High speed 低誘電率・低誘電正接・高耐熱多層基板材料 Low Dk . Low Df and High Tg for Multi-layer Circuit Board Materials Laminate R-5785, R-5785(N) ※ R-5680, R-5680(N) ※ Prepreg ※ Low-dielectric glass cloth specification MEGTRON6 の 1/2 の Df 値を実現。 業界最高の低伝送損失で、次世代 ICT 機器の高速伝送に貢献。 Realize 1/2, Df (dissipation factor) MEGTRON6. Contributing to the high-speed transmission of next generation ICT infrastructure equipment by low transmission loss of the industry's highest. 特長 /Features 1. Ultra-low transmission loss ・R-5785：Dk＝3.6, Df=0.003(12GHz) ・R-5785(N)：Dk＝3.4, Df=0.002(12GHz) 2. High heat resistance and reliability (equivalent to MEGTRON6) 3. Compatible with lead-free soldering ①超低伝送損失 ・R-5785：Dk＝3.6, Df=0.003(12GHz) ・R-5785(N)：Dk＝3.4, Df=0.002(12GHz) ②優れた耐熱性と信頼性 （MEGTRON6と同等） ③鉛フリーはんだ対応 用途 /Applications High-end servers, High-end routers, Supercomputers, and other ICT infrastructure equipment Antenna(wireless base station, millimeter-wave), etc ハイエンドサーバ、ハイエンドルータ、スーパーコンピュータ ICT インフラ機器、アンテナ （無線基地局、ミリ波） など 誘電特性 Dielectric property R-5775 3.6 3.4 R-5785 3.2 0.004 R-5785 0.002 R-5785(N) R-5785(N) 3.0 0 5 10 15 20 周波数 Frequency (GHz) 25 30 0.000 0 5 10 15 20 絶縁抵抗値 Insulation resistivity（Ω） -30 -50 R-5775 0 5 10 15 周波数 Frequency (GHz) 1.0E+11 1.0E+10 1.0E+09 T288 (銅付 with copper) 1.0E+08 熱膨張係数 （タテ方向） CTE (α1) x-axis 1.0E+07 1.0E+06 熱膨張係数 （ヨコ方向） CTE (α1) y-axis 1.0E+05 評価サンプル Evaluation sample 0.35mm 1.6mm 400 500 評価条件 Evaluation condition スルーホール径 0.35mm Through-hole diameter スルーホール壁間距離 Through-hole wall to wall distance 0.35mm 温度 Temperature 121℃ 湿度 Humidity 85％ 印加電圧 Voltage 50V 13 ｜ Circuit Board Materials ｜ June 2015 t 20 一般特性 General properties 熱分解温度 Thermal decomposition temp (Td) 200 300 処理時間 Time (Hrs) w 回路幅 （w） 0.1mm Trace width （w） 回路厚み （t） 0.035mm Trace thickness （t） 絶縁層厚み （h） 0.30mm Dielectric thickness （h） R-5775(N) -40 ガラス転移温度 Glass transition temp (Tg) 100 h -20 評価項目 Item 1.0E+12 0 R-5785(N) R-5785 -10 25 30 周波数 Frequency (GHz) 耐CAF性（実測値） CAF resistance 1.0E+04 伝送損失 Transmission loss (dB/m) 3.8 評価サンプル Evaluation sample 0 R-5775 誘電正接 Dissipation factor (Df) 比誘電率 Dielectric constant (Dk) 伝送損失比較 Frequency dependence of transmission loss 0.006 4.0 試験方法 Test method 条件 Condition 単位 Unit R-5785 R-5785(N) R-5775 DSC As received ℃ 200 200 185 TG/DTA As received ℃ 400 400 410 IPC TM-650 2.4.24.1 As received min >120 >120 >120 IPC TM-650 2.4.41 below Tg 14-16 14-16 14-16 14-16 14-16 14-16 42 42 45 ppm/℃ below Tg 熱膨張係数 （厚さ方向） CTE (α1) z-axis IPC TM-650 2.4.24 280 280 260 比誘電率 Dielectric constant (Dk) IPC TM-650 2.5.5.9 C-24/23/50 @1GHz 3.6 3.4 3.7 誘電正接 Dissipation factor (Df) IPC TM-650 2.5.5.9 C-24/23/50 @1GHz 0.0015 0.001 0.002 吸水率 Water absorption IPC TM-650 2.6.2.1 D-24/23 % 0.06 0.06 0.14 JIS C6481 As received GPa 19 18 19 IPC TM-650 2.4.8 As received kN/m 1.2 1.2 1.2 曲げ弾性率 Flexural modulus (Weft) 銅箔引き剥がし強さ Peel strength 1 oz (35μm) above Tg 試験片の厚さは0.75mmです。 The sample thickness is 0.75mm ◎ 上記データは弊社での実測値であり、保証値ではありません。 The above data is actual values and not guaranteed values. High speed 低誘電率・低誘電正接・高耐熱多層基板材料 Low Dk . Low Df and High Tg for Multi-layer Circuit Board Materials Laminate R-5775, R-5775(N) ※ R-5670, R-5670(N) ※ Prepreg ※ Low-dielectric glass cloth specification サーバなどのネットワーク機器向け、高速化、超低ロス基板材料 High speed and ultra-low loss multi-layer circuit board materials for networking equipment, such as servers. 特長 /Features 1.Low dielectric constant and dielectric dissipation factor -R-5775：Dk=3.6,Df=0.004(12GHz) -R-5775(N)：Dk=3.4, Df=0.004(12GHz) 2.Good through-hole reliability 3.Compatible with lead-free soldering ①低誘電率・低誘電正接 ・R-5775：Dk=3.6,Df=0.004（12GHz） ・R-5775 （N） ：Dk=3.4, Df=0.004（12GHz） ②優れたスルーホール接続信頼性 ③鉛フリーはんだ対応 用途 /Applications Networking equipment, Mainframe, IC Tester, High frequency measuring device, Antenna(wireless base station, millimeter-wave), etc 通信ネットワーク機器、 大型コンピュータ、 ICテスター、 高周波計測装置 アンテナ （無線基地局、ミリ波） など 誘電特性 Dielectric property R-5775 3.5 3.4 3.3 R-5775(N) 3.2 3.1 伝送損失比較 Frequency dependence of transmission loss 0.010 0.0 0.009 -0.5 -1.0 -1.5 -2.0 伝送損失 Transmission loss (dB/10cm) 3.6 誘電正接 Dissipation factor (Df) 比誘電率 Dielectric constant (Dk) 3.7 0.008 0.007 R-5775 0.006 0.005 0.004 0.003 R-5775(N) 0.002 0.001 0 10 20 30 周波数 Frequency（GHz） 40 0.000 0 10 20 30 周波数 Frequency（GHz） 構成 Constitution 銅箔厚 Cu thickness 評価結果 Test result 故障率 Failure ratio（％） 90 Conventional High Tg FR-4 80 70 12μm 板厚 2mm Board thickness 100 TH径 TH diameter 0.3mm メッキ厚 15μm Plating thickness 60 50 40 回路パターン Circuit pattern R-5775 30 20 R-5775(N) 10 0 0 1000 2000 サイクル数 Cycle number（Cycle） 3000 ＊NG判定 :10%抵抗変化率以上 Failure is over 10% changes of resistance 0.30mm R-5775(N) -2.5 -3.0 -3.5 -4.0 -4.5 R-5775 0 5 40 スルーホール導通信頼性 Through-hole reliability 評価条件 Test condition -65℃/30min⇔125℃/30min 評価サンプル Evaluation sample 160Holes デージーチェーン Daisy chain 10 周波数 Frequency (GHz) 15 20 銅箔厚 18μm Cu thickness 銅箔種 H-VLP Cu type 0.15mm コア （＃1078x2ply） Core プリプレグ #1078×2ply Prepreg インピーダンス 50Ω Impedance 一般特性 General properties 評価項目 Item ガラス転移温度 Glass transition temp (Tg) 熱分解温度 Thermal decomposition temp (Td) T288 （銅付 with copper） 熱膨張係数 （タテ方向） CTE (α1) x-axis 熱膨張係数 （ヨコ方向） CTE (α1) y-axis 試験方法 Test method 条件 Condition 単位 Unit R-5775 R-5775(N) Conventional High Tg FR-4 DSC As received ℃ 185 185 170 TG/DTA As received ℃ 410 410 315 min >120 >120 1 14-16 14-16 11-13 14-16 14-16 13-15 IPC TM-650 2.4.24.1 As received IPC TM-650 2.4.41 below Tg ppm/℃ below Tg 45 45 60 above Tg 260 260 260 熱膨張係数 （厚さ方向） CTE (α1) z-axis IPC TM-650 2.4.24 比誘電率 Dielectric constant (Dk) IPC TM-650 2.5.5.9 C-24/23/50 @1GHz 3.7 3.4 4.3 誘電正接 Dissipation factor (Df) IPC TM-650 2.5.5.9 C-24/23/50 @1GHz 0.002 0.0015 0.016 吸水率 Water absorption IPC TM-650 2.6.2.1 D-24/23 % 0.14 0.14 0.14 JIS C6481 As received GPa 19 18 21 IPC TM-650 2.4.8 As received kN/m 1.2 1.2 2.0 曲げ弾性率 Flexural modulus (Weft) 銅箔引き剥がし強さ Peel strength 1 oz (35μm) R-5775, R-5775(N)の試験片の厚さは0.75mmです。その他の試験片の厚さは0.8mmです。 The sample thickness of R-5775, R-5775(N) is 0.75mm. The sample thickness of the other is 0.8mm. ◎ 上記データは弊社での実測値であり、保証値ではありません。 The above data is actual values and not guaranteed values. Circuit Board Materials ｜ June 2015 ｜ 14 High speed 低誘電率・低誘電正接・高耐熱多層基板材料 Low Dk . Low Df and High Tg for Multi-layer Circuit Board Materials Laminate Prepreg R-5725S, R-5725 R-5620S, R-5620 鉛フリーはんだに対応し、高耐熱性と高信頼性に優れた低ロス基板材料 Low loss multi-layer circuit board materials with high heat resistance and high reliability and compatible with lead-free soldering. 特長 /Features ①低誘電率・低誘電正接 Dk=3.8,Df=0.007 （10GHz） ②ガラス転移温度 ・R-5725S：200℃ （DSC） ・R-5725：176℃ （DSC） ③鉛フリーはんだ対応 ④厳しい使用環境下において、 高い絶縁信頼性、 スルーホール、 接続信頼性を 確保 1. Low dielectric constant and dielectric dissipation factor Dk=3.8, Df=0.007(10GHz) 2. Glass transition temp(Tg) -R-5725S：200℃(DSC) -R-5725：176℃(DSC) 3. Compatible with lead-free soldering 4. In harsh usage environments -High through-hole reliability -High insulation reliability 用途 /Applications ネットワーク機器 （サーバ、 ルータなど） 、 計測機器 アンテナ （無線基地局、ミリ波） など Networking equipment (servers, routers), Measuring instruments, Antenna(wireless base station, millimeter-wave), etc 伝送損失比較 Frequency dependence of transmission loss 一般特性 General properties 0 評価項目 Item PTFE フッ素 ガラス転移温度 Glass transition temp (Tg) 伝送損失 Transmission loss (dB/m) -20 熱分解温度 Thermal decomposition temp (Td) -40 評価サンプル Evaluation sample T288 (銅付 with copper) 35μm 280μm -60 -80 熱膨張係数 （タテ方向） CTE (α1) x-axis 100μm コア Core 0.13mm プリプレグ Prepreg 0.06mm×2ply 回路長さ Length 1m 銅箔厚み Cu thickness t=35μm 熱膨張係数 （ヨコ方向） CTE (α1) y-axis 試験方法 条件 Test method Condition ５ 周波数 Frequency (GHz) 10 熱膨張係数 （厚さ方向） CTE (α1) z-axis 15 はんだフロート耐熱性 Solder heat resistance(float) 評価条件 Test condition 288℃はんだフロート10秒6回 288℃ 10sec.Solder float 6cycle 結果 Test result Ｒ-5725S, R-5725 ：断面観察異常なし No delamination 当社汎用High Tg FR-4 Our conventional High Tg FR-4 : デラミネーション発生 Delamination Conventional High Tg FR-4 As received ℃ 200 176 170 TG/DTA As received ℃ 360 360 315 min 50 30 1 12-14 12-14 11-13 13-15 13-15 13-15 below Tg 32 35 60 above Tg 250 265 260 IPC TM-650 As received 2.4.24.1 IPC TM-650 2.4.41 below Tg ppm/℃ IPC TM-650 2.4.24 IPC TM-650 C-24/23/50 @1GHz 2.5.5.9 3.8 3.8 4.3 誘電正接 Dissipation factor (Df) IPC TM-650 C-24/23/50 @1GHz 2.5.5.9 0.005 0.005 0.016 吸水率 Water absorption IPC TM-650 2.6.2.1 D-24/23 % 0.14 0.14 0.14 JIS C6481 As received GPa 23 23 21 kN/m 1.4 1.2 2.0 銅箔引き剥がし強さ Peel strength 1 oz (35μm) プリプレグ 2116 56% 1ply Prepreg R-5725 比誘電率 Dielectric constant (Dk) 曲げ弾性率 Flexural modulus (Weft) コア 0.1 18/18 Core R-5725S DSC インピーダンス 50Ω Impedance -100 ０ 単位 Unit IPC TM-650 As received 2.4.8 試験片の厚さは0.8mmです。 The sample thickness is 0.8mm 基板仕様 Sample construction 板厚 Board thickness 5mm 層数 Layer count 40層 40Layer 0.25 mm /0.76mm ドリル径/ピッチ 0.3 mm /0.95mm Drill diameter/Pitch 0.5 mm /1.15mm 0.8 mm /1.30mm 15 ｜ Circuit Board Materials ｜ June 2015 ◎ 上記データは弊社での実測値であり、保証値ではありません。 The above data is actual values and not guaranteed values. High speed ハロゲンフリー低誘電正接・高耐熱多層基板材料 Halogen-free Low Df and High Tg for Multi-layer Circuit Board Materials Laminate Prepreg R-1577 R-1570 ハロゲン・アンチモンフリー、鉛フリーはんだ対応と環境に配慮した ミドルロス基板材料 Environmentally friendly middle loss circuit board material that is halogen-free and antimony-free and compatible with lead-free soldering. 特長 /Features 1.Low dielectric constant and dielectric dissipation factor Dk=4.1, Df=0.013(10GHz) 2.High heat resistance Td=380℃,Tg=170℃(DSC) 3.Good through-hole reliability 4.Compatible with lead-free soldering 5. Halogen and antimony free，UL94V-0 ①低誘電率・低誘電正接 Dk=4.1,Df=0.013（10GHz） ②高耐熱性 熱分解温度380℃、ガラス転移温度170℃（DSC） ③優れたスルーホール接続信頼性 ④鉛フリーはんだ対応 ⑤ハロゲンフリー、 アンチモンフリーでUL94V-0取得 用途 /Applications Networking equipment (servers, routers), Measuring instruments, Automotive components, etc. ネットワーク機器 （サーバ、 ルータなど） 、 計測機器、 車載機器など Power部への通電発熱により25℃⇔150℃の温度サイクル試験を実施、 Sense部での不具合発生を検知することにより、 不具合発生までの サイクル数を評価 Carrying out temperature cycling experiments 25 ℃ ⇔ 150 ℃ by electric heating to the powerunit. By detecting the occurrence of deficiencies in the sense unit, evaluating the number of cycles to failure occurrences 評価サンプル Evaluation Sample IST Coupon 基板仕様 Board specification 板厚 Board thickness : 2.1mm 層数 Number of layers : 18層 18 layers 評価条件 Evaluation condition 前処理 Preprocessing ：リフロー reflow サイクル条件 Cycle condition ： 25℃/2分⇔150℃/3分 （12サイクル/1時間） 25℃/2 minutes⇔150℃/3minutes (12 cycle/1 hour) 1 − 2 230℃×3times 3 230℃×6times 4 260℃×3times 5 260℃×6times PTFE フッ素 -20 -40 評価サンプル Evaluation sample 35μm 280μm -60 100μm コア Core 0.13mm プリプレグ Prepreg 0.06mm×2ply 回路長さ Length 1m 銅箔厚み Cu thickness t=35μm インピーダンス 50Ω Impedance -100 ０ Power Sense ５ R-1577 1000サイクル以上OK Over 1000 cycle OK 1000サイクル以上OK Over 1000 cycle OK 1000サイクル以上OK Over 1000 cycle OK 1000サイクル以上OK Over 1000 cycle OK 1000サイクル以上OK Over 1000 cycle OK 周波数 Frequency (GHz) 10 15 一般特性 General properties 評価項目 Item 評価結果 Result リフロー条件 Reflow condition 0 -80 判定基準 Judgment 導通抵抗変化率10%以下をOKと判定 Under 10% changes of resistance is OK. サンプルNo. Sample No. 伝送損失比較 Frequency dependence of transmission loss 伝送損失 Transmission loss (dB/m) IST(Interconnect Stress Test) ISTとは What is IST ? ガラス転移温度 Glass transition temp (Tg) 熱分解温度 Thermal decomposition temp (Td) T288 (銅付 with copper) 熱膨張係数 （タテ方向） CTE (α1) x-axis 熱膨張係数 （ヨコ方向） CTE (α1) y-axis 試験方法 Test method 条件 Condition 単位 Unit R-1577 Conventional High Tg FR-4 DSC As received ℃ 170 170 TG/DTA As received ℃ 380 315 IPC TM-650 2.4.24.1 As received min 25 1 IPC TM-650 2.4.41 below Tg 14-16 11-13 14-16 13-15 below Tg 34 60 above Tg 200 260 ppm/℃ 熱膨張係数 （厚さ方向） CTE (α1) z-axis IPC TM-650 2.4.24 比誘電率 Dielectric constant (Dk) IPC TM-650 2.5.5.9 C-24/23/50 @1GHz 4.1 4.3 誘電正接 Dissipation factor (Df) IPC TM-650 2.5.5.9 C-24/23/50 @1GHz 0.010 0.016 吸水率 Water absorption IPC TM-650 2.6.2.1 D-24/23 % 0.14 0.14 JIS C6481 As received GPa 23 21 IPC TM-650 2.4.8 As received kN/m 1.3 2.0 曲げ弾性率 Flexural modulus (Weft) 銅箔引き剥がし強さ Peel strength 1 oz (35μm) 試験片の厚さは0.8mmです。 The sample thickness is 0.8mm ◎ 上記データは弊社での実測値であり、保証値ではありません。 The above data is actual values and not guaranteed values. Circuit Board Materials ｜ June 2015 ｜ 16