TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Modul IGBT-Module F3L75R12W1H3_B27 J VCES = 1200V IC nom = 75A / ICRM = 150A TypischeAnwendungen • 3-Level-Applikationen • SolarAnwendungen TypicalApplications • 3-level-applications • Solarapplications ElektrischeEigenschaften • HighSpeedIGBTH3 • NiederinduktivesDesign • NiedrigeSchaltverluste • NiedrigesVCEsat ElectricalFeatures • HighspeedIGBTH3 • Lowinductivedesign • Lowswitchinglosses • LowVCEsat MechanischeEigenschaften • 3kVAC1minIsolationsfestigkeit • Al2O3 Substrat mit kleinem thermischen Widerstand • KompaktesDesign • PressFITVerbindungstechnik • Robuste Montage durch integrierte Befestigungsklammern MechanicalFeatures • 3kVAC1mininsulation • Al2O3substratewithlowthermalresistance • Compactdesign • PressFITcontacttechnology • Rugged mounting due to integrated mounting clamps ModuleLabelCode BarcodeCode128 DMX-Code preparedby:CM dateofpublication:2016-04-04 approvedby:AKDA revision:V3.2 ContentoftheCode Digit ModuleSerialNumber ModuleMaterialNumber ProductionOrderNumber Datecode(ProductionYear) Datecode(ProductionWeek) 1-5 6-11 12-19 20-21 22-23 ULapproved(E83335) 1 TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Modul IGBT-Module F3L75R12W1H3_B27 IGBT,T1-T4/IGBT,T1-T4 HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Tvj = 25°C ImplementierterKollektor-Strom Implementedcollectorcurrent VCES 1200 V ICN 75 A Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent TC = 100°C, Tvj max = 175°C TC = 25°C, Tvj max = 175°C IC nom IC 30 45 PeriodischerKollektor-Spitzenstrom Repetitivepeakcollectorcurrent tP = 1 ms ICRM 150 A Gesamt-Verlustleistung Totalpowerdissipation TC = 25°C, Tvj max = 175°C Ptot 275 W VGES +/-20 V Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-emitterpeakvoltage CharakteristischeWerte/CharacteristicValues Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Collector-emittersaturationvoltage min. IC = 30 A, VGE = 15 V IC = 30 A, VGE = 15 V IC = 30 A, VGE = 15 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C VCE sat A A typ. max. 1,45 1,55 1,60 1,70 V V V 5,80 6,50 V Gate-Schwellenspannung Gatethresholdvoltage IC = 2,60 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C Gateladung Gatecharge VGE = -15 V ... +15 V QG 0,57 µC InternerGatewiderstand Internalgateresistor Tvj = 25°C RGint 0,0 Ω Eingangskapazität Inputcapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 4,40 nF Rückwirkungskapazität Reversetransfercapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,235 nF Kollektor-Emitter-Reststrom Collector-emittercut-offcurrent VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C ICES 1,0 mA Gate-Emitter-Reststrom Gate-emitterleakagecurrent VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C IGES 100 nA VGEth Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-ondelaytime,inductiveload IC = 30 A, VCE = 400 V VGE = 15 V RGon = 6,8 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Anstiegszeit,induktiveLast Risetime,inductiveload IC = 30 A, VCE = 400 V VGE = 15 V RGon = 6,8 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-offdelaytime,inductiveload IC = 30 A, VCE = 400 V VGE = 15 V RGoff = 6,8 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Fallzeit,induktiveLast Falltime,inductiveload IC = 30 A, VCE = 400 V VGE = 15 V RGoff = 6,8 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C EinschaltverlustenergieproPuls Turn-onenergylossperpulse IC = 30 A, VCE = 400 V, LS = 40 nH Tvj = 25°C VGE = 15 V, di/dt = 2600 A/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C RGon = 6,8 Ω Tvj = 150°C AbschaltverlustenergieproPuls Turn-offenergylossperpulse 5,00 0,03 0,03 0,03 µs µs µs 0,01 0,012 0,012 µs µs µs 0,25 0,32 0,34 µs µs µs 0,025 0,04 0,045 µs µs µs Eon 0,40 0,60 0,70 mJ mJ mJ IC = 30 A, VCE = 400 V, LS = 40 nH Tvj = 25°C VGE = 15 V, du/dt = 2400 V/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C RGoff = 6,8 Ω Tvj = 150°C Eoff 1,05 1,60 1,75 mJ mJ mJ Kurzschlußverhalten SCdata VGE ≤ 15 V, VCC = 800 V VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt ISC 270 A Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase proIGBT/perIGBT preparedby:CM dateofpublication:2016-04-04 approvedby:AKDA revision:V3.2 tP ≤ 10 µs, Tvj = 150°C td on tr td off tf RthJC 2 0,500 0,550 K/W TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Modul IGBT-Module F3L75R12W1H3_B27 Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proIGBT/perIGBT Thermalresistance,casetoheatsink λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Tvj op 0,450 -40 K/W 150 °C Diode,D1/D4/Diode,D1/D4 HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage VRRM Tvj = 25°C Dauergleichstrom ContinuousDCforwardcurrent PeriodischerSpitzenstrom Repetitivepeakforwardcurrent tP = 1 ms Grenzlastintegral I²t-value VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C 1200 V IF 30 A IFRM 50 A I²t 90,0 75,0 CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. A²s A²s typ. max. 2,40 VF 1,85 1,90 1,90 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C IRM 72,0 80,0 82,0 A A A IF = 30 A, - diF/dt = 2600 A/µs (Tvj=150°C) VR = 400 V VGE = -15 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Qr 2,35 2,85 3,70 µC µC µC IF = 30 A, - diF/dt = 2600 A/µs (Tvj=150°C) VR = 400 V VGE = -15 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Erec 0,80 1,30 1,35 mJ mJ mJ RthJC 0,950 1,05 K/W Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proDiode/perdiode Thermalresistance,casetoheatsink λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH 0,850 TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Tvj op Durchlassspannung Forwardvoltage IF = 30 A, VGE = 0 V IF = 30 A, VGE = 0 V IF = 30 A, VGE = 0 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Rückstromspitze Peakreverserecoverycurrent IF = 30 A, - diF/dt = 2600 A/µs (Tvj=150°C) VR = 400 V VGE = -15 V Sperrverzögerungsladung Recoveredcharge AbschaltenergieproPuls Reverserecoveryenergy Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase proDiode/perdiode preparedby:CM dateofpublication:2016-04-04 approvedby:AKDA revision:V3.2 3 -40 V V V K/W 150 °C TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Modul IGBT-Module F3L75R12W1H3_B27 IGBT,T2/T3/IGBT,T2/T3 HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Tvj = 25°C VCES 650 V Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent TC = 80°C, Tvj max = 175°C TC = 25°C, Tvj max = 175°C IC nom IC 30 45 PeriodischerKollektor-Spitzenstrom Repetitivepeakcollectorcurrent tP = 1 ms ICRM 60 A Gesamt-Verlustleistung Totalpowerdissipation TC = 25°C, Tvj max = 175°C Ptot 150 W VGES +/-20 V Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-emitterpeakvoltage CharakteristischeWerte/CharacteristicValues Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Collector-emittersaturationvoltage min. IC = 30 A, VGE = 15 V IC = 30 A, VGE = 15 V IC = 30 A, VGE = 15 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C VCE sat A A typ. max. 1,55 1,70 1,80 2,00 V V V 5,80 6,50 V Gate-Schwellenspannung Gatethresholdvoltage IC = 0,30 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C Gateladung Gatecharge VGE = -15 V ... +15 V QG 0,30 µC InternerGatewiderstand Internalgateresistor Tvj = 25°C RGint 0,0 Ω Eingangskapazität Inputcapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 1,65 nF Rückwirkungskapazität Reversetransfercapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,051 nF Kollektor-Emitter-Reststrom Collector-emittercut-offcurrent VCE = 650 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C ICES 1,0 mA Gate-Emitter-Reststrom Gate-emitterleakagecurrent VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C IGES 100 nA VGEth Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-ondelaytime,inductiveload IC = 30 A, VCE = 400 V VGE = 15 V RGon = 10 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Anstiegszeit,induktiveLast Risetime,inductiveload IC = 30 A, VCE = 400 V VGE = 15 V RGon = 10 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-offdelaytime,inductiveload IC = 30 A, VCE = 400 V VGE = 15 V RGoff = 10 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Fallzeit,induktiveLast Falltime,inductiveload IC = 30 A, VCE = 400 V VGE = 15 V RGoff = 10 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C EinschaltverlustenergieproPuls Turn-onenergylossperpulse IC = 30 A, VCE = 400 V, LS = 40 nH Tvj = 25°C VGE = 15 V, di/dt = 2600 A/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C RGon = 10 Ω Tvj = 150°C AbschaltverlustenergieproPuls Turn-offenergylossperpulse 4,90 0,022 0,025 0,025 µs µs µs 0,01 0,012 0,012 µs µs µs 0,16 0,18 0,185 µs µs µs 0,025 0,037 0,04 µs µs µs Eon 0,34 0,50 0,53 mJ mJ mJ IC = 30 A, VCE = 400 V, LS = 40 nH Tvj = 25°C VGE = 15 V, du/dt = 4700 V/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C RGoff = 10 Ω Tvj = 150°C Eoff 0,85 1,15 1,20 mJ mJ mJ Kurzschlußverhalten SCdata VGE ≤ 15 V, VCC = 360 V VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt ISC 210 150 A A Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase proIGBT/perIGBT tP ≤ 8 µs, Tvj = 25°C tP ≤ 6 µs, Tvj = 150°C td on tr td off tf RthJC 0,900 1,00 K/W Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proIGBT/perIGBT Thermalresistance,casetoheatsink λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH 0,850 TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Tvj op preparedby:CM dateofpublication:2016-04-04 approvedby:AKDA revision:V3.2 4 -40 K/W 150 °C TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Modul IGBT-Module F3L75R12W1H3_B27 Diode,D2/D3/Diode,D2/D3 HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage Tvj = 25°C Dauergleichstrom ContinuousDCforwardcurrent PeriodischerSpitzenstrom Repetitivepeakforwardcurrent tP = 1 ms Grenzlastintegral I²t-value VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C VRRM 650 V IF 30 A IFRM 60 A I²t 130 115 CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. A²s A²s typ. max. 1,65 VF 1,45 1,35 1,30 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C IRM 42,0 48,0 50,0 A A A IF = 30 A, - diF/dt = 2600 A/µs (Tvj=150°C) VR = 400 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Qr 1,80 2,40 2,60 µC µC µC AbschaltenergieproPuls Reverserecoveryenergy IF = 30 A, - diF/dt = 2600 A/µs (Tvj=150°C) VR = 400 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Erec 0,45 0,65 0,73 mJ mJ mJ Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase proDiode/perdiode RthJC 1,00 1,20 K/W Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proDiode/perdiode Thermalresistance,casetoheatsink λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH 0,700 K/W TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Tvj op Durchlassspannung Forwardvoltage IF = 30 A, VGE = 0 V IF = 30 A, VGE = 0 V IF = 30 A, VGE = 0 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Rückstromspitze Peakreverserecoverycurrent IF = 30 A, - diF/dt = 2600 A/µs (Tvj=150°C) VR = 400 V Sperrverzögerungsladung Recoveredcharge -40 150 V V V °C NTC-Widerstand/NTC-Thermistor CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. Nennwiderstand Ratedresistance TNTC = 25°C AbweichungvonR100 DeviationofR100 TNTC = 100°C, R100 = 493 Ω Verlustleistung Powerdissipation TNTC = 25°C B-Wert B-value R2 = R25 exp [B25/50(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/50 3375 K B-Wert B-value R2 = R25 exp [B25/80(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/80 3411 K B-Wert B-value R2 = R25 exp [B25/100(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/100 3433 K R25 ∆R/R 5,00 -5 P25 AngabengemäßgültigerApplicationNote. Specificationaccordingtothevalidapplicationnote. preparedby:CM dateofpublication:2016-04-04 approvedby:AKDA revision:V3.2 5 kΩ 5 % 20,0 mW TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Modul IGBT-Module F3L75R12W1H3_B27 Modul/Module Isolations-Prüfspannung Isolationtestvoltage RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. InnereIsolation Internalisolation Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140) basicinsulation(class1,IEC61140) AI2O3 Kriechstrecke Creepagedistance Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal 11,5 6,3 mm Luftstrecke Clearance Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal 10,0 5,0 mm > 200 VergleichszahlderKriechwegbildung Comperativetrackingindex VISOL CTI min. Modulstreuinduktivität Strayinductancemodule Modulleitungswiderstand,AnschlüsseChip Moduleleadresistance,terminals-chip TC=25°C,proSchalter/perswitch Lagertemperatur Storagetemperature nH RCC'+EE' RAA'+CC' 5,00 6,00 mΩ Anpresskraft für mech. Bef. pro Feder mountig force per clamp F 40 Gewicht Weight G dateofpublication:2016-04-04 approvedby:AKDA revision:V3.2 6 max. 30 -40 preparedby:CM typ. LsCE Tstg Der Strom im Dauerbetrieb ist auf 25A effektiv pro Anschlusspin begrenzt. The current under continuous operation is limited to 25A rms per connector pin. kV 3,0 24 125 °C 80 N g TechnischeInformation/TechnicalInformation F3L75R12W1H3_B27 IGBT-Modul IGBT-Module AusgangskennlinieIGBT,T1-T4(typisch) outputcharacteristicIGBT,T1-T4(typical) IC=f(VCE) VGE=15V AusgangskennlinienfeldIGBT,T1-T4(typisch) outputcharacteristicIGBT,T1-T4(typical) IC=f(VCE) Tvj=150°C 60 60 50 50 40 40 IC [A] IC [A] Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C 30 30 20 20 10 10 0 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 0 2,5 VGE = 19V VGE = 17V VGE = 15V VGE = 13V VGE = 11V VGE = 9V 0,0 0,5 1,0 VCE [V] ÜbertragungscharakteristikIGBT,T1-T4(typisch) transfercharacteristicIGBT,T1-T4(typical) IC=f(VGE) VCE=20V 2,5 3,0 50 60 3,0 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C 50 2,5 40 2,0 E [mJ] IC [A] 2,0 SchaltverlusteIGBT,T1-T4(typisch) switchinglossesIGBT,T1-T4(typical) Eon=f(IC),Eoff=f(IC) VGE=±15V,RGon=6.8Ω,RGoff=6.8Ω,VCE=400V 60 30 1,0 10 0,5 5 6 7 8 9 0,0 10 VGE [V] preparedby:CM dateofpublication:2016-04-04 approvedby:AKDA revision:V3.2 7 Eon, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 125°C Eon, Tvj = 150°C Eoff, Tvj = 150°C 1,5 20 0 1,5 VCE [V] 0 10 20 30 IC [A] 40 TechnischeInformation/TechnicalInformation F3L75R12W1H3_B27 IGBT-Modul IGBT-Module SchaltverlusteIGBT,T1-T4(typisch) switchinglossesIGBT,T1-T4(typical) Eon=f(RG),Eoff=f(RG) VGE=±15V,IC=30A,VCE=400V TransienterWärmewiderstandIGBT,T1-T4 transientthermalimpedanceIGBT,T1-T4 ZthJH=f(t) 4,0 10 Eon, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 125°C Eon, Tvj = 150°C Eoff, Tvj = 150°C ZthJH : IGBT ZthJH [K/W] E [mJ] 3,0 2,0 1 1,0 i: 1 2 3 4 ri[K/W]: 0,032 0,062 0,312 0,543 τi[s]: 0,0005 0,005 0,05 0,2 0,0 0 10 20 30 40 RG [Ω] 50 60 0,1 0,001 70 SichererRückwärts-ArbeitsbereichIGBT,T1-T4(RBSOA) reversebiassafeoperatingareaIGBT,T1-T4(RBSOA) IC=f(VCE) VGE=±15V,RGoff=6.8Ω,Tvj=150°C 0,01 0,1 t [s] 1 10 DurchlasskennliniederDiode,D1/D4(typisch) forwardcharacteristicofDiode,D1/D4(typical) IF=f(VF) 70 50 IC, Modul IC, Chip Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C 45 60 40 50 35 30 IF [A] IC [A] 40 30 25 20 15 20 10 10 5 0 0 200 400 600 800 VCE [V] 1000 1200 0 1400 preparedby:CM dateofpublication:2016-04-04 approvedby:AKDA revision:V3.2 8 0,0 0,5 1,0 1,5 VF [V] 2,0 2,5 3,0 TechnischeInformation/TechnicalInformation F3L75R12W1H3_B27 IGBT-Modul IGBT-Module SchaltverlusteDiode,D1/D4(typisch) switchinglossesDiode,D1/D4(typical) Erec=f(IF) RGon=10Ω,VCE=400V SchaltverlusteDiode,D1/D4(typisch) switchinglossesDiode,D1/D4(typical) Erec=f(RG) IF=30A,VCE=400V 2,0 1,6 Erec, Tvj = 125°C Erec, Tvj = 150°C 1,8 Erec, Tvj = 125°C Erec, Tvj = 150°C 1,4 1,6 1,2 1,4 1,0 E [mJ] E [mJ] 1,2 1,0 0,8 0,8 0,6 0,6 0,4 0,4 0,2 0,2 0,0 0 5 0,0 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60 IF [A] TransienterWärmewiderstandDiode,D1/D4 transientthermalimpedanceDiode,D1/D4 ZthJH=f(t) 0 10 20 30 40 50 60 RG [Ω] 70 80 90 100 AusgangskennlinieIGBT,T2/T3(typisch) outputcharacteristicIGBT,T2/T3(typical) IC=f(VCE) VGE=15V 10 60 ZthJH: Diode Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C 54 48 42 IC [A] ZthJH [K/W] 36 1 30 24 18 12 i: 1 2 3 4 ri[K/W]: 0,15 0,323 0,739 0,588 τi[s]: 0,0005 0,005 0,05 0,2 0,1 0,001 0,01 0,1 t [s] 1 6 0 10 preparedby:CM dateofpublication:2016-04-04 approvedby:AKDA revision:V3.2 9 0,0 0,5 1,0 1,5 VCE [V] 2,0 2,5 3,0 TechnischeInformation/TechnicalInformation F3L75R12W1H3_B27 IGBT-Modul IGBT-Module AusgangskennlinienfeldIGBT,T2/T3(typisch) outputcharacteristicIGBT,T2/T3(typical) IC=f(VCE) Tvj=150°C ÜbertragungscharakteristikIGBT,T2/T3(typisch) transfercharacteristicIGBT,T2/T3(typical) IC=f(VGE) VCE=20V 60 60 VGE = 19V VGE = 17V VGE = 15V VGE = 13V VGE = 11V VGE = 9V 54 48 42 42 36 36 IC [A] IC [A] 48 30 30 24 24 18 18 12 12 6 6 0 0,0 0,5 1,0 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C 54 1,5 2,0 2,5 3,0 VCE [V] 3,5 4,0 4,5 0 5,0 SchaltverlusteIGBT,T2/T3(typisch) switchinglossesIGBT,T2/T3(typical) Eon=f(IC),Eoff=f(IC) VGE=±15V,RGon=10Ω,RGoff=10Ω,VCE=400V 5 6 7 8 9 VGE [V] 10 11 12 SchaltverlusteIGBT,T2/T3(typisch) switchinglossesIGBT,T2/T3(typical) Eon=f(RG),Eoff=f(RG) VGE=±15V,IC=30A,VCE=400V 2,5 4,0 Eon, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 125°C Eon, Tvj = 150°C Eoff, Tvj = 150°C Eon, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 125°C Eon, Tvj = 150°C Eoff, Tvj = 150°C 3,5 2,0 3,0 2,5 E [mJ] E [mJ] 1,5 1,0 2,0 1,5 1,0 0,5 0,5 0,0 0 10 20 30 IC [A] 40 50 0,0 60 preparedby:CM dateofpublication:2016-04-04 approvedby:AKDA revision:V3.2 10 0 10 20 30 40 50 60 RG [Ω] 70 80 90 100 TechnischeInformation/TechnicalInformation F3L75R12W1H3_B27 IGBT-Modul IGBT-Module TransienterWärmewiderstandIGBT,T2/T3 transientthermalimpedanceIGBT,T2/T3 ZthJH=f(t) SichererRückwärts-ArbeitsbereichIGBT,T2/T3(RBSOA) reversebiassafeoperatingareaIGBT,T2/T3(RBSOA) IC=f(VCE) VGE=±15V,RGoff=10Ω,Tvj=150°C 10 70 ZthJH: IGBT IC, Modul IC, Chip 60 40 IC [A] ZthJH [K/W] 50 1 30 20 10 i: 1 2 3 4 ri[K/W]: 0,142 0,309 0,719 0,58 τi[s]: 0,0005 0,005 0,05 0,2 0,1 0,001 0,01 0,1 t [s] 1 0 10 DurchlasskennliniederDiode,D2/D3(typisch) forwardcharacteristicofDiode,D2/D3(typical) IF=f(VF) 0 100 200 300 400 VCE [V] 500 600 700 SchaltverlusteDiode,D2/D3(typisch) switchinglossesDiode,D2/D3(typical) Erec=f(IF) RGon=6.8Ω,VCE=400V 60 1,00 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C 55 Erec, Tvj = 125°C Erec, Tvj = 150°C 0,90 50 0,80 45 0,70 40 0,60 E [mJ] IF [A] 35 30 25 0,50 0,40 20 0,30 15 0,20 10 0,10 5 0 0,0 0,5 1,0 VF [V] 1,5 0,00 2,0 preparedby:CM dateofpublication:2016-04-04 approvedby:AKDA revision:V3.2 11 0 10 20 30 IF [A] 40 50 60 TechnischeInformation/TechnicalInformation F3L75R12W1H3_B27 IGBT-Modul IGBT-Module SchaltverlusteDiode,D2/D3(typisch) switchinglossesDiode,D2/D3(typical) Erec=f(RG) IF=30A,VCE=400V TransienterWärmewiderstandDiode,D2/D3 transientthermalimpedanceDiode,D2/D3 ZthJH=f(t) 0,90 10 Erec, Tvj = 125°C Erec, Tvj = 150°C 0,80 ZthJH: Diode 0,70 ZthJH [K/W] E [mJ] 0,60 0,50 0,40 1 0,30 0,20 i: 1 2 3 4 ri[K/W]: 0,25 0,3 0,5 0,65 τi[s]: 0,0005 0,005 0,05 0,2 0,10 0,00 0 10 20 30 RG [Ω] 40 50 0,1 0,001 60 NTC-Widerstand-Temperaturkennlinie(typisch) NTC-Thermistor-temperaturecharacteristic(typical) R=f(T) 100000 Rtyp R[Ω] 10000 1000 100 0 20 40 60 80 100 TNTC [°C] 120 140 160 preparedby:CM dateofpublication:2016-04-04 approvedby:AKDA revision:V3.2 12 0,01 0,1 t [s] 1 10 TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Modul IGBT-Module F3L75R12W1H3_B27 Schaltplan/Circuitdiagram J Gehäuseabmessungen/Packageoutlines Infineon preparedby:CM dateofpublication:2016-04-04 approvedby:AKDA revision:V3.2 13 TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Modul IGBT-Module F3L75R12W1H3_B27 Publishedby InfineonTechnologiesAG 81726München,Germany ©InfineonTechnologiesAG2015. AllRightsReserved. Nutzungsbedingungen WICHTIGERHINWEIS DieindiesemDokumententhaltenenAngabenstellenkeinesfallsGarantienfürdieBeschaffenheitoderEigenschaftendesProduktes (“Beschaffenheitsgarantie“)dar.FürBeispiele,HinweiseodertypischeWerte,dieindiesemDokumententhaltensind,und/oderAngaben, diesichaufdieAnwendungdesProduktesbeziehen,istjeglicheGewährleistungundHaftungvonInfineonTechnologiesausgeschlossen, einschließlich,ohnehieraufbeschränktzusein,dieGewährdafür,dasskeingeistigesEigentumDritterverletztist. DesWeiterenstehensämtliche,indiesemDokumententhaltenenInformationen,unterdemVorbehaltderEinhaltungderindiesem DokumentfestgelegtenVerpflichtungendesKundensowieallerimHinblickaufdasProduktdesKundensowiedieNutzungdesInfineon ProduktesindenAnwendungendesKundenanwendbarengesetzlichenAnforderungen,NormenundStandardsdurchdenKunden. DieindiesemDokumententhaltenenDatensindausschließlichfürtechnischgeschultesFachpersonalbestimmt.DieBeurteilungder EignungdiesesProduktesfürdiebeabsichtigteAnwendungsowiedieBeurteilungderVollständigkeitderindiesemDokumententhaltenen ProduktdatenfürdieseAnwendungobliegtdentechnischenFachabteilungendesKunden. SolltenSievonunsweitereInformationenimZusammenhangmitdemProdukt,derTechnologie,Lieferbedingungenbzw.Preisen benötigen,wendenSiesichbitteandasnächsteVertriebsbürovonInfineonTechnologies(www.infineon.com). WARNHINWEIS AufgrunddertechnischenAnforderungenkönnenProduktegesundheitsgefährdendeSubstanzenenthalten.BeiFragenzudenindiesem ProduktenthaltenenSubstanzen,setzenSiesichbittemitdemnächstenVertriebsbürovonInfineonTechnologiesinVerbindung. SofernInfineonTechnologiesnichtausdrücklichineinemschriftlichen,vonvertretungsberechtigtenInfineonMitarbeiternunterzeichneten Dokumentzugestimmthat,dürfenProduktevonInfineonTechnologiesnichtinAnwendungeneingesetztwerden,inwelchen vernünftigerweiseerwartetwerdenkann,dasseinFehlerdesProduktesoderdieFolgenderNutzungdesProdukteszu Personenverletzungenführen. Terms&Conditionsofusage IMPORTANTNOTICE Theinformationgiveninthisdocumentshallinnoeventberegardedasaguaranteeofconditionsorcharacteristics (“Beschaffenheitsgarantie”).Withrespecttoanyexamples,hintsoranytypicalvaluesstatedhereinand/oranyinformationregardingthe applicationoftheproduct,InfineonTechnologiesherebydisclaimsanyandallwarrantiesandliabilitiesofanykind,includingwithout limitationwarrantiesofnon-infringementofintellectualpropertyrightsofanythirdparty. Inaddition,anyinformationgiveninthisdocumentissubjecttocustomer’scompliancewithitsobligationsstatedinthisdocumentandany applicablelegalrequirements,normsandstandardsconcerningcustomer’sproductsandanyuseoftheproductofInfineonTechnologies incustomer’sapplications. Thedatacontainedinthisdocumentisexclusivelyintendedfortechnicallytrainedstaff.Itistheresponsibilityofcustomer’stechnical departmentstoevaluatethesuitabilityoftheproductfortheintendedapplicationandthecompletenessoftheproductinformationgivenin thisdocumentwithrespecttosuchapplication. Forfurtherinformationontheproduct,technology,deliverytermsandconditionsandpricespleasecontactyournearestInfineon Technologiesoffice(www.infineon.com). WARNINGS Duetotechnicalrequirementsproductsmaycontaindangeroussubstances.Forinformationonthetypesinquestionpleasecontactyour nearestInfineonTechnologiesoffice. 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