sla2601m ds jp

Ver.2.2 FEB. 2011
High Voltage Full Bridge Driver IC
SLA2600M Series
■特長
・Full Bridge MOSFET+プリドライブ IC を1パック化
・CMOS(3.3V、5V)入力レベル対応
・制御電源電圧低下保護回路(UVLO)内蔵(自己復帰)
・過熱保護機能(TSD)内蔵
・デッドタイム内蔵
・SIP タイプパワーパッケージ採用
SIP 24pin, AL フィン付
■用途
代表例として SLA2601M の
・データプロジェクタ HID ランプ駆動
外形図を記載しております。
■ブロック図
6
7
14
18
19
VBB
VBB
VB1
H1
HO1
2
3
VM1
4
5
8
9
(LG1)
Drive
Circuit
HS1
VCC
UV
Detect
VB2
UV
Detect
UV
Detect
Level
Shift
Level
Shift
Drive
Circuit
HO2
VM2
22
23
(LG2)
16
17
20
21
HS2
TSD
Input
Logic
LO1
H2
LO2
Drive
Circuit
Drive
Circuit
L1
EN
IN
FO
L2
COM
LS
LS
1
10
11
15
12
13
24
■真理値表
EN
IN
FO
H1
H2
L1
L2
L
X
X
OFF
OFF
OFF
OFF
X
X
H
OFF
OFF
OFF
OFF
H
H
L
ON
OFF
OFF
ON
H
L
L
OFF
ON
ON
OFF
1
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SLA2600M Series
■仕様
・最大定格(Ta=25℃)
項目
記号
条件
定格
MOSFET 出力耐圧
VDS
IDS=100uA
250
制御電源電圧
VCC
VCC-COM 間
20
制御電源電圧
VBS
VB1-VM1 間,VB2-VM2 間
20
SLA2601M
14
出力電流(連続)
IO
SLA2602M
7
単位
V
A
出力電流(ピーク)
SLA2601M
PW≦100us
21
SLA2602M
PW≦100us
14
IOP
入力電圧
VIN
IN-COM 間,EN-COM 間
LS 電位
VLS
LS1-COM 間,LS2-COM 間
許容損失
PD
-0.5~+7
V
-1.0~+1.0
Tc=25℃,全素子動作
35
Tc=100℃,全素子動作
14
W
動作ケース温度
TOP
-20~+100
パワー部接合温度
Tj
+150
Tstg
-40~+150
保存温度
℃
2
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High Voltage Full Bridge Driver IC
SLA2600M Series
■電気的特性(Ta=25℃)
規格
項目
記号
条件
単位
MIN
TYP
MAX
制御電源電流
ICC
VCC=15V
-
2.0
-
mA
ブート電源電流
IB
VCC=15V
-
135
-
uA
VIL
VCC=15V, EN=L:出力 OFF
1.0
1.5
-
VIH
VCC=15V, EN=H:出力 ON
-
2.0
2.5
入力電圧
ヒステリシス幅
VH
VCC=15V
-
0.5
-
入力電流(IN,EN)
IIH
VCC=15V, EN=5V
-
230
500
制御電源低下
保護電圧 (Vcc)
UVLL
10.0
-
12.0
10.5
-
12.5
制御電源低下
保護電圧 (VB)
UVHL
9.0
-
11.0
9.5
-
11.5
0
-
1.0
3.6
-
5.0
135
150
165
105
120
135
入力電圧(IN,EN)
VCC=15V
uA
V
UVLH
VCC=15V
V
UVHH
VFOL
FO 端子出力端子
V
VCC=15V
V
VFOH
過熱保護及び
解除しきい値
TDH
デッドタイム
Tdead
VCC=15V
-
430
-
ns
MOSFET 出力耐圧
VDSS
VCC=15V, IDS=100uA, VIN=0V
250
-
-
V
MOSFET 出力漏れ電流
IDSS
VCC=15V, VDS=250V, VIN=0V
-
-
100
uA
SLA2601M
VCC=15V, ID=7.0A, EN=5V
-
0.11
0.13
MOSFET 出力 ON 抵抗
RDS(on)
SLA2602M
VCC=15V, ID=3.5A, EN=5V
-
0.14
0.185
SLA2601M
ISD=7.0A
-
1.0
1.5
SLA2602M
ISD=3.5A
-
1.0
1.5
MOSFET
ダイオード順電圧
VCC=15V
℃
TDL
Ω
VSD
V
※過熱保護は、IC の温度を検出することにより行っております。
3
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SLA2601M SW 特性
Ta = 25℃
td(on)
スイッチングタイム
(H-side)
VBB=200V, VCC=15V,
tr
td(off)
-
-
100
-
-
900
-
-
30
-
-
1270
-
-
80
-
-
880
-
-
30
-
ns
R 負荷
td(on)
(L-side)
1290
ID=7.0A, EN=5V,
tf
スイッチングタイム
-
VBB=200V, VCC=15V,
tr
ID=7.0A, EN=5V,
td(off)
ns
R 負荷
tf
SLA2602M SW 特性
Ta = 25℃
td(on)
スイッチングタイム
(H-side)
VBB=200V, VCC=15V,
tr
td(off)
-
-
40
-
-
850
-
-
15
-
-
1240
-
-
40
-
-
830
-
-
25
-
ns
R 負荷
td(on)
(L-side)
1260
ID=3.5A, EN=5V,
tf
スイッチングタイム
-
VBB=200V, VCC=15V,
tr
ID=3.5A, EN=5V,
td(off)
ns
R 負荷
tf
※スイッチングタイムの td(on)には、デッドタイム分が含まれています。
IN
td(on)
tr
td(off)
tf
VDS
90%
ID
90%
10%
10%
SW 時間の定義
4
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SLA2600M Series
■ 推奨動作条件
項目
記号
規格
条件
単位
MIN
TYP
MAX
-
-
200
V
13.5
-
17.5
V
Cboot
10
-
-
uF
FO プルアップ抵抗
RFO
0.68
-
10
kΩ
FO コンデンサ容量
CFO
0.001
-
0.01
uF
IN 端子周波数
FIN
-
-
150
kHz
使用温度
Tj
-
125
℃
主電源電圧
VBB
VBB-LS/COM 間
制御電源電圧
VCC
VCC-COM 間
ブートストラップコンデンサ容量
-
■端子配置
PIN
端子
番号
名称
機能
1
LS1
MOSFET L1 ソース端子 / MOSFET L2 ソース端子
2
VM1
MOSFET H1 ソース端子 / MOSFET L1 ドレイン端子
3
VM1
同上
4
(LG1)
カットピン(MOSFET L1 ゲート端子)
5
(LG1)
同上
6
VBB1
MOSFET H1 ドレイン端子 / MOSFET H2 ドレイン端子
7
VB1
High Side フローティング電源端子 1
8
(LG1)
カットピン(MOSFET L1 ゲート端子)
9
(LG1)
同上
10
EN
出力イネーブル用入力端子
11
IN
出力切替用入力端子
12
COM
プリドライブ IC グランド端子
13
COM
同上
14
VCC
プリドライブ IC 電源端子
15
FO
FO 信号出力端子
16
(LG2)
カットピン(L2 ゲート駆動端子)
17
(LG2)
同上
18
VB2
High Side フローティング電源端子 2
19
VBB2
MOSFET H1 ドレイン端子 / MOSFET H2 ドレイン端子
20
(LG2)
カットピン(L2 ゲート駆動端子)
21
(LG2)
同上
22
VM2
MOSFET H2 ソース端子 / MOSFET L2 ドレイン端子
23
VM2
同上
24
LS2
MOSFET L1 ソース端子 / MOSFET L2 ソース端子
5
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SLA2600M Series
■応用回路例
Boot Di
Rb
Rb
Boot Di
VCC
6
7
14
18
19
VBB2
VBB1
Cb
VB1
Cb
H1
Converter
HO1
2
3
VM1
4
5
8
9
(LG1)
Drive
Circuit
HS1
VCC
UV
Detect
VB2
UV
Detect
UV
Detect
Level
Shift
Level
Shift
Drive
Circuit
HO2
VM2
LO2
Drive
Circuit
(LG2)
Drive
Circuit
L1
EN
IN
FO
22
23
HS2
TSD
Input
Logic
LO1
H2
16
17
20
21
L2
COM
LS1
LS2
1
10
11
MCU
15
RCO
12
13
24
RFO
5V
応用回路例
・入力プルダウン抵抗は、IC 内に内蔵(約 22kΩ )されていますが、入力が不定になると予想できる場合、または変
動が大きい場合は外付抵抗にて強化が必要です。
・各コンデンサは IC の端子部近傍に取り付けてください。また、ノイズが多い場合、電解コンデンサと並列にセラミッ
クコンデンサを取り付け除去してください。
・LS1,LS2-COM 間に電流検出用抵抗を挿入する場合は、LS1,2-COM 間の電圧が1V 以下となるよう抵抗値を設定
してください。
6
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■FO 出力端子
FO 出力端子は保護機能動作時信号出力端子です。内部の等価回路および外付け回路を下図に示しています。
過熱保護時および VCC-COM 間の制御電源電圧低下保護回路動作時に 5V 出力します。なお、上記保護機能を
不動作させたい場合は、FO-COM 間をショートして下さい。耐ノイズ性を向上させたい場合には、FO 端子にプル
アップ抵抗(0.68k~10kΩ )を接続して下さい。
+5V
50k
100
通常時 ON
保護動作時OFF
FO
MCU
2k
Filter
シャットダウンへ
CFO
1M
COM
FO 内部等価回路 (5V 系電源使用時の外部回路含む)
■Input Logic および保護動作ロジック回路
デッドタイム生成
IN
H1
狭幅
Filter
100ns
(min)
L2
H2
L1
EN
狭幅
Filter
100ns
(min)
レベルシフト
回路へ
ドライブ
回路へ
レベルシフト
回路へ
ドライブ
回路へ
430ns(typ)
UVLO
TSD
EN、IN 端子と保護動作信号のロジック等価回路
※ノイズ除去用フィルタ 100ns(min.)が初段に入っています。
7
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■UVLO タイムチャート
EN
IN
UVLH
VCC
UVLL
UVHH
UVHH
VB-HS
UVHL
HO1
HO2
LO1
LO2
Td
Td
Td
FO
※ VB の UVLO 解除後の H-side 側動作は、エッジ動作(解除後に IN 信号の変化後に動作開始)になります。
VCC の UVLO 解除後の H-side 側動作は、エッジ動作、L-side 動作は、レベル動作(解除後の IN、EN に従った動作)
となります。
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■TSD タイムチャート
EN
IN
Tmic
TDH
TDL
HO1
LO2
HO2
LO1
FO
※過熱保護動作解除後の H-side 側動作は、エッジ動作、L-side 動作は、レベル動作となります。
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■外形図
(Pin ピッチ 1.27mm)
1) 縦千鳥 LF2176
A; 品名表示
B; Lot 表示
JAPAN
4,5,8,9,16,17,20,21pin は
A
カットピンになります。
B
2) 片側曲げ LF2179
A; 品名表示
B; Lot 表示
JAPAN
4,5,8,9,16,17,20,21pin は
A
カットピンになります。
B
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使用上の注意
使用上の注意 CAUTION/ WARNING
保管環境、特性検査上の取り扱い方法によっては信頼度を損なう要因となりますので、注意事項に留意されます
ようお願いいたします。
保管上の注意
保管環境は、常温(5~35℃)、常湿(40~75%)中が望ましく、高温多湿や温湿度変化の大きな場所を避けてく
ださい。
腐食性ガス等の有毒ガスが発生しない塵埃の尐ない場所で直射日光を避けてください。
長期保管したものは、使用前に半田付け性やリードの錆等について再点検してください。
特性検査、取り扱い上の注意事項
受入検査等で特性検査を行う場合は、測定器からのサージ電圧の印加、端子間ショートや誤接続等に十分ご注意
ください。また定格以上の測定は避けてください。
推奨締め付けトルク
締め付けトルクは 58.8~78.4N・cm(6~8Kgf・cm)として下さい。また締め付けの際には、製品と放熱フィン
との間に異物(シリコーングリースを除く)がないようにしてください。
放熱用シリコーングリースをご使用の際の注意
本製品を放熱板に取付けシリコーングリースをご使用する際は、均一に薄く塗布して下さい。必要以上に塗布す
ることは、無理な応力を加えることになります。
揮発性の放熱用シリコーングリースは長時間経過しますとヒビ割れが生じ、放熱効果を悪化させます。稠度の小
さい(固い)放熱用シリコーングリースは、ビス止め時にモールド樹脂クラックの原因となります。
弊社では、寿命に影響を与えない下記の放熱用シリコーングリースを推奨しております。
品名 Type
G746
YG6260
SC102
メーカー名
信越化学工業(株)
モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ・ジャパン合同会社
東レ・ダウコーニング(株)
半田付けの際は、下記条件以内でできるだけ短時間に作業をするよう、ご配慮ください。
・260±5℃
10sec.
・380±10℃
5sec. (半田ごて)
半田付けは製品本体より 1.5mm のところまでとする。
静電気破壊防止のための取扱注意
デバイスを取り扱う場合は、人体アースを取ってください。人体アースはリストストラップ等を用い、感電防止
のため、1MΩの抵抗を人体に近い所へ入れてください。
デバイスを取り扱う作業台は導電性のテーブルマットやフロアマット等を敷きアースを取ってください。
カーブトレーサーなどの測定器を使う場合、測定器もアースを取ってください。
半田付けをする場合、半田ごてやディップ槽のリーク電圧がデバイスに印加されるのを防ぐため、半田ごての先
やディップ槽をアースしてください。
デバイスを入れる容器は、弊社出荷時の容器を用いるか、導電性容器やアルミ箔等で、静電対策をしてください。
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その他
デバイスに対して、各定格値から軽減した動作範囲を設定したり、サージやノイズなどについて考慮するこ
とで、デバイスに、より確かな信頼性を持たせることをディレーティングと呼びます。ディレーティングは、一般的には電
圧、電流、電力などの電気的ストレス、周囲温度、湿度などの環境ストレスがあります。特にパワーデバイス
についてはデバイス自体の発熱が大きいため、接合温度(Tj)でのディレーティングの程度により、信頼性が大き
く変わりますので、充分配慮してください。
本書に記載されている動作例及び回路例は、使用上の参考として示したもので、これらに起因する当社もしく
は第三者の工業所有権、知的所有権、その他の権利の侵害問題について当社は一切責任を負いません。
本書に記載されている製品のご使用にあたって、これらの製品に他の製品・部材を組み合わせる場合、或いは、
これらの製品に物理的、化学的その他何らかの加工・処理を施す場合には、使用者の責任に於いてそのリスクを
ご検討の上行ってください。
当社は品質、信頼性の向上に努めていますが、半導体製品では、ある確率での欠陥、故障の発生は避けられま
せん。部品の故障により結果として、人身事故、火災事故、社会的な損害等を発生させないよう、使用者の責任
に於いて、装置やシステム上で十分な安全設計及び確認を行ってください。
本書に記載されている製品は、一般電子機器(家電製品、事務機器、通信端末機器、計測機器など)に使用され
ることを意図しております。ご使用の際は、納入仕様書に署名または押印の上ご返却をお願いいたします。
高い信頼性が要求される装置(輸送機器とその制御装置、交通信号制御装置、防災・防犯装置、各種安全装置な
ど)への使用をご検討の際には、必ず当社販売窓口へご相談及び納入仕様書に署名または押印の上、ご返却をお
願いいたします。
極めて高い信頼性が要求される装置(航空宇宙機器、原子力制御、生命維持のための医療機器など)には当社の
文書による合意が無い限り使用しないでください。
本書に記載された製品は耐放射線設計をしておりません。
当社物流網外での輸送、製品落下等によるトラブルについて当社は一切責任を負いません。
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お問い合わせ先
●東京事務所
〒171-0021
東京都豊島区西池袋1-11-1(メトロポリタンプラザビル)
TEL:03-3986-6166
●大阪支店
〒530-0001
大阪府大阪市北区梅田三丁目3番20号(明治安田生命大阪梅田ビル)
TEL:06-6450-4400
●名古屋営業所
〒450-0002
名古屋市中村区名駅4-26-22(名駅ビル)
TEL:052-581-2767
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