2SA1909 シリコンPNPエピタキシャルプレーナ型トランジスタ (2SC5101とコンプリメンタリ) IEBO VEB=−6V −10max μA −6 V V(BR)CEO IC=−50mA −140min −10 A hFE 20typ ℃ COB VCB=−10V, f=1MHz 400typ ℃ ※ランク O(50∼100), P(70∼140), Y(90∼180) V 3.0 VCE=−12V, IE=0.5A MHz 3.3 IC=−5A, IB=−0.5A fT pF 1.75 1.05 +0.2 -0.1 5.45±0.1 ■代表的スイッチング特性(エミッタ接地) VCC (V) RL (Ω) IC (A) VBB1 (V) VBB2 (V) IB1 (A) IB2 (A) ton (μs) tstg (μs) tf (μs) –60 12 –5 –10 5 –0.5 0.5 0.17typ 1.86typ 0.27typ –10 –15 0m A コレクタ電流 I C (A) –100 –8 コレクタ飽和電圧 V C E (s a t ) (V) –8 mA –7 5m A –6 –50mA –4 –25mA –2 –2 –1 –6 度) 0 (V CE = – 4V) –4 ス温 –2 –2 I C =–10A 12 I B =–10mA –5A 0 –1 –2 –3 0 –4 0 –0.5 –1.0 コレクタ・エミッタ間電圧 V CE (V) h FE – I C 特性(代表 例 ) Typ 50 –1 –5 –1 –1.5 ベース・エミッタ間電圧 V B E (V) θ j-a – t特 性 200 3 125 ˚C 100 100 –0.5 0 (V C E = – 4V) 直流電流増幅率 h F E 25 ˚C – 30 ˚C 50 20 –0.02 –10 –0.1 –0.5 –1 –5 –10 1 0.5 0.1 1 10 100 f T – I E 特性(代表 例 ) 1000 2000 時間 t(ms) コレクタ電流 I C (A) コレクタ電流 I C (A) ASO 曲 線( 単 発 パ ル ス ) P c – Ta定 格 (V CE = – 12V) 80 –30 30 –5 –10 コレクタ電流 I C (A) 付 10 板 1 エミッタ電流 I E (A) 熱 0.1 –0.1 –3 40 20 放熱板なし 自然空冷 0 0.02 放 –0.5 大 –1 限 遮断周波数 f T (MH Z ) 60 s C 無 D ms 10 –5 0m Typ 10 20 10 –10 最大許容損失 P C (W) 直流電流増幅率 h FE 200 –0.1 0 –2.0 h FE – I C 温 度 特 性( 代 表 例 ) (V CE = – 4V) 30 –0.02 –1.5 ベース電流 I B (A) 過渡熱抵抗 θ j- a ( ˚C/W) 0 E ケー 0 3.35 製品質量 約6.5g イ.品名 ロ.ロット番号 –10 C( –3 C 5˚ 0 A 0m コレクタ電流 I C (A) –4 A 0m 1.5 I C – V BE 温 度 特 性( 代 表 例 ) –3 A 0m 4.4 B V CE ( sat) – I B 特 性( 代 表 例 ) 0.65 +0.2 -0.1 5.45±0.1 1.5 I C – V CE 特性(代 表 例 ) 0.8 2.15 温度) −55∼+150 Tstg VCE(sat) ケース 150 Tj −0.5max A W ø3.3±0.2 イ ロ ˚C ( 80(Tc=25℃) PC 3.45 ±0.2 −30 −4 IB V 50min※ VCE=−4V, IC=−3A 5.5±0.2 度) VEBO 0.8±0.2 V 15.6±0.2 5.5 μA 1.6 −10max ス温 −140 VCB=−140V ケー VCEO ICBO ˚C( V 単位 25 −140 規格値 9.5±0.2 VCBO 外形図 FM100(TO3PF) (Ta=25℃) 試 験 条 件 記 号 23.0±0.3 単 位 IC ■電気的特性 (Ta=25℃) 規 格 値 記 号 16.2 ■絶対最大定格 用途:オーディオ、一般用 –50 –100 コレクタ・エミッタ間電圧 V C E (V) –200 3.5 0 放熱板なし 0 25 50 75 100 125 150 周囲温度 Ta( ˚C) 37