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本ドキュメントはCypress (サイプレス) 製品に関する情報が記載されております。
富士通マイクロエレクトロニクス
DS04–27229–1a
DATA SHEET
ASSP 電源用 ( 汎用 DC/DC コンバータ )
過電流保護機能付 Symmetrical-Phase 方式
2ch DC/DC コンバータ IC
MB3889
■ 概 要
MB3889 は過電流保護回路 ( 電流センス抵抗不要 ) , 過電圧保護回路を内蔵したパルス幅変調方式 (PWM 方式 ) の
Symmetrical-Phase 方式 2 ch DC/DC コンバータ IC で , 出力ドライブ能力が高く , ダウンコンバージョンに適しています。
また , 同期整流方式を採用しているため , 高効率を実現し , Symmetrical-Phase ( 逆位相の 2 つの三角波 ) 方式により入力
コンデンサを小さくできます。
5 V レギュレータ内蔵による部品点数の削減および各種保護機能による外付け保護用素子の削減が可能な他 , 過電圧あ
るいは過電流検出時に保護状態を出力します。
家庭用 TV ゲーム機 , ノート PC など高速 CPU をドライブする内蔵電源に最適です。
■ 特 長
・ タイマ・ラッチ式過電流保護回路 ( 電流センス抵抗不要 ) 内蔵
・ タイマ・ラッチ式過電圧保護回路内蔵
・ 同期整流方式を採用し高効率
・ 電源電圧範囲
:5.5 V ~ 18 V
・ PWRGOOD 端子 ( オープンドレイン ) により保護状態を出力
・ Symmetrical-Phase 方式を採用し , 入力コンデンサの損失低減
・ チャネルコントロール機能内蔵
・ 基準電圧
:3.5 V ± 1%
・ 誤差増幅器スレッショルド電圧:1.23 V ± 1% (0 °C ~ 85 °C)
・ 周波数設定容量を内蔵し外付け抵抗のみで周波数設定可能
・ 発振周波数範囲
:100 kHz ~ 500 kHz
・ 負荷依存のないソフトスタート / ディスチャージコントロール回路内蔵
・ Nch MOS FET 対応ト-テムポール形式出力段内蔵
■ パッケージ
プラスチック・TSSOP, 30 ピン
(FPT-30P-M04)
Copyright©2002-2008 FUJITSU MICROELECTRONICS LIMITED All rights reserved
2002.3
MB3889
■ 端子配列図
(TOP VIEW)
−INE1 : 1
30 : CB1
FB1 : 2
29 : OUT1-1
CS1 : 3
28 : VS1
N.C. : 4
27 : OUT2-1
RT : 5
26 : PGND1
CTL : 6
25 : ILIM1
SGND : 7
24 : VCC
VREF : 8
23 : ILIM2
CTL1 : 9
22 : VB
CTL2 : 10
21 : N.C.
CSCP : 11
20 : PGND2
PWRGOOD : 12
19 : OUT2-2
CS2 : 13
18 : VS2
FB2 : 14
17 : OUT1-2
−INE2 : 15
16 : CB2
(FPT-30P-M04)
2
MB3889
■ 端子機能説明
端子番号
端子記号
I/O
機 能 説 明
1
−INE1
I
CH1・誤差増幅器反転入力端子です。
2
FB1
O
CH1・誤差増幅器出力端子です。
3
CS1

CH1・ソフトスタート用コンデンサ接続端子です。
4
N.C.

未接続端子です。
5
RT

三角波発振周波数設定用抵抗接続端子です。
6
CTL
I
7
SGND

接地端子です。
8
VREF
O
基準電圧出力端子です。
9
CTL1
I
CH1・制御端子です。
“H” レベル:CH1 動作状態
“L” レベル:CH1 OFF 状態および保護状態リセット
10
CTL2
I
CH2・制御端子です。
“H” レベル:CH2 動作状態
“L” レベル:CH2 OFF 状態および保護状態リセット
11
CSCP

タイマ・ラッチ式短絡保護用コンデンサ接続端子です。
12
PWRGOOD
O
CH1, CH2・保護状態出力端子です。
13
CS2

CH2・ソフトスタート用コンデンサ接続端子です。
14
FB2
O
CH2・誤差増幅器出力端子です。
15
−INE2
I
CH2・誤差増幅器反転入力端子です。
16
CB2

CH2・ブートコンデンサ接続端子です。
CB2 端子と VS2 端子の間にコンデンサを接続します。
17
OUT1-2
O
CH2・トーテムポール形式出力端子です。( 外付けメイン側 FET ゲート駆動 )
18
VS2

CH2・外付けメイン側 FET のソース接続端子です。
19
OUT2-2
O
CH2・トーテムポール形式出力端子です。( 外付け同期整流側 FET ゲート駆動 )
20
PGND2

接地端子です。
21
N.C.

未接続端子です。
22
VB
O
出力回路用バイアス出力端子です。
23
ILIM2
I
CH2・過電流検出抵抗接続端子です。
24
VCC

基準電圧 , 制御回路の電源端子です。
25
ILIM1
I
CH1・過電流検出抵抗接続端子です。
26
PGND1

接地端子です。
27
OUT2-1
O
CH1・トーテムポール形式出力端子です。( 外付け同期整流側 FET ゲート駆動 )
28
VS1

CH1・外付けメイン側 FET のソース接続端子です。
29
OUT1-1
O
CH1・トーテムポール形式出力端子です。( 外付けメイン側 FET ゲート駆動 )
30
CB1

CH1・ブートコンデンサ接続端子です。
CB1 端子と VS1 端子の間にコンデンサを接続します。
電源コントロール端子です。
“H” レベル:IC 動作状態
“L” レベル:IC スタンバイ状態
3
MB3889
■ ブロックダイヤグラム
VCC
24
5.1 V
VB Reg.
L 優先
−INE1 1
Error
Amp1
−
+
+
1.23 V
OVP
+ Comp.1
CS1 3
VREF 3 µA
CH1
PWM
+ Comp.1
+
−
Max Duty 81%
Dtr ± 6%
30 CB1
Dead Time
Modulation 1
L 優先
FB1 2
Drv
1-1
Drv
2-1
26 PGND1
1.38 V
Max Duty 81%
Dtr ± 6%
Drv
1-2
Drv
2-2
20 PGND2
1.38 V
−
Current
Protection
Logic
+
H:
UVLO 解除
H:OVP 時
3.1 V
H:OVP 時
H:OCP 時
H:SCP 時
Latch1
SQ
CTL
CTL1
CTL2
L:保護動作時
R
CTL
CTL1
CTL2
S R
Latch
Latch2
3.0 V
CT1
1.8 V
3.0 V
CT2
1.8 V
VREF
UVLO
PWRGOOD
12
10 µA
Error Amp 基準へ
bias
OSC
1.23 V
VREF
3.5 V
8
VREF
VCC
Power
VR1 ON/OFF
CTL
45 pF
5
RT
4
23 ILIM2
118 µA
H:OCP 時
H 優先
CSCP 11
19 OUT2-2
OCP
Comp.2
CTL2 10
Open : CH2 ON
CTL2 = H
L : CH2 OFF
6 kΩ
VTH = 1.4 V
SCP Comp. +
+
−
17 OUT1-2
18 VS2
−
100
kΩ
Buff
H:
OVP 時
16 CB2
Dead Time
Modulation 2
Amp2
−
+
+
1.23 V
OVP
+ Comp.2
25 ILIM1
CH2
Comp.2
+
+
−
L 優先 Error
+
118 µA
L 優先 PWM
FB2 14
VREF 3 µA
−
Current
Protection
Logic
H:OCP 時
CS2 13
27 OUT2-1
OCP
Comp.1
CTL1 9
Open : CH1 ON
CTL1 = H
L : CH1 OFF
6 kΩ
VTH = 1.4 V
−INE2 15
29 OUT1-1
28 VS1
−
100
kΩ
Buff
22 VB
7
SGND
Protection
control
signal
4 N.C.
21 N.C.
6 CTL
H:ON
(Power On)
L:OFF
( スタンバイ状態 )
VTH = 1.4 V
MB3889
■ 絶対最大定格
項 目
記 号
条 件
電源電圧
VCC

ブート電圧
VCB
定 格 値
単 位
最 小
最 大

20
V

25
V

120
mA
CB 端子

出力電流
IO
ピーク出力電流
IOP
Duty ≦ 5 %
(t = 1 / fOSC × Duty)

800
mA
許容損失
PD
Ta ≦+ 25 °C

1390 *
mW
保存温度
TSTG
- 55
+ 125
°C

*:10 cm 角の両面エポキシ基板に実装時
<注意事項> 絶対最大定格を超えるストレス ( 電圧 , 電流 , 温度など ) の印加は , 半導体デバイスを破壊する可能性があ
ります。
したがって , 定格を一項目でも超えることのないようご注意ください。
■ 推奨動作条件
項 目
記 号
条 件
電源電圧
VCC

ブート電圧
VCB
CB 端子
基準電圧出力電流
IOR
バイアス出力電流
規 格 値
単 位
最 小
標 準
最 大
5.5
12
18
V


23
V
VREF 端子
-1

0
mA
IOB
VB 端子
-1

0
mA
VIN
−INE 端子
0

VCC - 1.8
V
CTL1, CTL2 端子
0

VREF
V
CTL 端子
0

VCC
V
PWRGOOD 端子
0

15
V
- 100

100
mA
- 700

700
mA
入力電圧
VCTL
出力電圧
VPG
出力電流
IO
ピーク出力電流
IOP
発振周波数
fOSC

100
300
500
kHz
タイミング抵抗
RT

30
47
130
kΩ
ブート容量
CB


0.1
1.0
µF

Duty ≦ 5%
(t = 1 / fosc × Duty)
基準電圧出力容量
CREF
VREF 端子

0.1
1.0
µF
バイアス出力容量
CVB
VB 端子
1.0
4.7
10
µF
ソフトスタート容量
CS


0.1
1
µF
ショート検出容量
CSCP


0.01
1
µF
過電流検出設定抵
RLIM

0.1
1
10
kΩ
Ta

- 30
+ 25
+ 85
°C
動作温度
<注意事項> 推奨動作条件は , 半導体デバイスの正常な動作を保証する条件です。
電気的特性の規格値は , すべてこの条
件の範囲内で保証されます。
常に推奨動作条件下で使用してください。
この条件を超えて使用すると , 信頼
性に悪影響を及ぼすことがあります。
データシートに記載されていない項目 , 使用条件 , 論理の組合せでの使用は , 保証していません。
記載され
ている以外の条件での使用をお考えの場合は , 必ず事前に当社営業担当部門までご相談ください。
5
MB3889
■ 電気的特性
(VCC = 12 V, VB = 0 mA, VREF = 0 mA, Ta =+ 25 °C)
項 目
記号
端子
VREF
8
Ta =+ 25 °C
∆VREF/
VREF
8
入力安定度
Line
負荷安定度
出力電圧
1.
基準電圧部
[Ref]
短絡時出力電流
2.
バイアス電圧
出力電圧
部
[VB]
発振周波数
3.
三角波発振器
周波数温度
部
変動率
[OSC]
4.
低 VCC 時
誤動作防止
回路部
[UVLO]
7.
過電圧保護
回路部
[OVP]
10.
誤差増幅器部
[Error Amp]
単位
最 小
標 準
最 大
3.465
3.500
3.535
V
Ta = 0 °C ~+ 85 °C

0.5 *

%
8
VCC = 5.5 V ~ 18 V

1
10
mV
Load
8
VREF = 0 mA ~- 1 mA

3
10
mV
Ios
8
VREF = 0 V
- 40
- 20
- 10
mA
VB
22
5.0
5.1
5.2
V
17, 29 RT = 47 kΩ
270
300
330
kHz
17, 29 Ta = 0 °C ~+ 85 °C

1*

%
2.6
2.8
3.0
V
fOSC
∆fOSC/
fOSC

VTH
8
ヒステリシス幅
VH
8


0.2 *

V
VTH
11

0.65
0.70
0.75
V
ICSCP
11

- 14
- 10
-6
µA
VRST
8
1.7
2.1
2.5
V
106
118
130
µA

1*

mV
1.35
1.38
1.41
V
- 730
- 110

nA
VREF =
VREF =
ILIM 端子入力
電流
ILIM
23, 25 RT = 47 kΩ
オフセット電圧
VIO
23, 25
スレッショルド
電圧
VTH
1, 15
−INE =
IB
1, 15
−INE = 0 V
ILEAK
12
PWRGOOD = 5 V


40
µA
VOL
12
PWRGOOD = 1 mA

0.1
0.4
V
ICS
3, 13
- 4.2
- 3.0
- 1.8
µA
VTH1
1, 15
FB = 2.4 V 時 ,
Ta =+ 25 °C
1.221
1.230
1.239
V
VTH2
1, 15
FB = 2.4 V 時 ,
Ta = 0 °C ~+ 85 °C
1.218
1.230
1.242
V
IB
1, 15
−INE = 0 V
- 730
- 110

nA
入力バイアス
電流
8.
出力リーク電流
保護状態
出力 “L” レベル
出力回路部
[PWRGOOD] 電圧
9.
ソフト
スタート部
[CS]
規 格 値
スレッショルド
電圧
スレッショルド
5.
電圧
短絡保護回路
部
入力ソース電流
[SCP]
リセット電圧
6.
過電流保護
回路部
[OCP]
条 件
充電電流
スレッショルド
電圧
入力バイアス
電流


*:標準設計値
(続く)
6
MB3889
(VCC = 12 V, VB = 0 mA, VREF = 0 mA, Ta =+ 25 °C)
項 目
記号
端子
電圧利得
AV
2, 14
周波数帯域幅
BW
2, 14
VFBH
2, 14
VFBL
2, 14
ISOURCE
2, 14
ISINK
10.
誤差増幅器部 出力電圧
[Error Amp]
出力ソース電流
出力シンク電流
11.
PWM 比較器
部
[PWM
Comp.]
スレッショルド
電圧
12.
休止期間
調整部
[DTC]
最大デューティ
サイクル
13.
出力部
[Drive]
規 格 値
単位
最 小
標 準
最 大
DC
60
100

dB
AV = 0 dB

1.5 *

MHz

3.2
3.4

V


40
200
mV
FB = 2.4 V

-2
-1
mA
2, 14
FB = 2.4 V
150
250

µA
VTL
2, 14
デューティサイクル
=0%
1.7
1.8

V
VTH
2, 14
デューティサイクル
= Dtr

2.86
3.00
V
Dtr
17, 29 RT = 47 kΩ
75
81
87
%
ISOURCE1
OUT1 = 12 V,
CB = 17 V, VS = 12 V
17, 29
Duty ≦ 5 %
(t = 1 / fOSC × Duty)

- 700 *

mA
ISINK1
OUT1 = 17 V,
CB = 17 V, VS = 12 V
17, 29
Duty ≦ 5 %
(t = 1 / fOSC × Duty)

900 *

mA
VOH1
17, 29
OUT1 =- 100 mA,
CB = 17 V, VS = 12 V

V
VOL1
17, 29
OUT1 = 100 mA,
CB = 17 V, VS = 12 V
出力電流
( メイン側 )
出力電圧
( メイン側 )
条 件
VCB - 2.5 VCB - 0.9

VS + 0.9
VS + 1.4
V
ISOURCE2
OUT2 = 0 V
19, 27 Duty ≦ 5 %
(t = 1 / fOSC × Duty)

- 750 *

mA
ISINK2
OUT2 = 5.1 V,
19, 27 Duty ≦ 5 %
(t = 1 / fOSC × Duty)

900 *

mA
出力電圧
( 同期整流側 )
VOH2
19, 27 OUT2 =- 100 mA
2.5
4.1

V
VOL2
19, 27 OUT2 = 100 mA

1.0
1.4
V
ダイオード電圧
VD
16, 30 VB = 10 mA

0.9
1.1
V
tD1
OUT1 = OUT2 = OPEN,
29, 27
VS = 0 V
17, 19
OUT2: - OUT1:
40
80
120
ns
tD2
OUT1 = OUT2 = OPEN,
29, 27
VS = 0 V
17, 19 OUT1: - OUT2:
60
120
180
ns
出力電流
( 同期整流側 )
デッドタイム
*:標準設計値
(続く)
7
MB3889
(続き)
(VCC = 12 V, VB = 0 mA, VREF = 0 mA, Ta =+ 25 °C)
項 目
記号
端子
条 件
出力オン条件
VON
9, 10
出力オフ条件
14.
コントロール 出力オン条件
部
[CTL, CTL1, 出力オフ条件
CTL2]
入力電流
VOFF
15.
全デバイス
*:標準設計値
8
規 格 値
単位
最 小
標 準
最 大

2

VREF
V
9, 10

0

0.8
V
VON
6

2

VCC
V
VOFF
6

0

0.8
V
- 44
- 35
- 29
µA
ICTL
9, 10
CTL1 = CTL2 = 0 V
6
CTL = 5 V

50
75
µA
スタンバイ電流
ICCS
24
CTL = 0 V

0
10
µA
電源電流
ICC
24
CTL = 5 V

15
23
mA
MB3889
■ 標準特性
電源電流-電源電圧特性
20
Ta = +25 °C
CTL = 5 V
18
Ta = +25 °C
CTL = 5 V
VREF = 0 mA
5
16
基準電圧 VREF (V)
電源電流 ICC (mA)
基準電圧-電源電圧特性
6
14
12
10
8
6
4
4
3
2
1
2
0
0
0
5
10
15
20
0
5
電源電圧 VCC (V)
基準電圧-負荷電流特性
5
15
20
基準電圧-周囲温度特性
2.0
Ta = +25 °C
VCC = 12 V
CTL = 5 V
4
VCC = 12 V
CTL = 5 V
VREF = 0 mA
1.5
基準電圧 ∆VREF (%)
基準電圧 VREF (V)
10
電源電圧 VCC (V)
3
2
1
1.0
0.5
0.0
−0.5
−1.0
−1.5
0
5
10
15
25
−20
0
20
40
60
80
100
周囲温度 Ta ( °C)
CTL 端子電流 , 基準電圧- CTL 端子電圧特性
三角波発振周波数-タイミング抵抗特性
5
Ta = +25 °C
VCC = 12 V
VREF = 0 mA 4
VREF
3
300
2
200
ICTL
1
100
0
5
10
15
CTL 端子電圧 VCTL (V)
0
20
1000
基準電圧 VREF (V)
400
0
−2.0
−40
負荷電流 IREF (mA)
500
CTL 端子電流 ICTL (µA)
20
三角波発振周波数 fOSC (kHz)
0
Ta = +25 °C
VCC = 12 V
CTL = 5 V
100
10
10
100
1000
タイミング抵抗 RT (kΩ)
(続く)
9
MB3889
三角波発振周波数-周囲温度特性
330
325
320
315
310
305
300
295
290
285
280
275
270
2
Ta = +25 °C
RT = 47 kΩ
CTL = 5 V
0
5
10
15
20
三角波発振周波数 ∆fOSC/fOSC (%)
三角波発振周波数 fOSC (kHz)
三角波発振周波数-電源電圧特性
VCC = 12 V
RT = 47 kΩ
CTL = 5 V
1.5
1
0.5
0
−0.5
−1
−1.5
−2
−40
−20
0
20
40
60
80
100
周囲温度 Ta ( °C)
電源電圧 VCC (V)
誤差増幅器スレッショルド電圧 VTH (V)
誤差増幅器スレッショルド電圧-周囲温度特性
1.244
1.242
1.240
1.238
1.236
1.234
1.232
1.230
1.228
1.226
1.224
1.222
1.220
1.218
−40
VCC = 12 V
CTL = 5 V
−20
0
20
40
60
80
100
周囲温度 Ta ( °C)
誤差増幅器 利得 , 位相-周波数特性
Ta = +25 °C
40
4.2 V
ϕ
20
90
10
0
0
−10
−90
−20
位相 ϕ (deg)
30
利得 AV (dB)
180
AV
−30
+
IN
10 kΩ
240 kΩ
10 kΩ
2.4 kΩ
10 kΩ
(15)
1 −
3 +
(13) +
1.23 V
2
(14)
OUT
Error Amp1
(Error Amp2)
−180
−40
100
10 kΩ
1 µF
VCC = 12 V
1k
10 k
100 k
1M
10 M
周波数 f (Hz)
(続く)
10
MB3889
(続き)
許容損失-周囲温度特性
許容損失 PD (mW)
1600
1400
1390
1200
1000
800
600
400
200
0
−40
−20
0
20
40
60
80
100
周囲温度 Ta ( °C)
11
MB3889
■ 機能説明
1. DC/DC コンバータ機能
(1) 基準電圧部 (Ref)
基準電圧回路は , 電源端子 (24 ピン ) より供給される電圧により温度補償された基準電圧 (3.5 V 標準 ) を発生し , IC 内
部回路の基準電圧として使用されます。
また , 基準電圧は VREF 端子 (8 ピン ) から外部に負荷電流を最大 1 mA まで取り出せます。
(2) 三角波発振器部 (OSC)
三角波発振器部は , 三角波発振周波数設定用コンデンサを内蔵しており , RT 端子 (5 ピン ) に三角波発振周波数設定抵
抗を接続することにより , CT1 ( 振幅 1.8 V ~ 3.0 V) , CT2 ( 振幅 1.8 V ~ 3.0 V:CT1 と逆位相 ) の三角波発振波形を発生し
ます。逆位相の 2 つの三角波を使用した Symmetrical-Phase 方式により入力リップル電流を低減できるため , 入力コンデン
サを小さくできます。
三角波発振波形は , IC 内部の PWM コンパレータに入力されます。
(3) 誤差増幅器部 (Error Amp1, Error Amp2)
誤差増幅器は , DC/DC コンバータの出力電圧を検出し , PWM 制御信号を出力する増幅器です。
誤差増幅器の出力端子か
ら反転入力端子への帰還抵抗およびコンデンサの接続により , 任意のループゲインが設定できるため , システムに対して
安定した位相補償ができます。
また , 誤差増幅器の非反転入力端子である CS1 端子 (3 ピン ) , CS2 端子 (13 ピン ) にソフトスタート用コンデンサを接
続することにより電源起動時の突入電流を防止できます。ソフトスタート時間は DC/DC コンバータの出力負荷に依存し
ない一定のソフトスタート時間で動作します。
(4) PWM 比較器部 (PWM Comp.)
入力電圧に応じて出力デューティをコントロールする電圧-パルス幅変換器です。
メイン側 :誤差増幅器出力電圧が三角波電圧よりも高い期間に出力トランジスタをオンさせます。
同期整流側:誤差増幅器出力電圧が三角波電圧よりも低い期間に出力トランジスタをオンさせます。
(5) 出力部
出力部は , メイン側および同期整流側ともにトーテムポール形式で構成しており , 外付け Nch MOS FET を駆動するこ
とができます。
また , 出力ドライブ能力 (700 mA Max:Duty ≦ 5%) が高いためゲート-ソース間容量が大きく低オン抵抗の FET を使用
できます。
2. チャネルコントロール機能
CTL 端子 (6 ピン ) , CTL1 端子 (9 ピン ) , および CTL2 端子 (10 ピン ) よりメイン , 各チャネル , VB, および PWRGOOD
のオン , オフを設定します。
オン / オフ設定条件
CTL
CTL2
CH1
CH2
VB
PWRGOOD
OFF
停止
停止
停止
停止

H
L
L
ON
停止
停止
動作
動作
H
H
L
ON
動作
停止
動作
動作
H
L
H
ON
停止
動作
動作
動作
H
H
H
ON
動作
動作
動作
動作
*

Power
L
*:未定義
12
CTL1
*
MB3889
3. 保護機能
(1) 低 VCC 時誤動作防止回路部 (UVLO)
通常電源投入時の過渡状態や電源電圧の瞬時低下は , コントロール IC の誤動作を誘起し , システムの破壊もしくは劣化
を生じさせます。前記のような誤動作を防止するために , 低 VCC 時誤動作防止回路は電源電圧に従って内部基準電圧レベ
ルを検出し , 出力トランジスタをオフし , 休止期間を 100%にするとともに , CSCP 端子 (11 ピン ) を “L” レベルに保つとと
もに , PWRGOOD 端子 (12 ピン ) を “L” レベルにします。
電源電圧が低 VCC 時誤動作防止回路のスレッショルド電圧以上になればシステムは復帰します。
(2) タイマ・ラッチ式過電流保護回路部 (OCP)
タイマ・ラッチ式過電流保護回路はソフトスタート期間終了後動作し , 過電流が流れたとき , メイン側 FET のオン抵抗
によりメイン側 FET のドレイン-ソース間電圧が増加することを検出すると , タイマ回路が動作し , CSCP 端子 (11 ピ
ン ) に接続されたコンデンサ CSCP に充電を始めます。
設定時間以上過電流状態が続くと , ラッチをセットし各チャネルの
メイン側と同期整流側の FET をオフさせるとともに PWRGOOD 端子 (12 ピン ) を “L” レベルにします。
検出電流値はメイ
ン側 FET のドレインと ILIM1 端子 (25 ピン ) 間に接続する抵抗 RLIM1 および ILIM2 端子 (23 ピン ) 間に接続する抵抗 RLIM2
により設定できます。
保護回路が動作したときは , 電源の再投入あるいは CTL 端子 (6 ピン ) を “L” レベルにして , VREF 端子 (8 ピン ) 電圧が
1.7 V (Min) 以下になればリセットできます。また , CTL1 端子 (9 ピン ) , CTL2 端子 (10 ピン ) ともに “L” レベルにすること
でもリセットできます 「■タイマ
(
・ラッチ式保護回路について (1) タイマ・ラッチ式過電流検出電流設定方法」参照 ) 。
(3) タイマ・ラッチ式短絡保護回路 (SCP)
ショート検知コンパレータ (SCP Comp.) が出力電圧レベルを検知し , いずれかのチャネルの誤差増幅器出力電圧が
ショート検知電圧以上 (3.1 V 標準 ) となる場合には , タイマ回路が動作し , CSCP 端子 (11 ピン ) に外付けされたコンデン
サ Cscp に充電を始めます。
コンデンサの電圧が約 0.7 V になると出力トランジスタをオフし休止期間を 100%に設定します。
また , PWRGOOD 端子 (12 ピン ) は “L” レベルに固定されます。
保護回路が動作したときは , 電源の再投入あるいは CTL 端子 (6 ピン ) を “L” レベルにして , VREF 端子 (8 ピン ) 電圧が
1.7 V (Min) 以下になればリセットできます。また , CTL1 端子 (9 ピン ) , CTL2 端子 (10 ピン ) ともに “L” レベルにすること
でもリセットできます 「■タイマ
(
・ラッチ式保護回路について (2) タイマ・ラッチ式短絡保護回路の時定数設定方法」参照
)。
(4) タイマ・ラッチ式過電圧保護回路部 (OVP)
タイマ・ラッチ式過電圧保護回路は各チャネルに設けられた過電圧検知コンパレータ (OVP Comp.) が DC / DC コンバー
タの出力電圧レベルを検出し , 過電圧検知コンパレータのスレッショルド電圧以上になるとタイマ回路が動作して , CSCP
端子 (11 ピン ) に接続されたコンデンサ CSCP に充電を始めます。設定時間以上過電圧状態が続くと , ラッチをセットし各
チャネルのメイン側 FET をオフさせるとともに PWRGOOD 端子 (12 ピン ) を “L” レベルにします。
保護回路が動作したときは , 電源の再投入あるいは CTL 端子 (6 ピン ) を “L” レベルにして , VREF 端子 (8 ピン ) 電圧が
1.7 V (Min) 以下になればリセットできます。また , CTL1 端子 (9 ピン ) , CTL2 端子 (10 ピン ) ともに “L” レベルにすること
でもリセットできます 「■タイマ
(
・ラッチ式保護回路について (3) タイマ・ラッチ式過電圧保護回路の検出方法」参照 ) 。
(5) 保護状態出力回路部 (PWRGOOD)
各保護回路が動作すると PWRGOOD 端子 (12 ピン ) に “L” レベルを出力します。
13
MB3889
■ 出力電圧の設定方法
VO
R1
(−INE2) 15
−INE1
1
R2
(CS2) 13
CS1
3
Error Amp
−
+
+
VO (V) =
1.23
R2
(R1 + R2)
1.23 V
CH1, 2
■ 三角波発振周波数設定方法
三角波発振周波数は RT 端子 (5 ピン ) にタイミング抵抗 (RT) を接続することにより設定できます。
三角波発振周波数:fOSC
14100
fOSC (kHz) ≒
RT (kΩ)
14
MB3889
■ ソフトスタート / ディスチャージ時間設定方法
IC 起動時の突入電流防止のため , チャネル 1 は CS1 端子 (3 ピン ) に , チャネル 2 は CS2 端子 (13 ピン ) にソフトスター
ト容量 (CS1, CS2) を各々に接続することで , ソフトスタートを行えます。
各コントロール端子 (CTL1, 2) を “L” から “OPEN” にすると SW1, 2 が B から A に切り換り CS1, CS2 端子に外付けされた
ソフトスタート容量 (CS1, CS2) を 3 µA で充電します。
Error Amp 出力 (FB1, FB2) は 2 つの非反転入力端子 (1.23 V, CS 端子電圧 ) のうちいずれか低い電位と反転入力端子電圧
(−INE) との比較により決定されますので , ソフトスタート期間中 (CS 端子電圧< 1.23 V) の FB 端子電圧は −INE 端子電圧
と CS 端子電圧の比較により決定され , DC/DC コンバータ出力電圧は CS 端子に外付けされたソフトスタート容量への充
電により CS 端子電圧に比例し上昇します。なお , ソフトスタート時間は次式で求められます。
ソフトスタート時間:ts ( 出力 100%になるまでの時間 )
ts (s) ≒ 0.41 × Cs (µF)
また , 各コントロール端子 (CTL1, 2) を “OPEN” から “L” にすると SW1, 2 が A から B に切り換り , 約 3.4 V に充電された
ソフトスタート容量 (CS1, CS2) を IC 内部で設定した放電用抵抗 (RS ≒ 6 kΩ) にて放電し , DC/DC コンバータの負荷電流に
関係なく出力電圧を低下させます。なお , ディスチャージ時間は次式で求められます。
ディスチャージ時間:toff ( 出力 10%になるまでの時間 )
toff (s) ≒ 0.020 × CS (µF)
CS 端子電圧
≒ 3.4 V
≒ 1.23 V
Error Amp 部 −INE 電圧との比較電圧
≒ 0.123 V
≒0V
ソフトスタート時間 ts
ディスチャージ時間 toff
OPEN
CTL 信号
L
15
MB3889
L 優先
R1
−INE1
1
(CS2)
Error Amp
13
−
3
+
+
CS1
R2
1.23 V
VREF
3 µA
100 KΩ
CTL2
10
CTL1
9
Open : CH ON
L : CH OFF
VTH = 1.4 V
Buff
A SW1 (SW2)
B
:ソフトスタート時
CTL1 = H
:ディスチャージ時
6 KΩ
<ソフトスタート回路>
■ CS 端子を使用しない場合の処理方法
ソフトスタート機能を使用しない場合は , CS1 端子 (3 ピン ) , CS2 端子 (13 ピン ) を開放してください。
“ 開放 ”
3
CS1
“ 開放 ”
13 CS2
<ソフトスタート時間を設定しない場合>
16
MB3889
■ タイマ・ラッチ式保護回路について
(1) タイマ・ラッチ式過電流検出電流設定方法
過電流保護回路はソフトスタート期間終了後動作し , 過電流が流れたとき , メイン側 FET のオン抵抗 (RON) によりメイ
ン側 FET のドレイン-ソース間電圧が増加することを検出すると , タイマ回路が動作し , CSCP 端子 (11 ピン ) に接続さ
れたコンデンサ CSCP に充電を始めます。
設定時間以上過電流状態が続くと , ラッチをセットし各チャネルのメイン側と同
期整流側の FET をオフさせるとともに PWRGOOD 端子 (12 ピン ) を “L” レベルにします。
検出電流値はメイン側 FET のド
レインと ILIM1 端子 (25 ピン ) , ILIM2 端子 (23 ピン ) 間に接続する抵抗 (RLIM1, RLIM2) により設定できます。
また , 内部電流 (ILIM) は RT 端子 (5 ピン ) に接続されたタイミング抵抗 (RT) により設定できます。
なお , タイマ回路が動作し , ラッチをセットするまでの時間は (2) タイマ・ラッチ式短絡保護回路の時定数設定方法内に
あるショート検出時間と等しくなります。
内部電流値:ILIM
5546
RT (kΩ)
ILIM (µA) ≒
検出電流値:IOCP
ILIM (A) × RLIM (Ω)
RON (Ω)
IOCP (A) ≒
-
(Vin (V) - Vo (V) ) × Vo (V)
2 × Vin (V) × fOSC (Hz) × L (H)
RLIM:過電流検出抵抗 , RON:メイン側 FET のオン抵抗 , Vin:入力電圧 , Vo:D/D 出力電圧
fOSC:発振周波数 , L:コイルのインダクタンス
保護回路が動作したときは , 電源の再投入あるいは CTL 端子 (6 ピン ) を “L” レベルにして , VREF 端子 (8 ピン ) 電圧が
1.7 V (Min) 以下になればリセットできます。また , CTL1 端子 (9 ピン ) , CTL2 端子 (10 ピン ) ともに “L” レベルにすること
でもリセットできます。
VIN
M1
(VS2)
18 VS1
28
−
Current
Protection
Logic
+
(ILIM2)
23 ILIM1
25
118 µA
PWRGOOD
12
10 µA
CTL
CTL1
CTL2
CSCP
11
VREF
S
R
Latch
UVLO
Latch2
<過電流検出回路>
17
MB3889
(2) タイマ・ラッチ式短絡保護回路の時定数設定方法
各チャネルは , ショート検知コンパレータ (SCP Comp.) で , 誤差増幅器の出力レベルを基準電圧と常に比較動作を行っ
ています。
DC/DC コンバータの負荷条件が全チャネル安定している場合はショート検知コンパレータの出力は , “H” レベルとなり
CSCP 端子 (11 ピン ) は “L” レベルに保持されます。
負荷条件が負荷短絡などで急激に変化し出力電圧が低下した場合は, ショート検知コンパレータ出力は, “L”レベルとな
ります。すると , CSCP 端子に外付けされた短絡保護コンデンサ Cscp に 10 µA で充電を開始します。
ショート検出時間:tscp
tscp (s) ≒ 0.070 × Cscp (µF)
コンデンサ Cscp がスレッショルド電圧 (VTH ≒ 0.70 V) まで充電されるとラッチをセットし , 外付け FET をオフさせま
す ( 休止期間を 100%とします ) 。
このとき , ラッチ入力はクローズされ CSCP 端子は “L” レベルに保持され , PWRGOOD 端
子は “L” レベルになります。両チャネルのうちいずれか片チャネルがショート検出した場合も両チャネルを停止します。
保護回路が動作したときは , 電源の再投入あるいは CTL 端子 (6 ピン ) を “L” レベルにして , VREF 端子 (8 ピン ) 電圧が
1.7 V (Min) 以下になればリセットできます。また , CTL1 端子 (9 ピン ) , CTL2 端子 (10 ピン ) ともに “L” レベルにすること
でもリセットできます。
(FB2)
VO
R1
FB1
14
2
(−INE2) 15
−INE1
−
1
Error
Amp
+
R2
1.23 V
SCP
Comp.
+
+
−
PWRGOOD
3.1 V
10 µA
CTL
CTL1
CTL2
CSCP
11
VREF
S
R
Latch
UVLO
Latch2
<タイマ・ラッチ式短絡保護回路>
18
12
MB3889
(3) タイマ・ラッチ式過電圧保護回路の検出方法
過電圧比較器 (OVP Comp. 1, 2) の非反転入力端子 (−INE1 端子 (1 ピン ) , −INE2 端子 (15 ピン ) ) に DC/DC コンバータの
出力電圧から外付け抵抗を接続することにより , DC/DC コンバータの出力電圧の過電圧を検出することができます。
DC/DC コンバータの出力電圧が上昇し過電圧検出電圧より高くなると , 過電圧比較器 (OVP Comp. 1, 2) の出力が “H” レ
ベルとなり , タイマ回路が動作して CSCP 端子 (11 ピン ) に接続されたコンデンサ CSCP に充電を始めます。
設定時間以上
過電圧状態が続くと , ラッチをセットし各チャネルのメイン側 FET をオフさせるとともに PWRGOOD 端子 (12 ピ
ン ) を “L” レベルにします。両チャネルのうちいずれか片チャネルが過電圧検出した場合も両チャネルを停止します。
なお , タイマ回路が動作し , ラッチをセットするまでの時間は (2) タイマ・ラッチ式短絡保護回路の時定数設定方法内に
あるショート検出時間と等しくなります。
過電圧検出電圧:VOVP
VOVP (V) ≒ 1.38 × (R1 (Ω) + R2 (Ω) ) / R2 (Ω) ≒ 1.12 × VO
保護回路が動作したときは , 電源の再投入あるいは CTL 端子 (6 ピン ) を “L” レベルにして , VREF 端子 (8 ピン ) 電圧が
1.7 V (Min) 以下になればリセットできます。また , CTL1 端子 (9 ピン ) , CTL2 端子 (10 ピン ) ともに “L” レベルにすること
でもリセットできます。
VO
(−INE2)
R1
−INE1
15
1
−
Error
Amp
+
1.23 V
OVP
Comp.
+
R2
−
1.38 V
PWRGOOD
12
10 µA
CTL
CTL1
CTL2
CSCP
11
VREF
S
R
Latch
UVLO
Latch2
<タイマ・ラッチ式過電圧保護回路>
19
MB3889
■ ILIM 端子を使用しない場合の処理方法
過電流保護回路を使用しない場合は , ILIM1 端子 (25 ピン ) , ILIM2 端子 (23 ピン ) を SGND に短絡してください。
7
ILIM1
25
ILIM2
23
SGND
< ILIM 端子を使用しない場合>
■ CSCP 端子を使用しない場合の処理方法
タイマ・ラッチ式の保護回路を使用しない場合は , CSCP 端子 (11 ピン ) を最短距離で SGND に短絡してください。
7
SGND
11 CSCP
< CSCP 端子を使用しない場合>
20
MB3889
■ PWRGOOD 端子を使用しない場合の処理方法
PWRGOOD 端子を使用しない場合は , PWRGOOD 端子 (12 ピン ) を SGND に短絡もしくは開放してください。
7
SGND
“ 開放 ”
12 PWRGOOD
12 PWRGOOD
< PWRGOOD 端子を使用しない場合>
21
MB3889
■ 保護回路動作時出力状態
各保護回路動作時の出力状態を下記表に記します。
CH1
出力端子
保護回路
過電流保護回路
短絡保護回路
過電圧保護回路
CH2
PWRGOOD
OUT1-1
OUT2-1
OUT1-2
OUT2-2
CH1
L
L
L
L
L
CH2
L
L
L
L
L
CH1
L
L
L
L
L
CH2
L
L
L
L
L
CH1
L
H
L
H
L
CH2
L
H
L
H
L
L
L
L
L
L
低 VCC 時誤動作防止回路
■ 各保護回路のラッチ解除方法
過電圧保護回路 , 過電流保護回路 , 短絡保護回路において , 各々異常を検出した際にはラッチをセットし出力を “L” レベ
ルに固定します。また , PWRGOOD 端子 (12 ピン ) は各保護回路での異常検出により “L” レベルに固定されます。
保護回路が動作したときは , 電源の再投入あるいは CTL 端子 (6 ピン ) を “L” レベルにして , VREF 端子 (8 ピン ) 電圧が
1.7 V (Min) 以下になればリセットできます。また , CTL1 端子 (9 ピン ) , CTL2 端子 (10 ピン ) ともに “L” レベルにすること
でもリセットできます。
22
MB3889
■ IC 内部消費電力に関する注意
発振周波数および FET のトータルゲートチャージによって IC の内部損失に大きく影響を与えます。
アプリケーションを使用する際の IC 内部消費電力に関しては以下の注意が必要です。
下記に示した IB ( 平均電流 ) は外付け FET Q1, Q2 のゲート容量 (Ciss1, Ciss2, Crss1, Crss2) に充電されるトータルゲート
チャージを Qg1, Qg2 とすると次式で求められます。
1 チャネルあたり
IB (A) = I1 + I2
≒ Ibias1 ×
t1
t
+
Qg1
t + Ibias2 ×
t2
t
Qg2
t
+
(Ibias1 = Ibias2 ≒ 3 mA)
IB 以外の IC の消費電流は約 15 mA であるため消費電力は次式で求められます。
消費電力:Pc
Pc (W) = 0.015 × VCC (V) + 2 × VCC (V)・IB (A) - VB (V)・IB (A)
Vin
VCC
24
IB
5V
22
30
VB
CVB
A
CB1
L1
Q1
I1
Drive
1-1
29
28
I2
VO1
Crss2
Crss1
OUT1-1
Q2
Ciss1
VS1
Ciss2
Drive
2-1
27
26
OUT2-1
PGND1
t
VOUT1-1
VOUT2-1
バイアス電流
Ibias1 ≒ 3 mA
I1
t1
バイアス電流
Ibias2 ≒ 3 mA
I2
t2
t
消費電力の求め方は上記の通りですので , 次ページの「消費電力-入力電圧特性」を参考に「■標準特性」
内の「許容損失
-周囲温度特性」を考慮して設計してください。
23
MB3889
消費電力-入力電圧特性 (Qg パラメータ )
1.5
Qg1 = Qg2 = 70 nC
1.4
1.3
1.2
Qg1 = Qg2 = 50 nC
消費電力 PC (W)
1.1
1.0
0.9
Qg1 = Qg2 = 30 nC
0.8
0.7
Qg1 = Qg2 = 20 nC
0.6
0.5
Qg1 = Qg2 = 10 nC
0.4
0.3
Ta = +25 °C
fOSC = 290 kHz
SW1 = OFF
SW2 = OFF
0.2
0.1
0.0
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
入力電圧 Vin (V)
消費電力-入力電圧特性 (fOSC パラメータ )
1.2
1.1
1.0
fOSC = 500 kHz
消費電力 PC (W)
0.9
0.8
0.7
fOSC = 300 kHz
0.6
0.5
fOSC = 200 kHz
0.4
fOSC = 100 kHz
0.3
fOSC = 10 kHz
Ta = +25 °C
Qg1 = Qg2 = 20 nC
SW1 = OFF
SW2 = OFF
0.2
0.1
0.0
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
入力電圧 Vin (V)
24
15
16
17
18
19
20
MB3889
■ 応用回路例
C16
0.1 µF
VCC
24
5.1 V
R13
430 Ω
R10
10 kΩ
R12
6.2 kΩ
VB Reg.
C10 FB1
0.022
2
µF
R9
13 kΩ
1
−INE1
CS1
3
C11
0.1 µF
L 優先
L 優先
VREF 3 µA
PWM
+ Comp.1
+
−
Max Duty 81%
Dtr ± 6%
Drv
2-1
1.38 V
Current
Protection
Logic
9
Open : CH1 ON
CTL1 = H
L : CH1 OFF
6 kΩ
VTH = 1.4 V
OCP
Comp.1
−
B
R17
3.3 kΩ
C12 FB2
0.022
14
µF
R14
13 kΩ
15
−INE2
CS2
13
C13
0.1 µF
VIN
AC/DC
Converter
(12 V)
CTL2
Comp.2
+
+
−
L 優先 Error
Amp2
−
+
+
1.23 V
OVP
+ Comp.2
VREF 3 µA
Max Duty 81%
Dtr ± 6%
Current
Protection
Logic
10
Open : CH2 ON
CTL2 = H
L : CH2 OFF
6 kΩ
VTH = 1.4 V
SCP Comp. +
+
−
VO2
(5 V/5 A)
22
µH
C26 C17
+
0.1
µF
82
µF
C7
+
150
µF
C8
0.1 µF
ILIM2
23
R5
1.3 kΩ
+
H:OVP 時
H:OCP 時
H:SCP 時
L:保護動作時
R
CTL
CTL1
CTL2
S R
Latch
Latch2
3.0 V
CT1
1.8 V
3.0 V
CT2
1.8 V
VREF
UVLO
PWRGOOD
12
10 µA
11
C5
0.1 µF
H:OVP 時
3.1 V
Latch1
SQ
C14
0.01 µF
150
µF
H:UVLO
解除
CTL
CTL1
CTL2
CSCP
OCP
Comp.2
−
118 µA
H:OCP 時
H 優先
H:
OVP 時
Drv
2-2
1.38 V
C4
+
C6 0.1 µF B
Q2 L2
OUT1-2
17
VS2
18
OUT2-2
19
PGND2
20
Drv
1-2
−
100
kΩ
Buff
VO1
(2 V/10 A)
22
µH
C25 C18
+
0.1
µF
82
µF
D2
CB2
16
CH2
L 優先 PWM
Dead Time
Modulation 2
R16
120 Ω
R15
10 kΩ
C9
4.7 µF
C3 0.1 µF A
Q1 L1
ILIM1
25
R1
1.3 kΩ
+
118 µA
H:OCP 時
VB
22
D1
CB1
30
OUT1-1
29
VS1
28
OUT2-1
27
PGND1
26
Drv
1-1
−
100
kΩ
Buff
CTL1
Error
Amp1
−
+
+
1.23 V
OVP
+ Comp.1
CH1
Dead Time
Modulation 1
A
Error Amp 基準へ
1.23 V
bias
OSC
VREF
VCC
Power
VR1 ON/OFF
CTL
45 pF
3.5 V
5
RT
R8
47 kΩ
8
VREF
7
SGND
Protection
control
signal
N.C.
4
N.C.
21
R4
100 kΩ
CTL H:ON
6
(Power On)
L:OFF
( スタンバイ状態 )
VTH = 1.4 V
C15
0.1 µF
25
MB3889
■ 部品表
COMPONENT
ITEM
SPECIFICATION
メイン側:
VDS = 30 V, Qg = 9.9 nC (Max)
同期側:
VDS = 30 V, Qg = 20.7 nC (Max)
SBD:VF = 0.52 V (Max)
IF = 1 A 時
PARTS No.
IR
IRF7901D1
ROHM
RB495D
Q1, Q2
Dual FETKYTM
D1, D2
Diode
L1, L2
Coil
22 µH
3.5 A, 31.6 mΩ
TDK
SLF12565T-220M3R5
C3, C6
C4
C5, C8
C7
C9
C10
C11, C13
C12
C14
C15, C16
C17, C18
C25, C26
Ceramics Condenser
OS-CONTM
Ceramics Condenser
OS-CONTM
Ceramics Condenser
Ceramics Condenser
Ceramics Condenser
Ceramics Condenser
Ceramics Condenser
Ceramics Condenser
Ceramics Condenser
OS-CONTM
0.1 µF
150 µF
0.1 µF
150 µF
4.7 µF
0.022 µF
0.1 µF
0.022 µF
0.01 µF
0.1 µF
0.1 µF
82 µF
50 V
6.3 V
50 V
6.3 V
10 V
50 V
50 V
50 V
50 V
50 V
50 V
16 V
TDK
SANYO
TDK
SANYO
TDK
TDK
TDK
TDK
TDK
TDK
TDK
SANYO
C1608JB1H104K
6SVP150M
C1608JB1H104K
6SVP150M
C3216JB1A475M
C1608JB1H223K
C1608JB1H104K
C1608JB1H223K
C1608JB1H103K
C1608JB1H104K
C1608JB1H104K
16SVP82M
R1, R5
R4
R8
R9
R10
R12
R13
R14
R15
R16
R17
Resistor
Resistor
Resistor
Resistor
Resistor
Resistor
Resistor
Resistor
Resistor
Resistor
Resistor
1.3 kΩ
100 kΩ
47 kΩ
13 kΩ
10 kΩ
6.2 kΩ
430 Ω
13 kΩ
10 kΩ
120 Ω
3.3 kΩ
0.5%
0.5%
0.5%
0.5%
0.5%
0.5%
0.5%
0.5%
0.5%
0.5%
0.5%
SUSUMU
SUSUMU
SUSUMU
SUSUMU
SUSUMU
SUSUMU
SUSUMU
SUSUMU
SUSUMU
SUSUMU
SUSUMU
RR0816P132D
RR0816P104D
RR0816P473D
RR0816P133D
RR0816P103D
RR0816P622D
RR0816P431D
RR0816P133D
RR0816P103D
RR0816P121D
RR0816P332D
VF = 0.3 V (Max) , IF = 10 mA 時
(注意事項)IR:International Rectifier Corp.
ROHM:ローム株式会社
TDK:TDK 株式会社
SANYO:三洋電機株式会社
SUSUMU:進工業株式会社
Dual FETKY は International Rectifier Corp. の商標です。
OS-CON は三洋電機社の商標です。
26
VENDOR
MB3889
■ 参考データ
変換効率-負荷電流特性 (CH1)
100
90
変換効率 η (%)
80
70
Vin = 8.5 V
Vin = 10 V
Vin = 12 V
60
Ta =+ 25 °C
3.3 V 出力
CTL = 5 V
CTL1 = Open
CTL2 = “L” レベル
50
40
30
10 m
100 m
1
10
負荷電流 IL (A)
変換効率-負荷電流特性 (CH2)
100
90
変換効率 η (%)
80
70
Vin = 8.5 V
Vin = 10 V
Vin = 12 V
60
Ta =+ 25 °C
5 V 出力
CTL = 5 V
CTL1 = “L” レベル
CTL2 = Open
50
40
30
10 m
100 m
1
10
負荷電流 IL (A)
(続く)
27
MB3889
スイッチング波形 (CH1)
VS1 (V)
12
Ta =+ 25 °C
VIN = 12 V
CTL = 5 V
CTL1 = Open
CTL2 = “L” レベル
VO1 = 3 A
10
8
6
4
2
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
拡大
9
10
t (µs)
拡大
VS1 (V)
3
VS1 (V)
3
2
2
1
1
0
0
0
40
80 120 160 200 240 280 320 360 400
t (ns)
tD2
136 ns
0
40
80 120 160 200 240 280 320 360 400
t (ns)
tD1
84 ns
(続く)
28
MB3889
スイッチング波形 (CH2)
VS2 (V)
12
Ta =+ 25 °C
VIN = 12 V
CTL = 5 V
CTL1 = “L” レベル
CTL2 = Open
VO2 = 3 A
10
8
6
4
2
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
拡大
VS2 (V)
3
9
10
t (µs)
拡大
VS2 (V)
3
2
2
1
1
0
0
0
40
80 120 160 200 240 280 320 360 400
t (ns)
tD2
148 ns
0
40
80 120 160 200 240 280 320 360 400
t (ns)
tD1
88 ns
(続く)
29
MB3889
(続き)
ソフトスタート動作波形 (CH1)
Ta =+ 25 °C
VIN = 12 V
CTL1 = Open
CTL2 = “L” レベル
VO1 = 1.2 Ω
VO1 (V)
4
2
VO1
0
ts
39 ms
VCTL (V)
5
VCTL
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
(ms)
ソフトスタート動作波形 (CH2)
Ta =+ 25 °C
VIN = 12 V
CTL1 = “L” レベル
CTL2 = Open
VO2 = 1.67 Ω
VO2 (V)
6
4
2
VO2
0
ts
37 ms
VCTL (V)
5
VCTL
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
(ms)
30
MB3889
■ 使用上の注意
・プリント基板のアースラインは , 共通インピーダンスを考慮し設計してください。
・静電気対策を行ってください。
・ 半導体を入れる容器は , 静電気対策を施した容器か , 導電性の容器をご使用ください。
・ 実装後のプリント基板を保管・運搬する場合は , 導電性の袋か , 容器に収納してください。
・ 作業台 , 工具 , 測定機器は , アースを取ってください。
・ 作業する人は , 人体とアースの間に 250 kΩ ~ 1 MΩ の抵抗を直列にいれたアースをしてください。
・負電圧を印加しないでください。
・ - 0.3 V 以下の負電圧を印加した場合 , LSI に寄生トランジスタが発生し誤動作を起こすことがあります。
31
MB3889
■ オーダ型格
型 格
MB3889PFT
32
パッケージ
プラスチック・TSSOP, 30 ピン
(FPT-30P-M04)
備 考
MB3889
■ 外形寸法図
プラスチック・TSSOP, 30 ピン
(FPT-30P-M04)
7.80±0.10(.307±.004)
"A"
Details of "A" part
0~8°
1.10(.043)
MAX
0.60±0.10
(.024±.004)
+0.20
4.40 –0.10
6.40±0.10
+.008
.173 –.004 (.252±.004)
INDEX
0.25(.010)
0.10±0.05
(.004±.002)
0.50(.020)
0.20±0.03
(.008±.001)
0.10(.004)
7.00(.276)
C
0.3865(.0152)
0.127±0.03
(.005±.001)
0.90±0.05
(.035±.002)
0.3865(.0152)
2001 FUJITSU LIMITED F30007SC-1-1
単位:mm (inches)
33
MB3889
MEMO
34
MB3889
MEMO
35
富士通マイクロエレクトロニクス株式会社
〒 163-0722 東京都新宿区西新宿 2-7-1 新宿第一生命ビル
http://jp.fujitsu.com/fml/
お問い合わせ先
富士通エレクトロニクス株式会社
〒 163-0731 東京都新宿区西新宿 2-7-1 新宿第一生命ビル
http://jp.fujitsu.com/fei/
電子デバイス製品に関するお問い合わせは , こちらまで ,
0120-198-610
受付時間 : 平日 9 時~ 17 時 ( 土・日・祝日 , 年末年始を除きます )
携帯電話・PHS からもお問い合わせができます。
※電話番号はお間違えのないよう , お確かめのうえおかけください。
本資料の記載内容は , 予告なしに変更することがありますので , ご用命の際は営業部門にご確認ください。
本資料に記載された動作概要や応用回路例は , 半導体デバイスの標準的な動作や使い方を示したもので , 実際に使用する機器での動作を保証するも
のではありません。従いまして , これらを使用するにあたってはお客様の責任において機器の設計を行ってください。これらの使用に起因する損害な
どについては , 当社はその責任を負いません。
本資料に記載された動作概要・回路図を含む技術情報は , 当社もしくは第三者の特許権 , 著作権等の知的財産権やその他の権利の使用権または実施
権の許諾を意味するものではありません。また , これらの使用について , 第三者の知的財産権やその他の権利の実施ができることの保証を行うもので
はありません。したがって , これらの使用に起因する第三者の知的財産権やその他の権利の侵害について , 当社はその責任を負いません。
本資料に記載された製品は , 通常の産業用 , 一般事務用 , パーソナル用 , 家庭用などの一般的用途に使用されることを意図して設計・製造されてい
ます。極めて高度な安全性が要求され , 仮に当該安全性が確保されない場合 , 社会的に重大な影響を与えかつ直接生命・身体に対する重大な危険性を
伴う用途(原子力施設における核反応制御 , 航空機自動飛行制御 , 航空交通管制 , 大量輸送システムにおける運行制御 , 生命維持のための医療機器 , 兵
器システムにおけるミサイル発射制御をいう), ならびに極めて高い信頼性が要求される用途(海底中継器 , 宇宙衛星をいう)に使用されるよう設計・
製造されたものではありません。したがって , これらの用途にご使用をお考えのお客様は , 必ず事前に営業部門までご相談ください。ご相談なく使用
されたことにより発生した損害などについては , 責任を負いかねますのでご了承ください。
半導体デバイスはある確率で故障が発生します。当社半導体デバイスが故障しても , 結果的に人身事故 , 火災事故 , 社会的な損害を生じさせないよ
う , お客様は , 装置の冗長設計 , 延焼対策設計 , 過電流防止対策設計 , 誤動作防止設計などの安全設計をお願いします。
本資料に記載された製品を輸出または提供する場合は , 外国為替及び外国貿易法および米国輸出管理関連法規等の規制をご確認の上 , 必要な手続き
をおとりください。
本書に記載されている社名および製品名などの固有名詞は , 各社の商標または登録商標です。
編集 販売戦略部