°C, Tvj max = 175°C
TC = 25°C, Tvj max = 175°C
IC nom
IC
30
45
PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
Repetitivepeakcollectorcurrent
tP = 1 ms
ICRM
60
A
Gesamt-Verlustleistung
Totalpowerdissipation
TC = 25°C, Tvj max = 175°C
Ptot
150
W
VGES
+/-20
V
Gate-Emitter-Spitzenspannung
Gate-emitterpeakvoltage
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
Collector-emittersaturationvoltage
min.
IC = 30 A, VGE = 15 V
IC = 30 A, VGE = 15 V
IC = 30 A, VGE = 15 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
VCE sat
A
A
typ.
max.
1,55
1,70
1,80
2,00
V
V
V
5,80
6,50
V
Gate-Schwellenspannung
Gatethresholdvoltage
IC = 0,30 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C
Gateladung
Gatecharge
VGE = -15 V ... +15 V
QG
0,30
µC
InternerGatewiderstand
Internalgateresistor
Tvj = 25°C
RGint
0,0
Ω
Eingangskapazität
Inputcapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Cies
1,65
nF
Rückwirkungskapazität
Reversetransfercapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Cres
0,051
nF
Kollektor-Emitter-Reststrom
Collector-emittercut-offcurrent
VCE = 600 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C
ICES
1,0
mA
Gate-Emitter-Reststrom
Gate-emitterleakagecurrent
VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C
IGES
400
nA
VGEth
Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turn-ondelaytime,inductiveload
IC = 30 A, VCE = 300 V
VGE = ±15 V
RGon = 15 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Anstiegszeit,induktiveLast
Risetime,inductiveload
IC = 30 A, VCE = 300 V
VGE = ±15 V
RGon = 15 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turn-offdelaytime,inductiveload
IC = 30 A, VCE = 300 V
VGE = ±15 V
RGoff = 15 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Fallzeit,induktiveLast
Falltime,inductiveload
IC = 30 A, VCE = 300 V
VGE = ±15 V
RGoff = 15 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
EinschaltverlustenergieproPuls
Turn-onenergylossperpulse
IC = 30 A, VCE = 300 V, LS = 30 nH
Tvj = 25°C
VGE = ±15 V, di/dt = 2200 A/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C
RGon = 15 Ω
Tvj = 150°C
AbschaltverlustenergieproPuls
Turn-offenergylossperpulse
4,90
0,025
0,025
0,025
µs
µs
µs
0,012
0,015
0,016
µs
µs
µs
0,17
0,19
0,20
µs
µs
µs
0,06
0,08
0,09
µs
µs
µs
Eon
0,18
0,28
0,31
mJ
mJ
mJ
IC = 30 A, VCE = 300 V, LS = 30 nH
Tvj = 25°C
VGE = ±15 V, du/dt = 4100 V/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C
RGoff = 15 Ω
Tvj = 150°C
Eoff
0,75
0,95
1,00
mJ
mJ
mJ
Kurzschlußverhalten
SCdata
VGE ≤ 15 V, VCC = 360 V
VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt
ISC
210
150
A
A
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
Thermalresistance,junctiontocase
proIGBT/perIGBT
tP ≤ 8 µs, Tvj = 25°C
tP ≤ 6 µs, Tvj = 150°C
td on
tr
td off
tf
RthJC
0,900 1,00 K/W
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proIGBT/perIGBT
Thermalresistance,casetoheatsink
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
RthCH
0,850
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
Tvj op
preparedby:CM
dateofpublication:2015-07-30
approvedby:RS
revision:V3.2
2
-40
K/W
150
°C
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
F3L30R06W1E3_B11
Diode,Wechselrichter/Diode,Inverter
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
PeriodischeSpitzensperrspannung
Repetitivepeakreversevoltage
Tvj = 25°C
Dauergleichstrom
ContinuousDCforwardcurrent
PeriodischerSpitzenstrom
Repetitivepeakforwardcurrent
tP = 1 ms
Grenzlastintegral
I²t-value
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C
VRRM 600
V
IF
30
A
IFRM
60
A
I²t
90,0
82,0
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
min.
A²s
A²s
typ.
max.
2,00
VF
1,60
1,55
1,50
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
IRM
44,0
50,0
53,0
A
A
A
IF = 30 A, - diF/dt = 2200 A/µs (Tvj=150°C)
VR = 300 V
VGE = -15 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Qr
1,30
2,40
2,80
µC
µC
µC
IF = 30 A, - diF/dt = 2200 A/µs (Tvj=150°C)
VR = 300 V
VGE = -15 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Erec
0,37
0,67
0,76
mJ
mJ
mJ
RthJC
1,25
1,40 K/W
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proDiode/perdiode
Thermalresistance,casetoheatsink
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
RthCH
1,05
K/W
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
Tvj op
Durchlassspannung
Forwardvoltage
IF = 30 A, VGE = 0 V
IF = 30 A, VGE = 0 V
IF = 30 A, VGE = 0 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Rückstromspitze
Peakreverserecoverycurrent
IF = 30 A, - diF/dt = 2200 A/µs (Tvj=150°C)
VR = 300 V
VGE = -15 V
Sperrverzögerungsladung
Recoveredcharge
AbschaltenergieproPuls
Reverserecoveryenergy
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
Thermalresistance,junctiontocase
proDiode/perdiode
preparedby:CM
dateofpublication:2015-07-30
approvedby:RS
revision:V3.2
3
-40
150
V
V
V
°C
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
F3L30R06W1E3_B11
Diode,D5-D6/Diode,D5-D6
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
PeriodischeSpitzensperrspannung
Repetitivepeakreversevoltage
Tvj = 25°C
Dauergleichstrom
ContinuousDCforwardcurrent
PeriodischerSpitzenstrom
Repetitivepeakforwardcurrent
tP = 1 ms
Grenzlastintegral
I²t-value
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C
VRRM 600
V
IF
30
A
IFRM
60
A
I²t
135
125
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
min.
A²s
A²s
typ.
max.
2,00
VF
1,60
1,55
1,50
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
IRM
44,0
50,0
53,0
A
A
A
IF = 30 A, - diF/dt = 2200 A/µs (Tvj=150°C)
VR = 300 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Qr
1,30
2,40
2,80
µC
µC
µC
AbschaltenergieproPuls
Reverserecoveryenergy
IF = 30 A, - diF/dt = 2200 A/µs (Tvj=150°C)
VR = 300 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Erec
0,37
0,67
0,76
mJ
mJ
mJ
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
Thermalresistance,junctiontocase
proDiode/perdiode
RthJC
1,00
1,10 K/W
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proDiode/perdiode
Thermalresistance,casetoheatsink
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
RthCH
0,900
K/W
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
Tvj op
Durchlassspannung
Forwardvoltage
IF = 30 A, VGE = 0 V
IF = 30 A, VGE = 0 V
IF = 30 A, VGE = 0 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Rückstromspitze
Peakreverserecoverycurrent
IF = 30 A, - diF/dt = 2200 A/µs (Tvj=150°C)
VR = 300 V
Sperrverzögerungsladung
Recoveredcharge
-40
150
V
V
V
°C
NTC-Widerstand/NTC-Thermistor
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
min.
typ.
max.
Nennwiderstand
Ratedresistance
TC = 25°C
AbweichungvonR100
DeviationofR100
TC = 100°C, R100 = 493 Ω
Verlustleistung
Powerdissipation
TC = 25°C
B-Wert
B-value
R2 = R25 exp [B25/50(1/T2 - 1/(298,15 K))]
B25/50
3375
K
B-Wert
B-value
R2 = R25 exp [B25/80(1/T2 - 1/(298,15 K))]
B25/80
3411
K
B-Wert
B-value
R2 = R25 exp [B25/100(1/T2 - 1/(298,15 K))]
B25/100
3433
K
R25
∆R/R
5,00
-5
P25
AngabengemäßgültigerApplicationNote.
Specificationaccordingtothevalidapplicationnote.
preparedby:CM
dateofpublication:2015-07-30
approvedby:RS
revision:V3.2
4
kΩ
5
%
20,0
mW
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
F3L30R06W1E3_B11
Modul/Module
Isolations-Prüfspannung
Isolationtestvoltage
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
InnereIsolation
Internalisolation
Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140)
basicinsulation(class1,IEC61140)
Al2O3
Kriechstrecke
Creepagedistance
Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink
Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal
11,5
6,3
mm
Luftstrecke
Clearance
Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink
Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal
10,0
5,0
mm
> 200
VergleichszahlderKriechwegbildung
Comperativetrackingindex
VISOL CTI
min.
Modulstreuinduktivität
Strayinductancemodule
Modulleitungswiderstand,AnschlüsseChip
Moduleleadresistance,terminals-chip
TC=25°C,proSchalter/perswitch
Lagertemperatur
Storagetemperature
nH
RCC'+EE'
2,00
mΩ
Anpresskraft für mech. Bef. pro Feder
mountig force per clamp
F
20
Gewicht
Weight
G
dateofpublication:2015-07-30
approvedby:RS
revision:V3.2
5
max.
15
-40
preparedby:CM
typ.
LsCE
Tstg
Der Strom im Dauerbetrieb ist auf 25 A effektiv pro Anschlusspin begrenzt
The current under continuous operation is limited to 25 A rms per connector pin
kV
2,5
24
125
°C
50
N
g
TechnischeInformation/TechnicalInformation
F3L30R06W1E3_B11
IGBT-Modul
IGBT-Module
AusgangskennlinieIGBT,Wechselrichter(typisch)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VCE)
VGE=15V
AusgangskennlinienfeldIGBT,Wechselrichter(typisch)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VCE)
Tvj=150°C
60
60
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
50
50
45
45
40
40
35
35
30
30
25
25
20
20
15
15
10
10
5
5
0
0,0
0,3
0,6
0,9
VGE = 19 V
VGE = 17 V
VGE = 15 V
VGE = 13 V
VGE = 11 V
VGE = 9 V
55
IC [A]
IC [A]
55
1,2
1,5 1,8
VCE [V]
2,1
2,4
2,7
0
3,0
ÜbertragungscharakteristikIGBT,Wechselrichter(typisch)
transfercharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VGE)
VCE=20V
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5 3,0
VCE [V]
3,5
4,0
4,5
5,0
48
54
60
SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesIGBT,Inverter(typical)
Eon=f(IC),Eoff=f(IC)
VGE=±15V,RGon=15Ω,RGoff=15Ω,VCE=300V
60
2,0
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
55
Eon, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 125°C
Eon, Tvj = 150°C
Eoff, Tvj = 150°C
1,8
50
1,6
45
1,4
40
1,2
E [mJ]
IC [A]
35
30
25
1,0
0,8
20
0,6
15
0,4
10
0,2
5
0
5
6
7
8
9
VGE [V]
10
11
0,0
12
preparedby:CM
dateofpublication:2015-07-30
approvedby:RS
revision:V3.2
6
0
6
12
18
24
30 36
IC [A]
42
TechnischeInformation/TechnicalInformation
F3L30R06W1E3_B11
IGBT-Modul
IGBT-Module
SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesIGBT,Inverter(typical)
Eon=f(RG),Eoff=f(RG)
VGE=±15V,IC=30A,VCE=300V
TransienterWärmewiderstandIGBT,Wechselrichter
transientthermalimpedanceIGBT,Inverter
ZthJH=f(t)
4,0
10
Eon, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 125°C
Eon, Tvj = 150°C
Eoff, Tvj = 150°C
3,5
ZthJH : IGBT
3,0
ZthJH [K/W]
E [mJ]
2,5
2,0
1
1,5
1,0
i:
1
2
3
4
ri[K/W]: 0,142 0,309 0,719 0,58
τi[s]:
0,0005 0,005 0,05 0,2
0,5
0,0
0
20
40
60
80
100
RG [Ω]
120
140
0,1
0,001
160
SichererRückwärts-ArbeitsbereichIGBT,Wechselrichter
(RBSOA)
reversebiassafeoperatingareaIGBT,Inverter(RBSOA)
IC=f(VCE)
VGE=±15V,RGoff=15Ω,Tvj=150°C
70
0,01
0,1
t [s]
1
10
DurchlasskennliniederDiode,Wechselrichter(typisch)
forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical)
IF=f(VF)
60
IC, Modul
IC, Chip
55
60
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
50
45
50
40
35
IF [A]
IC [A]
40
30
30
25
20
20
15
10
10
5
0
0
100
200
300
400 500
VCE [V]
600
700
0
800
preparedby:CM
dateofpublication:2015-07-30
approvedby:RS
revision:V3.2
7
0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2
VF [V]
TechnischeInformation/TechnicalInformation
F3L30R06W1E3_B11
IGBT-Modul
IGBT-Module
SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesDiode,Inverter(typical)
Erec=f(IF)
RGon=15Ω,VCE=300V
SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesDiode,Inverter(typical)
Erec=f(RG)
IF=30A,VCE=300V
1,2
1,2
Erec, Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 150°C
1,0
1,0
0,9
0,9
0,8
0,8
0,7
0,7
0,6
0,6
0,5
0,5
0,4
0,4
0,3
0,3
0,2
0,2
0,1
0,1
0,0
0
6
12
18
Erec, Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 150°C
1,1
E [mJ]
E [mJ]
1,1
24
30 36
IF [A]
42
48
54
0,0
60
TransienterWärmewiderstandDiode,Wechselrichter
transientthermalimpedanceDiode,Inverter
ZthJH=f(t)
0
20
40
60
80
100
RG [Ω]
120
140
160
DurchlasskennliniederDiode,D5-D6(typisch)
forwardcharacteristicofDiode,D5-D6(typical)
IF=f(VF)
10
60
ZthJH: Diode
55
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
50
45
35
IF [A]
ZthJH [K/W]
40
1
30
25
20
15
10
i:
1
2
3
4
ri[K/W]: 0,29
0,495 0,894 0,622
τi[s]:
0,0005 0,005 0,05 0,2
0,1
0,001
0,01
0,1
t [s]
1
5
0
10
preparedby:CM
dateofpublication:2015-07-30
approvedby:RS
revision:V3.2
8
0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2
VF [V]
TechnischeInformation/TechnicalInformation
F3L30R06W1E3_B11
IGBT-Modul
IGBT-Module
SchaltverlusteDiode,D5-D6(typisch)
switchinglossesDiode,D5-D6(typical)
Erec=f(IF)
RGon=15Ω,VCE=300V
SchaltverlusteDiode,D5-D6(typisch)
switchinglossesDiode,D5-D6(typical)
Erec=f(RG)
IF=30A,VCE=300V
1,2
1,2
Erec, Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 150°C
1,0
1,0
0,9
0,9
0,8
0,8
0,7
0,7
0,6
0,6
0,5
0,5
0,4
0,4
0,3
0,3
0,2
0,2
0,1
0,1
0,0
0
6
12
18
Erec, Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 150°C
1,1
E [mJ]
E [mJ]
1,1
24
30 36
IF [A]
42
48
54
0,0
60
TransienterWärmewiderstandDiode,D5-D6
transientthermalimpedanceDiode,D5-D6
ZthJH=f(t)
0
20
40
60
80
100
RG [Ω]
120
140
160
140
160
NTC-Widerstand-Temperaturkennlinie(typisch)
NTC-Thermistor-temperaturecharacteristic(typical)
R=f(T)
10
100000
ZthJH: Diode
Rtyp
R[Ω]
ZthJH [K/W]
10000
1
1000
i:
1
2
3
4
ri[K/W]: 0,215 0,396 0,752 0,537
τi[s]:
0,0005 0,005 0,05 0,2
0,1
0,001
0,01
0,1
t [s]
1
100
10
preparedby:CM
dateofpublication:2015-07-30
approvedby:RS
revision:V3.2
9
0
20
40
60
80
100
TC [°C]
120
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
F3L30R06W1E3_B11
Schaltplan/Circuitdiagram
J
Gehäuseabmessungen/Packageoutlines
Infineon
preparedby:CM
dateofpublication:2015-07-30
approvedby:RS
revision:V3.2
10
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
F3L30R06W1E3_B11
Nutzungsbedingungen
DieindiesemProduktdatenblattenthaltenenDatensindausschließlichfürtechnischgeschultesFachpersonalbestimmt.DieBeurteilung
derEignungdiesesProduktesfürIhreAnwendungsowiedieBeurteilungderVollständigkeitderbereitgestelltenProduktdatenfürdiese
AnwendungobliegtIhnenbzw.IhrentechnischenAbteilungen.
IndiesemProduktdatenblattwerdendiejenigenMerkmalebeschrieben,fürdiewireineliefervertraglicheGewährleistungübernehmen.Eine
solcheGewährleistungrichtetsichausschließlichnachMaßgabederimjeweiligenLiefervertragenthaltenenBestimmungen.Garantien
jeglicherArtwerdenfürdasProduktunddessenEigenschaftenkeinesfallsübernommen.DieAngabenindengültigenAnwendungs-und
MontagehinweisendesModulssindzubeachten.
SolltenSievonunsProduktinformationenbenötigen,dieüberdenInhaltdiesesProduktdatenblattshinausgehenundinsbesondereeine
spezifischeVerwendungunddenEinsatzdiesesProduktesbetreffen,setzenSiesichbittemitdemfürSiezuständigenVertriebsbüroin
Verbindung(siehewww.infineon.com,Vertrieb&Kontakt).FürInteressentenhaltenwirApplicationNotesbereit.
AufgrunddertechnischenAnforderungenkönnteunserProduktgesundheitsgefährdendeSubstanzenenthalten.BeiRückfragenzudenin
diesemProduktjeweilsenthaltenenSubstanzensetzenSiesichbitteebenfallsmitdemfürSiezuständigenVertriebsbüroinVerbindung.
SolltenSiebeabsichtigen,dasProduktinAnwendungenderLuftfahrt,ingesundheits-oderlebensgefährdendenoderlebenserhaltenden
Anwendungsbereicheneinzusetzen,bittenwirumMitteilung.Wirweisendaraufhin,dasswirfürdieseFälle
-diegemeinsameDurchführungeinesRisiko-undQualitätsassessments;
-denAbschlussvonspeziellenQualitätssicherungsvereinbarungen;
-diegemeinsameEinführungvonMaßnahmenzueinerlaufendenProduktbeobachtungdringendempfehlenund
gegebenenfallsdieBelieferungvonderUmsetzungsolcherMaßnahmenabhängigmachen.
Soweiterforderlich,bittenwirSie,entsprechendeHinweiseanIhreKundenzugeben.
InhaltlicheÄnderungendiesesProduktdatenblattsbleibenvorbehalten.
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-theconclusionofQualityAgreements;
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Changesofthisproductdatasheetarereserved.
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