2SA1860 シリコンPNPエピタキシャルプレーナ型トランジスタ (2SC4886とコンプリメンタリ) −100max μA V IEBO VEB=−5V −100max μA −5 V V(BR)CEO IC=−25mA −150min V −14 A hFE VEBO −3 IB A VCE(sat) W fT ℃ COB 80(Tc=25℃) PC 150 Tj −55∼+150 Tstg ℃ 15.6±0.2 50min※ VCE=−4V, IC=−5A − 2.0max IC=−5A, IB=−500mA 50typ MHz VCB=−10V, f=1MHz 400typ pF 1.05 +0.2 -0.1 RL (Ω) IC (A) VBB1 (V) VBB2 (V) IB1 (mA) IB2 (mA) ton (μs) tstg (μs) tf (μs) –60 12 –5 –10 5 –500 500 0.25typ 0.85typ 0.2typ 4.4 B V CE (sat) – I B 特 性( 代 表 例 ) 0.65 +0.2 -0.1 5.45±0.1 1.5 VCC (V) 1.5 C 3.35 製品質量 約6.5g イ.品名 ロ.ロット番号 E I C – V BE 温 度 特 性( 代 表 例 ) (V CE = – 4V) –14 –3 mA 0 –1 –2 –3 0 –4 0 –0.2 –0.4 –0.6 –0.8 200 –1 –5 ース 温度 ) 度) 度) ス温 ス温 (ケ 0˚C −3 ケー 3 過渡熱抵抗 θ j- a ( ˚C/W) 25 ˚C 100 50 –2 θ j-a – t特 性 200 直流電流増幅率 h FE 直流電流増幅率 h F E Typ –1 (V C E = – 4V) 125 ˚C –0.5 0 ベース・エミッタ間電圧 V B E (V) h FE – I C 温 度 特 性( 代 表 例 ) (V CE = – 4V) –0.1 0 –1.0 ベース電流 I B (A) h FE – I C 特性(代表 例 ) 20 –0.02 12 –5A コレクタ・エミッタ間電圧 V CE (V) 100 C( I B =–20mA 0 –5 I C =–10A ケー –1 5˚ –50mA –5 –10 ˚C( –100 mA –2 25 コレクタ電流 I C (A) –1 50 m A –10 コレクタ電流 I C (A) –200 コレクタ飽和電圧 V C E (s a t ) (V) –7 00 mA A m mA mA mA 00 500 400 00 6 – – –3 – 0.8 2.15 5.45±0.1 ■代表的スイッチング特性(エミッタ接地) –14 1.75 ※ランク O(50∼100), P(70∼140), Y(90∼180) I C – V CE 特性(代 表 例 ) 3.45 ±0.2 ø3.3±0.2 イ ロ V VCE=−12V, IE=2A 5.5±0.2 3.0 −150 VCB=−150V 0.8±0.2 VCEO ICBO 5.5 V 単位 3.3 −150 規格値 9.5±0.2 VCBO 外形図 FM100(TO3PF) (Ta=25℃) 試 験 条 件 記 号 23.0±0.3 単 位 IC ■電気的特性 (Ta=25℃) 規 格 値 記 号 16.2 ■絶対最大定格 用途:オーディオ、一般用 1.6 LAPT – 30 ˚C 50 30 –0.02 –10 –14 –0.1 –0.5 –1 –5 –10 –14 1 0.5 0.1 1 10 コレクタ電流 I C (A) コレクタ電流 I C (A) f T – I E 特性(代表 例 ) 100 1000 2000 時間 t(ms) AS O 曲 線( 単 発 パ ル ス ) P c – Ta定 格 (V CE = – 12V) 80 –40 10 –10 D 60 s 40 付 放熱板なし 自然空冷 板 –0.5 20 熱 –1 放 コレクタ電流 I C (A) 0m –5 大 40 C s s 限 Typ 1m m 無 遮断周波数 f T (MH Z ) 60 10 最大許容損失 P C (W) 80 20 –0.1 0 0.02 0.1 1 エミッタ電流 I E (A) 34 10 –0.05 –2 –5 –10 –50 –100 コレクタ・エミッタ間電圧 V C E (V) –200 3.5 0 放熱板なし 0 25 50 75 100 周囲温度 Ta( ˚C) 125 150