2SC5100 シリコンNPN三重拡散プレーナ型トランジスタ (2SA1908とコンプリメンタリ) 120 V IEBO VEBO 6 V V(BR)CEO IC 8 A hFE 3 IB A VCE(sat) 75(Tc=25℃) W fT 150 ℃ COB −55∼+150 ℃ Tj 10max μA VEB=6V 10max μA IC=50mA 120min 15.6±0.2 V VCE=4V, IC=3A 50min※ IC=3A, IB=0.3A 0.5max V VCE=12V, IE=−0.5A 20typ MHz VCB=10V, f=1MHz 200typ pF ※ランク O(50∼100), P(70∼140), Y(90∼180) RL (Ω) IC (A) VBB1 (V) VBB2 (V) IB1 (A) IB2 (A) ton (μs) tstg (μs) tf (μs) 40 10 4 10 –5 0.4 –0.4 0.13typ 3.50typ 0.32typ A A 0m 20 m 100 C 3.35 製品質量 約6.5g イ.品名 ロ.ロット番号 E I C – V BE 温 度 特 性( 代 表 例 ) (V CE =4V) 8 2 3 0 4 0 0.2 コレクタ・エミッタ間電圧 V CE (V) 0.4 0.8 0 1.0 0 度) ース温 ˚C ( ケ −30 1.0 1.5 θ j-a – t特 性 h FE – I C 温 度 特 性( 代 表 例 ) (V CE =4V) (V C E =4V) 200 0.5 ベース・エミッタ間電圧 V B E (V) ベース電流 I B (A) h FE – I C 特性(代 表 例 ) 度) ) 12 I C =8A 4A 2A 0.6 ス温 温度 2 I B =10mA 1 ース 1 ケー 2 4 (ケ 20mA 2 5˚C 4 6 コレクタ電流 I C (A) コレクタ電流 I C (A) 50m A 0 1.5 75 m A 6 0 4.4 A コレクタ飽和電圧 V C E (s a t ) (V) 350m 1 V CE (sat) – I B 特 性( 代 表 例 ) 0.65 +0.2 -0.1 5.45±0.1 B 3 A 0.8 2.15 1.5 VCC (V) m 50 1.75 1.05 +0.2 -0.1 ■代表的スイッチング特性(エミッタ接地) 8 3.45 ±0.2 ø3.3±0.2 イ ロ 5.45±0.1 I C – V CE 特性(代 表 例 ) 5.5±0.2 C( Tstg 単位 VCB=160V 25˚ PC 試 験 条 件 3.0 VCEO 記 号 0.8±0.2 ICBO 5.5 V 1.6 160 3.3 VCBO 記 号 外形図 FM100(T03PF) (Ta=25℃) 規格値 23.0±0.3 単 位 9.5±0.2 ■電気的特性 (Ta=25℃) 規 格 値 16.2 ■絶対最大定格 用途:オーディオ、一般用 4 200 Typ 100 50 20 0.02 0.1 0.5 1 5 100 25 ˚C – 30 ˚C 50 20 0.02 8 過渡熱抵抗 θ j - a (˚C /W) 直流電流増幅率 h FE 0.1 コレクタ電流 I C (A) 0.5 1 5 8 1 0.5 0.2 1 10 100 f T – I E 特性(代表 例 ) AS O 曲 線( 単 発 パ ル ス ) (V CE =12V) P c – Ta定 格 80 20 40 1000 2000 時間 t(ms) コレクタ電流 I C (A) 10 10 付 10 板 0.1 5 熱 エミッタ電流 I E (A) –8 放 –1 40 20 放熱板なし 自然空冷 –0.1 大 0.5 10 限 1 無 コレクタ電流 I C (A) 60 s 遮断周波数 f T (MH Z ) 0m 20 0 –0.02 DC 5 Typ s 10 m 30 最大許容損失 P C (W) 直流電流増幅率 h FE 125 ˚C 50 100 コレクタ・エミッタ間電圧 V C E (V) 150 3.5 0 放熱板なし 0 25 50 75 100 125 150 周囲温度 Ta( ˚C) 127